DE1256202B - Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze - Google Patents
Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer SchmelzeInfo
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL243511 | 1959-09-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1256202B true DE1256202B (de) | 1967-12-14 |
Family
ID=19751930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN18903A Pending DE1256202B (de) | 1959-09-18 | 1960-09-14 | Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3194691A (ja) |
DE (1) | DE1256202B (ja) |
GB (1) | GB931992A (ja) |
NL (2) | NL104644C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2109874A1 (de) * | 1970-03-02 | 1971-09-16 | Hitachi Ltd | Halbleitereinrichtung mit einem monokristallinen Siliziumkoerper |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE635380A (ja) * | 1962-07-24 | |||
GB1060474A (en) * | 1963-03-27 | 1967-03-01 | Siemens Ag | The production of monocrystalline semiconductor bodies of silicon or germanium |
DE1251721B (de) * | 1963-10-28 | 1967-10-12 | Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München München | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteiknstallen vorzugsweise Halbleiteremknstallen mit einstellbarer, beispielsweise konstanter Fremdstoffkonzentration |
US3329884A (en) * | 1964-06-08 | 1967-07-04 | Bell Telephone Labor Inc | Frequency multiplier utilizing a hybrid junction to provide isolation between the input and output terminals |
DE1619994B2 (de) * | 1967-03-09 | 1976-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum zuechten eines stabfoermigen, versetzungsfreien einkristalls aus silicium durch tiegelfreies zonenschmelzen |
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JPH042683A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-07 | Chichibu Cement Co Ltd | ルチル単結晶の製造方法 |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2651831A (en) * | 1950-07-24 | 1953-09-15 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
US3018539A (en) * | 1956-11-06 | 1962-01-30 | Motorola Inc | Diffused base transistor and method of making same |
US2981875A (en) * | 1957-10-07 | 1961-04-25 | Motorola Inc | Semiconductor device and method of making the same |
-
0
- NL NL243511D patent/NL243511A/xx unknown
- NL NL104644D patent/NL104644C/xx active
-
1960
- 1960-09-02 US US53692A patent/US3194691A/en not_active Expired - Lifetime
- 1960-09-14 DE DEN18903A patent/DE1256202B/de active Pending
- 1960-09-15 GB GB31807/60A patent/GB931992A/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2109874A1 (de) * | 1970-03-02 | 1971-09-16 | Hitachi Ltd | Halbleitereinrichtung mit einem monokristallinen Siliziumkoerper |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3194691A (en) | 1965-07-13 |
NL104644C (ja) | |
GB931992A (en) | 1963-07-24 |
NL243511A (ja) |
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