DE1126516B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang

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DE1126516B
DE1126516B DES68299A DES0068299A DE1126516B DE 1126516 B DE1126516 B DE 1126516B DE S68299 A DES68299 A DE S68299A DE S0068299 A DES0068299 A DE S0068299A DE 1126516 B DE1126516 B DE 1126516B
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semiconductor
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substance
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Dr Ottomar Jaentsch
Barbara Patalong Geb Matil
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Siemens Corp
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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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    • H—ELECTRICITY
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