DE1130926B - Verfahren zur Herstellung eines Metalloxydkondensators - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines MetalloxydkondensatorsInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung eines Metalloxydkondensators Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Metalloxydkondensators, dessen eine Belegung aus einem Ventilmetall besteht, auf der eine als Dielektrikum dienende Oxydschicht aufgewachsen ist, und dessen zweite Belegung aus einer auf die Oxydschicht aufgebrachten leitenden Schicht, insbesondere aus Graphit, besteht.
- Es ist bekannt, daß eine auf einer Elektrode aufgewachsene Oxydschicht ihre Sperrwirkung verliert, wenn sie mit kathodisch geschalteten Elektronenleitern in Berührung kommt. Diese Eigenschaft ist darauf zurückzuführen, daß die durch z. B. anodische Oxydation des Elektrodenmetalls hergestellte Oxydschicht, z. B. eine Aluminiumoxydschicht, elektronen- und ionenleitend sein kann. Die Ionenleitung bereitet wenig Schwierigkeiten, da im allgemeinen die Betriebstemperaturen und Betrebsspannungen für eine Ionenwanderung zu niedrig sind, während bei Berührung der Oxydschicht mit festen Elektronenleitern eine Elektronenleitung vermutlich an den meisten den Poren oder Kapillaren benachbarten Korngrenzen vorhanden ist und sich außerordentlich störend auswirkt, da weitgehend der hohe elektrische Widerstand der Oxydschicht verlorengeht.
- Es ist bekannt, Tantaltrockenelektrolytkondensatoren in der Weise herzustellen, daß auf einer auf Tantalmetall aufgewachsenen Tantaloxydschicht durch Zersetzung von Mangannitrat eine halbleitende Mangandioxydschicht hergestellt wird. Auf die halbleitende Schicht wird sodann durch Eintauchen in eine wässerige Graphitlösung und Verdampfen des Wassers eine Graphitschicht aufgebracht. Dieses Verfahren stellt keine Lösung, sondern nur eine Umgehung des vorliegenden Problems, die nachteiligen Folgen der Berührung der Oxydschicht mit einem kathodisch geschalteten Elektronenleiter zu beheben, dar, da hierbei durch die halbleitende Zwischenschicht die unmittelbare Berührung zwischen Oxydschicht und Gegenbelegung verhindert wird. Andererseits bedingt die komplizierte Aufbringung der halbleitenden Schicht in mehreren Stufen eine Vergrößerung des Aufwandes.
- Weiterhin ist es bekannt, bei der Aufbringung einer Belegung auf eine Oxydschicht dabei auftretende Mängel durch Verstopfung der Poren und Kapillaren vor Aufbringen der leitenden Schicht zu beseitigen, z. B. durch Imprägnieren der Oxydschicht mit Isolierstoffen, Abscheidung von Metallen in den Kapillaren und anschließende Oxydation der Metalle oder auch durch hydrolytische und thermische Zersetzung eines Aluminiumalkoholats nach der Imprägnierung, wobei eine Verstopfung der Poren mit Aluminiumoxyd erreicht wird. Schließlich ist bekannt, daß die Verstopfung der Poren der Oxydschicht auch durch kataphoretische Einlagerung dielektrisch hochwertiger Stoffe wie z. B. Titandioxyd erfolgen kann. Die Verstopfung der Poren durch Einlagerung von Isolierstoffen schließt jedoch nicht aus, daß engere Poren noch erhalten blieben, die bei Berührung mit einem Elektronenleiter die obengenannten Mängel zur Folge haben.
- Zur Lösung dieses Problems wird bei dem Verfahren zur Herstellung eines Metalloxydkondensators gemäß der Erfindung vorgeschlagen, die die zweite Belegung bildende, leitende Schicht elektrophoretisch auf die Oxydschicht aus einem den die leitende Schicht bildenden Stoff in feiner Verteilung enthaltenden Elektrolyten aufzubringen. Während der Aufbringung der leitenden Schicht, insbesondere aus Graphit, auf die Oxydschicht werden die Poren infolge des angewendeten Aufbringungsverfahrens mit anodisch gebildetem Sauerstoff gefüllt, so daß ein Eindringen der leitenden Teilchen in die Poren der Oxydschicht nicht möglich ist.
- Bei der anodischen Schaltung der formierten Belegungen aus Aluminium od. dgl. wird bekanntlich Sauerstoff in den Poren, Rissen und Kapillaren der Oxydschicht abgeschieden, und diese sind daher mit einer Gasblase ausgefüllt. Werden nun gemäß der Erfindung vorformierte Drähte, beispielsweise Aluminiumdrähte, bei angelegter Spannung für kurze Zeit in z. B. ein Elektrolyt-Graphit-Gemisch eingetaucht, so wird Graphit elektrophoretisch in dünner Schicht auf der Oxydschicht der Drähte abgeschieden. Da ein Eindringen des Graphits in die durch Sauerstoff verschlossenen Poren nicht möglich ist, bleibt der hohe elektrische Widerstand der Oxydschicht erhalten. Die Drähte werden zum Antrocknen der Graphitschicht so weit aus dem Elektrolyten herausgezogen, daß nur noch die Spitze des Drahtes die Elektrolytoberfiäche berührt. Nach dem Trocknen zeigt die Graphitschicht eine ausreichende Haftfestigkeit auf dem Aluminiumoxyd. Der ganze Vorgang läßt sich mehrmals wiederholen, und ohne Gefahr eines Kurzschlusses ist es möglich, den Draht mit Graphit zur Herstellung einer stärkeren Graphitschicht bei angelegter Spannung zu kontaktieren. Die leitende Schicht kann weiterhin galvanisch oder thermisch mit Silber oder anderen Metallen verstärkt werden.
- An Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung nochmals näher erläutert.
- Auf einer Aluminiumfolie 1 ist die Oxydschicht 2 anodisch erzeugt worden. Sie enthält Fehlstellen, die durch Sauerstoffblasen 3, 3', 3", 3"' ausgefüllt sind und die ein Eindringen der Graphitteilchen aus dem Elektrolyten oder aus der Graphitschicht 4 in die Fehlstellen verhindern. Bei längerer kataphoretischer Abscheidung können hierbei die mit Gas gefüllten Poren allmählich überwachsen werden, wie es bei 3' und 3"' angedeutet ist.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung eines Metalloxydkondensators, dessen eine Belegung aus einem Ventilmetall besteht, auf der eine als Dielektrikum dienende Oxydschicht aufgewachsen ist, und dessen zweite Belegung aus einer auf die Oxydschicht aufgebrachten leitenden Schicht, insbesondere aus Graphit, besteht, dadurch gekennzeichne4 daßi die die zweite Belegung, bildende leitende Schicht elektrophoretisch auf die Oxydschicht aus einem den die leitende Schicht bildenden Stoff in feiner Verteilung enthaltenden Elektrolyten aufgebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht galvanisch mit Silber oder anderen Metallen verstärkt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 898 479, 898 482; britische Patentschrift Nr. 747 051.
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Cited By (1)
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE898479C (de) * | 1940-07-11 | 1953-11-30 | Siemens Ag | Elektrischer Kondensator mit einem Dielektrikum aus auf einem Belegungsmetall aufgewachsenen Umsetzungsprodukten |
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- 1960-07-06 CH CH774560A patent/CH392648A/de unknown
- 1960-08-05 GB GB2720460A patent/GB900504A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| GB900504A (en) | 1962-07-04 |
| CH392648A (de) | 1965-05-31 |
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