DE1232267B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit MesastrukturInfo
- Publication number
- DE1232267B DE1232267B DET20217A DET0020217A DE1232267B DE 1232267 B DE1232267 B DE 1232267B DE T20217 A DET20217 A DE T20217A DE T0020217 A DET0020217 A DE T0020217A DE 1232267 B DE1232267 B DE 1232267B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alloy
- sheets
- web
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET20217A DE1232267B (de) | 1961-05-27 | 1961-05-27 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET20217A DE1232267B (de) | 1961-05-27 | 1961-05-27 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1232267B true DE1232267B (de) | 1967-01-12 |
DE1232267C2 DE1232267C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1967-07-27 |
Family
ID=7549617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET20217A Granted DE1232267B (de) | 1961-05-27 | 1961-05-27 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1232267B (enrdf_load_stackoverflow) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT181629B (de) * | 1950-09-14 | 1955-04-12 | Western Electric Co | Einrichtung zur Signalumsetzung mit einem Körper aus halbleitendem Material und Verfahren zur Herstellung derselben |
GB771443A (en) * | 1953-09-29 | 1957-04-03 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements relating to transistors |
GB786281A (en) * | 1953-12-31 | 1957-11-13 | Philips Electrical Ind Ltd | Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor systems |
DE1083438B (de) * | 1959-05-23 | 1960-06-15 | Elektronik M B H | Von einem Metallgehaeuse umschlossene Transistoranordnung |
GB849477A (en) * | 1957-09-23 | 1960-09-28 | Nat Res Dev | Improvements in or relating to semiconductor control devices |
-
1961
- 1961-05-27 DE DET20217A patent/DE1232267B/de active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT181629B (de) * | 1950-09-14 | 1955-04-12 | Western Electric Co | Einrichtung zur Signalumsetzung mit einem Körper aus halbleitendem Material und Verfahren zur Herstellung derselben |
GB771443A (en) * | 1953-09-29 | 1957-04-03 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements relating to transistors |
GB786281A (en) * | 1953-12-31 | 1957-11-13 | Philips Electrical Ind Ltd | Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor systems |
GB849477A (en) * | 1957-09-23 | 1960-09-28 | Nat Res Dev | Improvements in or relating to semiconductor control devices |
DE1083438B (de) * | 1959-05-23 | 1960-06-15 | Elektronik M B H | Von einem Metallgehaeuse umschlossene Transistoranordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1232267C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1967-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2142146C3 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen mehrerer Halbleiterbauelemente | |
DE2063579C3 (de) | Codierbare Halbleiteranordnung | |
DE1639254B2 (de) | Feldeffekthalbleiteranordnung mit isoliertem gatter und einem schaltungselement zur verhinderung eines durchschlags sowie verfahren zu ihrer herstellung | |
DE10227854B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2806099A1 (de) | Halbleiter-baugruppe | |
DE1810322C3 (de) | Bipolarer Transistor für hohe Ströme und hohe Stromverstärkung | |
DE2117365A1 (de) | Integrierte Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2944069A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1263190B (de) | Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper | |
DE2146178B2 (de) | Thyristor mit Steuerstromverstärkung | |
DE1514008B2 (de) | Flaechentransistor | |
DE1293900B (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
DE1764171A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1232267B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur | |
DE2610539A1 (de) | Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte | |
DE1123406B (de) | Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen | |
DE2237086C3 (de) | Steuerbares Halbleitergleichrichterbauelement | |
DE1464829C3 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen | |
AT231567B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1246888C2 (de) | Verfahren zum herstellen von gleichrichteranordnungen in brueckenschaltung fuer kleine stromstaerken | |
DE1800193A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Kontakten | |
DE1564444B2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem isolierenden traeger | |
DE1464319B2 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2412924C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode | |
DE1907111A1 (de) | Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement |