DE1148661B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegiertem pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einlegiertem pn-UEbergang

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DE1148661B
DE1148661B DES63187A DES0063187A DE1148661B DE 1148661 B DE1148661 B DE 1148661B DE S63187 A DES63187 A DE S63187A DE S0063187 A DES0063187 A DE S0063187A DE 1148661 B DE1148661 B DE 1148661B
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crystal lattice
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DES63187A
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Dipl-Phys Dr Reimer Emeis
Dr Rer Nat Kurt Raithel
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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FR1109535A (fr) * 1954-07-30 1956-01-30 Csf Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p

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