DE1229151B - Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen

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Publication number
DE1229151B
DE1229151B DES95681A DES0095681A DE1229151B DE 1229151 B DE1229151 B DE 1229151B DE S95681 A DES95681 A DE S95681A DE S0095681 A DES0095681 A DE S0095681A DE 1229151 B DE1229151 B DE 1229151B
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DE
Germany
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test
transistor
potential
voltage
circuit arrangement
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Pending
Application number
DES95681A
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English (en)
Inventor
Dipl-Ing Juergen Paschke
Dipl-Ing Franz Schwub
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Publication of DE1229151B publication Critical patent/DE1229151B/de
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M3/00Automatic or semi-automatic exchanges
    • H04M3/22Arrangements for supervision, monitoring or testing
    • H04M3/36Statistical metering, e.g. recording occasions when traffic exceeds capacity of trunks

Description

  • Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen, vorzugsweise auf Belegungsadern in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen, unter Verwendung einer mehrstufigen Transistor-Verstärker- und Auswerteschaltung.
  • Die allgemein bekannte Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen besitzt vorwiegend Bedeutung in der Erkennung des Belegungszustandes von Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen, wobei das Potential auf der Belegungsader ein Kriterium für den Schaltzustand der Fernmeldeanlagen darstellt. Zur Kontrolle des Belegungszustandes der Fernmeldeeinrichtungen ist es daher bekannt, mit Relais oder elektronischen Schaltelementen das Potential an der Belegungsader abzugreifen und in Abhängigkeit von der vorgefundenen Größe dieses Potentials eine Aussage darüber zu machen, in welchem Schaltzustand sich die Einrichtung befindet.
  • Durch die deutschen Auslegesehriften 1146 127, 1165 676, 1165 677, 1173 538, 1175 282 und 1187 276 sind Prüfschaltungen der eingangs genannten Art bekanntgeworden. Durch alle diese Prüfschaltungen ist es möglich, den Zustand (ob frei oder besetzt) von Prüfleitungen festzustellen. Diese Prüfschaltungen bestehen mit Ausnahme der in der deutschen Auslegeschrift 1173 538 gezeigten Schaltungsanordnung aus elektronischen Spannungsmeßschaltungen. Diese ermöglichen es, eine Prüfung von Belegungsstromkreisen vorzunehmen, ohne daß hierbei über die jeweils geprüfte Prüfleitung ein Strom solcher Stärke gezogen wird, der die in der Prüfleitung liegenden Belegungsrelais züm Ansprechen bringen würde. Alle vorerwähnten Prüfschaltungen weisen jedoch einen bestimmten individuellen Gleichstrom-Innenwiderstand auf und nehmen eine Prüfung vor, bei der die zu prüfende Prüfleitung über diesen Innenwiderstand mit einem bestimmten Gleichspannungs-Vergleichspotential verbunden werden. Dementsprechend ist der während eines Prüfvorganges fließende Strom abhängig von der jeweiligen Spannung auf der zu prüfenden Prüfleitung. Je nach dem auf einer zu prüfenden Prüfleitung jeweils herrschenden Potential kann der Strom im Prüfstromkreis verschieden groß sein.
  • Eine Prüfschaltung, die für Verkehrsmeßzwecke eingesetzt werden soll, kann nicht an eine bestimmte Art von Prüfstromkreisen angepaßt werden, sondern es ist möglich, daß eine die Betriebsverhältnisse in einer umfassenden Wählvermittlungsanlage überwachende Verkehrsmeßeinrichtung Prüfleitungen verschiedener Art und mit verschiedenen Bedingungen prüfen muß. Unter diesen Prüfleitungen gibt es z. B. erstens solche, die den Freizustand durch ein relativ hohes Minuspotential kennzeichnen und hierbei sehr stromempfindlich sind: Der Ansprechwert der ihnen individuellen Belegungsrelais liegt relativ niedrig. Unter diesen Prüfleitungen gibt es zweitens solche, die wesentlich weniger stromempfindlich sind, jedoch ihren Freizustand durch ein gegenüber den erstgenannten Prüfleitungen erheblich niedriges Minuspotential kennzeichnen. Aus diesen Umständen ergeben sich wesentlich erschwerte Prüfbedingungen für eine Prüfschaltung. Diese Bedingungen können von herkömmlichen Prüfschaltungen nicht in jedem Fall erfüllt werden, denn diese weisen einen be- stimmten Gleichspannungs-Innenwiderstand auf und nehmen eine Prüfung vor, indem sie ein bestimmtes Gleichspannungs-Vergleichspotential über diesen Innenwiderstand an die jeweils zu prüfende Prüfleitung anschalten. Der sich im Prüfstromkreis einstellende Prüfstrom ist bestimmt durch Spannungsdifferenz und Innenwiderstand im Prüfstromkreis.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist es, die vorgenannten Nachteile zu vermeiden, insbesondere eine Prüfschaltung von solchen Betriebsbedingungen zu lösen, wie sie vorstehend erläutert sind. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß der zur Potentialabtastung verwendete Transistor derart betrieben wird, daß der Kollektor über Dioden an die zu messende Ader und die Basis so an einen Spannungsteiler angeschlossen ist, daß der über den Transistor fließende Strom bei unterschiedlicher Spannung am Kollektor konstant bleibt.
  • Da durch die vorgeschlagene Schaltungsanordnung die Größe des über die Belegungsader gezogenen Stromes durch die von dem Spannungsteiler festgelegte Basisspannung begrenzt ist, kann durch geeig- nete Wahl der Widerstände des Spannungsteilers in vorteilhafter Weise der Strom im Prüfstromkreis konstant gehalten werden, trotzdem die geprüften Spannungspotentiale an den verschiedenen Prüfleitungen verschieden groß sind. Dadurch wird sichergestellt, daß- jede Prüfung einen Meßvorgang darstellt, bei dem einerseits ein für eine sichere, Ermittlung eines Meßergebnisses ausreichender Strom fließt, der jedoch andererseits,eine Höhe erreichen kann, durch die Prüfstromkreise wirksam beeinflußt (blindbelegt) werden können. Durch Verwendung einer Zenerdiode im Kollektorkreis des Transistors wird außerdem sichergestellt, daß bei einem Potential an der Belegungsader, das unter einem gewissen Minimum liegt, kein Strom fließen kann.
  • Di e- Erfindung wird an Hand der F i g. 1 und 2 in Beispielen näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Abtastung der Belegungsader auf Minuspotential, z. B. zwischen 0 und - 45 Volt. Befindet sich dagegen auf der Belegungsader Pluspotential oder eine Spannung, die größer als -45 Volt gegen Null ist, erfolgt keine Anzeige. Der Auswertetransistor T2 ist in Emitterschaltung derart angeordnet, daß der ArbeitswiderstandR6 im Emitterkreis liegt. Der Kollektor des Transistors wird über die Dioden G 4, G 6 an die zu prüfende Belegungsader geschaltet. Über einen Spannungsteiler aus den WiderständenR3, R4 und -R5 wird die Basisspannung so eingestellt, daß der konstante Kollektorstrom bei einer Kollektorspannung von z. B. - 66 Volt etwa 2,5 mA beträgt. Der Spannungsabfall am Emitterwiderstand R 6 des Transistors T2 steuert als Basisspannung den nachgeschalteten Transistor T3, der im leitenden Zustand über den Ausgang A eine monostabile Kippschaltung -vorbereitet. Diese wird z. B. nach 15 ms nach Anlegen der Prüfschaltung an eine Belegungsader angelassen und liefert den Ausweiteimpuls, der von ge-,eigneten Schaltungseinrichtungen weiter verarbeitet werden kann. Die Zenerdioden G 1, G 2 und G 3 werden dann leitend, wenn die Spannung am Eingang E größer als - 45 V ist. Der Transistor T 1 wird dadurch in den leitenden Zustand gesteuert, wodurch der Transistor T2 gesperrt wird.
  • Damit auch sehr kleine negative Potentiale ausgewertet werden können, wird der Transistor T2 mit einer positiven Spannung von z. B. +9 V gegenüber dem Nullpotential betrieben. Die Zenerdiode G4 im Kollektorkreis des Transistors T 2 verhindert, daß fehlerhaft ein Belegtimpuls ausgewertet wird, wenn zum Abtastzeitpunkt an der Belegungsader durch z. B. überlaufen eines Wählers über den Ausgang, ein Widerstand gegen Erde geschaltet ist.
  • Die Toleranzen der Diode G4 können durch Verändern der positiven Spannung (hier z. B. + 9 Volt) kompensiert werden. F i g. 2 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Kontrolle der Belegungsader auf positives Potential. Wird die negative Bezugsspannung z. B. - 60 Volt angenommen, so wird der Auswertetransistor T2 mit einer z. B. dagegen um 9 Volt größeren negativen Spannung betrieben, d. h. also mit - 69 Volt, um geringe positive Spannungen gegenüber der negativen Bezugsspannung (z. B. - 58 Volt) noch einwandfrei prüfen zu können.
  • Der Auswertetransistor T 2 ist in:# Ei-nitterschalter derart angeordnet, daß der Arbeitswiderstand R 6 im Kollektorkreis liegt. Der Emitter des Transistors wird über die Dioden G 4, G 6 an die zu priliende Belegungsader geschaltet. über einen Spannungsteiler aus den Widerständen R 3, R 4 und R 5 wird die Basisspannung so eingestellt, daß der Kollektorstrom bei einer Kollektorspannung von z. B. - 15 Volt etwa 1,5 mA beträgt. Der Spannungsabfall am Emitterwiderstand R 6 des Transistors T 2 steuert als Basisspannung den nachgeschalteten Transistor T3, der im leitenden Zustand über den Ausgang A eine monostabile Kippschaltung vorbereitet. Diese wird z. B. nach 15 ms nach Anlegen der Prüfschaltung an eine Belegungsader angelassen und liefert den Auswertehnpuls, der von geeigneten Schaltungseinrichtungen weiter verarbeitet werden kann.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen, vorzugsweise auf Belegungsadern in Fermnelde-, insbesondere Femsprechanlagen, unter Verwendung einer mehrstufigen Transistor-Verstärker- und Auswerteschaltung, dadurch gekennzeichn e t , daß der zur Potentialabtastung verwendete Transistor(T2) derart betrieben wird, daß der Kollektor über Dioden (G4, G6) an die zu messende Ader und die Basis so an einen Spannungsteiler angeschlossen ist, daß der über den Transistor (T2) fließende Strom bei unterschiedlicher Spannung am Kollektor in einem großen Bereich nahezu konstant bleibt.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Dioden (G6) als Zenerdiode ausgebildet ist. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Betriebsspannung des Transistors (T2) größer als die Bezugsspannung (0 Volt, - 60 Volt) des zu messenden Potentials ist.
  3. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1146 127, 1165 676, 1165 677, 1173 538, 1175 282, 1187276.
DES95681A 1965-02-26 1965-02-26 Schaltungsanordnung zur Potentialbestimmung auf elektrischen Leitungen Pending DE1229151B (de)

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