DE112018007610B4 - Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Lampe und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Lampe und Herstellungsverfahren dafür Download PDF

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Abstract

Lampe, die aufweist:ein Substrat (310, 410),mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (350, 450), die auf dem Substrat (310, 410) angeordnet sind,eine flache Schicht (330, 430), die zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) gebildet ist, undeinen Abstandshalter (371, 471), der zwischen dem Substrat (310, 410) und der flachen Schicht (330, 430) angeordnet ist,wobei ein Luftspalt (380, 480) zwischen jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (350, 450) und dem Abstandshalter (371, 471) gebildet ist,wobei der Luftspalt (380, 480) einen Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) umgibt, undwobei die Lampe ferner aufweist:eine auf dem Substrat (310, 410) angeordnete Leitungselektrode (320, 420), undeine zwischen der Leitungselektrode (320, 420) und jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (350, 450) angeordnete Metall-Lötmittelschicht (360, 460),wobei der Luftspalt (380, 480) oberhalb der Leitungselektrode (320, 420) gebildet ist undeinen Umfang der Metall-Lötmittelschicht (360, 460) umgibt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Lampe und insbesondere eine Lampe, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet.
  • HINTERGRUND
  • Ein Fahrzeug oder Automobil ist mit verschiedenen Lampen ausgestattet, die Beleuchtungs- und Signalisierungsfunktionen haben. Für gewöhnlich werden Halogenlampen oder Gasentladungslampen verwendet, aber in den letzten Jahren stehen lichtemittierende Dioden (LEDs) als Lichtquellen für Automobil- oder Fahrzeuglampen im Rampenlicht.
  • Die LED kann die Gestaltungsmöglichkeiten einer Lampe verbessern und gleichzeitig deren Größe reduzieren und ist aufgrund einer semipermanenten Lebensdauer wirtschaftlich; aber die meisten LEDs werden heutzutage in Form einer Baugruppe hergestellt. Die LED selbst, anders als die Baugruppe, wird als lichtemittierende Halbleitervorrichtung zum Umwandeln von Strom in Licht entwickelt, das heißt als bildanzeigende Lichtquelle, die in einer elektronischen Vorrichtung wie beispielsweise einer Informations- und Kommunikationsvorrichtung verwendet wird.
  • Heutzutage entwickelte Automobillampen verwenden jedoch LEDs in Baugruppenform, die Nachteile haben, wie beispielsweise einen niedrigen Ertrag bei der Massenproduktion, hohe Herstellungskosten und eine geringe Flexibilität.
  • Zu einer lichtemittierenden Vorrichtung (oder einem lichtemittierenden Element) nach unten wanderndes Licht kann zu einer Abnahme der Lampenlichtmenge führen. Daher werden Strukturen entwickelt, die die Lichtextraktionsgeschwindigkeit einer Lampe erhöhen können, indem sie nach unten zur lichtemittierenden Halbleitervorrichtung wanderndes Licht reflektieren.
  • EP 3 159 608 A1 offenbart eine Glasscheibe mit integrierter elektronischer Vorrichtung. Die WO 2017 / 217 330 A1 betrifft ein LED Anzeigepanel und eine onboard LED Anzeigevorrichtung. Weiter Dokumente des Stands der Technik sind die DE 10 2008 060 553 A1 betreffend eine Hinterleuchtungseinheit, die US 2017 / 0 365 755 A1 betreffend ein Verfahren zum Füllen einer organischen oder anorganischen Flüssigkeit in ein Modul sowie die US 2015 / 0 340 346 A1 , die eine Halbleiterarraystruktur offenbart.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Offenbarung beschreibt eine Lampe, die geeignet ist, eine Lampenlichtmenge zu vergrößern, indem sie Licht, das nach unten zu einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung wandert, reflektiert.
  • Die Erfindung wird in den unabhängigen Ansprüchen definiert. Abhängige Ansprüche beschreiben bevorzugte Ausführungsformen.
  • Gemäß einem Aspekt des in dieser Anmeldung beschriebenen Gegenstands weist eine Lampe auf: ein Substrat, mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, die auf dem Substrat angeordnet sind, eine flache Schicht, die zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gebildet ist, und einen Abstandshalter, der zwischen dem Substrat und der flachen Schicht angeordnet ist. Ein Luftspalt ist zwischen jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und dem Abstandshalter gebildet.
  • Der Luftspalt umgibt einen Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen.
  • Ferner sind eine auf dem Substrat angeordnete Leitungselektrode und eine zwischen der Leitungselektrode und jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnete Metall-Lötmittelschicht vorgesehen. Der Luftspalt ist oberhalb der Leitungselektrode gebildet und umgibt einen Umfang der Metall-Lötmittelschicht.
  • Implementierungen gemäß diesem Aspekt können eines oder mehrere der folgenden Merkmale aufweisen. In einigen Implementierungen kann ein Teil jeder der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen von einer flachen Schicht umgeben sein, und ein anderer Teil davon kann vom Luftspalt umgeben sein.
  • In einigen Implementierungen kann jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen komplett von der flachen Schicht umgeben sein, und der Luftspalt kann die Metall-Lötmittelschicht umgeben.
  • In einigen Implementierungen kann die flache Schicht einen ersten Bereich, der die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen umgibt, und einen zweiten Bereich, der den ersten Bereich umgibt, aufweisen. Der Luftspalt kann zwischen dem ersten Bereich und dem Substrat gebildet sein.
  • In einigen Implementierungen kann der Abstandshalter an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich vorgesehen sein, und der zweite Bereich kann den Abstandshalter umgeben.
  • In einigen Implementierungen kann ferner eine Glasschicht vorgesehen sein, die in einem Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gebildet ist und auf dem Substrat angeordnet ist. Der Abstandshalter kann von der Glasschicht in einer Dickenrichtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen vorstehen.
  • In einigen Implementierungen kann ein Teil des zweiten Bereichs auf der Glasschicht angeordnet sein.
  • Gemäß einem anderen Aspekt des in dieser Anmeldung beschriebenen Gegenstands wird ein Verfahren zum Herstellen einer Lampe bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Übertragen von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen, die jeweils einen in einem Umfang davon gebildeten Chipleiter haben, auf die Leitungselektrode, Bilden einer Beschichtungsschicht durch Rotationsbeschichten eines Substrats mit einem Harz auf Glasbasis, Aushärten der Beschichtungsschicht, Bilden einer flachen Schicht zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen nach dem Aushärten der Beschichtungsschicht und Ätzen eines Abschnitts der flachen Schicht, um eine obere Elektrode zu bilden. Das Übertragen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen auf die Leitungselektrode wird so durchgeführt, dass ein Raum zwischen dem Chipleiter und dem Substrat gebildet wird, und das Bilden der Beschichtungsschicht wird so durchgeführt, dass die Beschichtungsschicht in dem Raum gebildet wird.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung reflektiert ein in einem Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildeter Spalt nach unten zur lichtemittierenden Halbleitervorrichtung wanderndes Licht komplett, wodurch die Lichtextraktionsgeschwindigkeit der Lampe erhöht wird.
  • Ferner kann der Luftspalt im Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung ohne ein separates oder zusätzliches Verfahren gebildet werden, wodurch die Lichtextraktionsgeschwindigkeit der Lampe erhöht werden kann, ohne dass die Produktionskosten steigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
    • 1 ist eine konzeptionelle Ansicht, die ein Beispiel einer Lampe zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet.
    • 2 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils „A“ in 1, und 3 ist eine Querschnittsansicht des Teils „A“ in 1.
    • 4 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierenden Halbleitervorrichtung vom Vertikaltyp von 3 zeigt.
    • 5 und 6 sind Querschnittsansichten einer Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 bis 11 sind konzeptionelle Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Es folgt nun eine detaillierte Beschreibung gemäß den hierin offenbarten beispielhaften Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen. Um die Beschreibung mit Bezug auf die Zeichnungen kurz zu halten, können die gleichen oder äquivalente Bauteile mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sein und deren Beschreibung wird nicht wiederholt. Im Allgemeinen kann ein Ausdruck wie „Modul“ und „Einheit“ verwendet werden, um sich auf Elemente oder Bauteile zu beziehen. Vorliegend dient die Verwendung eines derartigen Begriffs lediglich dem besseren Verständnis der Beschreibung und der Begriff selbst soll keine spezielle Bedeutung oder Funktion haben. Wenn angenommen wird, dass eine detaillierte Erklärung für eine verwandte bekannte Funktion oder Konstruktion unnötigerweise von der Hauptsache der vorliegenden Offenbarung ablenkt, wurde bei der Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine derartige Erklärung verzichtet; sie würde aber trotzdem vom Fachmann verstanden werden. Die beiliegenden Zeichnungen dienen einem leichteren Verständnis des technischen Gedankens der vorliegenden Offenbarung und der Gedanke der vorliegenden Offenbarung wird selbstverständlich nicht durch die beiliegenden Zeichnungen eingeschränkt.
  • Wenn ein Element wie beispielsweise eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat als „auf“ einem anderen Element beschrieben wird, kann es selbstverständlich direkt auf dem Element sein, oder es können auch ein oder mehrere Zwischenelemente vorhanden sein.
  • Eine in dieser Beschreibung beschriebene Lampe kann an einem Fahrzeug angebracht sein. Insbesondere kann eine hierin offenbarte Lampe eine Frontleuchte, ein Rücklicht, ein Positionslicht, eine Nebelleuchte, ein Blinker, ein Halte- oder Bremslicht, eine Gefahr- oder Notfalllampe, eine Rückfahrleuchte und dergleichen sein. Der Klarheit halber wird eine Ausführungsform beschrieben, in der die Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung an einem Fahrzeug angebracht ist, aber die Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung kann, außer an einem Fahrzeug, auch an jeder Vorrichtung angebracht sein, die einen Beleuchtungskörper bzw. ein Beleuchtungselement benötigt.
  • 1 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine Ausführungsform einer Lampe zeigt, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet.
  • Eine Lampe 10 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist einen am Fahrzeugkörper befestigten Rahmen 11 und eine am Rahmen 11 installierte Lichtquelleneinheit 12 auf.
  • Eine Leitung zum Zuführen von Strom zur Lichtquelleneinheit 12 kann mit dem Rahmen 11 verbunden sein, und der Rahmen 11 kann direkt oder mit Hilfe einer Klammer am Fahrzeugkörper befestigt sein. In einigen Implementierungen kann die Lampe 10 eine Linseneinheit aufweisen, um von der Lichtquelleneinheit 12 emittiertes Licht besser zu verteilen und zu schärfen.
  • Die Lichtquelleneinheit 12 kann eine flexible Lichtquelleneinheit sein, die von einer externen Kraft gekrümmt, gebogen, gedreht, gefaltet oder gerollt werden kann.
  • In einem ungekrümmten Zustand der Lichtquelleneinheit 12 (z.B. einem Zustand mit einem unendlichen Krümmungsradius, im Folgenden „erster Zustand“ genannt), ist die Lichtquelleneinheit 12 flach. Wenn der erste Zustand in einen Zustand verändert wird, in dem die Lichtquelleneinheit 12 durch eine externe Kraft gebogen ist (z.B. einen Zustand mit einem endlichen Krümmungsradius, im Folgenden „zweiter Zustand“ genannt), kann die flexible Lichtquelleneinheit eine gekrümmte Fläche haben, bei der mindestens ein Teil gekrümmt oder gebogen ist.
  • Ein Pixel der Lichtquelleneinheit 12 kann von einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung implementiert werden. Die vorliegende Offenbarung zeigt beispielhaft eine lichtemittierende Diode (LED) als eine Art von lichtemittierender Halbleitervorrichtung zum Umwandeln von Strom in Licht. Die LED kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit geringer Größe sein, um selbst im zweiten Zustand als ein Pixel zu dienen.
  • Die Lichtquelleneinheit 12 gemäß der vorliegenden Offenbarung weist eine Einheitslichtquelle, ein Basissubstrat und eine Verbindungselektrode auf. Im Folgenden werden die oben genannten Bauteile (Komponenten) näher beschrieben.
  • In der Lichtquelleneinheit 12 kann auch nur die Einheitslichtquelle vorgesehen sein. Im Folgenden wird die Einheitslichtquelle basierend auf der Lichtquelleneinheit 12 mit nur der Einheitslichtquelle näher beschrieben.
  • 2 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht eines Teils „A“ in 1, 3 ist eine Querschnittsansicht des Teils „A“ in 1 und 4 ist eine konzeptionelle Ansicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Vertikaltyp von 3 zeigt.
  • Bei 2, 3 und 4 wird eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Passiv-Matrix-Typ (PM-Typ) als die die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendende Einheitslichtquelle 100 verwendet. Ein unten beschriebenes Beispiel kann jedoch auch auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Aktiv-Matrix-Typ (AM-Typ) angewendet werden.
  • Die Einheitslichtquelle 100 kann ein Substrat 110, eine erste Elektrode 120, eine erste Klebeschicht 130, eine zweite Elektrode 140 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 aufweisen.
  • Das Substrat 110 kann eine Basisschicht sein, auf der durch ein komplettes Verfahren eine Struktur gebildet ist, und sie kann ein Leitungssubstrat sein, auf dem die erste Elektrode 120 angeordnet ist. Das Substrat 110 kann aus Glas oder Polyimid (PI) bestehen, um eine flexible Lichtquelleneinheit zu implementieren. Das Substrat 110 kann auch aus einem dünnen Metall bestehen. Das Substrat 110 kann alternativ aus jedem Material bestehen, das Isoliereigenschaften hat und flexibel ist, beispielsweise Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) und dergleichen. Ferner kann das Substrat 110 aus transparenten oder nicht-transparenten Materialien bestehen.
  • Auf dem Substrat 110 können eine Wärmeableitschicht, eine Wärmesenke oder dergleichen montiert sein, um eine Wärmeableitfunktion bereitzustellen. Hier können die Wärmeableitschicht, die Wärmesenke oder dergleichen auf einer Fläche montiert sein, die der Fläche gegenüberliegt, auf der die erste Elektrode 120 angeordnet ist.
  • Die erste Elektrode 120 ist auf dem Substrat 110 angeordnet und kann als (geformte) Flächenelektrode ausgebildet sein. Daher kann die erste Elektrode 120 eine auf dem Substrat angeordnete Elektrodenschicht sein und kann als Datenelektrode verwendet werden. In einer Implementierung kann ein Elektrodenfleck, der eine elektrische Verbindung mit einer Verbindungselektrode erleichtert, auf der ersten Elektrode angeordnet sein.
  • Die erste Klebeschicht 130 ist an der Stelle auf dem Substrat 110 gebildet, an der sich die erste Elektrode 120 befindet.
  • Die erste Klebeschicht 130 kann eine Schicht mit Haftkraft und Leitfähigkeit sein. Dazu können ein leitendes Material und ein klebendes Material auf der ersten Klebeschicht 130 gemischt werden. Daher kann die erste Klebeschicht als eine „erste leitende Klebeschicht“ bezeichnet werden. Ferner kann die erste Klebeschicht 130 flexibel sein, um in der Lichtquelleneinheit eine Flexibilitätsfunktion bereitzustellen.
  • Zum Beispiel kann die erste Klebeschicht 130 eine anisotrope leitende Folie (anisotropic conductive film - ACF), eine anisotrope leitende Paste, eine Lösung mit leitenden Partikeln und dergleichen sein. Die erste Klebeschicht 130 kann als Schicht ausgebildet sein, die in einer sich durch ihre Dicke erstreckenden Z-Richtung eine elektrische Zwischenverbindung erlaubt, in einer horizontalen X-Y-Richtung jedoch elektrisch isolierend ist. Daher kann die erste Klebeschicht 130 als eine „in der Z-Achse leitende Schicht“ bezeichnet werden.
  • Die anisotrope leitende Folie ist eine Folie, in der ein anisotropes leitendes Medium mit einem isolierenden Basiselement gemischt ist. Wenn Wärme und Druck aufgebracht werden, ist nur ein bestimmter Abschnitt aufgrund des anisotropen leitenden Mediums leitfähig. Im Folgenden wird ein Beispiel beschrieben, bei dem Wärme und Druck auf die anisotrope leitende Folie aufgebracht werden; es können jedoch alternativ auch andere Verfahren verwendet werden, um die anisotrope leitende Folie teilweise leitfähig zu machen. Beispiele für ein derartiges Verfahren sind ein Verfahren zum Aufbringen von entweder Wärme oder Druck, ein UV-Aushärteverfahren und dergleichen.
  • Außerdem kann das anisotrope leitende Medium beispielsweise eine leitende Kugel oder ein leitender Partikel sein. In dieser Ausführungsform ist die anisotrope leitende Folie eine Folie, in der leitende Kugeln mit einem isolierenden Basiselement gemischt sind. Wenn Wärme und Druck aufgebracht werden, wird nur ein bestimmter Abschnitt der anisotropen leitenden Folie durch die leitenden Kugeln leitfähig. Die anisotrope leitende Folie kann mehrere Partikel aufweisen, bei denen jeweils ein Kern aus einem leitenden Material mit einer isolierenden Folie aus einem Polymermaterial umgeben ist. In diesem Fall wird die isolierende Folie eines Abschnitts, auf den Wärme und Druck aufgebracht wurden, gebrochen und dadurch durch den Kern leitfähig. Die Form des Kerns kann so verändert werden, dass eine Schicht entsteht, die mit der Folie in einer Dickenrichtung der Folie in Kontakt ist. Genauer gesagt werden Wärme und Druck auf die gesamte anisotrope leitende Folie aufgebracht und eine elektrische Verbindung in der Z-Achsenrichtung wird teilweise durch eine Höhendifferenz eines Objekts gebildet, das durch die anisotrope leitende Folie anhaftet.
  • Gemäß einem weiteren Beispiel kann die anisotrope leitende Folie mehrere Partikel aufweisen, bei denen jeweils der isolierende Kern mit dem leitenden Material umgeben ist. In diesem Fall wird das leitende Material in dem Abschnitt, auf den die Wärme und der Druck aufgebracht wurden, verformt (verklemmt, gedrückt) und somit ist der Abschnitt in der Dickenrichtung der Folie leitfähig. Gemäß einem anderen Beispiel kann das leitende Material das isolierende Basiselement in der Z-Achsenrichtung durchdringen, so dass die Folie in ihrer Dickenrichtung leitfähig ist. In diesem Fall kann das leitende Material einen scharfen Endabschnitt haben.
  • Die anisotrope leitende Folie kann eine anisotrope leitende Folie (ACF) mit festem Gefüge sein, in der leitende Kugeln in eine Fläche des isolierenden Basiselements eingebracht werden. Insbesondere besteht das isolierende Basiselement aus einem Material mit Haftkraft und die leitenden Kugeln konzentrieren sich auf einem Bodenabschnitt des isolierenden Basiselements. Wenn Wärme und Druck auf das Basiselement aufgebracht werden, wird das Basiselement zusammen mit den leitenden Kugeln verformt, um so in einer senkrechten Richtung leitfähig zu werden.
  • Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die anisotrope leitende Folie kann alternativ auch dadurch gebildet werden, dass leitende Kugeln wahllos in das isolierende Basiselement eingesetzt werden, oder sie kann in Form einer Doppel-ACF ausgebildet werden, in der mehrere Schichten vorgesehen sind und die leitenden Kugeln in einer der Schichten angeordnet sind.
  • Die anisotrope leitende Paste ist eine Kombination aus einer Paste und leitenden Kugeln, d.h. sie kann eine Paste sein, in der leitende Kugeln mit einem Basismaterial gemischt sind, das Isoliereigenschaften und Haftkraft aufweist. Ferner kann die Lösung mit leitenden Partikeln eine Lösung sein, die leitende Partikel oder Nanopartikel enthält.
  • Wenn eine anisotrope leitende Folie in einem Zustand aufgebracht wird, in dem die erste Elektrode 120 auf dem Substrat 110 angeordnet ist, werden Wärme und Druck aufgebracht, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 damit zu verbinden, wodurch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 elektrisch mit der ersten Elektrode 120 verbunden werden kann. Hier kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 vorzugsweise auf der ersten Elektrode 120 angeordnet sein. Da die anisotrope leitende Folie eine klebende Komponente enthält, stellt außerdem die erste Klebeschicht 130 nicht nur eine elektrische Verbindung, sondern auch eine mechanische Verbindung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der ersten Elektrode 120 bereit.
  • Als weiteres Beispiel kann die erste Klebeschicht 130 aus einer Legierung auf Zinnbasis, Au, Al, Pb oder dergleichen bestehen, um eine eutektische Bindung bereitzustellen, und das Substrat 110 und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 können durch eutektische Bindung miteinander verbunden werden.
  • Da die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 exzellente Leuchteigenschaften hat, kann sie ein einzelnes Einheitspixel darstellen, obwohl sie eine geringe Größe hat. Die Größe der einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 kann auf einer Seite davon weniger als 80 µm betragen und sie kann eine rechteckige oder quadratische Vorrichtung sein. In diesem Fall kann eine Fläche einer einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung im Bereich von 10-10 bis 10-5 m2 liegen, und ein Abstand oder Spalt zwischen den lichtemittierenden Vorrichtungen kann im Bereich von 100 µm bis 10 mm liegen.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann eine vertikale Struktur haben.
  • Mehrere zweite Elektroden 140 sind zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 vom Vertikaltyp angeordnet und die mehreren zweiten Elektroden 140 sind jeweils elektrisch mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 verbunden.
  • In 4 weist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung vom Vertikaltyp eine Elektrode 156 vom p-Typ, eine auf der Elektrode 156 vom p-Typ gebildete Halbleiterschicht 155 vom p-Typ, eine auf der Halbleiterschicht 155 vom p-Typ gebildete aktive Schicht 154, eine auf der aktiven Schicht 154 gebildete Halbleiterschicht 153 vom n-Typ und eine auf der Halbleiterschicht 153 vom n-Typ gebildete Elektrode 152 vom n-Typ auf. Hier ist die Elektrode 156 vom p-Typ am Boden angeordnet und kann durch die erste Klebeschicht 130 elektrisch mit der ersten Elektrode 120 verbunden sein, und die oben angeordnete Elektrode 152 vom n-Typ kann elektrisch mit der zweiten Elektrode 140 verbunden sein; dies wird später beschrieben. Elektroden können an oberen und unteren Positionen in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 vom Vertikaltyp angeordnet sein, wodurch der große Vorteil einer reduzierten Chipgröße entsteht.
  • Bei 2 und 3 stellen die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 eine lichtemittierende Halbleitervorrichtungsanordnung dar, und eine Isolierschicht 160 ist zwischen den mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 vorgesehen. Beispielsweise ist die Isolierschicht 160 auf einer Fläche der ersten Klebeschicht 130 gebildet, um einen Raum oder Spalt zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 zu füllen.
  • Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht unbedingt darauf beschränkt, und es kann alternativ eine Struktur verwendet werden, in der die erste Klebeschicht 130 den Spalt zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 ohne die Isolierschicht 160 komplett ausfüllt.
  • Die Isolierschicht 160 kann eine transparente Isolierschicht mit Siliziumoxid (SiOx) und dergleichen sein. Als weiteres Beispiel kann die Isolierschicht 160 aus Epoxidharz, das exzellente Isoliereigenschaften und eine geringe Lichtabsorption hat, aus einem Polymermaterial wie Silizium auf Methylbasis und Silizium auf Phenylbasis oder aus einem anorganischen Material wie SiN, Al2O3 und dergleichen bestehen, um einen Kurzschluss zwischen den Elektroden zu verhindern.
  • Wie gezeigt, ist eine Phosphorschicht 180 an der Anordnung der lichtemittierenden Elemente vorgesehen.
  • Die Phosphorschicht 180 kann auf einer Fläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 vorgesehen sein. Beispielsweise kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 151 sein, die blaues (B) Licht emittiert, und die Phosphorschicht 180 zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in eine andere Farbe kann darauf angeordnet sein. Hier kann die Phosphorschicht 180 aufweisen: einen roten Phosphor, der blaues Licht in rotes (R) Licht umwandeln kann, einen grünen Phosphor, der blaues Licht in grünes (G) Licht umwandeln kann, oder einen gelben Phosphor, der blaues Licht in weißes (W) Licht umwandeln kann.
  • Hier liegt die Wellenlänge des Lichts in einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung auf Nitridbasis in einem Bereich von 390 bis 550 nm und kann durch einen Film, in dem ein Phosphor eingesetzt ist, in 450 bis 670 nm umgewandelt werden. Alternativ kann die Phosphorschicht 180 sowohl den roten Phosphor als auch den grünen Phosphor aufweisen, um Licht mit verschiedenen Wellenlängen zu mischen, um weißes Licht zu erhalten. Ferner kann in einer roten lichtemittierenden Halbleitervorrichtung auf GaAs-Basis eine Lichtdiffusionsfolie anstatt eines Phosphors verwendet werden, um auf Rot basierendes Licht zu erhalten. Außerdem kann eine gemusterte Schicht eingesetzt werden, um die Lichtextraktionseffizienz zu erhöhen.
  • In diesem Fall kann eine optische Spaltschicht 171 zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Phosphorsicht 180 vorgesehen sein. Die optische Spaltschicht 171 kann aus einem Material bestehen, das eine geringe Lichtabsorption und exzellente Biegungseigenschaften hat, wie Epoxidharz und Acryl, oder Silizium auf Methylbasis, Silizium auf Phenylbasis und dergleichen. Um die Lichteffizienz zu optimieren, kann ferner eine gemusterte Schicht eingesetzt werden oder es können Partikel mit verschiedenen Brechungsindizes gemischt werden.
  • Es kann auch ein Farbfilter 172 auf der Phosphorschicht 180 angeordnet sein, um die Farbreinheit des umgewandelten Lichts zu verbessern. Der Farbfilter 172 kann ferner mit einer Schutzschicht 173 bedeckt sein, um die Lichtquelleneinheit vor Feuchtigkeit, Sauerstoff und äußeren Einflüssen zu schützen. Die Schutzschicht 173 kann in diesem Fall durch Aufkleben einer Folie oder Beschichten mit einem Harz gebildet werden.
  • Eine Lampe gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist ein Substrat 310, mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 350, eine flache Schicht 330, einen Abstandshalter 371 und einen Luftspalt 380 auf. Im Folgenden werden die oben beschriebenen Bauteile (Komponenten) mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
  • 5 und 6 sind Querschnittsansichten einer Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung.
  • Die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 sind auf dem Substrat 310 angeordnet. Insbesondere ist eine Leitungselektrode 320, die eine Spannung an die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 anlegt, auf dem Substrat 310 angeordnet, und jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 ist elektrisch mit der Leitungselektrode 320 verbunden. In dieser Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird, anstatt die oben beschriebene anisotrope leitende Folie zu verwenden, ein Metall-Lötmittel verwendet, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 und die Leitungselektrode 320 elektrisch miteinander zu verbinden. Somit sind die Leitungselektrode 320 und eine Metall-Lötmittelschicht 360 zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 und dem Substrat 310 angeordnet.
  • Die flache (oder ebene) Schicht 330 ist zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 gebildet. Die flache Schicht 330 kann aus einem lichtleitenden (oder lichtdurchlässigen) Harz bestehen. Die flache Schicht 330 ist bis zu einer Höhe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gebildet. Die flache Schicht 330 gewährleistet, dass die Phosphorschicht, der Farbfilter und dergleichen stabil oder sicher auf der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gestapelt sind.
  • Der Abstandshalter 371 ist zwischen der flachen Schicht 330 und dem Substrat 310 vorgesehen. Der Abstandshalter 371 ist auf dem Substrat 310 oder der Leitungselektrode 320 so angeordnet, dass er einen Umfang jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 umgibt.
  • Im Detail: Wie in 5 gezeigt, ist der Abstandshalter 371 auf der Leitungselektrode 320 in einem Bereich (oder Gebiet) vorgesehen, durch den sich die Leitungselektrode 320 erstreckt. Oder, wie in 6 gezeigt, ist der Abstandshalter 371 auf dem Substrat 310 in einem Bereich vorgesehen, durch den sich die Leitungselektrode 320 nicht erstreckt.
  • Obwohl dies nicht gezeigt ist, ist der Abstandshalter 371 nur auf der Leitungselektrode 320 vorgesehen, wenn die Leitungselektrode 320 als Flächenelektrode ausgebildet ist.
  • Da die Höhe des Abstandshalters 371 niedriger als die Höhe jeder der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 ist, umgibt der Abstandshalter 371 die Metall-Lötmittelschicht 360 und einen Teil eines unteren Abschnitts der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350. In diesem Fall umgibt der Luftspalt 380 einen Teil eines Umfangs der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350. Hier kann der Luftspalt 380 einen Teil (oder etwas) des Lichts, das zu einer Seitenfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gerichtet ist, komplett reflektieren, um dadurch die Lichtextraktionsgeschwindigkeit der Lampe zu erhöhen.
  • Obwohl dies nicht gezeigt ist, kann der Abstandshalter 371 die gleiche Höhe wie die Metall-Lötmittelschicht 360 haben. In diesem Fall umgibt der Abstandshalter 371 den Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 nicht.
  • Der Abstandshalter 371 kann aus einem Harz auf Siloxan- oder Siliziumdioxidbasis bestehen, wie Spin On Glas.
  • Die flache Schicht 330 in der Nähe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 kann vom Substrat 310 und der Leitungselektrode 320 um einen vorgegebenen Abstand beabstandet sein. Dadurch wird ein Raum im Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gebildet, der der Luftspalt 380 gemäß der vorliegenden Offenbarung ist.
  • Der Abstandshalter 371 ist in einem Raum angeordnet, der gebildet wird, wenn das Substrat 310, die Leitungselektrode 320 und die flache Schicht 330 voneinander beabstandet sind. Der Luftspalt 380 wird nur zwischen dem Abstandshalter 371 und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gebildet und wird in keinem anderen Bereich als dem vom Abstandshalter 317 umgebenen Bereich gebildet.
  • Um eine Struktur der Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung genauer beschreiben zu können, wird die flache Schicht 330 in zwei Bereiche geteilt. Die beiden Bereiche werden aus demselben Material gebildet und die zwei Bereiche können physikalisch verschiedene oder virtuell geteilte Bereiche sein. In der vorliegenden Beschreibung wird von einem gesamten Bereich der flachen Schicht 330 ein Bereich, der die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 350 umgibt, als ein erster Bereich 331, und ein Bereich, der den ersten Bereich 331 umgibt, als ein zweiter Bereich 332 bezeichnet.
  • Der erste Bereich 331 kann den Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 umgeben. Hier ist der erste Bereich 331 vom Substrat 310 und der Leitungselektrode 320 um einen vorgegebenen Abstand beabstandet und umgibt nicht einen Umfang der Metall-Lötmittelschicht 360. Alternativ kann der erste Bereich 331 den gesamten Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 umgeben, oder er kann einen Teil des Umfangs der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 umgeben. Der Abstandshalter 371 ist zwischen dem ersten Bereich 331 und dem Substrat 310 vorgesehen, oder zwischen dem ersten Bereich 331 und der Leitungselektrode 320.
  • Der Abstandshalter 371 ist an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Bereich 331 und dem zweiten Bereich 332 vorgesehen. Der zweite Bereich 332 umgibt den Abstandshalter 371 und ist nicht vom Substrat 310 und der Leitungselektrode 320 beabstandet. Insbesondere ist der zweite Bereich 332 so angeordnet, dass er die Leitungselektrode 320 in einem Bereich bedeckt, durch den sich die Leitungselektrode 320 erstreckt, und der zweite Bereich 332 ist so angeordnet, dass er das Substrat 310 in dem Bereich bedeckt, durch den sich die Leitungselektrode 320 nicht erstreckt. Somit wird kein Luftspalt zwischen dem zweiten Bereich 332, dem Substrat 310 und der Leitungselektrode 320 gebildet.
  • Die Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung kann mit einer Glasschicht 370 versehen sein, die im Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 350 gebildet ist und auf dem Substrat 310 und dem Leitungssubstrat 320 vorgesehen ist. Wie in 5 gezeigt, ist die Glasschicht 370 so angeordnet, dass sie die Leitungselektrode 320 in dem Bereich bedeckt, durch den sich die Leitungselektrode 320 erstreckt. Oder, wie in 6 gezeigt, die Glasschicht 370 ist so angeordnet, dass sie das Substrat 310 in dem Bereich bedeckt, durch den sich das Leitungssubstrat 320 nicht erstreckt.
  • Die Glasschicht 370 kann bis zu einem Bereich gebildet sein, in dem der zweite Bereich 332 angeordnet ist. Somit kann zumindest ein Teil des zweiten Bereichs 332 auf der Glasschicht 370 gebildet sein.
  • Der Abstandshalter 371 kann von der Glasschicht 370 in einer Dickenrichtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 vorstehen. Der Abstandshalter 371 und die Glasschicht 370 bestehen aus demselben Material.
  • Die Glasschicht 370 und die flache Schicht 330 sind um einen vorgegebenen Abstand voneinander beabstandet und der Luftspalt 380 ist zwischen der Glasschicht 370 und der flachen Schicht 330 gebildet.
  • Bei dieser Struktur ist der Luftspalt 380 an einem unteren Teil der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 gebildet. Da der Luftspalt 380 das nach unten zur lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 350 wandernde Licht komplett reflektiert, nachdem es von diesem emittiert wurde, kann die Lichtextraktionsgeschwindigkeit der Lampe erhöht werden. Insbesondere führt der Luftspalt 380, anders als eine reflektierende Metallschicht, zu keinem Lichtverlust aufgrund von Lichtabsorption, wodurch die Lichtextraktionsgeschwindigkeit der Lampe drastisch erhöht werden kann.
  • Der Luftspalt 380 kann leicht gebildet werden, ohne dass dafür ein eigenes oder zusätzliches Verfahren (oder Schritt) nötig wäre. Im Folgenden wird ein Herstellungsverfahren zum Bilden eines Luftspalts detailliert beschrieben.
  • 7 bis 11 sind konzeptionelle Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der Lampe gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen
  • Zuerst wird gemäß 7 eine Leitungselektrode 420 auf einem Substrat 410 angeordnet, und lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 450 werden auf die Leitungselektrode 420 übertragen.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 wird in einer Wafereinheit hergestellt. Die auf einem Wafer hergestellte lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 wird vom Wafer getrennt, um übertragen zu werden. Ein Laser-Lift-off-Verfahren (LLO-Verfahren) oder chemisches Lift-off-Verfahren (CLO-Verfahren) bzw. eine entsprechende Technik können zum Entfernen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 vom Wafer verwendet werden.
  • Eine Chipführung 431 ist in einem Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 vorgesehen, um zu verhindern, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 beschädigt wird, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 vom Wafer getrennt wird. Die Chipführung 431 besteht aus einem lichtleitenden Harz und wird nicht entfernt, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 übertragen wird.
  • Die Chipführung 431 ist so ausgebildet, dass sie den Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 zumindest teilweise bedeckt oder umgibt. Insbesondere bedeckt die Chipführung 431 zumindest einen Teil des Umfangs der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 auf die Leitungselektrode 420 übertragen wird.
  • Eine Metall-Lötmittelschicht 460 ist zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 und der Leitungselektrode 420 gebildet, wodurch die Chipführung 431 und die Leitungselektrode 420 um einen vorgegebenen Abstand voneinander beabstandet sein können. Außerdem sind in einem Bereich (oder Gebiet), durch den sich die Leitungselektrode 420 nicht erstreckt, die Chipführung 431 und das Substrat 410 um einen vorgegebenen Abstand voneinander beabstandet.
  • In dieser Beschreibung werden ein Raum (oder Spalt), der zwischen der Leitungselektrode 420 und der Chipführung 431 in einem Bereich gebildet ist, durch den sich die Leitungselektrode 420 erstreckt, und ein Raum, der zwischen dem Substrat 410 und der Chipführung 431 in dem Bereich gebildet ist, durch den sich die Leitungselektrode 420 nicht erstreckt, beide als ein „Raum S“ bezeichnet.
  • Obwohl die Chipführung 431 den Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 komplett bedeckt, sind die Chipführung 431, die Leitungselektrode 420 und das Substrat 410 durch die Metall-Lötmittelschicht 460 um einen vorgegebenen Abstand voneinander beabstandet.
  • Als nächstes wird, wie in 8 gezeigt, nach dem Übertragen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 auf die Leitungselektrode 420 ein Rotationsbeschichtungsschritt durchgeführt, um ein Harz auf Glasbasis darauf aufzubringen. Die Viskosität des durch Rotationsbeschichtung aufgebrachten Harzes kann ungefähr 1 cp betragen, sie ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Dicke der durch Rotationsbeschichten gebildeten Beschichtungsschicht 470 beträgt mehrere hundert nm bis 1 µm. Die Beschichtungsschicht 470 ist auf einem oberen Teil der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450, einer Seitenfläche der Chipführung 431, der Leitungselektrode 420 und dem Substrat 410 gebildet. Hier ist die Beschichtungsschicht 470 auch im Raum S gebildet.
  • Dann wird, wie in 9 gezeigt, nachdem die Beschichtungsschicht 470 gebildet wurde, ein Schritt des Aushärtens der Beschichtungsschicht durchgeführt.
  • Die Beschichtungsschichten 470 und 470' werden bei einer Temperatur von 60 bis 200°C ausgehärtet. Während des Aushärtens wird ein Lösungsmittel wie Ethylazetat und PGMEA verdampft. Dadurch reduziert sich die Dicke der Beschichtungsschichten 470 und 470' auf zehn bis mehrere hundert nm.
  • Während des Aushärtens härtet die im Raum S gebildete Beschichtungsschicht 470 aus, während sie nach außen entweicht (oder fließt). Zu diesem Zeitpunkt wird ein Abstandshalter 471 in der Nähe der Chipführung 431 vorgesehen. Ein geschlossener Raum wird im Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 durch den Abstandshalter 471 gebildet. Der Abstandshalter 471 verhindert, dass ein fremdes Material in den Raum S fließt, und ermöglicht, dass ein Luftspalt 480 im Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 450 gebildet wird.
  • Als nächstes wird, wie in 10 gezeigt, nach dem Aushärten der Beschichtungsschicht ein Schritt des Bildens einer flachen Schicht 432 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 450 durchgeführt.
  • Die flache Schicht 432 besteht aus demselben Material wie die Chipführung 431. Daher können die Chipführung 431 und die flache Schicht 432 physikalisch nicht voneinander getrennt werden. Der erste Bereich 331 der flachen Schicht, wie in 5 und 6 beschrieben, entspricht der Chipführung 431, und der zweite Bereich 332 ist die flache Schicht 432, die im vorliegenden Schritt gebildet wird.
  • Schließlich wird, wie in 11 gezeigt, zum Bilden einer oberen Elektrode 440 ein Schritt des Ätzens eines Abschnitts einer flachen Schicht 430 durchgeführt. Bei diesem Verfahren werden die Beschichtungsschicht 470' und die die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 450 bedeckende flache Schicht 430 entfernt. Daher ist die Beschichtungsschicht nur auf dem Substrat 410 oder der Leitungselektrode 420 aufgebracht.
  • Durch das Herstellungsverfahren wird der Luftspalt während des Beschichtungsverfahrens gebildet, um die Isolierung der Lampe zu verbessern. Das heißt, der Luftspalt kann ohne ein zusätzliches separates Verfahren zum Bilden eines Luftspalts gebildet werden.
  • Die oben genannte Lampe, die die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, ist nicht auf die Konfiguration und auf das Verfahren der oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern die Ausführungsformen können so ausgebildet sein, dass alle oder einige der Ausführungsformen selektiv kombiniert sind, so dass verschiedene Abwandlungen möglich sind.

Claims (8)

  1. Lampe, die aufweist: ein Substrat (310, 410), mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (350, 450), die auf dem Substrat (310, 410) angeordnet sind, eine flache Schicht (330, 430), die zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) gebildet ist, und einen Abstandshalter (371, 471), der zwischen dem Substrat (310, 410) und der flachen Schicht (330, 430) angeordnet ist, wobei ein Luftspalt (380, 480) zwischen jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (350, 450) und dem Abstandshalter (371, 471) gebildet ist, wobei der Luftspalt (380, 480) einen Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) umgibt, und wobei die Lampe ferner aufweist: eine auf dem Substrat (310, 410) angeordnete Leitungselektrode (320, 420), und eine zwischen der Leitungselektrode (320, 420) und jeder lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (350, 450) angeordnete Metall-Lötmittelschicht (360, 460), wobei der Luftspalt (380, 480) oberhalb der Leitungselektrode (320, 420) gebildet ist und einen Umfang der Metall-Lötmittelschicht (360, 460) umgibt.
  2. Lampe nach Anspruch 1, wobei ein Teil jeder der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) von einer flachen Schicht (330, 430) umgeben ist, und wobei ein anderer Teil davon vom Luftspalt (380, 480) umgeben ist.
  3. Lampe nach Anspruch 1, wobei jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) komplett von der flachen Schicht (330, 430) umgeben ist, und wobei der Luftspalt (380, 480) die Metall-Lötmittelschicht (360, 460) umgibt.
  4. Lampe nach Anspruch 1, wobei die flache Schicht (330, 430) aufweist: einen ersten Bereich (331, 431), der die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) umgibt, und einen zweiten Bereich (332, 432), der den ersten Bereich (331, 431) umgibt, und wobei der Luftspalt (380, 480) zwischen dem ersten Bereich (331, 431) und dem Substrat (310, 410) gebildet ist.
  5. Lampe nach Anspruch 4, wobei der Abstandshalter (371, 471) an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Bereich (331, 431) und dem zweiten Bereich (332, 432) vorgesehen ist, und wobei der zweite Bereich (332, 432) den Abstandshalter (371, 471) umgibt.
  6. Lampe nach Anspruch 5, die ferner eine Glasschicht (370, 470) aufweist, die in einem Umfang der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) gebildet ist und auf dem Substrat (310, 410) angeordnet ist, wobei der Abstandshalter (371, 471) von der Glasschicht (370, 470) in einer Dickenrichtung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) vorsteht.
  7. Lampe nach Anspruch 6, wobei ein Teil des zweiten Bereichs (332, 432) auf der Glasschicht (370, 470) angeordnet ist.
  8. Verfahren zum Herstellen einer Lampe, das aufweist: Bilden einer Leitungselektrode (320, 420) auf einem Substrat (310, 410), Übertragen von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450), die jeweils einen in einem Umfang davon gebildeten Chipleiter haben, auf die Leitungselektrode (320, 420), Bilden einer Beschichtungsschicht (370, 470) durch Rotationsbeschichten eines Substrats (310, 410) mit einem Harz auf Glasbasis, Aushärten der Beschichtungsschicht (370, 470), Bilden einer flachen Schicht (330, 430) zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) nach dem Aushärten der Beschichtungsschicht (370, 470), und Ätzen eines Abschnitts der flachen Schicht (330, 430), um eine obere Elektrode (340, 440) zu bilden, wobei das Übertragen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen (350, 450) auf die Leitungselektrode (320, 420) so durchgeführt wird, dass ein Raum zwischen dem Chipleiter (331, 431) und dem Substrat (310, 410) gebildet wird, und wobei das Bilden der Beschichtungsschicht (370, 470) so durchgeführt wird, dass die Beschichtungsschicht (370, 470) in dem Raum gebildet wird.
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