DE1167538B - Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Legierungskontaktes auf einem Halbleiterkoerper - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Legierungskontaktes auf einem HalbleiterkoerperInfo
- Publication number
- DE1167538B DE1167538B DEN20689A DEN0020689A DE1167538B DE 1167538 B DE1167538 B DE 1167538B DE N20689 A DEN20689 A DE N20689A DE N0020689 A DEN0020689 A DE N0020689A DE 1167538 B DE1167538 B DE 1167538B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- aluminum
- semiconductor body
- basic substance
- alloy
- batch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- -1 aluminum halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000391 smoking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL257147 | 1960-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1167538B true DE1167538B (de) | 1964-04-09 |
Family
ID=19752651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN20689A Pending DE1167538B (de) | 1960-10-22 | 1961-10-18 | Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Legierungskontaktes auf einem Halbleiterkoerper |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH415854A (pm) |
| DE (1) | DE1167538B (pm) |
| ES (1) | ES271354A1 (pm) |
| GB (1) | GB998010A (pm) |
| NL (1) | NL257147A (pm) |
-
0
- NL NL257147D patent/NL257147A/xx unknown
-
1961
- 1961-10-18 DE DEN20689A patent/DE1167538B/de active Pending
- 1961-10-19 CH CH1208261A patent/CH415854A/de unknown
- 1961-10-19 GB GB3752761A patent/GB998010A/en not_active Expired
- 1961-10-19 ES ES0271354A patent/ES271354A1/es not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB998010A (en) | 1965-07-14 |
| ES271354A1 (es) | 1962-01-01 |
| NL257147A (pm) | |
| CH415854A (de) | 1966-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3009840A (en) | Method of producing a semiconductor device of the junction type | |
| DE1279848B (de) | Verfahren zum grossflaechigen Kontaktieren eines einkristallinen Siliziumkoerpers | |
| DE1105067B (de) | Halbleiteranordnung aus Siliciumcarbid und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE1276607B (de) | Verfahren zum stellenweisen Eindiffundieren von Zink und Cadmium in einen Halbleiterkoerper | |
| DE1118360B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines einlegierten Kontaktes an einem Siliziumkoerper | |
| DE1167538B (de) | Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Legierungskontaktes auf einem Halbleiterkoerper | |
| DE1816748C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1044287B (de) | Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit p-n-UEbergaengen | |
| DE1064153B (de) | Verfahren zur Herstellung eines einseitig hochdotierten pn-UEbergangs fuer Emitterzonen durch Einlegieren von Aluminium und einem weiteren benetzenden Metall in einen Germaniumeinkristall | |
| DE1260032B (de) | Verfahren zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht in einem Halbleiterscheibchen | |
| AT210479B (de) | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkörpern | |
| DE2031884A1 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes | |
| DE1266510B (de) | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einem Kontakt und Verfahren zum Herstellen | |
| DE1033334B (de) | Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtern, Transistoren u. dgl. mit Metallkontakten nach dem Legierungs- bzw. Diffusions-Verfahren | |
| DE1059112B (de) | Verfahren zur Kontaktierung von mit Aluminium legierten Silizium-Transistoren | |
| DE1154576B (de) | Verfahren zum Herstellen von Legierungskontakten auf Halbleiterkoerpern | |
| AT229910B (de) | Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Legierungskontaktes auf einem Halbleiterkörper | |
| DE972667C (de) | Verwendung von Silberlegierungen zum Loeten oder Hartloeten und Verfahren zum Loetenmit diesen Loten | |
| DE1168567B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors, insbesondere fuer Schaltzwecke | |
| DE1126147B (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektrodenmaterial fuer halbleitende Vorrichtungen | |
| DE2023110C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumdiode mit hyperabruptem pn-übergang | |
| DE1106877B (de) | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkoerpern durch Auflegieren von Folien aus einer Goldlegierung | |
| AT226275B (de) | Verfahren zur Erzeugung einer Sperrschicht in einem plättchenförmigen Halbleiter | |
| DE1236481B (de) | Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase | |
| DE868317C (de) | Kupferoxydul-Trockengleichrichter |