DE1176757B - Sperrschichtkondensator - Google Patents

Sperrschichtkondensator

Info

Publication number
DE1176757B
DE1176757B DES64531A DES0064531A DE1176757B DE 1176757 B DE1176757 B DE 1176757B DE S64531 A DES64531 A DE S64531A DE S0064531 A DES0064531 A DE S0064531A DE 1176757 B DE1176757 B DE 1176757B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
areas
voltage
doping
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES64531A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Werner Cirkler
Dr Walter Heywang
Dr Hermann Heywang
Dipl-Phys Harald Loebl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL254929D priority Critical patent/NL254929A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES64531A priority patent/DE1176757B/de
Priority to GB2878360A priority patent/GB907490A/en
Priority to FR836266A priority patent/FR1265647A/fr
Publication of DE1176757B publication Critical patent/DE1176757B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1272Semiconductive ceramic capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
DES64531A 1959-08-20 1959-08-20 Sperrschichtkondensator Pending DE1176757B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL254929D NL254929A (US20100223739A1-20100909-C00025.png) 1959-08-20
DES64531A DE1176757B (de) 1959-08-20 1959-08-20 Sperrschichtkondensator
GB2878360A GB907490A (en) 1959-08-20 1960-08-19 Improvements in or relating to ceramic barrier layer capacitors
FR836266A FR1265647A (fr) 1959-08-20 1960-08-19 Condensateur à couche d'arrêt

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES64531A DE1176757B (de) 1959-08-20 1959-08-20 Sperrschichtkondensator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1176757B true DE1176757B (de) 1964-08-27

Family

ID=7497268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES64531A Pending DE1176757B (de) 1959-08-20 1959-08-20 Sperrschichtkondensator

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1176757B (US20100223739A1-20100909-C00025.png)
GB (1) GB907490A (US20100223739A1-20100909-C00025.png)
NL (1) NL254929A (US20100223739A1-20100909-C00025.png)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1025994B (de) * 1954-08-09 1958-03-13 Deutsche Bundespost Halbleiteranordnung zur Gleichrichtung, Steuerung oder Verstaerkung elektrischer oder photoelektrischer Stroeme
US2841508A (en) * 1955-05-27 1958-07-01 Globe Union Inc Electrical circuit elements
DE1048346B (US20100223739A1-20100909-C00025.png) * 1959-01-08

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048346B (US20100223739A1-20100909-C00025.png) * 1959-01-08
DE1025994B (de) * 1954-08-09 1958-03-13 Deutsche Bundespost Halbleiteranordnung zur Gleichrichtung, Steuerung oder Verstaerkung elektrischer oder photoelektrischer Stroeme
US2841508A (en) * 1955-05-27 1958-07-01 Globe Union Inc Electrical circuit elements

Also Published As

Publication number Publication date
NL254929A (US20100223739A1-20100909-C00025.png)
GB907490A (en) 1962-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3881304T2 (de) MOS-Transistor.
DE1152763C2 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem PN-UEbergang
DE2439875C2 (de) Halbleiterbauelement mit negativer Widerstandscharakteristik
DE1489893B1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE1024119B (de) Bistabile Gedaechtniseinrichtung mit einem halbleitenden Koerper
EP0039943B1 (de) Thyristor mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb
DE1614144A1 (de) Feldeffekttransistor mit isolierten Gattern
DE3021042C2 (de) Widerstandselement mit hoher Durchbruchsspannung für integrierte Schaltungen
DE2341899C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE943964C (de) Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung
DE1514431A1 (de) Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet
DE1489894B2 (de) In zwei richtungen schaltbares halbleiterbauelement
EP0000863B1 (de) Temperaturkompensierter integrierter Halbleiterwiderstand
DE2504088A1 (de) Ladungsgekoppelte anordnung
DE1152185B (de) Halbleiterbauelement mit veraenderlichem Widerstand
DE1564048B2 (de) Halbleiterschalter fur niedrige Schaltspannungen
DE2407696A1 (de) Thyristor
DE69013057T2 (de) Hochspannungsdünnschichttransistor.
DE2165417A1 (de) Elektronische Schaltung
DE3226673A1 (de) Kapazitaetsvariationsvorrichtung
DE1166340B (de) Halbleiteranordnung aus mit Aktivatoren dotiertem kristallinem Material und mit zweiohmschen Kontaktelektroden
DE2520608C3 (de) Halbleiteranordnung zum Digitalisieren eines analogen elektrischen Eingangssignals
DE2451364C2 (de) Digital steuerbarer MOS-Feldeffektkondensator
DE1639041A1 (de) Halbleiter-Verstaerker unter Verwendung einer Feldeffekt-Modulierung der Tunnelwirkung
DE2015815A1 (de) Schutzschaltung für gitterisolierte Feldeffekttransistoren