DE1132404B - Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines Dotierungsmetalls - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines Dotierungsmetalls

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DE1132404B DES60369A DES0060369A DE1132404B DE 1132404 B DE1132404 B DE 1132404B DE S60369 A DES60369 A DE S60369A DE S0060369 A DES0060369 A DE S0060369A DE 1132404 B DE1132404 B DE 1132404B
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Dr Heinz Henker
Dr Erich Pammer
Dipl-Phys Dieter Enderlein
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    • H10P95/00—

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  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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