DE1208414B - Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements - Google Patents

Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1234326B (de) * 1963-08-03 1967-02-16 Siemens Ag Steuerbarer Gleichrichter mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper und mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
DE1212643B (de) * 1963-10-26 1966-03-17 Siemens Ag Steuerbares Halbleiterbauelement vom pnpn-Typ und Verfahren zum Herstellen
GB1037199A (en) * 1964-07-14 1966-07-27 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to transistor manufacture
US3328652A (en) * 1964-07-20 1967-06-27 Gen Electric Voltage comparator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1063279B (de) * 1957-05-31 1959-08-13 Ibm Deutschland Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
FR1210880A (fr) * 1958-08-29 1960-03-11 Perfectionnements aux transistors à effet de champ
FR1223593A (fr) * 1959-01-30 1960-06-17 Perfectionnements aux transistors à effet de champ pour réseaux à deux bornes à résistance différentielle négative
FR1244613A (fr) * 1958-12-15 1960-10-28 Ibm Dispositif semi-conducteur à résistance négative

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2806983A (en) * 1956-06-01 1957-09-17 Gen Electric Remote base transistor
US2923870A (en) * 1956-06-28 1960-02-02 Honeywell Regulator Co Semiconductor devices
US2985805A (en) * 1958-03-05 1961-05-23 Rca Corp Semiconductor devices
US2967793A (en) * 1959-02-24 1961-01-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices with bi-polar injection characteristics
US2980832A (en) * 1959-06-10 1961-04-18 Westinghouse Electric Corp High current npnp switch

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1063279B (de) * 1957-05-31 1959-08-13 Ibm Deutschland Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
FR1210880A (fr) * 1958-08-29 1960-03-11 Perfectionnements aux transistors à effet de champ
FR1244613A (fr) * 1958-12-15 1960-10-28 Ibm Dispositif semi-conducteur à résistance négative
FR1223593A (fr) * 1959-01-30 1960-06-17 Perfectionnements aux transistors à effet de champ pour réseaux à deux bornes à résistance différentielle négative

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Publication number Publication date
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NL258964A (en, 2012) 1964-04-27
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US3189800A (en) 1965-06-15
GB965554A (en) 1964-07-29
FR1275987A (fr) 1961-11-10

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