DE1152865B - Verfahren zum Herstellen von Legierungs-kontakten durch Anlegieren von Gold oder ueberwiegend Gold enthaltenden Legierungen an Siliziumkoerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Legierungs-kontakten durch Anlegieren von Gold oder ueberwiegend Gold enthaltenden Legierungen an Siliziumkoerper

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1281035B (de) * 1965-01-22 1968-10-24 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Verfahren zum Anbringen einer Kontaktschicht auf einem Siliziumhalbleiterkoerper
DE1287400B (US07223432-20070529-C00017.png) * 1965-03-02 1973-09-13

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789068A (en) * 1955-02-25 1957-04-16 Hughes Aircraft Co Evaporation-fused junction semiconductor devices
US2802759A (en) * 1955-06-28 1957-08-13 Hughes Aircraft Co Method for producing evaporation fused junction semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789068A (en) * 1955-02-25 1957-04-16 Hughes Aircraft Co Evaporation-fused junction semiconductor devices
US2802759A (en) * 1955-06-28 1957-08-13 Hughes Aircraft Co Method for producing evaporation fused junction semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1281035B (de) * 1965-01-22 1968-10-24 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Verfahren zum Anbringen einer Kontaktschicht auf einem Siliziumhalbleiterkoerper
DE1287400B (US07223432-20070529-C00017.png) * 1965-03-02 1973-09-13
DE1287400C2 (de) * 1965-03-02 1973-09-13 Siemens AG, Berlin und München, 8000 München Verfahren zum vakuumaufdampfen einer metallschicht, insbesondere aus gold

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