DE1180783B - Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder Schaltanordnung - Google Patents
Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder SchaltanordnungInfo
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- DE1180783B DE1180783B DES79036A DES0079036A DE1180783B DE 1180783 B DE1180783 B DE 1180783B DE S79036 A DES79036 A DE S79036A DE S0079036 A DES0079036 A DE S0079036A DE 1180783 B DE1180783 B DE 1180783B
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- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
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- G11C5/05—Supporting of cores in matrix
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- G—PHYSICS
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
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Description
- Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder Schaltanordnung Zusatz zum Patent 1098 536 Das Hauptpatent bezieht sich allgemein auf eine Speicher- oder Schaltanordnung mit einer Mehrzahl von über mindestens einen gemeinsamen Leiter verknüpften Speicher- oder Schaltelementen, insbesondere Magnetkernen mit annähernd rechteckiger Hystereseschleife. Die Erfindung gemäß dein Hauptpatent ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Verringerung und Kompensation der Selbstinduktivität der mit den Speicher- oder Schaltelementen verknüpften Leiter zumindest stellenweise in der Nähe der Leiter gut leitende Körper angeordnet sind.
- Mit den im Hauptpatent dargestellten Ausführungsbeispielen, bei denen gut leitende Platten vorgesehen sind, die Erhebungen aus ebenfalls gut leitendem Material tragen, läßt sich zwar das gewünschte Ziel, die Verringerung und Kompensation der Selbstinduktivität der mit den Speicher- oder Schaltelementen verbundenen Leiter, sehr gut erreichen. Sie bieten aber, besonders im Hinblick auf die Herstellung der gut leitenden Platten- verschiedene technologische Schwierigkeiten.
- Es ist außerdem bereits bekannt, Magnetkerne in Platten aus Isolationsmaterial so einzubetten, daß sie mit ihren ebenen Flächen parallel zur Ebene der Matrix angeordnet sind.
- Der vorliegenden Erfindung, die eine Weiterbildung der Erfindung des Hauptpatentes für den besonderen Fall ist, daß als Speicher- oder Schaltelemente in Form einer Matrix angeordnete Magnetkerne mit rechteckiger Hystereseschleife Verwendung finden, liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile des Hauptpatentes zu beseitigen. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Magnetkerne in Öffnungen einer gut leitenden Platte angeordnet sind. Die Öffnungen können z. B. durch Bohren hergestellt werden. Eine besonders vorteilhafte Weiterbildung der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die Öffnungen geätzt werden, und zwar derart, daß ihr Durchmesser an einer Stelle jeder Öffnung, vorzugsweise in der Nähe der Unterseite der Platte, kleiner als der äußere Durchmesser der Magnetkerne ist. Das Ätzen kann dabei, je nachdem, an welcher Stelle der Durchmesser der Öffnung kleiner als der äußere Durchmesser der Magnetkerne sein soll, von der einen oder von beiden Seiten der Platte her erfolgen.
- F i g. 1 zeigt die erfindungsgemäße Anordnung der Magnetkerne einer Matrix mit ihren ebenen Flächen parallel zu der Ebene der Matrix in Öffnungen einer Metallplatte. Die Befestigung der Magnetkerne könnte beispielsweise durch Kleben erfolgen. Da aber durch das Klebemittel Verspannungen der Magnetkerne auftreten können, ist eine Halterung gemäß F i g. 2 zweckmäßiger. Der Magnetkern K wird dabei in einer Öffnung der Platte P 1 gegen Verschiebung nach oben durch eine Platte P2 und gegen Verschiebung nach unten durch eine Platte P 3 gehalten.
- F i g. 3 zeigt eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Anordnung gemäß der Erfindung im Hinblick auf die Halterung der Magnetkerne in der gut leitenden Platte.
- Die Öffnung zur Aufnahme des Magnetkernes K ist dabei nicht, wie im Beispiel der F i g. 2, gebohrt, sondern geätzt.
- Bei dem Atzen bilden sich zunächst muldenförmige Vertiefungen, die beim weiteren Ätzen schließlich zu kleinen Öffnungen in der Platte führen. Wenn man den Ätzvorgang in diesem Stadium beendet, ergeben sich Öffnungen, deren Durchmesser sich von der einen Seite der Platte zur anderen Seite hin muldenförmig verringert. Öffnungen mit einem solchen Querschnitt sind für die Anordnung gemäß der Erfindung besonders geeignet, wenn man beim Ätzen nur dafür sorgt, daß der Durchmesser der Öffnungen jeweils an einer Stelle geringer ist als der äußere Durchmesser der Magnetkerne.
- F i g. 3 zeigt eine Platte P 1 mit einer solchen Öffnung. Die Öffnung ist in dem dargestellten Fall nicht durch einseitiges, sondern beidseitiges Ätzen der Platte P 1 gebildet. Der Magnetkern K kann sich durch die Verringerung des Durchmessers der Öffnung nicht nach unten hin verschieben. Gegen eine Verschiebung nach oben hin kann, wenn es erforderlich sein sollte, eine zweite Platte P2 vorgesehen werden. Bei geeigneter Verlegung der mit den Magnetkern verbundenen Leiter kann aber eine solche zusätzliche Platte auch entfallen und die Halterung des Magnetkernes in der geätzten Öffnung der Platte P 1 durch die Leiter selbst erfolgen.
Claims (5)
- Patentansprüche: 1. Speicher- oder Schaltanordnung aus in Form einer Matrix angeordneten Magnetkernen mit rechteckiger Hystereseschleife, bei der die Magnetkerne mit ihren ebenen Flächen parallel zur Ebene der Matrix in Öffnungen einer Platte angeordnet sind und bei der gemäß Patent 1098 536 in der Nähe der mit den Magnetkernen verknüpften Leiter gut leitende Körper angeordnet sind. dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetkerne in Öffnungen einer gut leitenden Platte angeordnet sind.
- 2. Speicher- oder Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser der Öffnungen an einer Stelle jeder Öffnung, vorzugsweise in der Nähe der Unterseite der Platte kleiner als der äußere Durchmesser der Magnetkerne ist.
- 3. Speicher- oder Schaltanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen der Platte geätzt sind.
- 4. Speicher- oder Schaltanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung des Durchmessers an einer Stelle jeder Öffnung durch nicht vollständiges Durchätzen von beiden Seiten der Platte her gebildet ist.
- 5. Speicher- oder Schaltanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung des Durchmessers der Öffnungen in der Nähe der Unterseite der Platte durch nicht vollständiges Durchätzen von einer Seite her gebildet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1040 l.40.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES79036A DE1180783B (de) | 1962-04-17 | 1962-04-17 | Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder Schaltanordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES79036A DE1180783B (de) | 1962-04-17 | 1962-04-17 | Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder Schaltanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1180783B true DE1180783B (de) | 1964-11-05 |
Family
ID=7507909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES79036A Pending DE1180783B (de) | 1962-04-17 | 1962-04-17 | Aus Magnetkernen bestehende Speicher- oder Schaltanordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1180783B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1256695B (de) * | 1966-08-24 | 1967-12-21 | Siemens Ag | Magnetisches Speicherelement mit hoher Schaltgeschwindigkeit und geringen Stoereffekten sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1962
- 1962-04-17 DE DES79036A patent/DE1180783B/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1256695B (de) * | 1966-08-24 | 1967-12-21 | Siemens Ag | Magnetisches Speicherelement mit hoher Schaltgeschwindigkeit und geringen Stoereffekten sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
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