DE1293518B - Verfahren zum Ausbilden eines Siliziumkarbidueberzuges auf ausgewaehlten Abschnitteneiner Siliziumoberflaeche - Google Patents

Verfahren zum Ausbilden eines Siliziumkarbidueberzuges auf ausgewaehlten Abschnitteneiner Siliziumoberflaeche

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DE1293518B
DE1293518B DED49781A DED0049781A DE1293518B DE 1293518 B DE1293518 B DE 1293518B DE D49781 A DED49781 A DE D49781A DE D0049781 A DED0049781 A DE D0049781A DE 1293518 B DE1293518 B DE 1293518B
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DED49781A
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Haga Leigh James
Tucker Thomas Neil
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Dow Silicones Corp
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Dow Corning Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
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    • H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
    • H10D62/8325—Silicon carbide
    • H10P14/69215—
    • H10P95/00—
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DE920306C (de) * 1952-10-09 1954-11-18 Alweg Forschung G M B H Spurgebundenes Verkehrsmittel mit Einrichtung zum Flaechenverkehr
DE930533C (de) * 1952-10-31 1955-07-18 Siemens Ag Einrichtung fuer induktive Zugbeeinflussung bei Schienenfahrzeugen

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