CH383719A - Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien Kontakts - Google Patents

Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien Kontakts

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CH383719A
CH383719A CH7957959A CH7957959A CH383719A CH 383719 A CH383719 A CH 383719A CH 7957959 A CH7957959 A CH 7957959A CH 7957959 A CH7957959 A CH 7957959A CH 383719 A CH383719 A CH 383719A
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Heinz Dr Henker
Erich Dr Pammer
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Siemens Ag
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CH7957959A 1958-10-24 1959-10-16 Verfahren zum Einlegieren eines Dotierungsmetalls in einen Halbleiterkörper, insbesondere zur Herstellung eines pn-Übergangs oder eines sperrfreien Kontakts CH383719A (de)

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DES60606A DE1197178B (de) 1958-10-24 1958-11-14 Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper

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