DE1191493B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit einer durch eine einen geschlossenen Linienzug bildende Vertiefung in zwei Teile geteilten Zone - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit einer durch eine einen geschlossenen Linienzug bildende Vertiefung in zwei Teile geteilten Zone

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DE1191493B DES76830A DES0076830A DE1191493B DE 1191493 B DE1191493 B DE 1191493B DE S76830 A DES76830 A DE S76830A DE S0076830 A DES0076830 A DE S0076830A DE 1191493 B DE1191493 B DE 1191493B
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Dr Kurt Raithel
Rene Rosenheinrich
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DE1092131B (de) * 1956-08-24 1960-11-03 Philips Nv Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

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