AT181629B - Einrichtung zur Signalumsetzung mit einem Körper aus halbleitendem Material und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents
Einrichtung zur Signalumsetzung mit einem Körper aus halbleitendem Material und Verfahren zur Herstellung derselbenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US181629XA | 1950-09-14 | 1950-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT181629B true AT181629B (de) | 1955-04-12 |
Family
ID=21786573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT181629D AT181629B (de) | 1950-09-14 | 1953-08-22 | Einrichtung zur Signalumsetzung mit einem Körper aus halbleitendem Material und Verfahren zur Herstellung derselben |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT181629B (de) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1103468B (de) * | 1958-08-01 | 1961-03-30 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit aluminiumhaltigen Elektroden |
| DE1175797B (de) * | 1960-12-22 | 1964-08-13 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halb-leiterbauelementen |
| DE1182354B (de) * | 1958-09-02 | 1964-11-26 | Texas Instruments Inc | Transistor |
| DE1207507B (de) * | 1956-03-23 | 1965-12-23 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors |
| DE1218066B (de) * | 1956-09-25 | 1966-06-02 | Siemens Ag | Herstellung von Zonen unterschiedlichen Leitungstypus in Halbleiterkoerpern unter Anwendung des Legierungsverfahrens |
| DE1232267B (de) * | 1961-05-27 | 1967-01-12 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Mesastruktur |
| DE1273071B (de) * | 1964-08-21 | 1968-07-18 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum Herstellen von Dotierungskugeln fuer AD-Transistoren |
| DE1295702B (de) * | 1962-03-15 | 1969-05-22 | Hitachi Ltd | Halbleiterdiode |
-
1953
- 1953-08-22 AT AT181629D patent/AT181629B/de active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1207507B (de) * | 1956-03-23 | 1965-12-23 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors |
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