DE1293225B

DE1293225B - Halbfestwertspeicher

Info

Publication number: DE1293225B
Application number: DEI17066A
Authority: DE
Inventors: Oden Hoeckley; Goethem Jan Van
Original assignee: International Standard Electric Corp
Current assignee: International Standard Electric Corp
Priority date: 1958-11-24
Filing date: 1959-10-03
Publication date: 1969-04-24
Also published as: BE573237A; FR1245808A; NL245713A; CH370120A; US3370277A; GB918603A; NL256480A; NL132253C

Description

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Die Erfindung betrifft einen mechanisch abänder- Spaltenleitungen auf einer zweiten Isolierstoffplatte baren, matrixförmigen Halbfestwertspeicher. auf einander gegenüberliegenden Seiten der beiden

Die bekanntgewordenen Speicher lassen sich in Isolierstoffplatten aufgebracht sind und die Inforzwei Gruppen unterteilen. Die erste umfaßt die Spei- mationen auf längs einer Koordinate einschiebbaren eher, deren Speicherinhalt durch elektrische Signale 5 Streifen zwischen den beiden Platten angeordnet sind geändert werden kann, z. B. Magnetkernspeicher und daß markierte und nicht markierte Stellen unter- oder Speicher mit ferroelektrischen Kondensatoren, schiedliches Dielektrikum aufweisen, und die zweite die Speicher, deren Speicherinhalt Die zweite Ausführungsform ist dadurch gekenn-

durch elektrische Signale nicht geändert werden zeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren kann, z. B. der Lichtschablonen- oder der photo- ίο verwendet werden, deren erste Elektrode der Zeilengraphische Speicher. leitung, deren zweite der Spaltenleitung zugehört, Die zweite Gruppe läßt sich wieder unterteilen in daß die Informationen auf längs einer Koordinate Speicher, bei denen ohne Zerstörung des Speicher- anzubringenden Streifen angeordnet sind und daß aufbaus eine Änderung des Speicherinhalts nicht markierte Stellen dieser Streifen eine dritte Elektrode möglich und somit auch nicht vorgesehen ist (Fest- 15 aufweisen, so daß sich die Hintereinanderschaltung wertspeicher), und in Speicher, bei denen der Spei- zweier Kondensatoren ergibt, wobei die Anordnung cherinhalt durch mechanischen Eingriff geändert aller Elektroden so ausgebildet ist, daß die Kapawerden kann, ohne dabei die Speicherkonstruktion zitätssumme der beiden Kondensatoren wesentlich als solche zerstören zu müssen (Halbfestwert- größer als die Kapazität der Anordnung ohne die speicher). ao dritte Elektrode ist.

Im Zusammenhang mit der Erfindung ist haupt- Die dritte Ausführungsform ist dadurch gekenn-

sächlich der Festwertspeicher nach L. I. Guten- zeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren ma eher von Interesse, der im Jahre 1956 in der verwendet werden und daß die Zeilenleitungen der UdSSR bekannt wurde. Bei diesem Festwertspeicher Matrix auf einer ersten Isolierstoffplatte und die werden als Koppelelemente Kondensatoren verwen- 25 Spaltenleitungen auf einer zweiten Isolierstoffplatte det. Je nach zu speichernder Information werden an auf einander gegenüberliegenden Seiten der beiden den Kreuzungspunkten Kondensatoren angebracht Isolierstoffplatten aufgebracht sind und an ihren

(für die binäre 1) oder weggelassen (für die binäre 0). Kreuzungsstellen jeweils die erste und zweite Elek-Man kann auch die Matrixebene bei der Fertigung trode des Kondensators bilden, daß die Inforvollständig bestücken und dann an den Kreuzungs- 30 mationen auf längs einer Koordinate einschiebbaren punkten für die binäre 0 die Zuleitung zu einer Kon- Streifen zwischen den beiden Platten angeordnet sind

densatorelektrode unterbrechen. und daß auf dem Einschubstreifen an den markierten

Dieser Stand der Technik betrifft einen Festwert- Stellen geerdete dritte Elektroden aufgebracht sind.

speicher, während es sich bei der Erfindung um Bei einem solchen Halbfestwertspeicher sind die

einen Halbfestwertspeicher handelt. 35 Zeilen-(Eingangs-)Leitungen wahlweise mit beispiels-

Aus der deutschen Auslegeschrift 1 030 069 ist weise sinusförmiger Wechselspannung zum Abfragen

eine Speichertastatur für Buchungs- und Rechen- verbindbar. Die Eingangsspannung gelangt dann maschinen bekannt, die eine matrixförmige Anord- über die Koppelelemente selektiv an Kombinationen nung von Zeilen- und Spaltenleitungen aufweist. Zu der Spalten-(Ausgangs-)Leitungen, wogegen nur sehr jedem Kreuzungspunkt gehört ein magnetischer 40 wenig Spannung an nicht ausgewählte Spaltenleitun-Kreis, dessen Kraftlinienkreis durch Betätigen einer gen über kapazitive Streukopplungen übertragen Taste geschlossen wird und der dann zwischen den wird. Die Auswahl der Ausgangsleitungen erfolgt beiden Leitungen eines Kreuzungspunktes eine Kopp- dabei z.B. durch entsprechende Anordnungen von lung der Impulsübertragung herstellt. Die Speiche- Elektroden auf Einschubstreifen. Durch Auswechseln rang erfolgt hierbei durch eine mechanische Ver- 45 der Streifen kann die gespeicherte Information geriegelung der Taste. Da es sich um eine Tastatur ändert werden. Die Zeilen- und Spaltenleitungen handelt, dient diese Anordnung zum dauernden bit- haben ebenfalls Elektroden.

weisen Ändern der gespeicherten Information. Nach Der Halbfestwertspeicher nach der Erfindung

jedem Abfragen erfolgt im allgemeinen eine bringt den Vorteil, eine sehr große Speicherkapazität Löschung des Speicherinhalts. 5° zu haben. Man kann ihn z. B. zur Speicherung von

Bei Halbfestwertspeichern wird dagegen die Infor- 100 Informationen (Kodewörtern) verwenden, von mation wortweise und nur gelegentlich geändert, denen eine jede einer besonderen einzugebenden d. h., es erfolgt mehrfaches Abfragen. Eine Lösch- Zahl entspricht. Jede dieser Informationen kann aus Vorrichtung ist nicht vorgesehen. Die Anordnung 10 Bits zusammengesetzt sein, die in zwei Reihen nach der obengenannten Auslegeschrift arbeitet ma- 55 zu je 5 Bits angeordnet sein können, von denen eine gnetisch, während diejenige gemäß der Erfindung ., ,. /5\ _T, , * τ_ * · 1 kapazitiv arbeitet. J^{ede nach einem} (₂)-^{Kode auf}S^{ebaut sem kaim}-

Mit der Erfindung wird ein Halbfestwertspeicher Diese Kapazität ist jedoch nur ein Beispiel, und in angegeben, bei dem die gespeicherte Information auf besonderen Fällen könnte die Anzahl der Infor-Grund einer einfachen Konstruktion sehr leicht aus- 60 mationen und die Anzahl der Binärbits je Inforgewechselt werden kann. Mit anderen bekannten mation beträchtlich größer werden. Fest- und Halbfestwertspeichern hat der neue Halb- Durch Stapelung von einzelnen Matrizen lassen

festwertspeicher wenig Berührungspunkte. sich größere Kapazitäten verwirklichen. Die einzel-

Die Erfindung enthält drei Ausführungsformen: nen Speichermatrizen werden durch Abschirmungen Die erste Ausführungsform ist dadurch gekenn- 65 elektrisch voneinander getrennt. Auf diese Weise zeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren erhält man die Möglichkeit, Speicher mit verschieverwendet werden und daß die Zeilenleitungen der denen Kapazitätswerten auf kleinem Raum zuMatrix auf einer ersten Isolierstoffplatte und die sammenzusetzen, wobei unerwünschte kapazitive

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Kopplungen zwischen übereinanderliegenden Lei- nähme, auf den Einschubstreifen angeordnete Elek-

tungen vermieden sind. troden zu erden, ist jedoch mit dem Nachteil ver-

Um zwei voneinander wesentlich unterschiedliche bunden, daß die Erdung dieser Elektroden nur dann

kapazitive Kopplungswerte zwischen den Elektroden möglich ist, wenn die Streifen eingeschoben sind, der Zeilenleitungen und den Elektroden der Spalten- 5 Gerade das Fehlen von metallischen Kontakten, die

leitungen zu erhalten, kann man Einschubstreifen immer eine Störungsquelle bilden können oder im

verwenden, die an gewissen Stellen eine gegenüber allgemeinen einen gewissen Instandhaltungsaufwand

der an anderen Stellen vorhandenen relativ große bedingen, ist ein wesentliches Merkmal der anderen

Dielektrizitätskonstante aufweisen. Auf diese Weise Ausführungsform des Speichers nach der Erfindung,

steigt die Kopplungskapazität an diesen Kreuzungs- io Die Erfindung wird nun an Hand der Figuren

punkten im Vergleich zu der an anderen Kreuzungs- beispielsweise erläutert. Es zeigt

punkten vorhandenen an, an denen die Einschub- Fig. 1 einen Kreuzungspunkt mit Zeilen- und

streifen aus einem Isolierstoff von kleinerer Dielek- Spaltenleitung,

trizitätskonstante bestehen. Beispielsweise können F i g. 2 einen Schnitt durch den Kreuzungspunkt

solche Stellen mit kleinerer Dielektrizitätskonstante 15 mit einem Einschubstreifen,

dadurch gebildet sein, daß der Einschubstreifen Aus- F i g. 3 einen Schnitt durch den Kreuzungspunkt nehmungen enthält, das Dielektrikum dort somit aus mit einem Einschubstreifen mit metallischem ÜberLuft besteht. Im allgemeinen haben Einschubstreifen zug,

aus allgemein erhältlichem Isoliermaterial keine sehr F i g. 4 einen Schnitt durch den Kreuzungspunkt

hohe Dielektrizitätskonstante. Deshalb ist man be- 20 mit einem Einschubstreifen mit geerdetem metal-

strebt, die Koppelkapazität durch Verwendung eines lischem Überzug,

Dielektrikums von maximaler Dicke zwischen den F i g. 5 einen Einschubstreifen,

beiden Elektroden an den zu markierenden Kreu- F i g. 6 einen Kreuzungspunkt mit zwei auf der-

zungspunkten beträchtlich zu erhöhen. Eine Lösung selben Seite einer Isolierstoffplatte angebrachten

besteht in der Verwendung von Einschubstreifen aus 25 Elektroden,

ferromagnetischem Material, z.B. Ferrit, das im F i g. 7 einen Schnitt durch drei Kreuzungspunkte

Vergleich zu gebräuchlichen Isolatoren eine sehr nach F i g. 6 mit Einschubstreifen,

hohe Dielektrizitätskonstante aufweist. F i g. 8 einen Leseverstärker.

Die andere Lösung für die kapazitive Kopplung F i g. 1 zeigt einen Kreuzungspunkt 3 des kapabesteht, wie erwähnt, darin, den Einschubstreifen an 30 zitiven Halbfestwertspeichers einer Zeilenleitung 7 den markierten Stellen auf beiden Seiten mit metal- mit einer Spaltenleitung 9. Die einander gegenüberlischen Überzügen zu versehen, welche die dritten liegenden Teile von Zeilen- und Spaltenleitung sind Elektroden bilden. Die Überzüge auf beiden Seiten die beiden Elektroden 1 und 2 eines Kondensators, des Einschubstreifens sind miteinander elektrisch Die Zeilen- und Spaltenleitungen stehen zueinander verbunden, so daß sie elektrisch nur eine einzige 35 senkrecht in parallelen Ebenen. An dem Kreuzungs-Elektrode darstellen. In diesem Fall hat die Dielek- punkt 3 kann zwischen den Elektroden 1 und 2 ein trizitätskonstante des Streifenmaterials praktisch in F i g. 1 nicht gezeigter Einschubstreifen aus Isokeinen Einfluß, und sie kann daher auch klein sein. lierstoff mit einer Dielektrizitätskonstante von sol-An Stellen, an denen der Streifen keine Elektrode chem Wert eingeschoben werden, daß dadurch eine hat, wird die kapazitive Kopplung nur lose sein, 40 beträchtliche Änderung der Kapazität zwischen den wogegen sie an anderen Stellen relativ fest sein kann, Elektroden 1 und 2 bewirkt wird. Man kann ebenso wenn der jeweilige Abstand der dritten Elektrode viele Einschubstreifen wie Zeilenleitungen 7 vorvon der ersten bzw. zweiten Elektrode klein ist. sehen.

Natürlich ist dabei jeder metallische Kontakt zwi- F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch einen Kreuzungsschen den beiden festen Elektroden sorgfältig zu 45 punkt mit einem Einschubstreifen 4 zwischen den vermeiden. Beispielsweise kann ein geeigneter Lack- Elektroden 1 und 2. Nimmt man an, daß die beiden überzug auf den Oberflächen der Elektrode auf- Elektroden 1 und 2 überall den gleichen Abstand a gebracht werden. haben und daß der Isolierstoff, aus dem der EinWerden auf den Streifen angebrachte Elektroden schubstreifen 4 besteht, die Dicke χ habe, dann erverwendet, dann sind auch durch Verbinden all 5° höht sich die Kapazität des Kreuzungspunktes mit dieser Elektroden mit Erde zwei gut unterscheidbare Einschubstreifen um den Faktor
Kapazitätswerte herstellbar. Dies kann beispielsweise

mit Hilfe eines Metallstreifens erreicht werden, der \

alle dritten Elektroden auf einem Streifen an einem ₁ χ L
Rand derselben verbindet. Dieser Metallstreifen kann 55 ^~ y
dann durch eine z. B. am Ende des Streifens angeordnete Klemme lösbar mit einer ortsfesten, ge- worin k die Dielektrizitätskonstante des Streifenerdeten Klemme verbunden sein. In diesem Fall materials bedeutet. Je dicker das Dielektrikum und wird die Koppelkapazität an einem Kreuzungspunkt, je höher seine Dielektrizitätskonstante ist, desto an dem eine solche mit Erde verbundene Elektrode ⁶° größer wird der Kapazitätswert. Daraus folgt, daß angeordnet ist, praktisch Null, d. h., es tritt eine es vorteilhaft ist, wenn der Einschubstreifen an jenen Schirmwirkung ein, wogegen die Kopplung durch Kreuzungspunkten, an denen eine Kopplungskapa-Reihenkapazitäten an anderen Kreuzungspunkten zität erwünscht ist, so dick wie möglich gemacht relativ hoch bleibt. An diesen anderen Kreuzungs- , wird. Es ist daher möglich, an den Kreuzungspunkpunkten kann ein Anstieg der Kapazität durch eine ⁵ ten, an denen am Einschubstreifen ein Dielektrikum der bisher beschriebenen Methoden irgendwie vor- von relativ hoher Dielektrizitätskonstante und einer gesehen sein, beispielsweise durch Verwendung einer Dicke x, die möglichst nahe an den Wert a des Abnicht mit Erde verbundenen Elektrode. Die Maß- Standes der Elektroden 1 und 2 herankommt, vor-

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handen ist, einen beträchtlich höheren Kapazitäts- Möglichkeit, die Anzahl der verschiedenen Streifen

wert als an jenen Kreuzungsstellen, an denen sich ohne Unterteilung der Streifen zu verringern, wird

kein Dielektrikum befindet, zu erhalten, z. B. weil unten beschrieben.

an diesen Stellen eine Ausnehmung im Streifen vor- Fig. 6 zeigt einen annähernd quadratischen Kreu-

gesehen ist. 5 zungspunkt mit den Elektroden 1 und 2, die, von

Der Einschubstreifen 4 kann auch Elektroden oben gesehen, nebeneinander angeordnet sind, tragen. Diese Ausführungsform ist in Fig. 3 dar- Die Elektrode 1 ist in horizontaler Richtung mit gestellt. Der Einschubstreifen 4 hat in diesem Fall der Zeilenleitung 7 verbunden. Die Elektrode 1 beeinen metallischen Überzug5, 5' und 6 an den zu steht aus einer dreieckförmigen Metallfläche 8, die markierenden Kreuzungspunkten, der als Elektrode io etwa die Hälfte des einen Kreuzungspunkt bildenden wirkt. In diesem Fall ist die Zunahme der Koppel- Quadrates einnimmt. Die Metallfiächen 8 können auf kapazität an markierten Kreuzungspunkten nur eine einer Isolierstoffplatte aufgedruckt sein. Auf der-Funktion der Dicke χ des Einschubstreifens 4. Die selben Seite der Isolierstoffplatte, auf der sich die Dielektrizitätskonstante k des Streifenmaterials hat Elektroden 1 befinden, können auch die die anderen auf markierte Kreuzungspunkte keinen Einfluß mehr; 15 Elektroden 2 bildenden dreieckförmigen Metalllediglich an nicht markierten Kreuzungspunkten, flächen 10 aufgedruckt sein. Auf der anderen Seite d.h. bei Abwesenheit des metallischen Überzugs, der Platte ist die in Fig. 6 gestrichelt angedeutete geht die Dielektrizitätskonstante in die Kapazität Spaltenleitung 9 aufgedruckt. Diese ist mit den dreiein. Bei der Ausführungsform nach Fig. 3 wird der eckförmigen Metallflächen 10 durch die Platte hin-Einschubstreif en 4 vorteilhaft mit einem Isolierstoff 20 durch leitend verbunden. Die leitende Verbindung überzogen, um eine metallische Berührung zwischen kann auch über einen umgebördelten Rand der dreidem als dritte Elektrode wirkenden metallischen eckförmigen Metallfläche 10 erfolgen. Überzug 5, 5', 6 und den Elektroden 1 und 2 zu ver- An einem Kreuzungspunkt nach F i g. 6 ergibt sich meiden. Man kann ferner die dem metallischen Über- ohne dritte Elektrode eine verhältnismäßig kleine zug 5 und 5' zugekehrten Oberflächen der Elektro- 25 kapazitive Kopplung, weil die Elektroden 1 und 2 denl und 2 ebenfalls mit einem geeigneten Lack- in einer Ebene liegen und sich nur Stirnseiten der überzug versehen. Sind die Einschubstreifen 4 in Elektroden 1 und 2 gegenüberstehen. Wird jedoch ihrer Dicke gleich dem Abstand der Elektroden 1 ein Einschubstreifen nach F i g. 5 über die Elek- und 2, dann wirkt ein Überzug aus Isolierstoff dem troden 1 und 2 gelegt, dann ergibt sich an jenen Verschleiß aller Teile entgegen. 30 Kreuzungspunkten, an denen der Einschubstreifen In Fig. 4 ist die in Fig. 3 gezeigte dritte Elek- eine dritte, etwa quadratische Elektrode trägt, die trode geerdet. An den Kreuzungspunkten, an denen die Elektroden 1 und 2 überdeckt, eine relativ große der Einschubstreifen eine geerdete Elektrode trägt, Koppelkapazität zwischen den beiden Elektroden! ergibt sich keine Koppelkapazität mehr. Jedoch be- und 2. Dabei ist die Dielektrizitätskonstante des dingt die Erdung einen metallischen Kontakt 35 Streifenmaterials ohne Einfluß auf den Kapazitätszwischen der Elektrode und fest angeordneten wert; der Streifen hat nur die Aufgabe, als Träger Klemmen. für die an seiner Oberfläche angebrachten dritten Fig. 5 zeigt einen Einschubstreifen. Dieser ist Elektroden zu dienen, d.h. jener Elektroden, die parallel zu einer Zeilenleitung angeordnet. Er ist in den Elektroden 8 und 10 gegenüberstehen, zehn quadratische Felder unterteilt. Jedes Feld ist 40 Da die dritten Elektroden nur auf einer Seite des einem Kreuzungspunkt zugeordnet. Die schraffierten Einschubstreifens angebracht sein müssen, kann man Felder entsprechen den dritten Elektroden 5, 5'. Die die andere Seite des Streifens mit einem anderen zehn Felder sind in zwei Gruppen zu je 5 Bits unter- Kodewort versehen. Durch Wenden des Einschubteilt. Jede Gruppe enthält eine Information im Streifens erhält man so ein anderes Speicherwort.

/5\ _Tr j ,». , , ,-,. , , ^ ·, ,..„^ . , 45 Es sind daher im Fall, daß 100 verschiedene Kodey-Kode. Mit solchen Einschubstreifen laßt sich _{wörter aus Streifen nach Fig}. 5 _{zu bilden sind; bei}

_D . „ , . , . /l00\ „ j Berücksichtigung der Möglichkeiten, die Streifen zu

z.B. eine Zuordnung zwischen einem ( _χ j-Kode _{wenden un£}f _si| _{mit der} ⁵ _{ersten oder der zehnten}

jj „ /5\ „ j ,„ Stelle zuerst einzuschieben, nur noch 28 verschiedene

und dem 2 -(J-Kode schaffen. ₅₀ Einschubstreifen erforderlich. Natürlich soll der

Die Einschubstreifen nach Fig. 5 können, gleich- Einschubstreifen dort, wo die Streifenoberfläche auf gültig mit welchem Ende, eingeschoben werden; es der einen Seite eine dritte Elektrode und auf der ist nicht nötig, einen Vorrat von 100 verschiedenen anderen Seite keine hat, auf der letztgenannten Seite Streifen anzulegen. Berücksichtigt man, daß 10 von keine merkbare Kopplung zwischen den Elektroden 100 Kodewörtern bezüglich der Mitte des Streifens 55 8 und 10 auf dieser Seite bewirken. Dies erreicht symmetrisch sind, dann wird die Anzahl der unter- man durch Wahl der Dicke des Einschubstreifens, einander verschiedenen Streifen gleich 55 an Stelle Fig. 7 zeigt einen Schnitt durch drei Kreuzungsvon 100. Man kann ferner noch eine Unterteilung punkte nach Fig. 6. Man sieht, daß der Einschubeines jeden Streifens in einzelne Teile der Länge streifen 4 parallel zu den dreieckförmigen Metallnach vornehmen, um die Anzahl der untereinander 60 flächen 8 und 10 einschiebbar ist, so daß die auf verschiedenen Streifen weiterzuverringern. So kann dem Streifen befestigten dritten Elektroden 12 die man beispielsweise die Streifen von zwei verschie- dreieckförmigen Metallflächen 8 und 10 abdecken, denen Seiten in den Speicher einsetzen und die :11m· eine wirksame Kopplungskapazität zwischen Streifen in zwei je fünf Einheiten umfassende Teile diesen beiden zu schaffen, die viel größer ist als teilen. Weil man jeden Halbstreifen in der einen 65 ohne dritte Elektrode 12. Die dreieckförmigen Metalloder in der Gegenrichtung einsetzen kann, ist es flächen 8 und 10 sind auf einer Isolierstoffplatte 13 nur nötig, sechs verschiedene Streifenarten für 100 aufgedruckt. In Fig. 7 sind die Spaltenleitungen9 verschiedene Kodewörter herzustellen. Eine andere nicht dargestellt. Abschirmungen 14 und 14' sind

vorgesehen, und beim Aufstapeln mehrerer Matrizen werden diese geerdet, so daß die Stromkreise der übereinander angeordneten Platten gegenseitig entkoppelt sind. Zwischen den Abschirmungen und den Spaltenleitungen 9 ist eine geeignete Isolation vorgesehen, beispielsweise durch eine Isolierstoffschicht oder durch Nuten in den Abschirmungen.

Diese Abschirmungen 14 dienen aber auch zur gegenseitigen Entkopplung der Elektroden einer einzelnen Trägerplatte. Eine Abschirmung 14, die in geringer Entfernung von den Metallflächen 8 und 10 angeordnet ist, bewirkt eine beträchtliche Verminderung der durch Streukapazitäten entstehenden Kopplung ohne dritte Elektrode 12 zwischen den Elektroden 8 und 10 an einem gegebenen Kreuzungspunkt. Die Streukapazität ist dem Abstand zwischen der Abschirmung 14 und den Elektroden 8 und 10 proportional. Diese strebt einem Kleinstwert zu, wenn der Abstand zwischen den Elektroden 8 und 10 und der Abschirmung 14 etwa so groß wie der Abstand der Elektroden 8 und 10 wird. In ähnlicher Weise wird die koppelnde Wirkung der Streukapazitäten zwischen den Elektroden 8 und 10 an nebeneinander befindlichen Zeilen- oder Spaltenleitungen durch Abschirmungen 14 in einem genügend kleinen Abstand von der Ebene der Elektroden 8 und 10 ebenfalls beträchtlich vermindert. Die Kapazität der Elektroden 8 und 10 gegen Erde wird durch die Abschirmung 14 natürlich vergrößert; diese Kapazität ist auch vorhanden, wenn eine auf einem Einschubstreifen angeordnete dritte Elektrode 12 die Kopplung zwischen den Elektroden 8 und 10 bewirkt. Der Schirm vermittelt aber einen günstigen Effekt, indem er eine bessere Unterscheidbarkeit zwischen der eingebrachten kapazitiven Kopplung und der Kopplung durch Streukapazitäten bewirkt. Die Koppelkapazität wird um so größer, je kleiner der Abstand zwischen den dritten Elektroden 12 und den Elektroden 8 und 10 ist.

Der in Fig. 7 gezeigte Einschubstreifen 4 trägt die dritten Elektroden 12, d. h. nur ein Kodewort auf einer Seite. Wie oben erwähnt, ist es auch mög-Hch, die Elektroden eines anderen Kodewortes auf der anderen Seite des Einschubstreifens anzubringen. In diesem Fall sind diese nicht für eine wirksame Kopplung vorgesehenen dritten Elektroden in unmittelbarer Nähe vor der Abschirmung 14' der nächsten Isolierstoffplatte angeordnet. Da diese Abschirmung geerdet und ihr Abstand von dem Einschubstreifen klein ist, haben die Elektroden auf der Gegenseite des Einschubstreifens, wenn sie an einer Kreuzungsstellen zu stehen kommen, an der eine Kopplung zwischen den Elektroden 8 und 10 unerwünscht ist, emen nur geringen Einfluß.

Die innere Oberfläche der Abschirmung 14' kann auch mit — in F i g. 7 nicht dargestellten — Nuten versehen sein, die sich parallel zu den Streifen 4 unter den inneren Oberflächen der Abschirmungen erstrecken, so daß diese Nuten Führungen für die Einschubstreifen bilden.

Die verschiedenen Trägerplatten und die dazwischen angeordneten Abschirmungen können in einem Rahmen mit Führungen gestapelt werden. Es kann z. B. ein Stapel von 50 Isolierstoffplatten mit je 20 Zeilen- und 10 Spaltenleitungen zum Aufbau eines halbpermanenten Speichers für 1000 Kode-Wörter zu je 10 Bits verwendet werden.

Es ist nicht unbedingt nötig, die beiden Elektroden 8 und 10 auf derselben Seite der Isolierstoffplatte anzubringen. Im Prinzip ist es auch möglich, dieselben auf verschiedenen Seiten der Platte anzuordnen, wenn die Dicke der Platte verhältnismäßig klein ist. In diesem Fall befinden sich die beiden Elektroden 8 und 10 in verschiedenen parallelen Ebenen.

Zur Verstärkung der Lesesignale dient der Leseverstärker nach F i g. 8, dem am Punkt B das Lesesignal zugeführt wird und dessen Ausgangssignal ein Relais Tr steuert. Ein kleiner Eingangswiderstand in der Größenordnung von 25 Ohm ist durch Verwendung eines Transistors OC 44 in Basisschaltung erzielbar. Der Emitter ist mit dem Punkt B direkt verbunden und über einen Widerstand von 5,6 kOhm an eine Spannung von 4-6 V gelegt, wogegen der Kollektor über eine durch einen Kondensator C 7 überbrückte Primärwicklung eines Transformators Tl an einer Spannung von — 6 V liegt. Die Basis ist geerdet. Der Kondensator Cl ist so gewählt, daß bei einer Frequenz von 250 kHz, der Abfragefrequenz, Resonanz auftritt. Es kann aber auch vorteilhaft sein, einen Abstimmkondensator mit möglichst kleiner Kapazität zu verwenden, beispielsweise die Ausgangskapazität des Transistors OC 44 und die Wicklungskapazität des Transformators Γ1, um die Ansprechzeit des Leseverstärkers herabzusetzen. Die Ansprechzeit hängt wesentlich von der Form des Eingangsimpulses ab, von der Ansprechgeschwindigkeit der für die elektronischen Gatter verwendeten Dioden, ebenso von der Güte Q der Transformatoren. Diese Ansprechzeit kann durch Verwendung einer Spannung von genügend hoher Frequenz beliebig klein gemacht werden. Mit einer Frequenz von 250 kHz kann leicht eine Ansprechzeit in der Größenordnung von 10 bis 15 Perioden der Signalfrequenz, d. h. von 50 μβ, erreicht werden, doch kann dieser Wert durch Verringerung der Selektivität der Empfangsschaltung noch weiter verkleinert werden.

Der Transformator Γ1 setzt die Spannung im Verhältnis 20:1 herab; seine Primärinduktivität sei beispielsweise 50 mH unter Verwendung eines Ferritkerns mit einem Optimum der Güte Q in der Nähe der Signalfrequenz. Diese erste Verstärkerstufe kann leicht eine Stromverstärkung auf etwa das 15fache bewirken.

Die Sekundärwicklung des Transformators Tl liegt einerseits an Erde, andererseits am Emitter eines zweiten Transistors OC 44 in Basisschaltung; die Basiselektrode liegt über einen Widerstand von 100 kOhm an — 6 V und über einen Entkopplungskondensator von 0,02 μΡ an Erde. Der Kollektor dieses Transistors liegt über die Primärwicklung eines Transformators T 2 ebenfalls an —6 V. Der Transformator Γ2 setzt die Spannung im Verhältnis von 2:1 herab, wobei seine Sekundärwicklung an einer aus vier Dioden aufgebauten Graetz-Schaltung RB liegt. Die Gleichrichteranordnung speist den Ausgangskreis des Leseverstärkers und erzeugt nicht nur die Gleichspannung, sondern wirkt zugleich durch Unterdrückung von Signalen mit zu geringem Energiepegel als Rauschunterdrücker. Sie liegt an einem einseitig geerdeten Widerstand von 2 kOhm, der andererseits über einen Reihenwiderstand von 2 kOhm an der Basiselektrode des Ausgangstransistors OC 76 liegt, dessen Emitter geerdet und dessen Kollektor über die Wicklung eines Relais Tr an — 6 V geschaltet ist. Das Verhältnis Signalspannung zu Störspannung kann durch die Einschaltung eines

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geeigneten, nichtlinearen Kreises in den Eingang der Ausgangsstufe noch verbessert werden.

Claims

Patentansprüche;

1. Matrixfönniger Halbfestwertspeicher, dadurch gekennzeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren verwendet werden und daß die Zeilenleitungen der Matrix auf einer ersten Isolierstoffplatte und die Spaltenleitungen auf einer zweiten Isolierstoffplatte auf einander gegenüberliegenden Seiten der beiden Isolierstoffplatten aufgebracht sind und die Informationen auf längs einer Koordinate einschiebbaren Streifen zwischen den beiden Platten angeordnet sind und daß markierte und nicht markierte Stellen ts unterschiedliches Dielektrikum aufweisen.

2. Matrixförmiger Halbfestwertspeicher, dadurch gekennzeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren verwendet werden, deren erste Elektrode der Zeilenleitung, deren zweite der Spaltenleitung zugehört, daß die Informationen auf längs einer Koordinate anzubringenden Streifen angeordnet sind und daß markierte Stellen dieser Streifen eine dritte Elektrode aufweisen, so daß sich die Hintereinanderschaltung zweier as Kondensatoren ergibt, wobei die Anordnung aller Elektroden so ausgebildet ist, daß die Kapazitätssumme der beiden Kondensatoren wesentlich größer als die Kapazität der Anordnung ohne die dritte Elektrode ist. 3p

3. Matrixförmiger Halbfestwertspeicher, dadurch gekennzeichnet, daß als Koppelelemente Kondensatoren verwendet werden und daß die Zeilenleitungen der Matrix auf einer ersten Isolierstoffplatte und die Spaltenleitungen auf einer zweiten Isolierstoffplatte auf einander gegenüberliegenden Seiten der beiden Isolierstoffplatten aufgebracht sind und an ihren Kreuzungsstellen jeweils die erste und zweite Elektrode des Kondensators bilden, daß die Informationen auf längs einer Koordinate einschiebbaren Streifen zwischen den beiden Platten angeordnet sind und daß auf dem Einschubstreifen an den markierten Stellen geerdete dritte Elektroden aufgebracht sind.

4. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die Information tragenden auswechselbaren Teile aus Werkstoff mit hoher Dielektrizitätskonstante bestehen, bei der an den Stellen für die binäre Null das Dielektrikum entfernt ist.

5. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die Verwendung von ferromagnetischem Werkstoff,

6. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitungen der Matrix auf einer ersten Isolierstoffplatte und die Spaltenleitungen auf einer zweiten Isolierstoffplatte auf einander gegenüberliegenden Seiten der beiden Isolierstoffplatten aufgebracht sind und an ihren Kreuzungsstellen jeweils die erste und zweite Elektrode des Kondensators bilden und der die dritten Elektroden tragende einsehiebbare Streifen zwischen den beiden Platten angeordnet ist.

7. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 2, da- 5g

durch gekennzeichnet, daß die Spalten- und Zeilenleitungen und die dazugehörigen ersten und zweiten Elektroden je auf einer Seite einer Isolierstoffplatte, von oben gesehen um die Dicke der Isolierstoffplatte versetzt, nebeneinander angeordnet sind und daß die Einschubstreifen auf einer Seite dieser Platte so angeordnet sind, daß die auf dem Einschubstreifen angebrachten dritten Elektroden Paare der mit den Spalten- und den Zeilenleitungen verbundenen Elektroden überdecken.

8. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenleitungen mit den dazugehörigen Elektroden und die Elektroden der Spaltenleitungen auf der einen Seite einer Isolierstoffplatte und die Spaltenleitungen auf der anderen Seite der Isolierstoffplatte angeordnet sind und daß die Spaltenleitungen mit den dazugehörigen Elektroden durch die Isolierstoffplatte hindurch leitend verbunden sind, so daß die beiden Elektroden von oben gesehen nebeneinanderliegen, und daß die Einschubstreifen auf der die Elektroden tragenden Seite der Isolierstoffplatte so angeordnet sind, daß die auf dem Einsehubstreifen angebrachten dritten Elektroden Paare der mit den Spalten- und den Zeilenleitungen verbundenen Elektroden überdecken.

9. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden ersten Elektroden gleich große und rechtwinklige Dreiecke sind, die sich mit ihren Hypothenusen einander gegenüberstehen, und daß die dritte Elektrode das sich so ergebende Rechteck überdeckt.

10. Halbfestwertspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb und oberhalb der vollständigen Matrix je eine geerdete Abschirmung vorgesehen ist.

11. Halbfestwertspeicher nach Anspruch IQ, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Isolierstoffplatte bzw. die Abschirmung Nuten zum Einschub der die Information tragenden Streifen aufweist.

12. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Matrizen zu einem Speicherblock gestapelt sind.

13. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierstoffplatten mit den festen Elektroden und/oder die Einsehubstreifen mit Isolierstoff überzogen sind.

14. Halbfestwertspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Unterscheidung der binären 0 und 1 Amplitudendiskrimination verwendet wird.

15. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Abfrage hochfrequenter Wechselstrom, z.B. mit einer Frequenz von 250 kHz, verwendet wird und daß der Eingang des Leseverstärkers auf diese Frequenz abgestimmt ist.

16. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsscheinwiderstand der Ansteuerstufen und der Eingangsscheinwiderstand der Leseverstärker klein sind gegen den Scheinwiderstand der Koppelelemente.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen