DE1138100B - Schutzschaltung fuer eine P-N-P-N-Schaltdiode - Google Patents
Schutzschaltung fuer eine P-N-P-N-SchaltdiodeInfo
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- DE1138100B DE1138100B DES70291A DES0070291A DE1138100B DE 1138100 B DE1138100 B DE 1138100B DE S70291 A DES70291 A DE S70291A DE S0070291 A DES0070291 A DE S0070291A DE 1138100 B DE1138100 B DE 1138100B
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- H—ELECTRICITY
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/125—Avoiding or suppressing excessive transient voltages or currents
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
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Description
- Schutzschaltung für eine P-N-P-N-Schaltdiode Bekanntlich haben P-N-P-N-Schaltdioden, z. B. Siliziumstromtore, in der Durchlaßrichtung ein Stromtorverhalten. In dieser Stromrichtung läßt das Stromtor keinen Stromffiuß zu, solange die an den Außenelektroden angelegte Spannung unter dem Durchbruchswert liegt. Sobald diese Spannung dagegen den Durchbruchswert überschreitet, fließt plötzlich ein verhältnismäßig großer Strom so lange, bis die angelegte Spannung zu Null wird. Dieser Effekt ist beliebig oft wiederholbar. Durch Anlegen von Steuerspannungen an eine Steuerelektrode kann außerdem der Durchbruch bei beliebigen Außenspannungen erreicht werden, so daß sich auf diese Weise benutzte Siliziumstromtore oder andere P-N-P-N-Schaltdioden für Steuer- und Regelzwecke als gut geeignet erwiesen haben.
- Es hat sich nun gezeigt, daß der Durchbruch des Stromtores allein schon bei unterhalb der eigentlichen Durchbruchsspannung liegenden Werten der an den Außenelektroden angelegten Spannung erfolgen kann, wenn die Außenspannung in Form positiver Spannungsimpulse mit großer Steilheit vorliegt. Solche Spannungsimpulse treten beispielsweise beim Einschalten von leistungsstarken Verbrauchern in schwachen Netzen auf. Der Durchbruch der Diode erfolgt dann ohne Anlegen von Zündimpulsen im Steuerkreis zu unerwünschten Zeitpunkten. Es ist dadurch eine definierte Zündung derartiger Stromtore und ihre Verwendung für Steuer- und Regelzwecke in Frage gestellt, wenn es nicht gelingt, eine undefinierte Zündung durch solche positiven Spannungsimpulse mit steiler Flanke sicher zu unterbinden.
- Der Erfindung liegt also die Aufgabe zugrunde, eine Schutzschaltung für eine P-N-P-N-Schaltdiode, insbesondere eine solche aus Silizium, zu schaffen, die ein unbeabsichtigtes Zünden beim Auftreten unterhalb der Zündspannung liegender positiver Spannungsimpulse großer Steilheit an den Außenelektroden sicher verhindert. Die Lösung besteht nach der Erfindung darin, daß zwischen Emitter und Steuerelektrode der Schaltdiode ein Kondensator angeordnet ist. Bei solchen Schaltdioden besteht wegen der inneren kapazitiven Kopplung der einzelnen Schichten, wie gesagt, die Möglichkeit, daß auch eine unter der Zündspannung liegende Spannung zu einer unerwünschten Zündung führen kann, wenn sie eine ausreichend steile Flanke hat. Dies wird nach der Erfindung sicher verhindert, wenn zwischen Emitter und Steuerelektrode des Siliziumstromtores 1 ein Kondensator 2 angeordnet ist, wodurch der Schutz gegen ein zu hohes duldt am Schaltungselement selbst gegeben ist. Im Siliziumstromtor sind die gestrichelt dargestellten Sperrschichtkapazitäten C zwischen den einzelnen Sperrschichten wirksam, über die der steile Spannungsanstieg auf die Basis gelangt und das Stromtor zündet. Der Kondensator 2 vergrößert die Kapazität zwischen Basis-Emitter-Strecke und teilt die Spannung auf ein für die Zündung unschädliches Maß. Bei Sperrschichtkapazitäten von etwa 100 bis 1000 pF erhält die Mischkapazität Werte von etwa 0,1 bis 1 j.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Schutzschaltung für eine P-N-P-N-Schaltdiode, insbesondere aus Silizium, gegen unbeabsichtigtes Zünden beim Auftreten unterhalb der Zündspannung liegender positiver Spannungsimpulse großer Steilheit an den Außenelektroden, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Emitter und Steuerelektrode der Schaltdiode ein Kondensator angeordnet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr.1071133, 1081505, 1020673.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES70291A DE1138100B (de) | 1960-09-09 | 1960-09-09 | Schutzschaltung fuer eine P-N-P-N-Schaltdiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES70291A DE1138100B (de) | 1960-09-09 | 1960-09-09 | Schutzschaltung fuer eine P-N-P-N-Schaltdiode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1138100B true DE1138100B (de) | 1962-10-18 |
Family
ID=7501609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES70291A Pending DE1138100B (de) | 1960-09-09 | 1960-09-09 | Schutzschaltung fuer eine P-N-P-N-Schaltdiode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1138100B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1639192B1 (de) * | 1967-03-16 | 1970-10-29 | Allmaenna Svenska Elek Ska Ab | Schutzschaltung zum Verhindern von Fehlzuendungeneines Thyristors |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1020673B (de) * | 1955-10-06 | 1957-12-12 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur gemeinsamen Steuerung mehrerer in Reihe liegender Halbleiterschalter |
DE1071133B (de) * | 1958-08-08 | 1959-12-17 | Standard Efcktrik Lorenz Aktiengesellschaft, Stuttgart-Zuffenhausen | Anordnung zur begrenzung von abschaltspannungen an mit transistorschalter in reihe liegende induktivitäten |
DE1081505B (de) * | 1958-09-18 | 1960-05-12 | Licentia Gmbh | Transistorschalter zum schnellen Entmagnetisieren induktiver Stromverbraucher |
-
1960
- 1960-09-09 DE DES70291A patent/DE1138100B/de active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1020673B (de) * | 1955-10-06 | 1957-12-12 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur gemeinsamen Steuerung mehrerer in Reihe liegender Halbleiterschalter |
DE1071133B (de) * | 1958-08-08 | 1959-12-17 | Standard Efcktrik Lorenz Aktiengesellschaft, Stuttgart-Zuffenhausen | Anordnung zur begrenzung von abschaltspannungen an mit transistorschalter in reihe liegende induktivitäten |
DE1081505B (de) * | 1958-09-18 | 1960-05-12 | Licentia Gmbh | Transistorschalter zum schnellen Entmagnetisieren induktiver Stromverbraucher |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1639192B1 (de) * | 1967-03-16 | 1970-10-29 | Allmaenna Svenska Elek Ska Ab | Schutzschaltung zum Verhindern von Fehlzuendungeneines Thyristors |
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