DE1151549B - Impulsformer-Schaltung fuer hohe Impulsfrequenzen - Google Patents

Impulsformer-Schaltung fuer hohe Impulsfrequenzen

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DE1151549B DEW31328A DEW0031328A DE1151549B DE 1151549 B DE1151549 B DE 1151549B DE W31328 A DEW31328 A DE W31328A DE W0031328 A DEW0031328 A DE W0031328A DE 1151549 B DE1151549 B DE 1151549B
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    • H03K3/57Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device

Description

  • Impulsformer-Schaltung für hohe Impulsfrequenzen Die Erfindung bezieht sich auf Impulsformer-Schaltungen und insbesondere auf Schaltungen, welche eine hohe Wiederholungsgeschwindigkeit bei der Impulsformung ermöglichen.
  • Zahlreiche vorbekannte Impulsformer-Schaltungen machen Gebrauch von einer in dem differenzierenden Netzwerk liegenden Energiespeichervorrichtung und einem Schaltelement, welches das - differenzierende Netzwerk überbrückt und einen mit Unterbrechungen verfügbaren Entladungsweg für die gespeicherte Energie bildet, um über einer Belastungsvorrichtung Impulse zu formen. Mit dem Auftreten der Erfordernisse mit hoher Geschwindigkeit arbeitender Kreise hat es sich als vorteilhaft erwiesen, als Schaltelement eines Impulsformers einen Transistor zu verwenden, welcher sich durch ein rasches Arbeiten auszeichnet. Solche Transistoren haben sich in Impulsformerschaltungen so bewährt, daß die Arbeitsgeschwindigkeit des Schaltelementes nicht mehr der begrenzende Faktor hinsichtlich der Impulsformer-Wiederholungsgeschwindigkeit ist. Statt dessen hat sich die Zeit als begrenzender Faktor erwiesen, welche erforderlich ist, um das differenzierende Netzwerk bis auf den gewünschten Pegel aufzuladen.
  • Die Impulsformer-Schaltung nach der Erfindung besteht aus einer Energiespeichervorrichtung, Mitteln zur Aufladung der Energiespeichervorrichtung auf einen vorbestimmten Pegel, einer der Energiequelle der Aufladungsmittel und der Speichervorrichtung angeschlossenen Diode mit einem solchen Zenerpunkt, daß die Diode in den Zustand der Nichtleitung vorgespannt ist, nachdem die Speichervorrichtung auf einen Pegel aufgeladen ist, der unterhalb des vorbestimmten Pegels liegt, und einer Induktivität, welche zwischen der Diode und der Energiespeichervorrichtung angeschlossen ist, um die Speichervorrichtung genügend hoch aufzuladen, um die Einstellung des vorbestimmten Pegels zu vervollständigen, und aus Schaltungsmitteln, welche die Energiespeichervorrichtung überbrücken, um mit Unterbrechungen die gespeicherte Energie zu entfernen.
  • Die Verringerung der Aufladungszeit ist durch das Erfordernis erschwert, daß die Schaltvorrichtung von dem Aufladekreis isoliert werden muß, da der hohe Aufladungsstrom den Transistor beschädigen könnte, welche im allgemeinen hinsichtlich der Leistungsbelastbarkeit begrenzt ist. Vorzugsweise ist die Induktivität wirksam, wenn die Diode in den Zustand der Leitung vorgespannt ist, um die Schaltvorrichtung gegen Spannungsstöße zu schützen. Außerdem erfordern einige Arten von Transistoren einen geringen Strom, um den Schalter in einem solchen Zustand zu halten, daß er rasch in Tätigkeit gesetzt werden kann. In diesem Fall benötigt die Impulsforinerschaltung einen Aufladungsweg für hohen Strom, einen Weg für niedrigen Strom und eine kritische Zeitabstimmung der Elemente, um die Schaltvorrichtung von dem hohen Aufladungsstrom zu isolieren. Der niedrige Strom kann dadurch verfügbar gemacht werden, daß parallel zur Diode Widerstandsmittel angeschlossen werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung enthält die Impulsformer-Schaltung einen Transistor, um einen Entladungsweg geringer Impedanz für ein differenzierendes Netzwerk verfügbar zu machen, welches einen Kondensator enthält. Die Impulsformerschaltung besitzt einen rasch arbeitenden Wiederaufladungsweg mit einer Spannungsquelle und einer Durchbruchdiode, um den Kondensator auf einen Pegel unterhalb des vorbestimmten Betrages aufzuladen, indem ein hoher in Sperrichtung verlaufender Strom durch die Diode geführt wird, welcher durch Einstellung eines zwischen der Spannungsquelle und der Diode liegenden Widerstands auf den gewünschten Betrag eingestellt ist. Zwischen der Diode und dem Kondensator ist eine Induktivität angeschlossen, so daß in dem Augenblick, wo die Diode in ihrem Zustand geringer Stromleitung zurückkehrt, die Reiheninduktivität die rasche Aufladung des Kondensators bis zu dem vorbestimmten Pegel vervollständigen kann.
  • Diese Aufladung des Kondensators in zwei Stufen bietet einen besonderen Vorteil. Wenn die Diode aus ihrem Zustand hoher Stromleitung zurückgebracht wird, so isoliert eire hoher Widerstand, der parallel zur Diode angeschlossen ist, in wesentlichem Ausmaß das Transistor-Schaltelement von der Spannungsquelle, während das Abklingen des die Induktivität umgebenden Feldes die Vervollständigung der Rufladung des Kondensators auf den vorbestimmten Pegel gewährleistet. Die letztgenannte Aufladungsstufe dient somit dazu, die Dauer jeglichen hohen Rufladestromes in der Schaltung zu begrenzen, welcher die richtige Lawinenwirkung des Transistors beeinträchtigen oder möglicherweise die Transistorübergänge zerstören würde. Der hohe Widerstand stellt außerdem einen geringen Strom ein, welcher den Transistor durchfließt; bei Vorhandensein des vorbestimmten Spannungspegels in Verbindung mit dem Anlegen eines Auslöseimpulses richtiger Polarität wird die Impedanz des Transistors rasch geändert; so daß ein durch den Belastungskreis verlaufender Entladungsweg verfügbar wird.
  • Bei dieser Ausführungsform der Erfindung liegen somit eine Zenerdiode, eine Induktivität und ein Kondensator in Reihe. Der Kondensator lädt sich auf, bis die Diode in Sperrichtung vorgespannt ist; in diesem Zeitpunkt fließt nur ein geringer Strom zum Transistor. Gleichzeitig ermöglicht es die Zustandsänderung der Diode, daß das die Induktivität umgebende Feld zusammenbricht und die Rufladung des Kondensators bis auf den vorbestimmten Pegel vervollständigt. Ein. das Netzwerk überbrückender Transistor bildet den Entladungskreis für das Netzwerk.
  • Zur Erleichterung des Verständnisses der Erfindung soll nachstehend an Hand der Zeichnung eine weitere Erläuterung gegeben werden; in der Zeichnung zeigt Fig. 1 das Schema einer Impulsformer-Schaltung nach einer Ausführungsmöglichkeit der Erfindung, Fig. 2 eine Schwingungsform, welche einen speziellen Arbeitsvorgang des Impulsformers nach Fig. 1 veranschaulicht, Fig.3 das Schema einer vorbekannten Impulsformer-Schaltung, Fig.4 eine Schwingungsform, welche einen Abschnitt des Arbeitsvorgangs der vorbekannten Schaltung nach Fig. 3 veranschaulicht.
  • Die in Fig.1 gezeigte Impulsformer-Schaltung enthält ein differenzierendes Netzwerk mit einem Kondensator 11 und einem Belastungswiderstand 12 in Reihe mit dem einen Endpunkt des Widerstands an Masse. Der Transistor 10 ist parallel zu dem differenzierenden Netzwerk geschaltet; seine Emitterelektrode 9 liegt an Erde, und seine Kollektorelektrode 7 ist mit dem Kondensator 11 verbunden. Diese Anordnung dient dazu, einen Entladungsweg für den Kondensator 11 verfügbar zu machen, wenn sich der Transistor 10 in seinem Zustand hoher Stromleitung befindet. Zwischen der Spannungsquelle 20 und dem Verbindungspunkt 15, über welchen der Kondensator 11 an die Kollektorelektrode 7 angeschlossen ist, liegen eine Induktivität 18, eine- Zenerdiode 19 und ein parallel zu der Diode 19 angeschlossener Widerstand 17 sowie ein Regelwiderstand 21. Der an die Basiselektrode 8 des Transistors 10 angeschlossene Eingangskreis besteht aus einer negativen Spannungsquelle 2, einer negativen Spannungsquelle 5 mit tiefer liegendem Potential, einer Diode 3 und einem Widerstand 4. Die Diode 3 und der Widerstand 4 bilden eine zwischen den beiden Spannungsquellen liegende Reihenanordnung. Durch die leitende Diode 3 besteht an der Basiselektrode 8 des Transistors 10 ein niedriges negatives Potential, um vor Anlegen von Auslöseimpulsen 1 an die Eingangsklemme einen Vorspannungszustand in Sperrichtung zwischen der Basiselektrode 8 und der Emitterelektrode 9 zu verwirklichen.
  • Der in Fig. 1 dargestellte Transistor 10 ist vorzugsweise ein Lawinen-Transistor, wie er beispielsweise von J. J. E b e r s und S. L. M i I l e r in »Alloyed Junction Avalanche Transistors«, Bd. 34, Bell System Technical Journal, September 1959, S. 883, beschrieben worden ist. Ein Lawinen-Transistor kann sich in einem von zwei stabilen Zuständen befinden, wenn eine zwischen Kollektorelektrode und Basiselektrode angelegte Spannung einen vorbestimmten Durchschlagswert überschreitet, um einen geringen Stromfluß zuzulassen. .Wenn ein solcher Zustand hergestellt ist, so bewirkt ein Auslösestrom richtiger Polarität, welcher in den Basis-Emitter-Kreis eingeführt wird, eine Vorspannung des Basis-Emitter-Übergangs in Vorwärtsrichtung; dadurch wird ein sogenannter Lawinen-Zustand geschaffen, welcher bewirkt, daß in dem Kollektor-Emitter-Kreis ein hoher Strom fließt. Dieser hohe Kollektor-Emitter-Strom bleibt so lange bestehen, bis ein Strom, dessen Polarität derjenigen des Auslösestroms entgegengesetzt ist, in den Basis-Emitter-Kreis eingeführt wird.
  • Mit Bezug auf Fig. 1 wird somit ein geringer Kollektor-Basis-Strom durch den Transistor 10 fließen, wenn der oben erwähnte vorbestimmte Durchschlagsspannungspegel eingestellt ist, und zwar die Potentialdifferenz zwischen einer negativen Vorspannung an der Basiselektrode 8 und der Spannung über dem Kondensator 11. Wenn ein solcher Zustand besteht und an der Eingangsklemme ein Auslöseimpuls 1 von positiver Polarität und ausreichender Größe angelegt wird, so wird der Basis-Emitter-Übergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt, und die erwähnte Lawinenwirkung findet statt. Durch diese Lawinenwirkung des Transistors 10 wird für den Kondensator 11 ein Entladungsweg geringer Impedanz zur Erde verfügbar gemacht; die Entladung erzeugt einen scharfen Impuls 22 hohen Stromes durch den Belastungswiderstand 12.
  • Durch die Beendigung des Eingangs-Auslöseimpulses 1 wird beim Fehlen einer Spannung über dem Kollektor-Emitter-Übergang der Transistor 10 veranlaßt, in seinen Zustand hoher Impedanz zurückzukehren, wodurch ein Reihenladekreis zwischen Erde und Spannungsquelle 20 geschaffen wird, welcher den Belastungswiderstand 12, den Kondensator 11, die Induktivität 18 und die aus Widerstand 17 und Zenerdiode 19 bestehende Parallelanordnung sowie den Widerstand 21 umfaßt.
  • Die Anode der Zenerdiode 19 liegt an der Induktivität 18 und ihre Kathode über dem Widerstand 21 an der Spannungsquelle 20: Zenerdioden, welche beispielsweise in der USA.-Patentschrift 2 714 702 beschrieben sind, stellen Halbleiter-Übergangsvorrichtungen dar mit der Eigenart, daß oberhalb einer angelegten kritischen Sperrspannung der Strom im wesentlichen unabhängig von der Spannung ist. Unterhalb dieses kritischen Punktes bzw. unterhalb dieser Zener-Sperrspannung hat die Diode eine sehr hohe Impedanz.
  • Wenn der Kondensator 11 nicht aufgeladen ist, so liegt die sich über der Zenerdiode 19 einstellende Spannung oberhalb dieser kritischen Sperrspannung; infolgedessen bildet die Zenerdiode eine niedrige Impedanz. Dieser Zustand bewirkt das Fließen eines hohen Stromes in dem Kreis, der die Spannungsquelle 20 und die Induktivität umfaßt, um den Kondensator aufzuladen. Dieser Strom wird mittels des veränderlichen Widerstandes 21 eingestellt. Die Aufladung des Kondensators 11 bleibt bestehen, bis das an dem Verbindungspunkt 15 sich einstellende Potential genügend hoch ist, um die erwähnte kritische Vorspannung in Sperrichtung über den Klemmen der Zenerdiode 19 zu entfernen. Die Zenerdiode 19 nimmt dann wieder einen Zustand hoher Impedanz an und trennt auf diese Weise in wesentlichem Ausmaß die Spannungsquelle 20 von dem Kondensator 11 und schützt den Transistor 10 gegen die Aufnahme eines übermäßig hohen und langdauernden Gleichstromes von der Spannungsquelle. Die große Menge von Ladestrom hat jedoch ein hohes magnetisches Feld in der Induktivität aufgebaut, und die plötzliche Unterbrechung des starken Stromflusses durch die in dem Zustand hoher Impedanz befindliche Zenerdiode 19 bewirkt ein Zusammenfallen dieses Feldes, wodurch ein Strom erzeugt wird, der groß genug ist, um die Aufladung des Kondensators 11 auf den vorbestimmten Pegel oder auf die Durchschlagsspannung des Kollektor-Basis-übergangs des Transistors 10 zu vervollständigen.
  • Diese Betriebsweise ermöglicht es außerdem, daß ein schwacher Strom von der Spannungsquelle 20 durch den Widerstand 17, den Kollektor-Basis-übergang des Transistors 10, den Widerstand 4 und die Spannungsquelle 5 fließt. Der hohe parallel zur Zenerdiode 19 angeschlossene Widerstand 17 bildet auf diese Weise einen Weg, welcher den Kollektor-Basis-Strom auf die geeignete Größe einstellt, damit eine rasche Lawinenwirkung stattfindet; dieser Strom hält gleichzeitig den Transistor 10 in einem stabilen Zustand hoher Impedanz, um den gewünschten Spannungspegel über dem Kondensator 11 aufrechtzuerhalten. Nach Einführung des Auslöseimpulses 1 wird der Lawinen-Transistor 10 leitend und bildet für den Impulsformungs-Kondensator 11 einen zur Erde führenden Entladungsweg. In diesem Augenblick liegt die über der Diode 19 eingestellte Spannung oberhalb des Zenerpunktes; wenn jetzt die Diode leitend würde, so würde eine große Strommenge durch den Transistor 10 zur Erde fließen; dieser Strom könnte bei seiner Aufrechterhaltung den Lawinen-Transistor 10 zerstören. Dieser Zustand besteht indessen niemals, da sich die Induktivität 18 jeder plötzlichen Änderung des Stromflusses widersetzt; dadurch wird eine vorübergehende Isolierung des Transistors 10 gegen den hohen in Sperrichtung fließenden Strom durch die Zenerdiode 19 isoliert. Während dieser kurzen Isolierungsperiode wird der Eingangsimpuls 1 beendet, wodurch die Vorspannung der Diode 3 in Vorwärtsrichtung veranlaßt wird. Das hat wiederum einen genügend hohen Stromfluß durch die Basiselektrode 8 und die Emitterelektrode 9 des Transistors 10 zur Folge, um den Zustand der Leitung in dem Kollektor-Emitter-Weg zu unterbrechen und auf diese Weise den Transistor 10 erneut in den Zustand hoher Impedanz überzuführen. Der erläuterte Arbeitszyklus kann dann wiederholt werden.
  • Wenn die Zenerdiode 19 und die Induktivität 18 bei der Schaltung nach Fig. 1 weggelassen werden, so würde ein Impulsformer bestehenbleiben, der im wesentlichen einem vorbekannten Typ entspricht. Wenn der Speicher-Netzwerk-Kondensator auf einen vorbestimmten Pegel aufgeladen ist, so ist man bei einer solchen Schaltung auf einen hohen Widerstand in dem Kollektorkreis angewiesen, um den Kollektor-Basis-Stromfluß zur Vorbereitung des Transistors für die Lawinen-Leitung zu begrenzen, wobei gleichzeitig der Transistor gegen hohen Gleichstrom geschützt wird. Nach Erzeugung eines Ausgangsimpulses durch die Entladung des Speicherkondensators durch den Belastungswiderstand beginnt der den Belastungswiderstand und den sehr großen Kollektorwiderstand umfassende Kreis, den Kondensator erneut aufzuladen. Dieser Kreis hat eine große Zeitkonstante, damit der Kondensator den vorbestimmten Spannungspegel erreicht, der erforderlich ist, um den Lawinen-Transistor in den Zustand für einen weiteren Eingangsimpuls zu bringen; auf diese Weise wird die Impulswiederholungsgeschwindigkeit begrenzt.
  • Fig. 3 veranschaulicht die vorbekannte Schaltung, wobei der Strombegrenzungswiderstand unmittelbar zwischen die Spannungsquelle und dem Lawinen-Transistor geschaltet ist und wobei die Diode und die Induktivität in Fortfall kommen. Die den Intervall To bis T1 veranschaulichte Anstiegzeit der Kollektorspannung ist für diese Schaltung in Fig. 4 veranschaulicht. In diesem Fall hat die Anstiegzeit zwischen der Spannung 0 und V, d. h. der vorbestimmten Kondensatorspannung, die Größenordnung von 800 Mikrosekunden. Es ist dies ein Annäherungswert für solche vorbekannten Schaltungen.
  • Diese Begrenzung der Impulswiederholungsgeschwindigkeit erfährt eine weitgehende Herabsetzung durch die Anordnung der Induktivität 18 und der Zenerdiode 19, welche gemäß Fig. 1 eine zwischen dem Impulsformungs-Kondensator 11 und der Spannungsquelle 20 liegende Reihenanordnung bilden. Fig. 2, welche die Kollektor-Spannungs-Schwingungsform des Transistors 10 veranschaulicht, gibt die Aufladungsfolge für den Impulsgenerator nach Fig. 1 an. Im Zeitpunkt To befindet sich der Kondensator 11 auf dem vorbestimmten Spannungspegel, der für die Lawinenwirkung erforderlich ist, wie bereits eingehend beschrieben wurde. Beim Auftreten des Eingangsimpulses 1 wird der Transistor 10 in den Zustand niedriger Impedanz zurückgebracht. Der Kondensator 11 entlädt sich durch den Belastungswiderstand 12, und die Spannung an dem Kollektoranschlußpunkt 15 fällt rasch auf einen niedrigen Pegel ab. Danach lädt sich der Kondensator 11 rasch in Annäherung an das Potential der Quelle 20 auf, wobei der Transistor 10 sich in dem Zustand hoher Impedanz befindet und die Zenerdiode 19 stark leitet. Wie Fig. 2 zeigt, liegt im Zeitpunkt T1 die Potentialdifferenz über der Zenerdiode 19 nicht mehr innerhalb des Zenerbereichs; demgemäß kehrt die Diode 19 in den Zustand hoher Impedanz zurück, wodurch der Ladestromweg unterbrochen wird. Das Zusammenfallen des gebildeten Induktionsfeldes um die Induktivität 18 macht den Strom verfügbar, der während des Zeitintervalls T1 bis T.2 erforderlich ist, um die vorbestimmte Spannung V, über dem Kondensator 11 einzustellen. Die gesamte Aufladezeit für den Kondensator 11, die durch das Zeitintervall To bis T2 veranschaulicht ist, beträgt angenähert 1l2 Mikrosekunde gegenüber den etwa 800 Mikrosekunden des Zeitintervalls To bis. T1, welches in Fig. 4 gezeigt ist und der Arbeitsweise des vorbekannten Impulsgenerators entspricht.

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Impulsformer-Schaltung für hohe Impulsfrequenzen, bestehend aus einer Energiespeichervorrichiung, Mitteln zur Aufladung der Speichervorrichtung auf einen vorbestimmten Pegel und Schaltmitteln, welche die Speichervorrichtung überbrücken und die gespeicherte Energie durch Kurzschluß beseitigen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Energiequelle (20) und der Speichervorrichtung (11) eine Zenerdiode 19, deren Zenerpunkt so gewählt ist, daß die Diode (19) in einen Zustand der Nichtleitung vorgespannt wird, wenn die Speichervorrichtung (11) bis zu einem Pegel unterhalb des vorbestimmten Pegels aufgeladen ist, und eine Induktivität (18) liegen, welche zwischen der Diode (19) und der Speichervorrichtung (11) angeschlossen ist, um die Speichervorrichtung (11) nach Sperrung der Diode (19) weiter aufzuladen, damit die Einstellung des vorbestimmten Pegels vervollständigt wird.
  2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktivität (18) den Schalttransistor (10) gegen Spannungsstöße schützt, wenn die Diode (19) in den Zustand der Leitung vorgespannt wird.
  3. 3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (17) parallel zur Diode (19) geschaltet ist.
  4. 4. Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalttransistor aus einem Lawinen-Transistor besteht.
  5. 5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode (7) und die Emitterelektrode (9) des Lawinen-Transistors parallel zur Speichervorrichtung (11) angeschlossen sind und daß der Lawinen-Transistor in solcher Abhängigkeit von dem vorbestimmten Aufladungspegel an der Emitterelektrode (9) und von einem Eingangssignal an seiner Basiselektrode (8) steht, daß er beim Leitendwerden die gespeicherte Energie ableitet.
  6. 6. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichervorrichtung aus einem Speicherkondensator (11) besteht und daß der Belastungswiderstand (12) zwischen dem Kondensator (11) und Erde in Reihe geschaltet ist.
  7. 7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Spannungsquelle (20) und der Diode (19) ein Widerstand (21) angeschlossen ist, welcher bei Vorspannung der Diode (19) in den Zustand der Leitung den die Diode (19) durchfließenden Strom bestimmt.
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