DE1197939B - Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom - Google Patents

Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom

Info

Publication number
DE1197939B
DE1197939B DES88122A DES0088122A DE1197939B DE 1197939 B DE1197939 B DE 1197939B DE S88122 A DES88122 A DE S88122A DE S0088122 A DES0088122 A DE S0088122A DE 1197939 B DE1197939 B DE 1197939B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
direct current
alternating current
unipolar transistor
blocking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES88122A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Dr Walter Heywang
Dipl-Phys Dr Guenter Winstel
Dipl-Phys Dr Manfred Zerbst
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES88122A priority Critical patent/DE1197939B/de
Priority to NL6411394A priority patent/NL6411394A/xx
Priority to FR992975A priority patent/FR1412809A/fr
Priority to CH1400864A priority patent/CH414025A/de
Priority to SE1305964A priority patent/SE302630B/xx
Priority to BE655101A priority patent/BE655101A/xx
Priority to GB4428164A priority patent/GB1072568A/en
Publication of DE1197939B publication Critical patent/DE1197939B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/14Arrangements for reducing ripples from dc input or output
    • H02M1/15Arrangements for reducing ripples from dc input or output using active elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/1213Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B15/00Suppression or limitation of noise or interference
    • H04B15/005Reducing noise, e.g. humm, from the supply
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • H04B3/42Circuits for by-passing of ringing signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • H04B3/44Arrangements for feeding power to a repeater along the transmission line

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
H02m
Deutsche Kl.: 21 a4-35/13
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
S88122IXd/21a4
31. Oktober 1963
5. August 1965
In nachrichtentechnischen Schaltungen ist häufig ein Filter erforderlich, das einen relativ hohen Gleichstrom durchläßt, hingegen Wechselstrom im Bereich der Sprachfrequenzen blockiert. Zu diesem Zweck sind Röhrenschaltungen, z. B. mit Pentoden, bekanntgeworden, die jedoch einen beträchtlichen technischen Aufwand erfordern. Statt dessen kann man auch eine Schaltung mit einer Kombination zweier komplementärer Flächentransistoren und Glättungskondensatoren verwenden.
Der technische Aufwand einer solchen Schaltung ist verhältnismäßig hoch. Insbesondere werden unbedingt zwei Transistoren benötigt. Der verhältnismäßig komplizierte Aufbau einer solchen Schaltung verlangt entsprechende Anpassung der Elemente und weitere aufwendige Maßnahmen. Es ist Aufgabe der Erfindung, diese Nachteile zu vermeiden.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom mit einem den Wechselstrom blockierenden Filter, welches mindestens ein verstärkendes Halbleiterbauelement enthält, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß als blockierendes Filter ein Unipolartransistor verwendet ist.
In der Figur ist die prinzipielle Schaltweise dargestellt. Die Spannungsquelle V, welche die Überlagerung einer Gleich- mit einer Wechselspannung liefert, ist in der Figur durch die Hintereinanderschaltung einer Gleich- und einer Wechselspannungsquelle dargestellt. Als Verbraucher ist ein Widerstand RA vorgesehen, der gegen den Wechselstrom geschützt sein soll. Das blockierende Element — der Unipolartransistor U — ist mit einem veränderbaren, eine Gegenkopplung bewirkenden Widerstand RK in Reihe geschaltet.
Bekanntlich besteht ein Unipolartransistor aus einem Halbleiterkristall, insbesondere einem Einkristall, von einem Leitungstyp, der an seinen Enden mit zwei sperrfrei kontaktierenden Elektroden S und D einen elektrischen Stromfiuß im Halbleiterkörper zur Folge hat, der in der Hauptsache von Majoritätsladungsträgern getragen wird. Es ist dabei üblich, die Elektrode, von der sich im Gleichstrombetrieb die Majoritätsladungsträger entfernen, als »Source«, die andere sperrfreie Elektrode, auf die sich im Gleichstrombetrieb die Majoritätsladungsträger zu bewegen, als »Drain« zu bezeichnen (daher die Bezugszeichen S und D). Eine dritte Elektrode, welche an der Halbleiteroberfläche zwischen den Elektroden S und D mit pn-Übergang angebracht ist, wird als »Gate« bezeichnet und ist demzufolge in der Figur mit G angegeben. Die Elektrode G dient Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Dr. Walter Heywang,
Dipl.-Phys. Dr. Günter Winstel,
Dipl.-Phys. Dr. Manfred Zerbst, München
zur Steuerung und ist grundsätzlich in Sperrichtung, und zwar auf ein außerhalb der Potentiale der Basiselektroden S, D liegendes Sperrpotential vorgespannt. Durch Überlagerung mit Signalspannungen wird dieses Potential der Elektrode G unterschiedlich und dementsprechend auch die Stärke und Intensität der sich von dieser Elektrode in den Halbleiter erstreckenden Sperrschicht.
Die Elektrode G ist dabei so angebracht, daß die Sperrschicht den Querschnitt des zwischen den beiden Elektroden S und D des Unipolartransistors fließenden elektrischen Stromes beeinflußt, der durch die Vorspannung der Steuerelektrode G gesteuert wird.
Bei einer Vorrichtung, entsprechend der Lehre der Erfindung, wie sie in der Figur dargestellt ist, ist der Gegenkopplungswiderstand RK zwischen die in bezug auf den von der Spannungsquelle V gelieferten Gleichstrom als ^-Elektrode wirkende sperrfreie Elektrode des Unipolartransistors und der Spannungsquelle V zu legen. Der längs des veränderlichen Widerstandes RK sich in Betrieb bildende Spannungsabfall wird an die Steuerelektrode G gelegt, so daß diese stets in Sperrichtung vorgespannt ist.
Die Wirkungsweise dieser Anordnung ist folgende: Durch den Widerstand RK wird der gewünschte Gleichstrom eingestellt. Außerdem bewirkt der Widerstand RK bei einer Zunahme des Wechselstroms eine entsprechende gegensteuernde Wechselspannung an der Elektrode G, so daß der an sich große Wechselstromwiderstand des Unipolartransistors durch diese Gegenwirkung zusätzlich erhöht wird. Dies gilt insbesondere für den Sprachfrequenzbereich bis etwa 3OkHz. Für sehr hohe Frequenzen empfiehlt sich
509 629/310
jedoch die Verwendung des Unipolartransistors wegen seiner relativ hohen Kapazität weniger.
Der Vorteil einer die Lehre der Erfindung erfüllenden Vorrichtung, der sich insbesondere beim Betrieb bei Anwesenheit von Wechselströmen im Sprachfrequenzbereich bemerkbar macht, ist die Vermeidung einer hohen Heizleistung und Betriebsenergie sowie eine hohe Betriebssicherheit und lange Lebensdauer. Die Gleichstromdurchlässigkeit der Anordnung kann über die veränderliche Gegenkopplung regelbar eingestellt werden, während die Wechselstromundurchlässigkeit wesentlich durch die bauliche Struktur des Unipolartransistors bestimmt wird.
Hierfür sind die wesentlichen elektrischen Parameter der differentielle Innenwiderstand
α =
dUps dl
dl
sowie die Steuerbarkeit
ß =
Bedeutet RK die Größe des Gegenkopplungswiderstandes, so folgt durch den Wechselstromwiderstand der erfindungsgemäßen Anordnung
R = a. · (1 + β · RK).
Es ist also α, β zweckmäßig möglichst groß einzustellen, um eine gute Blockierung zu erzielen. Die hierzu erforderlichen Mittel sind dem Hersteller von Unipolartransistoren wohlbekannt.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom mit einem den Wechselstrom blockierenden Filter, welches mindestens ein verstärkendes Halbleiterbauelement enthält, dadurch gekennzeichnet, daß als blockierendes Filter ein Unipolartransistor verwendet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unipolartransistor (U) in Reihe mit einer eine Überlagerung von Wechselstrom mit Gleichstrom liefernden Spannungsquelle
(V) und einem Verbraucher (RA) sowie einem Gegenkopplungselement (RK) geschaltet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Gegenkopplungswiderstand (RK), der zwischen der Spannungsquelle (V) und
dem mit seinen beiden sperrfreien Elektroden (S und D) in den Stromkreis gelegten Unipolartransistor (U) an der Seite der (in bezug auf die Gleichstromkomponente) als S-Elektrode geschalteten sperrfreien Elektrode angeordnet ist und dessen Spannungsabfall zwischen S-Elektrode und Steuerelektrode (G) des Unipolartransistors geschaltet ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2 892 164.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
4*.
509 629/310 7.65 © Bundesdruckerei Berlin
DES88122A 1963-10-31 1963-10-31 Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom Pending DE1197939B (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES88122A DE1197939B (de) 1963-10-31 1963-10-31 Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom
NL6411394A NL6411394A (de) 1963-10-31 1964-09-30
FR992975A FR1412809A (fr) 1963-10-31 1964-10-28 Dispositif pour séparer le courant continu et le courant alternatif
CH1400864A CH414025A (de) 1963-10-31 1964-10-29 Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom
SE1305964A SE302630B (de) 1963-10-31 1964-10-29
BE655101A BE655101A (de) 1963-10-31 1964-10-30
GB4428164A GB1072568A (en) 1963-10-31 1964-10-30 Improvements in or relating to filter circuit arrangements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES88122A DE1197939B (de) 1963-10-31 1963-10-31 Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1197939B true DE1197939B (de) 1965-08-05

Family

ID=7514246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES88122A Pending DE1197939B (de) 1963-10-31 1963-10-31 Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE655101A (de)
CH (1) CH414025A (de)
DE (1) DE1197939B (de)
GB (1) GB1072568A (de)
NL (1) NL6411394A (de)
SE (1) SE302630B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104578754A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 晶焱科技股份有限公司 用于消弭电源式电磁干扰的滤波器
CN104578755A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 晶焱科技股份有限公司 电源式电磁干扰抑制滤波器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2892164A (en) * 1954-10-27 1959-06-23 Rca Corp Semi-conductor filter circuits

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2892164A (en) * 1954-10-27 1959-06-23 Rca Corp Semi-conductor filter circuits

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104578754A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 晶焱科技股份有限公司 用于消弭电源式电磁干扰的滤波器
CN104578755A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 晶焱科技股份有限公司 电源式电磁干扰抑制滤波器
CN104578754B (zh) * 2014-12-22 2017-06-27 晶焱科技股份有限公司 用于消弭电源式电磁干扰的滤波器
CN104578755B (zh) * 2014-12-22 2017-07-18 晶焱科技股份有限公司 电源式电磁干扰抑制滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
CH414025A (de) 1966-05-31
NL6411394A (de) 1965-05-03
BE655101A (de) 1965-04-30
GB1072568A (en) 1967-06-21
SE302630B (de) 1968-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1537263A1 (de) Transistortreiberschaltung mit kapazitiver Rueckkopplung
DE2740203C2 (de) Ladungsgekoppelte Halbleiteranordnung
DE2410205A1 (de) Hystereseschaltung
DE102013109797A1 (de) Ionisator
DE2158270C3 (de) Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor
DE2061943C3 (de) Differenzverstärker
DE102008010467A1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum verlustarmen Schalten einer Schaltungsanordnung
DE2900338C2 (de)
DE1197939B (de) Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom
DE1182293B (de) Elektronische Festkoerperschaltung mit Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Steuerelektrode
DE2301855B2 (de) Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Pegelanpassung
EP0098460B1 (de) Regelvorrichtung für ein elektrisches Stellglied
DE3217093A1 (de) Impulsschweissgeraet fuer die schutzgasschweissung
DE4032047C2 (de)
DE2924702C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE1613607A1 (de) Festkoerper-Zerhackerschaltung
DE3248955C2 (de) Transistorverstärker
DE2321797C3 (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor
DE499440C (de) Wechselstromnetzanschlussgeraet
DE572277C (de) Einrichtung zur Regelung der Lastverteilung zwischen zwei parallel arbeitenden elektrischen Maschinen
DE1588115A1 (de) Mit Gleichstrom gespeister Verstaerker zur Steuerung von Gleichstrommotoren
DE3014650A1 (de) Wechselrichter
DE1273579B (de) Elektronischer Schalter aus zwei mit ihren Schaltstrecken gegensinnig in Reihe geschalteten, steuerbaren Halbleitern
DE1514264C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE972909C (de) Halbleiteranordnung unter Verwendung eines Halbleiterkoerpers, auf dem mindestens zwei gleichrichtende Elektroden und eine weitere Elektrode angebracht sind, und Einrichtung mit einer solchen Halbleiteranordnung