DE1132965B - Semipermanenter Ferritkern-Speicher und Schaltungsanordnung zur gleichzeitigen Steuerung von semipermanenten Ferritkern-Speichern und Ferritkernspeichern ueblicher Art - Google Patents

Semipermanenter Ferritkern-Speicher und Schaltungsanordnung zur gleichzeitigen Steuerung von semipermanenten Ferritkern-Speichern und Ferritkernspeichern ueblicher Art

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DE1132965B
DE1132965B DEST15521A DEST015521A DE1132965B DE 1132965 B DE1132965 B DE 1132965B DE ST15521 A DEST15521 A DE ST15521A DE ST015521 A DEST015521 A DE ST015521A DE 1132965 B DE1132965 B DE 1132965B
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DE
Germany
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ferrite core
semipermanent
memories
ferrite
memory
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Pending
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DEST15521A
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English (en)
Inventor
Dipl-Phys Gerhard Merz
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Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/02Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using magnetic or inductive elements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices

Landscapes

  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Description

In elektronischen Steuereinrichtungen, besonders auch in elektronischen Fernsprechvermittlungsanlagen besteht ein Bedürfnis, eine Anzahl von Informationen zu speichern und diese Informationen bei Abruf sofort zur Verfügung zu haben. Bisher hat man hierzu vielfach Relaisspeicher oder Wählereinrichtungen verwendet. Diese Speicher sind aber dann nicht mehr brauchbar, wenn nur sehr kurze Zeiten für das Abrufen der gespeicherten Informationen zur Verfugung stehen, wie dies z. B. bei elektronischen Anlagen der Fall ist. Für diese Anlagen werden dann andere Speicher benötigt. Hierfür sind vor allem die bekannten Ferritkern-Speicher brauchbar. An diese Speicher wird die Forderung gestellt, daß sie vorübergehend eine Information speichern und diese Information beim Abfragen möglichst rasch wieder abgeben. Die gespeicherte Information wird dabei wieder gelöscht. Außer diesen Schnellspeichern oder Kurzzeitspeichern sind aber auch andere Speicher erforderlich, die zwar ebenfalls eine eingespeicherte Information rasch zur Verfügung stellen, deren Information aber beim Abfragen nicht gelöscht wird. Derartige Speicher werden auch »semipermanente« Speicher genannt. Bei diesen Speichern soll auch eine zufällige, durch äußere Störungen verursachte Änderung der Information nicht möglich sein, während andererseits eine gewollte Änderung der eingespeicherten Information nur in größeren Zeitabständen, z. B. nach Wochen oder Monaten vorgenommen werden soll und dann verhältnismäßig viel Zeit in Anspruch nehmen darf. Es spielt dabei keine Rolle, ob die Einspeicherung einer neuen Information nur einige Sekunden oder aber Minuten in Anspruch nimmt.
Werden semipermanente Speicher und Schnellspeicher üblicher Art gleichzeitig verwendet, dann benötigt man hierfür zwei getrennte Steuereinrichtungen. Vielfach ist jedoch jeder abzutastenden, sich laufend ändernden Information stets dieselbe vorgegebene feste Information zugeordnet. Es ist nun Aufgabe der Erfindung, einen semipermanenten Speicher anzugeben, der verhältnismäßig einfach aufgebaut ist, leicht einstellbar ist und auch mit Schnellspeichern üblicher Art ohne weiteres zusammen abgetastet werden kann. Der semipermanente Ferritkern-Speicher nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß außer den in üblicher Weise für das Einschreiben und Lesen der Informationen benötigten und durch die Ferritkerne hindurchgeführten Drähten jedem Kern eine zusätzliche Drahtschleife zugeordnet ist und daß bei der Abtastung des einzelnen Ferritkernes, je nachdem ob die Drahtschleife Semipermanenter Ferritkern-Speicher
und Schaltungsanordnung zur gleichzeitigen Steuerung von semipermanenten
Ferritkern-Speichern und Ferritkernspeichern
üblicher Art
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft, Stuttgart-Zuffenhausen,
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Dipl.-Phys. Gerhard Merz,
Rommeishausen über Waibäingen,
ist als Erfinder genannt worden
offen oder kurzgeschlossen ist, über den dem semipermanenten Speicher zugeordneten Leseverstärker unterschiedliche Informationen gebildet werden. Weitere Ausgestaltungen der Drahtschleife und der Kurzschlußverbindungen können den Unteransprüchen 2 bis 5 entnommen werden. Sind Ferritkern-Speicher üblicher Art und semipermanente Ferritkern-Speicher so angeordnet, daß jeweils die entsprechenden Zeilen- und Spaltendrähte von einem oder mehreren semipermanenten Ferritkern-Speichern und einem oder mehreren Ferritkern-Speichern üblicher Art gleichsinnig in Reihe geschaltet sind und über die zugeordneten Zeilen- und Spaltendurchschalter mit dem Schreib- bzw. Lesegenerator verbunden sind, daß jeder Speicher der Anordnung eine getrennte Leseschleife mit Leseverstärker aufweist und daß das Abtastergebnis aller Leseverstärker gleichzeitig ausgewertet wird, dann können alle Speicher gleichzeitig durch eine gemeinsame Steuereinrichtung bedient werden.
Die Zeichnungen Fig. 1 bis 3 dienen zur näheren Erläuterung der Erfindung. An Hand der
Fig. 1 wird die prinzipielle Wirkungsweise eines Einzelkernes des erfindungsgemäßen semipermanenten Ferritkern-Speichers erklärt;
209 619/272
Fig. 2 zeigt eine Zeile mit mehreren Einzelkernen, insbesondere eine spezielle Ausbildung der Drahtschleifen und Kurzschlußverbindungen;
Fig. 3 zeigt schließlich eine Schaltungsanordnung, bei der mehrere Ferritkern-Speicher üblicher Art mit einem semipermanenten Speicher nach der Erfindung gleichzeitig und durch eine gemeinsame Steuereinrichtung abgetastet werden.
In Fig. 1 bezeichnet K einen Ferritkern. Durch
den beiden ihm zugeordneten Anschlußpunktenvl 1 und A 2 eine leitende Verbindung 5 hergestellt zu werden. Diese Verbindung kann beispielsweise gelötet sein. Der Kurzschluß der zusätzlichen Draht-5 schleife kann aber auch durch Steckverbindung an den Anschlußpunkten erfolgen. Die Anordnung bietet den Vorteil, daß die Kurzschlußstelle leicht zugänglich ist und eine Änderung der eingespeicherten Information keinerlei Schwierigkeiten bereitet. Bei geeig-
den Kern sind die beiden Drähte 1 und 2 in üblicher io neter Dimensionierung der zusätzlichen Draht-Weise hindurchgeführt. Diese beiden Drähte dienen, schleife 4, z. B. durch Aufbringen mehrerer Windunwenn der Kern in einer Matrix angeordnet ist, zum
Einspeichern bzw. Lesen der Information. Weiter ist
durch den Kern noch der Draht 3 hindurchgeführt,
gen, ist es auch möglich, den Kurzschluß dieser zusätzlichen Drahtschleife durch Schaltmittel zu bilden, die von anderer Stelle aus gesteuert werden
über den das Lesesignal abgenommen wird. Zu 15 können. Diese Schaltmittel können z. B. Relaisdiesen üblichen Drähten ist noch zusätzlich eine kontakte, Transistoren od. dgl. sein.
Drahtschleife 4 durch den Kern hindurchgeführt.
Diese Schleife kann bedarfsweise durch ein leitendes Verbindungsstück 5 kurzgeschlossen werden. Die
Wirkungsweise der Anordnung ist folgende:
Zum Einspeichern einer Information wird durch
die beiden Drähte 1 und 2 gleichzeitig ein Schreib-
Die Fig. 3 zeigt drei in Matrizenform angeordnete Ferritkern-Speicher. Die Ebenen dieser Speicher sind jeweils durch strichpunktierte Linien angedeutet. Es 20 ist angenommen, daß diese Speicher in einem elektronischen Fernsprechvermittlungssystem den Teilnehmern zugeordnet sind. Der Speicher 51 ist ein
impuls geschickt. Zum Abtasten wird wiederum über semipermanenter Speicher, in dem z, B. die Berech-
diese beiden Drähte in Koinzidenz ein Leseimpuls tigung der einzelnen Teilnehmer eingespeichert ist.
geleitet, der dem Schreibimpuls entgegengesetzt ge- 25 Die Speicher 52 und 53 sind Schnellspeicher, die
richtet ist. In dem Draht 3 wird dabei ein Lesesignal jeweils die im Betrieb anfallenden Informationen
erzeugt und über einen Leseverstärker abgenommen. vorübergehend speichern. Beispielsweise können hier
Wenn nun die zusätzliche Drahtschleife 4 durch das die anfallenden Gebühreneinheiten oder auch der
Stück 5 kurzgeschlossen ist, so wird das Lesesignal Gesprächszustand des betreffenden Teilnehmers ein-
auf dem Draht 3 so stark gedämpft, daß es höchstens 30 gespeichert sein. In jeder Speicherebene ist jeweils
noch die Amplitude eines Störsignals erreicht. Durch nur ein Kern gezeigt. Der Kern Kl gehört zur
den hinter dem Leseverstärker üblicherweise vornan- Speicherebene 51. Er enthält zusätzlich zu den üb-
denen Amplitudendiskriminator wird dieses Stör- liehen Drähten noch die Drahtschleife 4, die bedarf s-
signal jedoch abgefangen und unwirksam gemacht. weise kurzgeschlossen werden kann. Die ein-
Es ist also durch bedarfsweises Kurzschließen der 35 gespeicherte Information kann in diesem Speicher
zusätzlichen Drahtschleife 4 möglich, von Fall zu beispielsweise durch Steckverbindung hergestellt wor-
FaIl beim Abtasten des Kernes ein Lesesignal zu den sein. Die Kerne K2 und K3 gehören zu den
erhalten oder zu unterdrücken. Wenn auch durch Speichern 52 bzw. 53. Sämtliche drei Speicher, d. h.
diesen Vorgang beim Lesen der Kern eine teilweise sowohl der semipermanente Speicher 51 als auch die
Ummagnetisierung erfahren sollte, so ist dies doch 40 beiden Schnellspeicher 52 und 53 werden durch eine
im allgemeinen unerheblich, weil der Kern ja durch gemeinsame Steuereinrichtung gesteuert. Die Steuer-
den nächsten Schreibimpuls wieder in die Ursprung- impulse werden von dem Impulsgenerator G geliefert.
liehe Lage zurückgebracht wird. Die vom Generator kommenden Impulse werden
Einzelkerne kommen praktisch überhaupt nicht durch die Durchschalteglieder Dz für die Zeilen bzw.
vor, sondern die Ferritkerne sind fast stets in Spei- 45 Ds für die Spalten den einzelnen Zeilen bzw. Spalten
ehern matrizenartig angeordnet. Die Fig. 2 zeigt eine der Matrizen zugeführt. Von dem Durchschalteglied
Möglichkeit, wie in solchen Anordnungen die zusatz- Dz führt beispielsweise der Zeilendraht 1 durch den
liehe Drahtschleife ausgebildet sein kann. Auf einer Kern K 3 des Speichers 53, dann weiter durch die
Isolierplatte / sind die Kerne K angeordnet. Es ist übrigen nicht dargestellten Kerne derselben Zeile
angenommen, daß die vier dargestellten Kerne zu 50 dieses Speichers, von hier aus weiter zur entsprechen-
einer Zeile eines Ferritkern-Speichers gehören. In den ZeHe des Speichers 52 und hier wieder durch
üblicher Weise führt durch alle Kerne der Zeile der den Kern K 2. Dann führt der Draht 1 weiter zum
für das Einschreiben bzw. Lesen der Information Speicher 51 und führt hier durch den Kern .O. In
benötigte Draht 1 hindurch. Der den Spalten der entsprechender Weise ist der Spaltendraht 2 durch
Matrix zugeordnete Draht 2 ist hier nur als Punkt 55 sämtliche drei Speicherebenen geführt. Auch er
angedeutet. Der Draht 3, der das Lesesignal auf- durchläuft nacheinander die Kerne K3, K2 und Kl.
nimmt, ist hier nicht dargestellt. Durch alle Kerne K Die Lesedrähte sind den drei Speichern individuell
ist nun ein Draht 4' hindurchgeführt. Jeweils zu bei- zugeordnet, d. h., daß diese Drähte nicht gemeinsam
den Seiten eines Ferritkernes ist eine Anzapfung 4" von einer Speicherebene über die andere führen. Der
für diesen Draht vorgesehen. Diese Anzapfungen 60 Lesedraht 3/1 gehört zum semipermanenten Speicher
führen zu Anschlußpunkten A1 und A 2, die auf der 51 und führt zum Leseverstärker LVl. Entsprechend
Isolierplatte/ angeordnet sind. Vorteilhafterweise gehört der Lesedraht 3/2 und der Leseverstärker LV 2
sind jeweils die zwischen zwei Ferritkernen liegenden zum Speicher 52 bzw. der Lesedraht 3/3 und der
Anzapfungen zusammengefaßt und zu einem den Leseverstärker LF3 zum Speicher 5 3. Es muß selbst-
beiden betreffenden Ferritkernen gemeinsam züge- 65 verständlich noch in an sich bekannter Weise für die
ordneten Anschlußpunkt auf der Isolierplatte heraus- Ebenen 52 und 53 zusätzlich je ein Inhibitionsgene-
geführt. Wenn nun "für einen der Kerne ein Kurz- rator mit den entsprechenden Inhibitionsdrähten vor-
schluß erforderlich ist, so braucht lediglich zwischen gesehen sein. Da dieser Generator für die Erfindung
jedoch nicht von Bedeutung ist, ist er hier nicht dargestellt und näher beschrieben.
In bekannter Weise erfolgt die Steuerung für das Einspeichern bzw. Lesen der Informationen in den Speichern. Dabei entstehen in den Speichern 52 und 53 in gewohnter Weise Lesesignale, die durch die zugehörigen Leseverstärker verstärkt und weitergeleitet werden. Im Lesedraht 3/1 des semipermanenten Speichers 51 tritt jedoch nur dann ein Lesesignal auf, wenn die zugehörige zusätzliche Schleife 4 nicht kurzgeschlossen ist. Durch Kurzschließen der Drahtschleife 4 kann also, wie bereits erwähnt, ein Ausgangssignal unterdrückt werden. Bei der gemeinsamen Abfrage geben nun die Speicher 52 und 53 ihre Information an die Leseverstärker ab. Dabei wird gleichzeitig diese Information in den Speichern gelöscht und muß später in an sich bekannter Weise erneut eingeschrieben werden. Beim semipermanenten Speicher 51 wird jedoch das Lesesignal bedarfsweise unterdrückt. Es erfolgt dabei keine Löschung der eingespeicherten Information. Sollte nach längeren Zeiträumen eine Änderung der eingespeicherten Information erforderlich werden, so ist dies durch Umstecken oder Umlöten der Kurzschlußverbindungen jederzeit durchführbar.
Auf diese einfache Weise lassen sich aus Ferritkernen aufgebaute semipermanente Speicher und Schnellspeicher gleichzeitig aus einer gemeinsamen Steuereinrichtung steuern.

Claims (6)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Semipermanenter Ferritkern-Speicher, da durch gekennzeichnet, daß außer den in üblicher Weise für das Einschreiben und Lesen der Informationen benötigten und durch die Ferritkerne (K) hindurchgeführten Drähten (1, 2, 3) jedem Kern eine zusätzliche Drahtschleife (4) zugeordnet ist und daß bei der Abtastung des einzelnen Ferritkernes, je nachdem ob die Drahtschleife offen oder kurzgeschlossen (5) ist, über den dem semipermanenten Speicher zugeordneten Leseverstärker unterschiedliche Informationen gebildet werden.
2. Semipermanenter Ferritkern-Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in matrizenartig angeordneten Ferritkern-Speichern durch alle Ferritkerne (K) einer Zeile oder Spalte ein Draht (4') hindurchgeführt ist, von dem jeweils zu beiden Seiten eines Ferritkernes eine Anzapfung (4") zu einem auf einer Isolierplatte (J) angeordneten Anschlußpunkt (A 1, A 2) führt.
3. Semipermanenter Ferritkern-Speicher nach ίο Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die jeweils zwischen zwei Ferritkernen hegenden Anzapfungen zusammengefaßt sind und zu einem den beiden betreffenden Ferritkernen gemeinsam zugeordneten Anschlußpunkt führen.
4. Semipermanenter Ferritkern-Speicher nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kurzschluß der zusätzlichen Drahtschleife durch Steckverbindung an den Anschlußpunkten des betreffenden Ferritkernes erfolgt.
5. Semipermanenter Ferritkern-Speicher nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kurzschluß der zusätzlichen Drahtschleife durch von anderer Stelle aus steuerbare Schaltmittel (Relaiskontakte, Transistoren od. dgl.) erfolgt.
6. Schaltungsanordnung unter Anwendung eines semipermanenten Ferritkern-Speichers nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils die entsprechenden Zeilen- und Spaltendrähte von einem oder mehreren semipermanenten Ferritkern-Speichern (z. B. 51) und einem oder mehreren Ferritkern-Speichern üblicher Art (z. B. 52, 53) gleichsinnig in Reihe geschaltet sind und über die zugeordneten Zeilen- und Spaltendurchschalter (Dz, Ds) mit dem Schreibbzw. Lesegenerator (G) verbunden sind, daß jeder Speicher der Anordnung eine getrennte Leseschleife mit Leseverstärker aufweist und daß das Abtastergebnis aller Leseverstärker gleichzeitig ausgewertet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Funkschau, Übertrager- und Drosseltabelle, November 1948, S. 8.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEST15521A 1959-08-29 1959-08-29 Semipermanenter Ferritkern-Speicher und Schaltungsanordnung zur gleichzeitigen Steuerung von semipermanenten Ferritkern-Speichern und Ferritkernspeichern ueblicher Art Pending DE1132965B (de)

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US44956A US3130391A (en) 1959-08-29 1960-07-25 Circuit arrangement for ferrite-core storage devices
GB29584/60A GB915735A (en) 1959-08-29 1960-08-26 Ferrite-core storage device
CH969960A CH384634A (de) 1959-08-29 1960-08-27 Ferritkernspeicher

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GB (1) GB915735A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1174836B (de) * 1962-04-19 1973-10-04

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL264643A (de) * 1961-05-10
US3264620A (en) * 1962-09-13 1966-08-02 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory circuit
DE1549145A1 (de) * 1967-04-29 1971-02-18 Zuse Kg Matrix-Speicher
US3582919A (en) * 1968-08-30 1971-06-01 Tdk Electronics Co Ltd Magnetic-core memory matrix threading system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2284406A (en) * 1940-03-01 1942-05-26 Gen Electric Transformer
NL198585A (de) * 1954-07-02
US2901735A (en) * 1955-04-29 1959-08-25 Sperry Rand Corp Magnetic amplifier drive for coincident current switch
NL218379A (de) * 1956-06-26
DE1074297B (de) * 1957-10-17 1960-01-28 N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Matrixspeichervorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1174836B (de) * 1962-04-19 1973-10-04
DE1174836C2 (de) * 1962-04-19 1973-10-04 Magnetischer festwertspeicher

Also Published As

Publication number Publication date
US3130391A (en) 1964-04-21
CH384634A (de) 1964-11-30
GB915735A (en) 1963-01-16

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