DE1228308B - Festwertspeicher fuer binaer verschluesselte Informationen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Festwertspeicher fuer binaer verschluesselte Informationen und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- DE1228308B DE1228308B DES75284A DES0075284A DE1228308B DE 1228308 B DE1228308 B DE 1228308B DE S75284 A DES75284 A DE S75284A DE S0075284 A DES0075284 A DE S0075284A DE 1228308 B DE1228308 B DE 1228308B
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- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
Gilb
Nummer: 1228 308
Aktenzeichen: S 75284IX c/21 al
Anmeldetag: 12. August 1961
Auslegetag: 10. November 1966
Die Erfindung bezieht sich auf einen Festwertspeicher für binär verschlüsselte Informationen mit
in Matrixform in Zeilen und Spalten angeordneten Elementarkondensatoren.
Es ist bekannt, daß Kondensatoren zur vorübergehenden Speicherung von Informationen verwendet
werden können, weil ein Kondensator eine die Information darstellende Ladung für eine gewisse Zeit
festhalten kann. Selbst bei den besten Kondensatoren ist es aber unvermeidlich, daß die Ladung nach längerer
Zeit verschwindet, so daß der Speicherinhalt verloren ist.
Es ist ferner bekannt, daß durch Ausnutzung der ferroelektrischen Eigenschaften bestimmter Stoffe
die Speicherzeit praktisch unbegrenzt verlängert werden kann. Bei solchen Stoffen hat die Kurve, welche
die dielektrische Induktion als Funktion der elektrischen Feldstärke darstellt, die Form einer Hysteresisschleife,
so daß auch nach dem Verschwinden der Klemmenspannung eine remanente Induktion im
Dielektrikum bestehenbleibt, die beispielsweise einem bestimmten Binärwert zugeordnet werden kann. Das
Vorhandensein einer solchen remanenten Induktion kann beispielsweise durch das Anlegen einer Spannung
bestimmter Richtung festgestellt werden. Dadurch kann der Speicherinhalt (unter gleichzeitiger
Löschung) abgelesen werden. Anschließend kann die Speicherzelle durch Anlegen einer entgegengesetzt
gerichteten Spannung wieder mit dem ursprünglichen Inhalt gefüllt werden oder zur Speicherung des anderen
Binärwertes im gelöschten Zustand gelassen werden.
Es ist bekannt, unter Verwendung solcher ferroelektrischen Stoffe Speichermatrizen aufzubauen, die
den Speichermatrizen aus Magnetkernen mit rechteckiger Hysteresisschleife analog sind. Zu diesem
Zweck werden auf die beiden Seiten einer dünnen Folie aus dem ferroelektrischen Material sich kreuzende
Anordnungen aus parallelen Leitungen aufgebracht. Die Kreuzungspunkte der Leitungen stellen
Elementarkondensatoren dar, deren Dielektrikum durch das dazwischenliegende Stück der ferroelektrischen
Folie gebildet wird. Durch sorgfältige Bemessung der an sich kreuzende Leitungen angelegten
Spannungen kann erreicht werden, daß nur der am Kreuzungspunkt liegende Elementarkondensator
eine Zustandsänderung erleidet. Dadurch ist die selektive Ansteuerung der einzelnen Binärspeicherzellen
möglich.
Bei diesen ferrroelektrischen Speichermatrizen ist der Speicherinhalt durch die früher angelegten Spannungen
bestimmt; er kann durch Anlegen bestimmter Festwertspeicher für binär verschlüsselte
Informationen und Verfahren zu seiner
Herstellung
Informationen und Verfahren zu seiner
Herstellung
Anmelder:
S. E. A. Societe d'Electronique et d'Automatisme, Courbevoie, Seine (Frankreich)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Prinz und Dr. G. Hauser,
Patentanwälte,
München-Pasing, Ernsbergerstr. 19
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 28. September 1960 (839 937) - -
Spannungen geändert oder gelöscht werden. Beim Ablesen wird der Inhalt stets gelöscht; wenn er
nochmals benötigt wird, muß er wieder eingegeben werden.
Das Ziel der Erfindung ist demgegenüber die Schaffung eines Festwertspeichers, dessen Inhalt fest
eingegeben und dann auf elektrischem Wege nicht mehr veränderlich ist, so daß er ohne Löschung beliebig
oft nacheinander abgelesen werden kann. Solche Festwertspeicher werden bekanntlich bei
Rechengeräten und datenverarbeitenden Anlagen zur Speicherung wiederholt benötigter Informationen,
wie Funktionstabellen, Umwandlungstabellen, Unter-Programmen usw., verwendet.
Der nach der Erfindung ausgeführte Festwertspeicher ist dadurch gekennzeichnet, daß auf den
beiden Seiten einer dünnen dielektrischen Platte Metallisierungen in Form von in parallelen Reihen
liegenden Kondensatorbelägen und entlang den Reihen verlaufenden Leitungen derart angebracht sind,
daß die Kondensatorbeläge sich auf beiden Seiten deckend gegenüberliegen, während die Leitungen auf
der einen Seite senkrecht zu den Leitungen auf der anderen Seite stehen, und daß die Kondensatorbeläge
jeder Reihe auf der einen Seite der Platte zur Aufzeichnung eines Binärwerts mit der dieser Reihe zu-
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3 ■■ 4f
geordneten Leitung verbunden sind, während diese Fig. 2 eine Schnittansicht eines Teils 'der 'AnVerbindung
zur Aufzeichnung des anderen Binär- Ordnung von Fig. I3
wertes unterbrochen ist. F i g. 3 eine vergrößerte Teilansicht zur genaueren
wertes unterbrochen ist. F i g. 3 eine vergrößerte Teilansicht zur genaueren
Der erfindungsgemäße Festwertspeicher arbeitet Darstellung der Aufzeichnung einer Ziffer 0 in dem
in folgender Weise: Die einander gegenüberliegenden 5 Speicher und
Kondensatorbeläge bilden kapazitive Kopplungen F i g. 4 ein elektrisches Schaltbild für die Steuerung
zwischen jeder Leitung auf der einen Seite der Platte der Auswahl in der Speichermatrix.
(Zeilenleitung) und den sie kreuzenden Leitungen Aus dem beschriebenen und dargestellten Ausauf der anderenρ Seite der Platte (Spaltenleitungen), führungsbeispiel lassen sich direkt alle möglichen außer an den Kreuzungspunkten, an denen die Ver- io Varianten der technologischen Ausführung und der bindung zwischen einer Zeilenleitung und einem Anwendung ableiten.
(Zeilenleitung) und den sie kreuzenden Leitungen Aus dem beschriebenen und dargestellten Ausauf der anderenρ Seite der Platte (Spaltenleitungen), führungsbeispiel lassen sich direkt alle möglichen außer an den Kreuzungspunkten, an denen die Ver- io Varianten der technologischen Ausführung und der bindung zwischen einer Zeilenleitung und einem Anwendung ableiten.
Kondensatorbelag unterbrochen ist. Wenn also an Die in F i g. 1 bis 3 dargestellte Matrix besteht aus
eine der Zeilenleitungen eine sich zeitlich ändernde zwei Elektrodengittern I und II (F i g. 2), welche auf
Spannung, beispielsweise eine Wechselspannung, an- die gegenüberliegenden Seiten einer dielektrischen
gelegt wird, wird ein Signal zu denjenigen Spalten- 15 Zwischenschicht III so aufgebracht sind, daß sie inleitungen
übertragen, die kapazitiv mit der betref- nig darauf haften. Jede Zeile von Elektroden 1 ist
fenden Zeilenleitung gekoppelt sind, während kein auf der in Fig. 1 sichtbaren Seite einer Zeilen-Signal
zu den Spaltenleitungen übertragen wird, leitung 2 dadurch zugeordnet, daß sich die Elekderen
kapazitive Kopplung mit der erregten Zeilen- troden 1 bei 3 an diese Leitung anschließen, außer
leitung unterbrochen ist. Man kann beispielsweise 20 wenn Ausschnitte 4 zur Aufzeichnung der Werte 0
das Auftreten eines Signals dem Binärwert »1« und auf den Elementen der Zeile angebracht sind. Diese
das Fehlen eines Signals dem Binärwert »0« zu- Elektroden sind durch blanke Zwischenräume 5 vonordnen;
dementsprechend ist an allen Kreuzungs- einander getrennt, deren Breite im wesentlichen
punkten, an denen die kapazitive Kopplung besteht, gleich der Breite jeder Zeilenleitung 2 ist. Vorzugsdie
Binärziffer »1« gespeichert, während an allen 25 weise wird der ganze Leiterverlauf, abgesehen von
Kreuzungspunkten, an denen die kapazitive Kopp- den Perforationen 4, nach einem Verfahren zur Her-Iung
unterbrochen ist, die Binärziffer »0« gespeichert stellung gedruckter Schaltungen gebildet. Beispielsist. Entlang jeder Zeilenleitung ist also durch die weise wird die dielektrische Trägerfolie III metalli-Ausbildung
der Verbindungen zwischen dieser Lei- siert, die Oberfläche wird sensibilisiert, der Leitertung
und den zugeordneten Kondensatorbelägen eine 30 verlauf photographiert und dann mit Säure anGruppe
von Binärziffern bleibend aufzeichnet. Diese gegriffen, bis die nicht durch Emulsion geschützten
Gruppe von Binärziffern kann durch Erregung der Teile der Metallisierung vollständig entfernt sind.
Zeilenleitung beliebig oft abgelesen werden und er- Anschlußklemmen 6, die mit den Zeilenleitungen
scheint in Form von gleichzeitigen elektrischen Si- verbunden sind, entstehen bei dem Druckvorgang zugnalen
auf den Spaltenleitungen. 35 sammen mit dem üblichen Leiterverlauf. Die andere
Es ist hervorzuheben, daß bei dem erfindungs- Seite zeigt das gleiche Muster, jedoch um 90° vergemäßen
Festwertspeicher die eigentliche Speiche- dreht, wie aus den gestrichelt dargestellten Anschlußrung
der Information nicht in den Elementarkon- klemmen der Spaltenleitungen auf der Rückseite der
densatoren, sondern durch die Art der Verbindung dielektrischen Zwischenschicht III in F i g. 1 erkenndieser
Elementarkondensatoren mit den Zeilen- 40 bar ist. Die Rückseite wird nach einem der bekannten
leitungen erfolgt. Der Speicherinhalt ist daher durch Verfahren hergestellt, mit denen doppelseitig gedie
mechanische Form dieser Verbindungen fest- druckte Schaltungen erhalten werden: entweder auf
gelegt und kann auf elektrischem Wege verändert der gleichen dielektrischen Folie wie die Vorderseite
oder gelöscht werden. oder auf einer getrennten Folie, die anschließend auf
Der erfindungsgemäße Festwertspeicher zeichnet 45 die Rückseite der Folie aufgeklebt wird, auf welche
sich durch einen einfachen und billigen Aufbau und die Vorderseite des Leiterverlaufs aufgedruckt ist.
eine große Speicherdichte aus. Die Herstellung jeder Jedenfalls erfolgt das Aufdrucken ohne irgendeine
Speichermatrix kann nach Art der gedruckten Schal- Aufzeichnung von Codegruppen; es werden also
tungen erfolgen. Diese Technik ermöglicht auch eine sämtliche Elektroden der Kondensatoren gebildet
gedrängte Anordnung der Kondensatorbeläge und 50 und mit der Zeilenleitung verbunden (welche auf der
Leitungen auf einer dünnen dielektrischen Folie, so Rückseite die Spaltenleitungen werden), wenn ebenso
daß sehr viele Speicherzellen auf gedrängtem Raum viele Matrixelemente wie nötig gebildet werden sol-
untergebracht werden können. Die Aufzeichnung der len und anschließend die Matrizen zur Aufzeich-
zu speichernden Informationen kann durch einfaches nung von Codegruppen durch das Einschreiben von
Zerstören von zuvor gebildeten Verbindungen er- 55 Ziffern 0 an den gewünschten Stellen ausgenutzt wer-
folgen. Die dadurch bewirkte Aufzeichnung ist sehr , . den. Das Einschreiben einer Ziffer 0 erfolgt dann
dauerhaft und völlig unabhängig von Temperatur- einfach dadurch, daß die Matrix an der erforder-
schwankungen oder anderen Betriebsbedingungen. liehen Stelle so durchlocht wird, daß diese Per-
Die an den Spaltenleitungen auftretenden Signale foration die Trennung einer Kondensatorbelegung
können parallel abgenommen und verarbeitet wer- 60 von ihrer Zeilenleitung bewirkt. Man erhält somit
den. Es ist aber auch möglich, einzelne Spalten- ·■ Perforationen 4, deren Wirkung in der vergrößerten
leitungen auszuwählen, so daß jeder Kreuzungs- Ansicht von F i g. 3 deutlich erkennbar ist. Jede Perpunkt
von der Speichermatrix getrennt ansteuer- foration unterbricht die kapazitive Kopplung zwibar
ist. sehen einer auf der Vorderseite liegenden Zeilen-
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der 65 leitung und einer auf der Rückseite liegenden Spal-
Zeichnung dargestellt. Darm zeigt , tenleitung.
F i g. 1 eine Vorderansicht der Speichermatrix Wenn man an eine Zeilenleitung 2 eine Wechselnach
der Erfindung, spannung legt, wird diese Spannung zu sämtlichen
Spaltenleitungen übertragen, die mit dieser Zeilenleitung über die kapazitiven Kopplungen verbunden
sind. Dies kann bereits einen praktischen Anwendungsfall des Speichers darstellen, wenn es
lediglich erforderlich ist, den Speicher Wort für Wort abzufragen, wobei jedes Wort eine Zeile der Matrix
einnimmt; die Ziffern dieses Wortes werden dann parallel an den Spaltenleitungen abgenommen. Man
kann außerdem die Auswahl einer einzigen Spaltenleitung durchführen und die Matrix Informationselement für Informationselement ablesen. Als Beispiel
ist in F i g. 4 eine elektrische Schaltung dargestellt, mit der eine Speichermatrix nach der Erfindung
entsprechend diesem letzten Fall Ziffer für Ziffer selektiv abgelesen werden kann.
In dem Schaltbild sind nur die beiden ersten Zeilen und die letzte Zeile der Matrix von F i g. 1 sowie
die beiden ersten Spalten und die letzte Spalte der gleichen Matrix dargestellt. Jede Zeilenleitung endet
an einem Transistorverstärker 10, dessen Basis an den Ausgang einer Dioden-Und-Schaltung 11 angeschlossen
ist. Jede Spaltenleitung endet an einem Transistor-Detektor-Verstärker 12, dessen Ausgang
an einen Eingang einer Dioden-Und-Schaltung 13 angeschlossen ist. Allen Und-Schaltungen an den
Eingängen der Zeilen wird eine Lesewechselspannung über die gemeinsame Leitung 14 zugeführt.
Jede Ausgangs-Und-Schaltung der Spalten ist mit einer Ausgangsleitung 15 verbunden. In jeder Schaltung
11 sind die vier übrigen Dioden mit vier Ausgängen eines Registers 16 verdrahtet, in dem ein
Wählcode aufgezeichnet ist. Das gleiche gilt für jede Und-Schaltung 13 und ein Register 17, in dem ein
Wählcode zur Auswahl einer Spalte aufgezeichnet ist. Da es sich um die Auswahl zwischen sechzehn Alternativen
für die Zeilen sowie für die Spalten handelt, genügt es, daß jedes Register 16 und 17 vier Binärziffernstellen
hat, wobei natürlich vorausgesetzt wird, daß jede Stelle komplementäre Signale liefern kann,
also das Register 16 die Signale X1-X1, X2-X2, χΆ -χΆ,
X4-X4 und das Register 17 die Signale^1 -yv y2~y2,
yz - J3, y4 - y4. Die Ausgänge des Registers 16 sind
in einer zirkulären Permutation auf die Eingänge der
Und-Schaltungen 11 verteilt, und in gleicher Weise sind die Ausgänge des Registers 17 mit den Eingängen
der Und-Schaltungen 13 verbunden, so daß für jede Binärcode zwischen 0 und 15 in dem Register
16 nur eine der Und-Schaltungen 11 geöffnet wird und für jeden Binärcode zwischen 0 und 15
in dem Register 17 eine einzige Und-Schaltung 13 geöffnet wird.
Der Betrieb läßt sich dann ohne weiteres verstehen: Für einen bestimmten Code in dem Register
16 wird eine Zeilenleitung 2 erregt, so daß sie das von der Leitung 14 kommende Wechselstromsignal
empfängt. Jede Spaltenleitung 21 empfängt dieses Signal, wenn sie mit der Leitung 2 über eine Kapazität
gekoppelt ist, während sie dieses Signal nicht empfängt, wenn sie von dieser Leitung dadurch entkoppelt
ist, daß eine Perforation 4 den metallischen Zusammenhang zwischen der Leitung 2 und der Belegung
des Kondensators auf der Vorderseite unterbricht. Da nur eine einzige Spaltenleitung durch den
im Register 17 enthaltenen Code ausgewählt wird, kann nur an dem mit dieser Spaltenleitung verbundenen
Ausgang 15 das gleichgerichtete Signal abgenommen werden, das gegebenenfalls von der ausgewählten
Leitung 2 übertragen wird und somit an diesem Ausgang erscheint, wenn die .kapazitive
Kopplung vorhanden ist (Ziffer I), oder an diesem Eingang nicht erscheint, wenn diese kapazitive Kopplung
zerstört ist (Ziffer 0).
Die Wirkungsweise von Dioden-Und-Schaltungen ist an sich bekannt und braucht hier nicht im einzelnen
erläutert zu werden. Es handelt sich hierbei im übrigen nur um ein technologisches Ausführungsbeispiel; es kann jede an sich bekannte Art von Und-
Schaltungen zur Anwendung der erfindungsgemäßen Anordnungen Verwendung finden. Ebenso können
die Transistorstufen auch durch klassische Röhrenstufen ersetzt werden. Mehrere Speichermatrizen der
als Beispeil gezeigten Art können im übrigen mit einer gemeinsamen Anordnung von Wählsteuerschaltungen
zusammengefaßt werden. Somit ist es durch die Erfindung möglich, auf Grund von Speicherelementen,
die vor der Aufzeichnung alle gleich sind, jede gewünschte Anordnung von permanenten
Speichern mit beliebigen Informationskapazitäten für alle praktischen Anwendungsfälle zu bilden, was
letzten Endes von dem Benutzer durchgeführt werden kann.
Claims (1)
- Patentansprüche:1. Festwertspeicher für binär verschlüsselte Informationen mit in Matrixform in Zeilen und Spalten angeordneten Elementarkondensatoren, dadurch gekennzeichnet, daß auf den beiden Seiten einer dünnen dielektrischen Platte Metallisierungen in Form von in parallelen Reihen liegenden Kondensatorbelägen und entlang den Reihen verlaufenden Leitungen derart angebracht sind, daß die Kondensatorbeläge sich auf beiden Seiten deckend gegenüberliegen, während die Leitungen auf der einen Seite senkrecht zu den Leitungen auf der anderen Seite stehen, und daß die Kondensatorbeläge jeder Reihe auf4.0 der einen Seite der Platte zur Aufzeichnung eines Binärwertes mit der dieser Reihe zugeordneten Leitung verbunden sind, während diese Verbindung zur Aufzeichnung des anderen Binärwertes unterbrochen ist.2. Festwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Aufzeichnung des anderen Binärwertes eine Unterbrechung in einer ursprünglich zwischen dem Kondensatorbelag und der zugeordneten Leitung bestehenden Verbindung gebildet ist.3. Festwertspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungen durch Löcher gebildet sind, welche durch die Metallisierungen und die dielektrische Platte hindurchgehen.4. Festwertspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierungen in Form von gedruckten Schaltungen auf die dielektrische Platte aufgebracht sind.5. Festwertspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der Leitungen zur Bildung von Anschlußklemmen für die Speicherwählschaltungen verbreitert sind.6. Festwertspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungen auf der einen Seite mit denAusgängen von Schaltungen verbunden sind, die einer ausgewählten Leitung einen Wechselstrom zuführen, und daß die Leitungen auf der anderen Seite mit Anordnungen zur Stromabnahme verbunden sind, die das abgenommene Signal einem Ausgang zur Verwertung der abgelesenen Binärziffern zuführen.7. Festwertspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnungen zur Stromabnahme Wähleinrichtungen zur Auswahl be- ίο stimmter Leitungen enthalten.8. Verfahren zur Herstellung eines Festwertspeichers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf beiden Seiten eines dünnen dielektrischen Trägers durch doppelseitiges Bedrucken gleichförmig angeordnete Reihen von Kondensatorbelägen und entlang den Reihen verlaufende, mit jedem Kondensator-belag der zugehörigen Reihe zusammenhängende Leitungen derart gebildet werden, daß sich die Kondensatorbeläge auf beiden Seiten decken und die Leitungen auf der einen Seite senkrecht zu den Leitungen auf der anderen Seite verlaufen, und daß dann zur Aufzeichnung eines der beiden möglichen Binärwerte die zusammenhängende Verbindung zwischen den Leitungen und bestimmten Kondensatorbelägen auf der einen Seite des Trägers zerstört wird.In Betracht gezogene Druckschriften:Deutsche Patentschrift Nr. 829 313;AlEE Transactions, vol 71, Part. I, 1953, S. 395 bis 401;Zeitschrift Elektronik, Nr. 3, 1956, S. 59;Proceedings of the IRE, Oktober 1953, S. 1403, 1404.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen609 710/208 11.66 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR839937A FR1275507A (fr) | 1960-09-28 | 1960-09-28 | Dispositif à mémoire d'informations codées |
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GB (1) | GB913516A (de) |
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