DE1131326B - Verfahren zum Herstellen von pnpn- bzw. npnp-Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von pnpn- bzw. npnp-Halbleiteranordnungen

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DE1131326B
DE1131326B DES62761A DES0062761A DE1131326B DE 1131326 B DE1131326 B DE 1131326B DE S62761 A DES62761 A DE S62761A DE S0062761 A DES0062761 A DE S0062761A DE 1131326 B DE1131326 B DE 1131326B
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melted
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DES62761A
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Harry Wyndham Lister Cumming
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Siemens Edison Swan Ltd
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Siemens Edison Swan Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB752457A (en) * 1953-01-16 1956-07-11 Gen Electric Improvements relating to p-n junction semi-conductors
DE949512C (de) * 1952-11-14 1956-09-20 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern
DE1008416B (de) * 1953-03-20 1957-05-16 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Flaechentransistoren
DE1019013B (de) * 1954-03-12 1957-11-07 Gen Electric Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren
DE1024640B (de) * 1953-07-22 1958-02-20 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Kristalloden

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE949512C (de) * 1952-11-14 1956-09-20 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern
GB752457A (en) * 1953-01-16 1956-07-11 Gen Electric Improvements relating to p-n junction semi-conductors
DE1008416B (de) * 1953-03-20 1957-05-16 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Flaechentransistoren
DE1024640B (de) * 1953-07-22 1958-02-20 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Kristalloden
DE1019013B (de) * 1954-03-12 1957-11-07 Gen Electric Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren
DE1026433B (de) * 1954-03-12 1958-03-20 Gen Electric Flaechenhalbleiter und Verfahren zur Herstellung desselben durch lokale Schmelzung

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