DE1261180B - Verstaerkender Modulator - Google Patents

Verstaerkender Modulator

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Publication number
DE1261180B
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Authority
DE
Germany
Prior art keywords
input
base
transistor
modulator
carrier
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Pending
Application number
DE1964S0089294
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Reginhard Pospischil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE1261180B publication Critical patent/DE1261180B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Verstärkender Modulator Die Erfindung betrifft einen verstärkenden Modulator, bei dem die Emitter zweier, kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, mit einem Signaleingang und einem Trägereingang.
  • Es ist üblich, zur Umsetzung von Nachrichtenbändern in eine andere Frequenzlage Modulatoren zu verwenden, bei denen mehrere nichtlineare Stromkreise, die als nichtlineare Elemente beispielsweise Dioden, Röhren oder Transistoren enthalten, miteinander gekoppelt sind. Mit solchen Modulatoren können bekanntlich verschiedene Frequenzgruppen, darunter beispielsweise die Trägerfrequenz und das Eingangssignal, am Ausgang unterdrückt werden, um das dem Ausgang folgende Filter, beispielsweise zur Aussiebung eines Seitenbandes, mit geringem Aufwand realisieren. zu können.
  • Bei einem bekannten Gegentaktmodulator, bei dem die Kollektoren zweier Transistoren miteinander verbunden sind und der am Ausgang nur Modulationsprodukte von der Form p co ± q D bei gleichzeitig geraden oder ungeraden p und q abgibt, treten am Ausgang zwar weder das Eingangssignal noch der Träger auf. Die Eingänge dieses Modulators, gebildet durch jeweils einen eigenen Symmetrieübertrager, weisen jedoch eine gegenseitige Kopplung auf, die sich nachteilig auswirken kann, wenn mehrere Modulatoren aus ein und demselben Trägergenerator gespeist werden.
  • Es ist bereits ein Doppelgegentaktmodulator mit vier Transistoren bekannt, bei dem eine Eingangsgröße einem symmetrischen Eingangsübertrager und die weitere Eingangsgröße einem weiteren Eingangsübertrager zugeführt werden. Läßt man bei diesem Doppelgegentaktmodulator zwei Transistoren weg, so erhält man zwar einen funktionsfähigen Modulator. Ein solcher Modulator würde jedoch dieselbe Zahl von übertragern erfordern wie der Doppelgegentaktmodulator.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen verstärkenden Gegentaktmodulator zu schaffen, der bei einfachem Aufbau und großer Seitenbandverstärkung am Ausgang sowohl den Träger als auch das Eingangssignal unterdrückt.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe und im Hinblick auf die genannten Schwierigkeiten wird der verstärkende Modulator, bei dem die Emitter zweier, kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, gemäß der Erfindung derart ausgebildet, daß die Basisanschlüsse der Transistoren über eine Sekundärwicklung eines den Signaleingang vom Trägereingang entkoppelnden Gabelübertragers miteinander verbunden sind und daß zwischen dem Verbindungspunkt der Kollektoren und der Basis eines der Transistoren eine Versorgungsspannungsquelle und ein dazu in Serie liegender Arbeitswiderstand angeordnet sind. Durch diese Maßnahmen ergibt sich ein Gegentaktmodulator, bei dem in vorteilhafter Weise unter Einsparung eines Eingangsübertragers eine bei Modulatoren mit zwei Transistoren, die wie der erfindungsgemäße Gegentaktmodulator sowohl den Träger als auch das modulierende Signal am Ausgang unterdrücken, im allgemeinen nur mit zwei eingangsseitigen übertragern erzielbare Entkopplung des Signaleingangs vom Trägereingang realisiert.
  • Die Summe aus der Eingangssignal- und der Trägerspannung kann auch durch eine andere zwischen dem Verbindungspunkt der Versorgungsspannungsquelle mit der Basis eines der Transistoren und der Basis des anderen Transistors eingefügte Quelle eingespeist werden; diese Quelle muß jedoch gleichstromdurchlässig sein.
  • Man kann den Gabelübertrager mit einer angezapften Primärwicklung versehen, an deren Anzapfung eine Nachbildung geführt ist, deren freies Ende zusammen mit einem Ende der Primärwicklung ein Eingangsklemmenpaar für die Signalspannung und in Verbindung mit dem anderen Ende der Primärwicklung ein Eingangsklemmenpaar für die Trägerspannung bildet.
  • Ein derartiger Modulator hat den Vorteil, daß bei einer einfach aufgebauten Modulatorschaltung am Ausgang Träger und Eingangssignal unterdrückt werden und dabei die Eingänge für das Eingangssignal und den Träger voneinander entkoppelt sind. Da bei diesem Modulator der Ausgang im Takte der Trägerfrequenz in abwechselnder Polung an den Eingang geschaltet wird, hat der Modulator zudem eine große Seitenbandverstärkung und damit in vorteilhafter Weise einen großen Klirrabstand.
  • Es ist ferner zweckmäßig, zur galvanischen Trennung der Modulatoreingänge die in der Verbindung der Basis des einen Transistors mit der Basis des anderen Transistors liegende Sekundärwicklung des Gabelübertragers als eine angezapfte Wicklung, zu der eine Nachbildung in Serie geschaltet ist, auszubilden, so daß ein Modulatoreingang durch eine Primärwicklung des Gabelübertragers und ein weiterer Modulatoreingang durch die Nachbildung mit dem dazu in Serie liegenden, durch die Anzapfung begrenzten Teil der Sekundärwicklung gebildet werden.
  • Zur Symmetrierung kann zwischen der Versorgungsspannungsquelle und dem Verbindungspunkt des Emitters des einen Transistors mit der Basis des anderen Transistors ein Symmetrierungswiderstand eingefügt werden.
  • Die Erfindung wird an Hand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. F i g. 1 zeigt einen Gegentaktmodulator mit einer eingangsseitigen Gabelschaltung, bei der die Eingänge galvanisch miteinander verbunden sind; F i g. 2 zeigt einen Gegentaktmodulator, bei dem die Eingänge einer Gabelschaltung an verschiedenen Wicklungen liegen.
  • Bei dem in F i g. 1 dargestellten Gegentaktmodulator ist die Basis des Transistors 1 mit dem Emitter des anderen Transistors 2 verbunden, dessen Basis wiederum an den Emitter des Transistors 1 geführt ist. Die miteinander verbundenen Kollektoren der beiden Transistoren 1 und 2 liegen über den Arbeitswiderstand 7 und die Versorgungsspannungsquelle 5 an der Basis des Transistors 2, die über die Sekundärwicklung 3 des Gabelübertragers 4 an die Basis des Transistors 1 geführt ist. Die Primärwicklung 11 des Gabelübertragers 4 besitzt eine Anzapfung, die mit der Nachbildung 6 verbunden ist.
  • Das freie Ende 12 der Nachbildung 6 bildet einen Anschlußpunkt, der dem Träger- und Signaleingang gemeinsam ist. Die Enden 13 und 14 der Primärwicklung 11 bilden zusammen mit dem freien Ende 12 jeweils einen Eingang für die Träger- oder Signalspannung. Die Ausgangsklemme 15 ist über den Kondensator 8 an den Verbindungspunkt der Kollektoren mit dem Arbeitswiderstand 7 geführt. Dieser Arbeitswiderstand 7 kann reell oder komplex sein, muß dabei jedoch für den Kollektorgleichstrom durchlässig sein. An ihm kann gegebenenfalls das Ausgangssignal des Modulators abgegriffen werden. Die andere Ausgangsklemme 16 liegt am Verbindungspunkt der Versorgungsspannungsquelle 5 mit der Sekundärwicklung 3 des Gabelübertragers 4. Wird an einen der Eingänge des Gabelübertragers 4 eine Trägerspannung gelegt, so werden die Transistoren 1 und 2 abwechselnd - jeweils von einer Trägerhalbwelle - durchgesteuert. Wird an den anderen Eingang des Gabelübertragers 4 gleichzeitig ein Eingangssignal angelegt, so wird durch eine Halbwelle der Signalspannung abwechselnd die Aussteuerung des einen Transistors vergrößert und die des anderen, 2 oder 1, verkleinert. Bei diesem Modulator werden also der Ausgang und der Signaleingang über die verstärkenden Transistoren 1 und 2 mit im Takte der Trägerfrequenz wechselnder Polang miteinander verbunden. Am Ausgang treten dabei nur Modulationsprodukte von der Form p co ± q d2 bei gleichzeitig geraden oder ungeraden p und q auf.
  • In der F i g. 2 ist ein Gegentaktmodulator dargestellt, der sich von demjenigen nach F i g.1 durch den in die Verbindung der Basis des Transistors 2 mit der Versorgungsspannungsquelle 5 eingeschleiften Symmetrierungswiderstand 17 und eine abgewandelte Gabelschaltung unterscheidet. Bei diesem Gegentaktmodulator ist im Gegensatz zu der Ausführungsform nach F i g. 1 die Sekundärwicklung 3' des Gabelübertragers 4' als Symmetriewicklung ausgebildet, deren eines Ende an der Basis des Transistors 1 liegt und deren -anderes Ende - über die Nachbildung 6' an die Versorgungsspannungsquelle 5 geführt ist. Ein Eingang des Gabelübertragers 4' ist durch die Anzapfung 21 der Sekundärwicklung 3' und den Verbindungspunkt 20 der Nachbildung 6' mit der Versorgungsspannungsquelle 5 gebildet. Den anderen Eingang stellt die Primärwicklung Il' des Gabelübertragers 4' mit den Anschlüssen 18 und 19 dar. Diese Gabelschaltung hat den Vorteil, daß die beiden Eingänge für den Träger und für die Signalspannung nicht nur voneinander entkoppelt, sondern auch galvanisch getrennt sind.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Verstärkender Modulator, bei dem die Emitter zweier, kollektorseitig miteinander verbundener Transistoren jeweils mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind, mit einem Signaleingang und einem Trägereingang, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisanschlüsse der Transistoren (1, 2) über eine Sekundärwicklung (3) eines den Signaleingang vom Trägereingang entkoppelnden Gabelübertragers (4) miteinander verbunden sind und daß zwischen dem Verbindungspunkt der Kollektoren und der Basis eines der Transistoren (2) eine Versorgungsspannungsquelle (5) und ein dazu in Serie liegender Arbeitswiderstand (7) angeordnet sind (F i g. 1).
  2. 2. Verstärkender Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gabelübertrager (4) mit einer angezapften Primärwicklung (11) versehen ist, an deren Anzapfung eine Nachbildung (6) geführt ist, deren freies Ende (12) zusammen mit einem Ende (13) der Primärwicklung (11) ein Eingangsklemmenpaar für die Signalspannung und in Verbindung mit dem anderen Ende (14) der Primärwicklung (11) ein Eingangsklemmenpaar für die Trägerspannung bildet (F i g. 1).
  3. 3. Verstärkender Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Verbindung der Basis des einen Transistors (1) mit der Basis des anderen Transistors (2) liegende Sekundärwicklung (3') des Gabelübertragers (4') als eine angezapfte Wicklung ausgebildet ist, zu der eine Nachbildung (6') in Serie geschaltet ist, so daß ein Modulatoreingang durch eine Primärwicklung (11') des Gabelübertragers (4') und ein weiterer Modulatoreingang durch die Nachbildung (6') mit dem dazu in Serie liegenden, durch die Anzapfung begrenzten Teil der Sekundärwicklung (3') gebildet sind (F -i g. 2).
  4. 4. Verstärkender Modulator nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen zwischen der Versorgungsspannungsquelle (5) und dem Verbindungspunkt des Emitters des einen Transistors (1) mit der Basis des anderen Transistors (2) eingefügten Symmetrierungswiderstand (17). In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1143 242; O. H e n k 1 e r, »Anwendung der Modulation beim Trägerfrequenzfernsprechen auf Leitungen«, Leipzig, 1948, S. 27 bis 30.
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