DE1296226B - Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode - Google Patents

Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode

Info

Publication number
DE1296226B
DE1296226B DEP43575A DEP0043575A DE1296226B DE 1296226 B DE1296226 B DE 1296226B DE P43575 A DEP43575 A DE P43575A DE P0043575 A DEP0043575 A DE P0043575A DE 1296226 B DE1296226 B DE 1296226B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
oscillator
voltage
circuit arrangement
reverse voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DEP43575A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1296226C2 (de
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to DE1967P0043575 priority Critical patent/DE1296226C2/de
Priority to NL686817328A priority patent/NL145422B/xx
Priority to NO684895A priority patent/NO126409B/no
Priority to DK598368AA priority patent/DK121059B/da
Priority to SE16736/68A priority patent/SE338351B/xx
Priority to BR204672/68A priority patent/BR6804672D0/pt
Priority to GB58091/68A priority patent/GB1236630A/en
Priority to AT1190468A priority patent/AT282714B/de
Priority to CH1831468A priority patent/CH480761A/de
Priority to ES361193A priority patent/ES361193A1/es
Priority to YU2915/68A priority patent/YU31500B/xx
Priority to FR1596827D priority patent/FR1596827A/fr
Priority to US13589A priority patent/US3611154A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE1296226C2 publication Critical patent/DE1296226C2/de
Publication of DE1296226B publication Critical patent/DE1296226B/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
    • H03J7/02—Automatic frequency control
    • H03J7/04—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant
    • H03J7/08—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant using varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1221—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising multiple amplification stages connected in cascade
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/02—Details
    • H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
    • H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
    • H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
    • H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
    • H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/0056—Circuit elements of oscillators including a diode used for switching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Description

1 2
Die Erfindung bezieht sich auf eine Abstimm- Die Erfindung wird nachstehend an Hand der
Schaltungsanordnung mit einem örtlichen Oszillator, Zeichnung beispielsweise näher erläutert,
die auf zwei Frequenzen oder Frequenzbereiche um- An einen Transistor 1 der Type AF 139 oder
schaltbar ist mittels wenigstens einer Schaltdiode, die AF 2110 ist die an Erde liegende Reihenschaltung
im einen Zustand durch eine Sperrspannung nicht- 5 zweier Induktivitäten 2 und 3 angeschlossen, denen
leitend ist und im anderen Zustand durch eine eine durch Vorspannungsänderungen in ihrer Kapa-
Öffnungsspannung eine niederohmige Verbindung zität steuerbare Diode 4 der Type BA 138/BB 105 in
zwischen Schwingkreiselementen herstellt. Reihe mit einem Trennkondensator 5 von z. B. 10 pF
In einem Gerät, das eine solche Abstimm-Schal- angeschlossen; dem Verbindungspunkt der Diode 4 tungsanordnung enthält, steht in der Regel nur eine io und des Kondensators 5 wird von einem Punkt A her Gleichspannungsquelle zur Verfügung, die keine An- eine einstellbare Spannung zugeführt, mit der der zapfung aufweist. Die Spannung hat in vielen Fällen Schwingungskreis 2, 3, 4, 5 auf eine gewünschte Freeinen niedrigen Wert, der nicht viel größer ist als der quenz abgestimmt werden kann, für das Sperren der Schaltdiode erforderliche Wert, Dieser Schwingungskreis ist eingeschaltet zwischen und es bedeutet einen beträchtlichen Aufwand, wenn 15 den Kollektor des Transistors 1 und Erde. Auch die etwa durch einen Spannungsteiler oder durch eine Basis des Transistors 1 liegt über einen Trennkondensolche Ausbildung der Schaltungsanordnung, daß die sator 6 von 680 pF an Erde, und die Basisvorspanvorhandene Spannung wahlweise an der Kathode nung wird durch einen zwischen dem positiven Pol oder der Anode der Diode und damit sperrend oder der Speisequelle und dem geerdeten Minuspol einöffnend wirksam gemacht werden kann, die einzige 20 geschalteten Spannungsteiler aus einem Widerstand 7 Spannungsquelle für beide Schaltzustände ausgenutzt von 1,5 kOhm und einem Widerstände von 5,6kOhm wird. Dabei ist insbesondere zu bedenken, daß ja geliefert. Der Emitter des Transistors 1 ist über einen Schwingkreiselemente umgeschaltet werden müssen, Widerstand 9 an den positiven Pol der Speisequelle die für die Schwingungsfrequenz definierte Potentiale angeschlossen. Die Oszillatorspannung ist in bekannaufweisen müssen. Insbesondere bei hohen Frequen- 25 ter Weise über einen zwischen Kollektor und Emitter zen im Bereich von VHF und UHF, wie sie für Fern- angebrachten Kondensator 10 von 1,2 pF rückgesehempfänger erforderlich sind, ist es auch für die koppelt und kann somit auf der durch den Schwin-Vermeidung von Streukapazitäten in der Regel er- gungskreis 2, 3, 4, 5 bedingten Frequenz schwingen, wünscht, daß die Schaltdiode wenigstens mit einer Der Verbindungspunkt der Induktivität 2 und 3 ist Elektrode ohne zusätzliche Schaltelemente an den 30 mit der Kathode einer Schaltdiode 12 verbunden, Schwingkreis angeschlossen wird. deren Anode eine Schaltspannung S zugeführt werden
Bei einer Schaltungsanordnung der eingangs er- kann, wobei weiter zur Unterdrückung von Hochwähnten Art werden diese Nachteile vermieden und frequenzspannungen ein Kondensator 13 von 680 pF ohne wesentlichen zusätzlichen Aufwand wird eine gegen Erde und weiter ein Kondensator 14 von von der Geräte-Speisespannung getrennte Sperr- 35 680 pF gegen die Basis des Transistors 1 angeschlosspannung unmittelbar dort, wo sie benötigt wird, sen ist. Wird eine positive Spannung 5, z. B. mittels erzeugt, wenn gemäß der Erfindung die Sperrspan- eines die Diode 12 in Öffnungsrichtung durchfließennung für die Oszillator-Schaltdiode durch Gleich- den Stroms, angelegt, so erhält die Diode 12 einen richtung von in der Oszillatorstufe auftretenden sehr niedrigen Widerstand und schließt die Induk-Schwingungen gewonnen wird und wenn für den an- 40 tivität 2 kurz. Im Schwingungskreis ist dann nur noch deren Zustand der Diode ein in Öffnungsrichtung die Induktivität 3 wirksam, und es werden Schwinfließender Strom zugeführt wird. gungen entsprechend höherer Frequenz erregt. So
Der Vollständigkeit halber sei bemerkt, daß es be- kann in einfacher Weise zwischen zwei VHF-Bereikannt ist, die am Gitter eines Röhren-Oszillators auf- chen zum Empfang von Fernsehsignalen umgeschaltet tretende negative Spannung in anderen Stufen des 45 werden. Im anderen Bereich, in dem eine positive Gerätes, z. B. als Gittervorspannung für Verstärker- Spannung S nicht zugeführt wird, genügt es aber stufen, zu verwenden. Es ist weiter bekannt, einen nicht, die Diode 12 ohne zusätzliche Sperrspannung Röhrenoszillator dadurch abzustimmen, daß eine zu betreiben, da sie ohne Vorspannung einen nicht Diode angeschaltet wird, durch die Schwingungen sehr hohen Widerstand zeigt, der außerdem stark gleichgerichtet werden und die mittels eines einstell- 50 nichtlinear ist und somit die Oszillatorschwingungen baren Widerstands durch einen Strom belastet wird dämpfen und verzerren kann. Es wird daher eine derart, daß ihr ohmscher Innenwiderstand sich an- Sperrspannung für die Diode wirksam gemacht, die dert; zusammen mit der Kapazität des zwischen erst dann wechselt, wenn die Durchlaßspannung 5 Diode und Schwingungskreis eingeschalteten Kon- angelegt wird. Diese Sperrspannung wird nach der densators ergibt sich dann eine Impedanz, deren 55 Erfindung dadurch erhalten, daß die Oszillator-Blindanteil verändert wird derart, daß eine Abstim- Schwingungen an der Schaltdiode 12 selbst gleichmung des Oszillators möglich ist. Demgegenüber wird gerichtet werden. Dazu sind die an die Diode 12 bei der Erfindung die an sich bekannte Schaltdiode angeschlossenen Glieder derart zu bemessen, daß zur Erzeugung ihrer eigenen Sperrspannung ausge- eine, vorzugsweise extreme, Spitzengleichrichtung nutzt, wobei sie in diesem Schaltzustand gegenüber 60 auftritt und durch eine große Entladezeitkonstante dem Schwingungskreis praktisch unwirksam sein soll. der gleichstromseitig angeschlossenen Kapazitäten 13 Die Umschaltung in den Zustand, in den die Schalt- und 14 und einen entsprechend hochohmigen Ableitdiode einen Kurzschluß darstellt, erfolgt mittels einer widerstand erreicht wird, daß die Diode 12 nur sehr von außen angelegten Öffnungsspannung. Der hoch- wenig Strom zu führen braucht. Wenn die Diode 12 ohmige Kreis der Sperrspannung braucht daher prak- 65 nichtleitend ist, erzeugt sie sich dann ihre Sperrtisch keine Verbindung mit anderen Schaltungsteilen spannung selbst. Diese kann von ihrer Anode, geaufzuweisen, und erst im niederohmigen Durchlaß- gebenenfalls über zusätzliche Entkopplungselemente, zustand wird ein äußerer Stromkreis angeschlossen. entnommen und für Schaltdioden an weiteren
Schwingungskreisen verwendet werden. Da solche Schaltdioden nur einen geringen Sperrstrom in der Größenordnung von 1 μΑ führen, ergibt sich keine unzulässige Belastung für den Oszillatorkreis. Im übrigen tritt diese Belastung nur bei gesperrter Diode 12 auf, wenn der Kreis auf niedrigeren Frequenzen und damit im allgemeinen stabiler schwingt. Im Bereich höherer Frequenzen wirkt die Diode 12 durch die positive Schaltspannung S als Kurzschluß für die Induktivität 2 und ist praktisch im Hochfrequenz-Oszillatorkreis nicht mehr wirksam.
Wird der dargestellte Oszillator ohne positive Schaltspannung S in Betrieb gesetzt, so besteht noch keine Sperrspannung für die Diode 12, und diese weist einen verhältnismäßig niedrigeren Widerstand in der Größenordnung von 2 bis 3 kOhm auf. Dies bewirkt eine beträchtliche Dämpfung des Schwingungskreises, und es besteht die Möglichkeit, daß unter diesen Bedingungen der Oszillator nicht anschwingt. Nach der Erfindung wird der Oszillator »o daher so ausgebildet, daß er auch ohne jede Vorspannung der Diode 12 anschwingen kann. Dies läßt sich insbesondere dadurch erreichen, daß eine zusätzliche Rückkopplung vorgesehen wird, die bei fehlender Schaltspannung wirksam ist, und die unwirksam wird, as wenn die normalen Betriebsbedingungen erreicht sind. So könnte z. B. mittels zusätzlicher Schaltdioden, die durch die erwähnten Schaltspannungen für die Diode 12 gesteuert werden, bei fehlenden Schaltspannungen der Rückkopplungskondensator 10 vergrößert werden.
Eine einfachere Lösung ergibt sich, wenn zwischen Emitter und Basis ein weiterer Kondensator 19 angebracht wird, der so bemessen ist, daß der induktive Basis-Emitter-Eingang des Transistors auf einer vorzugsweise außerhalb der abzustimmenden Bereiche, insbesondere zwischen den abzustimmenden Bereichen, liegenden Frequenz in Resonanz gebracht wird. Dadurch wird für diese Frequenz der Emittereingang wesentlich hochohmiger und die Emitter-Basis-Steuerstrecke liegt in diesem Kreis, so daß für die über den Rückkopplungskondensator 10 zugeführten Schwingungen eine Stromtransformation und somit eine entsprechend stärkere Ansteuerung des Transistors 1 erfolgt. Infolge dieser verstärkten Rückkopplung treten Schwingungen auch dann auf, wenn durch eine vorspannungslose Schaltdiode 12 der Schwingkreis stärker gedämpft ist. Die so erhaltenen Schwingungen dienen lediglich dazu, die Diode 12 zur Herstellung einer Sperrspannung zu speisen. Sobald durch den Aufbau einer Sperrspannung an den Kondensatoren 13 und 14 die Diode 12 stärker gesperrt und der Resonanzkreis 2, 3, 4, 5 entdämpft ist, geht die Frequenz auf den gewünschten, mittels der Diode 4 eingestellten Wert über, und die weitere Gleichrichtung und Aufrechterhaltung der Sperrspannung geht in normaler Weise vor sich. Da dann der Emittereingang des Transistors 1 nicht mehr in der durch den Kondensator 19 bedingten Resonanzfrequenz angesteuert wird, geht auch die Rückkopplung zurück auf den im betreffenden Frequenzbereich mit anderen Mitteln, insbesondere durch den Kondensator 10 in Verbindung mit dem normalen Eingangswiderstand des Widerstands des Transistors 1, eingestellten Wert.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Abstimm-Schaltungsanordnung mit einem örtlichen Oszillator, die auf zwei Frequenzen oder Frequenzbereiche umschaltbar ist mittels wenigstens einer Schaltdiode, die im einen Zustand durch eine Sperrspannung nichtleitend ist und im anderen Zustand durch eine Öffnungsspannung eine niederohmige Verbindung zwischen Schwingkreiselementen herstellt, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrspannung für die Oszillator-Schaltdiode (12) durch Gleichrichtung von in der Oszillatorstufe auftretenden Schwingungen gewonnen wird und daß für den anderen Zustand der Diode (12) ein in Öffnungsrichtung fließender Strom zugeführt wird.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der der Oszillator selbst mittels einer Schaltdiode umgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator derart ausgebildet ist, daß er in jedem Falle auch anschwingen kann, ohne daß die Sperrspannung bereits aufgebaut ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine zusätzliche Rückkopplung (19), die wirksam ist, solange die Sperrspannung noch nicht aufgebaut ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch die zusätzliche Rückkopplung eine Schwingung erregt wird, die außerhalb des Bereiches der normal einstellbaren Schwingungen liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE1967P0043575 1967-12-09 1967-12-09 Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode Expired DE1296226C2 (de)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1967P0043575 DE1296226C2 (de) 1967-12-09 1967-12-09 Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode
NL686817328A NL145422B (nl) 1967-12-09 1968-12-04 Afstemschakeling.
AT1190468A AT282714B (de) 1967-12-09 1968-12-06 Abstimmschaltungsanordnung
SE16736/68A SE338351B (de) 1967-12-09 1968-12-06
BR204672/68A BR6804672D0 (pt) 1967-12-09 1968-12-06 Instalacao de circuito de sintonia
GB58091/68A GB1236630A (en) 1967-12-09 1968-12-06 Tuning circuit arrangement
NO684895A NO126409B (de) 1967-12-09 1968-12-06
CH1831468A CH480761A (de) 1967-12-09 1968-12-06 Abstimmschaltungsanordnung
DK598368AA DK121059B (da) 1967-12-09 1968-12-06 Afstemningskobling.
ES361193A ES361193A1 (es) 1967-12-09 1968-12-07 Una disposicion de circuito de sintonizacion.
YU2915/68A YU31500B (en) 1967-12-09 1968-12-09 Uglasevalno vezje
FR1596827D FR1596827A (de) 1967-12-09 1968-12-09
US13589A US3611154A (en) 1967-12-09 1970-02-24 Diode switching of tuned circuits with back-bias derived from oscillator rectification

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1967P0043575 DE1296226C2 (de) 1967-12-09 1967-12-09 Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1296226C2 DE1296226C2 (de) 1978-03-16
DE1296226B true DE1296226B (de) 1978-03-16

Family

ID=7379595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1967P0043575 Expired DE1296226C2 (de) 1967-12-09 1967-12-09 Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode

Country Status (13)

Country Link
US (1) US3611154A (de)
AT (1) AT282714B (de)
BR (1) BR6804672D0 (de)
CH (1) CH480761A (de)
DE (1) DE1296226C2 (de)
DK (1) DK121059B (de)
ES (1) ES361193A1 (de)
FR (1) FR1596827A (de)
GB (1) GB1236630A (de)
NL (1) NL145422B (de)
NO (1) NO126409B (de)
SE (1) SE338351B (de)
YU (1) YU31500B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2358695A1 (de) * 1972-11-25 1974-05-30 Sony Corp Automatischer frequenznachstimmkreis
DE2831628A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Standard Elektrik Lorenz Ag Spannungsgesteuerter oszillator
DE3507865A1 (de) * 1985-03-06 1986-09-11 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung fuer einen tuner zur umschaltung mehrerer frequenzbereiche

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133683B1 (de) * 1971-06-17 1976-09-21
JPS4934262A (de) * 1972-07-28 1974-03-29
JPS4955209A (de) * 1972-09-29 1974-05-29
DE2412689C3 (de) * 1974-03-16 1978-04-27 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung zur Abstimmung und Bereichs- bzw. Bandumschaltung eines HF-Schwingungskreises
US3903487A (en) * 1974-05-01 1975-09-02 Gte International Inc Multi-circuit selection filter for two different frequency ranges
US4135158A (en) * 1975-06-02 1979-01-16 Motorola, Inc. Universal automotive electronic radio
US4097822A (en) * 1976-08-09 1978-06-27 Hewlett-Packard Company Broad-band cavity-tuned transistor oscillator
US4247953A (en) * 1977-07-01 1981-01-27 Hitachi, Ltd. Tunable high-frequency input circuit
US4271529A (en) * 1980-03-20 1981-06-02 Zenith Radio Corporation Tunable resonant circuits for a multi-band VHF/UHF/CATV tuner
US4368541A (en) * 1980-06-30 1983-01-11 Evans Robert M Multiplexing arrangement for a plurality of voltage controlled filters
US4363135A (en) * 1980-10-27 1982-12-07 Zenith Radio Corporation Four band VHF varactor tuner
DE3210454A1 (de) * 1982-03-22 1983-09-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Empfaenger-eingangsschaltung
US4442548A (en) * 1982-05-14 1984-04-10 Rca Corporation Television receiver tuning circuit tunable over a wide frequency range
US4486723A (en) * 1983-01-06 1984-12-04 Rca Corporation Diode switching system for a selectable impedance matching network
JPS59171439U (ja) * 1983-04-28 1984-11-16 アルプス電気株式会社 Ｖｈｆチユ−ナ
JPS6090411A (ja) * 1983-10-07 1985-05-21 Hitachi Ltd フイルタ集積回路
US4528698A (en) * 1983-12-22 1985-07-09 Motorola, Inc. Tuning system for RF receiver
NL8401174A (nl) * 1984-04-12 1985-11-01 Philips Nv Afsteminrichting.
US4837852A (en) * 1985-06-17 1989-06-06 Toko, Inc. Electronic tuning circuit for AM receiver which is easy to effect tracking adjustment
GB2181006A (en) * 1985-09-28 1987-04-08 Motorola Ltd Two-way radios
US4713631A (en) * 1986-01-06 1987-12-15 Motorola Inc. Varactor tuning circuit having plural selectable bias voltages
JPS62155517U (de) * 1986-03-25 1987-10-02
US4783849A (en) * 1986-11-26 1988-11-08 Rca Licensing Corporation FET tuner
DE3939742C1 (de) * 1989-12-01 1990-12-06 Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De
CN1066885C (zh) * 1995-01-04 2001-06-06 船井电机株式会社 包括射频转换器、调谐器和中频放大器的电路器件
US5739730A (en) * 1995-12-22 1998-04-14 Microtune, Inc. Voltage controlled oscillator band switching technique
US5995814A (en) * 1997-06-13 1999-11-30 Lucent Technologies Inc. Single-stage dual-band low-noise amplifier for use in a wireless communication system receiver
DE19960986A1 (de) * 1999-12-17 2001-07-05 Bosch Gmbh Robert Umschaltbare Eingangsschaltung für einen Radioempfänger
DE10337981A1 (de) * 2003-08-19 2005-03-17 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Schaltbarer abstimmbarer Schwingkreis mit reduzierten parasitären Kapazitäten
US7173505B2 (en) * 2003-10-23 2007-02-06 Broadcom Corporation Tuning RF circuits using switched inductors provided in a monolithic integrated circuit
US7426373B2 (en) * 2005-01-11 2008-09-16 The Boeing Company Electrically tuned resonance circuit using piezo and magnetostrictive materials
US8126410B2 (en) * 2007-06-07 2012-02-28 Vishay Intertechnology, Inc. Miniature sub-resonant multi-band VHF-UHF antenna
US8583065B2 (en) * 2007-06-07 2013-11-12 Vishay Intertechnology, Inc. Digitally controlled antenna tuning circuit for radio frequency receivers
US8237456B2 (en) * 2009-03-02 2012-08-07 Atmel Corporation Capacitive sensing

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2936428A (en) * 1958-05-08 1960-05-10 Julius Karl Goerler Transforma Oscillator having voltage-sensitive tuning capacitor biased by oscillator grid self-bias and external signal
DE1266373C2 (de) * 1964-02-01 1973-05-24 Telefunken Patent Abstimmeinrichtung fuer mehrere getrennte Frequenzbereiche
US3354397A (en) * 1964-02-12 1967-11-21 Standard Kollsman Ind Inc Voltage variable diode capacitance tunable circuit for television apparatus
US3321715A (en) * 1964-09-25 1967-05-23 Martin B Bloch Crystal oscillator circuit using feedback control techniques

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2358695A1 (de) * 1972-11-25 1974-05-30 Sony Corp Automatischer frequenznachstimmkreis
DE2831628A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Standard Elektrik Lorenz Ag Spannungsgesteuerter oszillator
DE3507865A1 (de) * 1985-03-06 1986-09-11 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Schaltungsanordnung fuer einen tuner zur umschaltung mehrerer frequenzbereiche

Also Published As

Publication number Publication date
BR6804672D0 (pt) 1973-04-17
AT282714B (de) 1970-07-10
US3611154A (en) 1971-10-05
SE338351B (de) 1971-09-06
NO126409B (de) 1973-01-29
GB1236630A (en) 1971-06-23
NL6817328A (de) 1969-06-11
YU31500B (en) 1973-06-30
CH480761A (de) 1969-10-31
ES361193A1 (es) 1970-11-01
DE1296226C2 (de) 1978-03-16
FR1596827A (de) 1970-06-22
DK121059B (da) 1971-08-30
NL145422B (nl) 1975-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1296226C2 (de) Abstimm-schaltungsanordnung mit einer schaltdiode
DE19652146B4 (de) Rauscharme Oszillatorschaltung
DE1541607B1 (de) Selbstschwingende Mischstufe mit Feldeffekttransistor
DE2647160A1 (de) Hochspannungsschutzvorrichtung fuer fernsehempfaenger
DE2943510C2 (de) Phasengeregelter Hochfrequenzoszillator
DE2622422A1 (de) Butler-oszillator
DE2005888B2 (de) Überlagerungsoszillator-Transistorschaltung
DE2624133C3 (de) Mischeranordnung
DE1462928C3 (de) Ablenkschaltung
DE3610996C2 (de) Gleichspannungswandler
DE1277907C2 (de) Transistorschaltungsanordnung zur umwandlung einer rechteckschwingung in eine sinusschwingung
DE1252276C2 (de) Verstaerker fuer elektrische hochfrequenzschwingungen
DE1177199B (de) Selbstschwingende Horizontalablenkschaltung, insbesondere fuer Fernsehempfaenger
DE1942446B2 (de) Schalteinrichtung mit einem bei Berührung mit der Hand im Sinne einer Kapazitätsänderung beeinflußbaren Schaltelement
DE3144243C2 (de)
DE712378C (de) Einrichtung zur Frequenzregelung eines Roehrenoszillators
EP0868020A1 (de) Ton-FM-Demodulator für TV-Signale und Verfahren zur Tonträgererkennung
DE2440310A1 (de) Oszillatorschaltung
DE1766654B1 (de) Begrenzerverstaerkerstufe
DE701645C (de) Einrichtung zur Frequenzbeeinflussung eines rueckgekoppelten Roehrenoszillators
DE716030C (de) Anordnung zur Nachstimmung eines Schwingungskreises
DE3905860A1 (de) Spannungsueberlagerungsschaltung fuer einen elektronischen kanalwaehler oder tuner
DE2632645C3 (de)
DE1140969B (de) Frequenzregelschaltung zur Synchronisierung eines Oszillators
DE2728760C2 (de) Eingangsschaltung für die Frequenzbereiche VHF Band I und VHF Band III mit einer Mischstufe

Legal Events

Date Code Title Description
C2 Grant after previous publication (2nd publication)