DE1276824B - Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontaktes an einem Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontaktes an einem Halbleiterkoerper

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DE1276824B
DE1276824B DEST21634A DEST021634A DE1276824B DE 1276824 B DE1276824 B DE 1276824B DE ST21634 A DEST21634 A DE ST21634A DE ST021634 A DEST021634 A DE ST021634A DE 1276824 B DE1276824 B DE 1276824B
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Cyril Francis Drake
Henley Frank Sterling
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Deutsche ITT Industries GmbH
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE966906C (de) * 1953-04-09 1957-09-19 Siemens Ag Verfahren zur sperrfreien Kontaktierung von Flaechengleichrichtern oder -transistoren mit einem eine p-n-Schichtung aufweisenden Halbleitereinkristall
DE1018557B (de) * 1954-08-26 1957-10-31 Philips Nv Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper
DE1109002B (de) * 1955-06-22 1961-06-15 Union Carbide Corp Verfahren zum Vernickeln oder Verchromen von Aluminiumgegenstaenden durch Gasplattieren
AT222702B (de) * 1960-06-13 1962-08-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung

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