DE1251152B - I Photomaske - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

G03f

Deutsche Kl.: 57 d -1/01

Nummer: 1251152

Aktenzeichen: T 30890 IX a/57 d

Anmeldetag: 9. April 1966

Auslegetag: 28. September 1967

Photomasken werden in der Halbleitertechnik bekanntlich bei der Herstellung von Planaranordnungen benötigt, und zwar bei der Herstellung von Diffusionsfenstern in der auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Oxydschicht. Zu diesem Zweck wird auf die auf dem Halbleiterkörper befindliche Oxydschicht ein Photolack aufgebracht, der anschließend unter Verwendung einer Photomaske örtlich belichtet und entwickelt wird. Die Diffusionsfenster werden dann aus der Oxydschicht an den vom Photolack freigelegten Stellen herausgeätzt.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die bekannten Photomasken bei sehr kleinen Strukturen unscharfe Abbildungen liefern. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Photomaske anzugeben, die diese Nachteile nicht aufweist. Nach der Erfindung besteht eine solche Photomaske aus einer Glasplatte mit einer Metallschicht auf der einen Oberflächenseite, die die abzubildende Struktur enthält und auf der der Glasplatte abgewandten Seite mattiert oder geschwärzt ist. Die Praxis hat gezeigt, daß solche Photomasken selbst bei sehr kleinen Strukturen keine Unscharfen mehr verzeichnen.

Die Mattierung oder Schwärzung der beispielsweise aus Chrom bestehenden Metallschicht auf der Glasplatte kann beispielsweise durch chemische Färbung oder durch thermische oder anodische Oxydation erfolgen.

Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.

Die F i g. 1 zeigt eine Photomaske, die aus einer Glasplatte 1 sowie einer Metallschicht 2 besteht, die auf die eine Oberflächenseite der Glasplatte 1 aufgedampft ist. Die Metallschicht 2 enthält Aussparungen 3 entsprechend den abzubildenden Strukturen, die ein Austreten des durch die Glasplatte fallenden Lichtes ermöglichen.

Die Metallschicht 2 ist nach der Erfindung auf der der Glasplatte 1 abgewandten Oberflächenseite 4 mattiert oder geschwärzt. Die Mattierung bzw. Schwärzung wird beispielsweise durch chemische Färbung oder durch thermische oder anodische Oxydation erreicht.

Die F i g. 2 zeigt, wie die Photomaske in der Praxis beispielsweise Anwendung finden kann. Soll ein Photomaske

Anmelder:
Telefunken

Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.,
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3

Als Erfinder benannt:

Fritz Stork, Costa Mesa, Calif. (V. St. A.)

Substrat 5 beispielsweise nur an bestimmten Stellen geätzt werden, so wird auf das Substrat ein Photoresistlack 6 aufgebracht, der nur an denjenigen Stellen belichtet werden darf, an denen das Substrat geätzt werden soll. Um eine nur örtlich einwirkende Belichtung des Photoresistlackes zu erzielen, wird auf den Photoresistlack eine Photomaske aufgebracht, die die Ätzstruktur in Form von entsprechenden Aussparungen enthält. Ein auf die Photomaske fallendes Licht durchdringt zwar die Glasplatte 1, nicht aber die Metallschicht 2, mit Ausnahme derjenigen Stellen, an denen Aussparungen 3 in der Metallschicht entsprechend der angestrebten Ätzstruktur vorgesehen sind.

Nach dem Belichten wird der Photoresistlack in bekannter Weise weiterbehandelt, um aus ihm eine Ätzmaske zum Ätzen des z. B. aus einem Halbleiterkörper bestehenden Substrats zu erhalten.

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Photomaske, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einer Glasplatte mit einer Metallschicht auf der einen Oberflächenseite besteht, die die abzubildende Struktur enthält, und auf der der Glasplatte abgewandten Seite mattiert oder geschwärzt ist.

2. Verfahren zur Herstellung einer Photomaske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht auf der der Glasplatte abgewandten Seite chemisch gefärbt oder thermisch oder anodisch oxydiert wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen