DE1279852B

DE1279852B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen

Info

Publication number: DE1279852B
Application number: DE1963S0086551
Authority: DE
Inventors: Dr Rer Nat Horst Irmler; Winfried Schierz
Original assignee: Semikron GmbH and Co KG
Current assignee: Semikron GmbH and Co KG
Priority date: 1963-08-05
Filing date: 1963-08-05
Publication date: 1968-10-10

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int α.:

HOIl

Deutsche KL: 21g-11/02

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

P 12 79 852.6-33JS 86551)

5. August 1963

10. Oktober 1968

Bekannte Ausführungsformen von Halbleiter-Anordnungen, insbesondere von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen, sind in der Weise aufgebaut, daß die aus einkristallinem Halbleitermaterial, vorzugsweise aus Silizium, bestehende und wenigstens einen pn-übergang aufweisende Halbleitertablette, bedarfsweise über geeignete Kontaktscheiben, sowohl mit einem metallischen Grundkörper, der gleichzeitig zur Stromleitung und als Unterteil eines Gehäuses für die Halbleitertablette dient, als auch auf ihrer weiteren Kontaktfläche mit wenigstens einem bolzen-, litzen- oder drahtförmigen Stromleiter kontaktiert ist, und daß der Grundkörper und ein haubenfönniges, eine isolierte Durchführung aufweisendes Oberteil, miteinander fest verbunden, das Gehäuse für die Halbleitertablette bilden.

Nach Durchführung verschiedener Maßnahmen an der Halbleitertablette zur Verbesserung und Stabilisierung ihrer Sperreigenschaften werden bei solchen Ausführungsformen die das Gehäuse bildenden ao und die zur Stromleitung dienenden Bauteile jeweils an den entsprechenden Stellen in geeigneter Weise, beispielsweise durch Kaltfließpressen und Löten, miteinander fest verbunden. Die dazu notwendigen Verfahrensschritte bedingen häufig je nach Aufbau der Halbleiter-Anordnungen und Ausbildung der Bauteile eine Einzelbehandlung jeder Anordnung und damit vielfach einen beträchtlichen Aufwand an Vorrichtungen und Fertigungszeit.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen zu schaffen, bei dem die zur festen Verbindung von Gehäusebauteilen miteinander und mit Stromleitungsbauteilen erforderlichen Verfahrensschritte an einer größeren Anzahl von Anordnungen gleichzeitig und besonders wirtschaftlich durchgeführt werden können.

In der deutschen Auslegeschrift 1083 936 ist eine elektrische Halbleiter-Vorrichtung für größere Leistungen und ein Verfahren zu ihrer Herstellung beschrieben. Dabei weist eine metallische, thermisch und elektrisch gut leitende Grundplatte eine zentrale Ausnehmung zur Aufnahme eines vorbereiteten Halbleiterkörpers und eine zu diesem konzentrische, ringförmige Ausnehmung zur Aufnahme eines glockenförmigen Gehäuseoberteils auf. Ein weiterhin mit der Halbleitertablette kontaktierter stabförmiger Stromleiter ist durch eine mittels Glaseinschmelzung isolierte Durchführung im Gehäuseoberteil nach außen geführt, und es werden Grundplatte, Halbleitertablette, Stromleiter und Gehäuseoberteil an den jeweils einander zugeordneten Ver-Verf ahren zur Herstellung von
Halbleiter-Anordnungen

Anmelder:

Semikron, Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik m. b. H.,

8500 Nürnberg, Wiesentalstr. 40

Als Erfinder benannt:

Dr. rer. nat. Horst Irmler, 6800 Mannheim;

Winfried Schierz, 8542 Roth

bindungsstellen mittels Wärmebehandlung durch Löten gleichzeitig dicht und fest verbunden. Durch die vorgeschlagene gleichzeitige Herstellung von Lötverbindungen sowohl zur Kontaktierung der Halbleitertablette als auch zum Zusammenbau der Gehäusebauteile ist eine Kontrolle des Lötprozesses an der Halbleitertablette nicht gegeben und damit eine einwandfreie Funktion der Halbleiter-Vorrichtung nicht gewährleistet. Ferner setzt die gleichzeitige Herstellung aller Lötverbindungen an der Halbleiter-Vorrichtung auf Grund der besonderen Ausbildung der Bauteile eine genau horizontale Anordnung der Grundplatte voraus.

Die schweizerische Patentschrift 202087 bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von metallgekapselten Hochvakuumröhren. Danach wird vorgeschlagen, das Gehäuse und den die Elektroden-Anordnung tragenden Sockel ineinandersteckbar auszubilden und durch eine Tauchlötung miteinander zu verbinden. Der Lötprozeß erfolgt bei sehr hoher Temperatur, da der Schmelzpunkt des Lötbades mindestens 500° C betragen soll, so daß wenigstens eines der zu verbindenden Teile gekühlt werden muß. Das Verfahren ist demzufolge sehr aufwendig.

Weiterhin beschreibt die schweizerische Patentschrift 320 932 den Aufbau eines Transistorgehäuses, wonach ein hohlzylindrisches, an einer Stirnseite offenes Gehäuseteil, in welchem sich die Transistor-Anordnung befindet, an der Randzone seiner Innenmantelfläche konisch ausgebildet und durch Schleifen optimal oberflächenbehandelt und mit einer an ihrer Randfläche angepaßt ausgebildeten und entsprechend bearbeiteten Deckplatte dicht verschlossen ist. Die Ausbildung der beiden Gehäuseteile ermöglicht zwar ein vorteilhaftes Zusammenfügen, jedoch

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ist zur Erzielung geschliffener Verbindungsöächen anschluß versehen wird, bei dem der weitere Elekeine aufwendige Behandlung der Gehäuseteile not- trodenanschluß durch die isolierte Durchführung eines wendig, so daß die Forderung nach gleichzeitiger haubenförmigen, metallischen Gehäuseoberteils gewirtschaftlicher Herstellung einer größeren Anzahl führt und das Gehäuseqberteil mit dem^ Qehäusevon Halbleiter-Anordnungen mit dem Lösungsvor- 5 unterteil zusammengefügt: und durch Weichlöten schlag nur sehr eingeschränkt erfüllt werden könnte. gasdicht verbunden wird,' und bei dem der weitere In der deutschen Auslegeschrift 1086 811 ist ein Elektrodenanschluß mit der isolierten Durchführung Verfahren zur Kontaktierung und zum Zusammen- des Gehäuseoberteils gasdicht und ein am Gehäusebau von mittels Aluminiumdraht legierten Silizium- unterteil vorgesehener äußerer Anschlußleiter mit Gleichrichtern beschrieben, wonach zur Herstellung io dem Gehäuseunterteil jeweils durch Quetschen und eines im Gehäuseinneren flexiblen und außerhalb Löten verbunden werden.

des Gehäuses steifen Stromleitungsanschlusses zu der Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die

einen Kontaktelektrode der Halbleitertablette der an jeweils miteinander zu verbindenden Gehäuseteile diese änlegierte AtüfHiniumdraht durch Schweißen und Stromleitungsbauteile vor dem Zusammenbau mit einer flexiblen Kupferlitze und diese nach iso- 15 mit einem von einem Weichlot gut benetzbaren Überlierter Durchführung durch das Gehäuseoberteil zug versehen werden, daß die Gehäusebauteile festdurch Löten mit einem drahtförmigen gehäuseäuße- haftend zusammensteckbar ausgebildet sind und daß ren Stromleiter fest verbunden wird. Das vorge- die zu vorbestimmter Verbindung ihrer Bauteile vorschlagene Verfahren macht durch die Unterteilung bereiteten Anordnungen in größerer Anzahl, jeweils des Stromleitungsanschlusses in mehrere Abschnitte ao an einem ihrer Anschlußleiter gehaltert, mit einem aus unterschiedlichem Material zusätzliche Verfah- Flußmittel, insbesondere mit Kolophonium, überrensschritte erforderlich. zogen und durch Eintauchen in ein Zinnlot sowohl an

Die deutsche Auslegeschrift 1087707 betrifft ein den vorgesehenen Verbindungsstellen gelötet als auch Verfahren zur Herstellung einerFlächengleichrichter- mit einem zusammenhängenden, endgültigen und Anordnung und eine Vorrichtung zur Durchführung as dauerhaften metallischen Überzug versehen werden, des Verfahrens. Danach weist ein becherförmiges An Hand der Darstellungen in den Fig. 1 bis 3

Gehäuseunterteil auf der inneren Bodenfläche eine wird das erfindungsgemäße Verfahren aufgezeigt und mit einem biegsamen Stromleiter versehene Halb- erläutert.

leitertablette auf und wird mit einem, eine rohr- F i g. 1 zeigt im Längsschnitt ein für das vorge-

förmigeDurchführung aufweisenden, an seiner Rand- 30 schlagene Verfahren vorbereitetes, an sich bekanntes zone metallisierten Isolierstoffkörper zur Bildung Ausführungsbeispiel einer Halbleiter-Gleichrichtereines Gehäuses fest und dicht verbunden. Weiterhin Anordnung;

wird der durch die Durchführung verlaufende Strom- F i g. 2 stellt die Anordnung gemäß F i g. 1 in

leiter nach dem Evakuieren des Gehäuses und Fül- Seitenansicht nach der Durchführung und
len mit einem Schutzgas mit der Durchführung durch 35 F i g. 3 schematisch eine Vorrichtung zur Durch-Quetschen und Löten dicht verbunden. Bedarfs- führung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer weise wird im gehäuseäußeren Abschnitt der Durch- Anzahl von gehalterten Anordnungen dar.
führung noch ein Stromleitungsanschluß angeordnet. Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche

Das vorgeschlagene Verfahren ermöglicht zwar die Bezeichnungen gewählt.

gleichzeitige Durchführung jedes aufgezeigten Ver- 40 In F i g. 1 ist mit 1 ein metallisches Gehäuseunterfahrensschrittes an einer größeren Anzahl von Halb- teil bezeichnet, das in einer Ausnehmung seiner leiter-Anordnungen, jedoch ist durch die Ausbil- Stirnfläche die beispielsweise durch Lötung befestigte dung der Gehäusebauteile eine gegenseitige Verbin- Halbleitertablette 2 trägt. An der der Halbleiterdung derselben nur bei ihrer senkrechten Anord- tablette abgewandten Seite weist das Gehäuseunternung möglich, wodurch besondere Vorrichtungen 45 teil 1 einen zentralen Ansatz 7 mit einem zentralen zur Halterung und zur Verbindung der Gehäuseteile Sackloch zur Aufnahme eines ersten Anschlußleierforderlich sind. '. ters 8 auf. Die Randzone des Gehäuseunterteils 1

Das erfindungsgemäße Verfahren weist die den be- ist konisch in der Weise ausgebildet, daß ein die kannten Anordnungen und den zu ihrer Herstellung Halbleitertablette 2 einhüllendes Gehäuseoberteil auf vorgeschlagenen Maßnahmen teilweise anhaftenden 50 das Gehäuseunterteil festhaftend aufsteckbar ist. Auf Nachteile nicht auf. Es zeigt,durch einfache Ausge- der freien Kontaktfläche der Halbleitertablette ist staltung von Bauteilen einen überraschend wirt- ein vorzugsweise drahtförmigerElektrodenanschluß 3 schaftlichen Verfahreüsabiauf zur gleichzeitigen Her- beispielsweise ebenfalls durch Lötung fest aufgestellung einer größeren Anzahl dicht verschlossener bracht, der bedarfsweise bei geeigneter Länge gleich-Halbleiter-Anordnungen und zu ihrer Ausrüstung 55 zeitig den zweiten Anschlußleiter bildet. Über den mit Stromleitungsansehlüssen unter gleichzeitiger Er- Elektrodenanschluß 3 ist ein haubenförmiges, metalzielung einer einwandfreien und dauerhaften Ge- lisches Gehäuseoberteil 4 mit seiner mittels Glaseinhäuseoberfläche, eines sogenannten Oberflächen- Schmelzung 5 isolierten, rohrförmigen Durchfühfinish. rung 6 geführt und auf das Gehäuseunterteil 1 fest-

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gasdich- 60 haftend aufgesteckt.

ten Kapselung von Halbleiter-Anordnungen, insbe- Fig.2 zeigt die in Fig. 1 dargestellte Ausfüh-

spndere von Halbleiier-Gleichrichter-Anordnungen, rungsform einer Halbleiter-Gleichrichter-Anordnung bei dem eine aus einjtristallinem Halbleitermaterial, nach der Durchführung des erfindungsgemäßen Verinsbesondere aus Silizium bestehende und wenigstens fahrens. Die beiden Gehäuseteile 1 und 4 sind an der einen pn-übergang aufweisende Halbleitertablette 65 Randzone 4', das Gehäuseunterteil 1 und der Anauf einem metallischen, gleichzeitig zur Stromleitung Schlußleiter 8 an der Stelle 7' und die Durchfühdienenden Gehäuseunterteil befestigt und mit einem rung 6 mit dem Anschlußleiter 3 an der Stelle 6' weiteren, insbesondere drahtförmigen Elektroden- durch Lötung fest und bedarfsweise dicht verbunden.

In F i g. 3 ist mit 9 schematisch eine Vorrichtung zur Halterung von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen angedeutet, mit der nach dem Zusammenfügen der Bauteile jeder Anordnung diese an vorbestimmten Stellen durch Tauchen in ein Zinnlot in gewünschter Weise miteinander verlötet und gleichzeitig an ihrer Oberfläche mit einem gut aussehenden, endgültigen metallischen Überzug versehen werden.

Das Gehäuseunterteil 1 besteht aus elektrisch und thermisch gut leitendem Material, vorzugsweise aus Kupfer, das Gehäuseoberteil 4, 5, 6 aus Materialien, die an ihren Grenzflächen eine gegenseitige dichte Verbindung und weiterhin einen vorteilhaften Zusammenbau mit weiteren Bauteilen gewährleisten. So kann die metallische Hülse 4 des Gehäuseoberteils beispielsweise aus Stahl und die rohrförmige Durchführung 6 beispielsweise aus einer Fernicolegierung bestehen. Die Ausbildung des Gehäuseunterteils 1 zum festhaftenden Aufstecken des Gehäuseoberteils 4 ist nicht auf die konische Formgebung der Randzone beschränkt. Beispielsweise kann dieselbe auch zylindrisch und an ihrer Mantelfläche konzentrisch erhaben oder vertieft ausgebildet sein, so daß das Gehäuseoberteil bei entsprechender Formgebung seiner zugeordneten Randzone beim Aufstecken einrastet. Die Ausbildung der beiden Gehäusebauteile zum gegenseitigen festhaftenden Zusammenfügen wird durch die Forderung bestimmt, daß bei Durchführung der Tauchlötung und Tauchverzinnung kein flüssiges Lot zwischen den Randzonen der Bauteile in das Gehäuseinnere eindringen kann.

Zur Erzielung glatter und gut aussehender Oberflächen, d. h. eines sogenannten Oberflächenfinish, und zur Förderung der Benetzung durch das Weichlot, insbesondere an den zur Lötverbindung vorgesehenen Stellen der aneinandergrenzenden Bauteile der Halbleiter-Anordnungen, werden diese mit einem gut lötfähigen, metallischen überzug, insbesondere aus Zinn, Silber, Kupfer oder Gold, versehen. Durch Verwendung eines geeigneten Flußmittels wird der Lötprozeß und die Oberflächenbehandlung noch weiter begünstigt. Vorzugsweise wird auf die Gehäuseteile ein Überzug aus Kolophonium aufgebracht. .-■■■'·■

Um mechanische Spannungen, die in den aneinandergrenzenden Bauteilen unterschiedlichen Materials durch die mit dem Tauchlötprozeß verbundene starke Erwärmung des gesamten Aufbaues entstehen können, und ihre unerwünschte Auswirkung auf die Eigenschaften des Halbleitermaterials weitgehend zu vermeiden, werden die Halbleiter-Anordnungen unmittelbar vor Durchführung der Tauchlötung in geeignetem Temperaturverlauf auf etwa Lötbadtemperatur vorgewärmt

Das erfindungsgemäße Verfahren wird in der Weise durchgeführt, daß bei einer größeren Anzahl von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen der erste Anschlußleiter 8 in den Ansatz 7 des Gehäuseunterteils 1 eingesteckt und an einer geeigneten Stelle T mit diesem durch Quetschen verbunden wird, daß das Gehäuseoberteil 4 über denElektrodenanschluß 3 der Halbleitertablette 2 geführt und auf das Gehäuseunterteil 1 festhaftend aufgesteckt wird, daß der vorzugsweise gleichzeitig als zweiter Anschlußleiter dienende, durch die Durchführung 6 nach außen geführte Elektrodenanschluß 3 an geeigneter Stelle 6' mit der Durchführung durch Quetschen verbunden wird, daß die Anordnungen an ihrem ersten Stromleiter 8 gehaltert, mit einem Flußmittel, versehen, vorgewärmt und dann so weit in ein Zinnlot getaucht werden, daß die beim Eintauchen letzte.

der drei Lötstellen, nämlich die Lötstelle 7', gerade noch eingetaucht ist. Nach dem Verfahrensschritt des Tauchens werden die Anordnungen in einer zur Vermeidung mechanischer Spannungen geeigneten Weise abgekühlt. ,

ίο Für das Löten und für die Oberflächenbehandlung haben sich niedrigschmelzende Zinnlote, insbesondere ein Blei-Zinn-Eutektikum oder ein Zinn-Silber-Eutektikum als vorteilhaft erwiesen. Wenn die Halbleitertablette der zur Behandlung gemäß dem Ver-

fahren nach der Erfindung vorgesehenen Halbleiter-Anordnungen mit ihren Elektrodenanschlüssen ebenfalls durch Weichlöten kontaktiert ist, soll die Schmelztemperatur des zur Tauchlötung bestimmten Zinnlotes wesentlich unterhalb der Schmelztempera-

ao tür der für die Kontaktierung der Halbleitertablette verwendeten Weichlote liegen, damit bei der Herstellung von Lötverbindungen am Gehäuse durch Tauchlöten eine Beeinträchtigung der Lötkontakte des Halbleitermaterials vermieden wird.

as Vielfach ist beim Einsatz von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen eine Gehäusetemperatur bis 200° C erwünscht. Zur Erzielung von dieser Forderung entsprechenden Lötverbindungen zwischen Gehäusebauteilen eignet sich vorzugsweise reines Zinn oder ein Zinn-Silber-Eutektikum, Das letztgenannte Lot hat noch die besonderen Vorteile einer geringeren Oxydationsneigung und hoher Leuchtkraft, so daß eine gut aussehende, hochglänzende Oberfläche erreicht wird. Dadμrch kann die sehr häufig bei Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen notwendige, zum Überzug von ungleichmäßigen Verbindungsstellen zwischen Gehäuseteilen dienende Lackierung entfallen, wodurch ein weiterer Vorteil des Gegenstandes der Erfindung gegeben ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch in der Weise durchgeführt werden, daß die Halbleiter-Anordnungen, um ein Evakuieren des Gehäuses und Füllen mit Schutzgas über die rohrförmige Durchführung 6 zu ermöglichen, in einem ersten Tauchprozeß an den Verbindungsstellen 7' und 4' verlötet werden. Dazu werden die Anordnungen jeweils an ihrem Anschlußleiter 3 gehaltert und mit dem Anschlußleiter 8 voraus getaucht. Nach der daran anschließenden Behandlung der Anordnungen zur Füllung des Gehäuses mit einem Schutzgas werden dieselben an ihrem Stromleiter 8 gehaltert und in einem zweiten Tauchprozeß zur Erzielung einer gasdichten Verbindung zwischen zweitem Anschlußleiter 3 und Durchführung 6 bis zur Verbindungsstelle 6' getaucht.

Bedarfsweise kann an Stelle des gehäuseäußeren Abschnitts des Elektrodenanschlusses 3 ein besonderer, geeignet ausgebildeter zweiter Anschlußleiter angeordnet werden. Der Elektrodenanschluß 3 verläuft dann lediglich in entsprechender Länge bis in den gehäuseäußeren Teil der Durchführung 6. Der zweite Anschlußleiter wird in die Durchführung 6 eingesteckt, und beide Stromleiter werden, gegebenenfalls nach Evakuieren des Gehäuses und Füllen mit Schutzgas, in erfindungsgemäßer Weise mit der Durchführung fest und dicht verbunden.

Das Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich nicht nur für die Kapselung von Halbleiter-Gleich-

richter-Anordnungen kleiner und mittlerer Strombelastbarkeit, sondern ermöglicht in gleicher Weise auch die rationelle Herstellung von Halbleiter-Bauelementen ohne oder mit zwei oder mehr pn-Übergängen.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur gasdichten Kapselung von Halbleiter-Anordnungen, insbesondere von Halbleiter-Gleichrichter-Anordnungen, bei dem eine aus einkristallinem Halbleitermaterial, insbesondere aus Silizium bestehende und wenigstens einen pn-übergang aufweisende Halbleitertablette auf einem metallischen, gleichzeitig zur Stromleitung dienenden Gehäuseunterteil befestigt und mit einem weiteren, insbesondere drahtförmigen Elektrodenanschluß versehen wird, bei dem der weitere Elektrodenanschluß durch die isolierte Durchführung eines haubenförmigen, metallischen Gehäuseoberteils geführt und das Gehäuseoberteil mit dem Gehäuseunterteil zusammengefügt und durch Weichlöten gasdicht verbunden wird und bei dem der weitere Elektrodenanschluß mit der as isolierten Durchführung des Gehäuseoberteils gasdicht und ein am Gehäuseunterteil vorgesehener äußerer Anschlußleiter mit dem Gehäuseunterteil jeweils durch Quetschen und Löten fest verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils miteinander zu verbindenden Gehäuseteile und Stromleitungsbauteile vor dem Zusammenbau mit einem von einem Weichlot gut benetzbaren metallischen Überzug versehen werden, daß die Gehäusebauteile festhaftend zusammensteckbar ausgebildet sind, und daß die zu vorbestimmter Verbindung ihrer Bauteile vorbereiteten Anordnungen in größerer Anzahl, jeweils an einem ihrer Anschlußleiter gehaltert, mit einem Flußmittel, insbesondere mit Kolophonium überzogen und durch Eintauchen in ein Zinnlot sowohl an den vorgesehenen Verbindungsstellen gelötet als auch mit einem zusammenhängenden, endgültigen und dauerhaften metallischen Überzug versehen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der von dem Weichlot gut benetzbare metallische Überzug aus Zinn, Silber, Kupfer oder Gold besteht

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zusammenfügen der Gehäusebauteile und nach dem Verbinden der Anschlußleiter mit dem jeweiligen Gehäusebauteil durch Quetschen die vorgegebenen Verbindungsstellen durch Tauchen der Anordnungen mit dem Gehäuseoberteil voraus gleichzeitig gelötet werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnungen nach dem Zusammenfügen der Gehäusebauteile durch Tauchen mit dem Gehäuseunterteil voraus an den Verbindungsstellen zwischen den Gehäusebauteilen und zwischen erstem Anschlußleiter und Gehäuseunterteil gelötet und oberflächenbehandelt werden, daß das Gehäuse über den zweiten Anschlußleiter in an sich bekannter Weise evakuiert und mit Schutzgas gefüllt wird und daß in einem weiteren Tauchprozeß bei umgekehrter Gehäuseanordnung die Lötverbindung zwischen zweitem Anschlußleiter und Durchführung des Gehäuseoberteils hergestellt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Anordnungen vor Durchführung der Tauchlötung auf eine Temperatur vorgewärmt werden, die der Schmelztemperatur des Lötbades entspricht.

6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß niedrigschmelzende Zinnlote, insbesondere ein Blei-Zinn-Eutektikum oder ein Zinn-Silber-Eutektikum verwendet werden.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1083 936,

1086811, 1087707;
schweizerische Patentschriften Nr. 202 087,

320932.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen