DE112022008031T5 - Halbleitervorrichtung und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE112022008031T5
DE112022008031T5 DE112022008031.0T DE112022008031T DE112022008031T5 DE 112022008031 T5 DE112022008031 T5 DE 112022008031T5 DE 112022008031 T DE112022008031 T DE 112022008031T DE 112022008031 T5 DE112022008031 T5 DE 112022008031T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
metal block
bonded
semiconductor chip
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112022008031.0T
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Koji Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE112022008031T5 publication Critical patent/DE112022008031T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65Shapes or dispositions of interconnections
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
DE112022008031.0T 2022-11-22 2022-11-22 Halbleitervorrichtung und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung Pending DE112022008031T5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/043190 WO2024111058A1 (ja) 2022-11-22 2022-11-22 半導体装置および半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022008031T5 true DE112022008031T5 (de) 2025-11-06

Family

ID=91195888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112022008031.0T Pending DE112022008031T5 (de) 2022-11-22 2022-11-22 Halbleitervorrichtung und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20250372496A1 (https=)
JP (1) JPWO2024111058A1 (https=)
CN (1) CN120202541A (https=)
DE (1) DE112022008031T5 (https=)
WO (1) WO2024111058A1 (https=)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245171A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Toshiba Corp 電子部品モジュール
JP2007088030A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP5239291B2 (ja) * 2007-10-24 2013-07-17 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5965687B2 (ja) * 2012-03-23 2016-08-10 株式会社 日立パワーデバイス パワー半導体モジュール
JP7026451B2 (ja) * 2017-05-11 2022-02-28 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール及びその製造方法並びに電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN120202541A (zh) 2025-06-24
US20250372496A1 (en) 2025-12-04
JPWO2024111058A1 (https=) 2024-05-30
WO2024111058A1 (ja) 2024-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014213564B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102007046021B4 (de) Halbleiteranordnung, Halbleitermodul und Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Keramiksubstrat
DE102014212376B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102019132837B4 (de) Doppelseitiges Kühlleistungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112019005011T5 (de) Halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils
DE112016002608T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leistungs-Halbleitervorrichtung und Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE102018217231A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben
DE102020122125B4 (de) Halbleitermodul
EP3555913B1 (de) Halbleitermodul mit bodenplatte mit hohlwölbung
DE102015220639B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
WO2017140571A1 (de) Verfahren zur herstellung einer wärmespreizplatte, wärmespreizplatte, verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls und halbleitermodul
WO2010130235A2 (de) Verfahren zur kontaktsinterung von bandförmigen kontaktelementen
DE102015114521B4 (de) Verfahren zum Auflöten eines Isoliersubstrats auf einen Träger
DE102020119148A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102015114522A1 (de) Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners auf einen zweiten Lötpartner unter Verwendung von Abstandhaltern
DE112018006382B4 (de) Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinheit
DE112022008031T5 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren für eine Fertigung einer Halbleitervorrichtung
DE102018201872A1 (de) Leistungsmodul
DE102022120253B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102020208360B4 (de) Formdraht, Leiterplatte, Leistungselektronik und Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte
DE112023000590T5 (de) Polymer-versiegelte halbleitervorrichtung
EP2609620B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen schaltung und elektrische schaltung
DE102022100931B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102022102018B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE112021008458T5 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023492000

Ipc: H10W0070200000