CN112106210A - 使用半导体发光元件的灯及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种灯，尤其涉及一种使用半导体发光元件的灯及其制造方法。本发明提供一种灯，其特征在于，包括：基板；多个半导体发光元件，其配置在所述基板上；平坦层，其形成在多个所述半导体发光元件之间；以及撑挡，其配置在所述基板和所述平坦层之间，在每个所述半导体发光元件和所述撑挡之间形成有气隙。

Description

使用半导体发光元件的灯及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种灯，尤其涉及一种使用半导体发光元件的灯及其制造方法。
背景技术
在车辆中，设置有具有照明功能或信号功能的各种各样的车辆用灯。通常，主要使用卤素灯或气体放电式灯，但是，近年来，发光二极管(LED：Light Emitting Diode)作为车辆用灯的光源而备受关注。
就发光二极管而言，不仅可以通过使其大小最小化来提高灯的设计自由度，而且因具有半永久的寿命而具备经济性，然而，目前大部分以封装(package)形态生产。非封装形态的发光二极管(LED：Light Emitting Diode)本身是将电流转换为光的半导体发光元件，其作为包括信息通信设备在内的电子装置的显示图像用光源而正在开发中。
但是，目前为止开发出的车辆用灯使用了封装形态的发光二极管，从而不仅存在有生产效率差且成本高的缺点，还存在有柔性(flexible)差的缺点。
另一方面，射向半导体发光元件的下部的光将会成为降低灯的光量的因素。对此，正在开发通过使射向半导体发光元件下部的光反射来提高灯的光提取率的结构。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的一目的在于，提供一种通过使射向半导体发光元件的下部光反射，来能够增加灯的光量的结构。
解决问题的技术方案
为了实现上述或其他目的，根据本发明的一方面提供一种灯，其特征在于，包括：基板；多个半导体发光元件，其配置在所述基板上；平坦层，其形成在多个所述半导体发光元件之间；以及撑挡(spacer)，其配置在所述基板和所述平坦层之间，在多个所述半导体发光元件的每一个和所述撑挡之间形成有气隙(air gap)。
在一实施例中，所述气隙可以形成为围绕所述半导体发光元件的周边。
在一实施例中，本发明还可以包括：配线电极，其配置在所述基板上；以及金属焊料层(metal solder layer)，其配置在所述配线电极和所述半导体发光元件之间，所述气隙形成在所述配线电极上且围绕(包围)所述金属焊料层的侧面。
在一实施例中，每个所述半导体发光元件的侧面的一部分可以被所述平坦层围绕，而其剩余部分可以被所述气隙围绕。
在一实施例中，每个所述半导体发光元件的整个侧面可以被所述平坦层围绕，所述气隙可以形成为围绕所述金属焊料层。
在一实施例中，所述平坦层可以包括：第一区域，其围绕多个所述半导体发光元件；以及第二区域，其围绕所述第一区域，所述气隙可以形成在所述第一区域和所述基板之间。
在一实施例中，所述撑挡可以形成于所述第一区域和所述第二区域的边界，所述第二区域可以围绕所述撑挡。
在一实施例中，还可以包括玻璃层，所述玻璃层形成于多个所述半导体发光元件的周边并配置在所述基板上，所述撑挡可以从所述玻璃层朝向所述半导体发光元件的厚度方向凸出而形成。
在一实施例中，所述第二区域的一部分可以配置在所述玻璃层上。
另外，本发明提供一种灯的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成配线电极的步骤；将在侧面形成有芯片引导件的半导体发光元件转印到所述配线电极上的步骤；通过玻璃基树脂旋涂(spin coating)在所述基板上来形成涂层的步骤；用于固化所述涂层的步骤；在所述涂层固化之后，在多个所述半导体发光元件之间形成平坦层的步骤；以及，对所述平坦层的一部分进行刻蚀以形成上部电极的步骤，在将半导体发光元件转印到所述配线电极的步骤中，在所述芯片引导件和所述基板之间形成隔开空间，在形成所述涂层的步骤中，在所述隔开空间形成涂层。
发明效果
根据本发明，由于形成于半导体发光元件周边的气隙能够使射向半导体发光元件下部的光全反射，因此能够提高灯的光提取率。
另外，根据本发明，由于在无需额外地追加工程的情况下就能在半导体发光元件的周边形成气隙，因此，不会增加生产费用就能提高灯的光提取率。
附图说明
图1是表示本发明的使用半导体发光元件的灯的一实施例的概念图。
图2是图1的A部分的局部放大图，图3是图2的剖视图。
图4是表示图3的垂直型半导体发光元件的概念图。
图5和图6是本发明的灯的剖视图。
图7至图11是表示制造本发明的灯的方法的概念图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本说明书中公开的实施例，无论附图符号如何，相同或相似的构成要素赋予相同的附图标记，并且将省略对此的重复描述。以下描述中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”仅出于考虑说明书的容易撰写而赋予或混用，它们本身并不具有彼此区分的含义或作用。并且，在描述本说明书中公开的实施例时，如果判断对相关的公知技术的具体描述可能会混淆本说明书中公开的实施例的主旨，则省略其详细描述。并且，应当理解，附图仅是用于使本说明书中公开的实施例容易理解，本说明书中公开的技术思想并不受附图限制
并且，当提及诸如层、区域或基板的要素存在于另一构成要素“上(on)”时，应理解为其可以直接存在于另一要素上，或者它们之间还可以存在中间要素。
本说明书中说明到的灯可以适用于车辆中。具体地说，本发明的灯可以包括前照灯(前大灯)、车尾灯、位置灯、雾灯、转向信号灯、制动灯、应急灯、倒车灯(尾灯)等。在本说明书中，为了方便说明，对本发明的灯适用于车辆的一实施例进行说明，但是，本发明的灯不限于车辆，可以适用于需要照明器具的所有装置。
图1是表示本发明的使用半导体发光元件的灯的一实施例的概念图。
本发明的一实施例的灯10包括：固定于车体的框架11；和设置于框架11的光源部12。
在框架11可以连接有用于向光源部12提供电源的配线线路，所述框架11可以直接紧固固定于车体，或者将托架作为中间体而固定于车体。根据图示，为了使光源部12发射的光更加扩散且鲜明，可以具备透镜部。
所述光源部12可以是，因外力而能够弯曲、弯折、扭曲、折叠、卷曲的光源部。
在所述光源部12未发生弯曲的状态(例如，具有无穷大的曲率半径的状态，以下，称作第一状态)下，所述光源部12形成为平面。在所述第一状态下因外力而发生弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下，称作第二状态)下，所述柔性光源部的至少一部分可以形成为发生弯曲或弯折的曲面。
所述光源部12的像素可以由半导体发光元件实现。在本发明中，作为用于使电流转换为光的半导体发光元件的一种，示例了发光二极管(LED：Light Emitting Diode)。所述发光二极管形成为较小的尺寸，据此，即使在所述第二状态下也能发挥像素的作用。
另一方面，本发明的光源部12包括单位光源、基底基板、连接电极。下面，具体说明上述构成要素。
光源部12可以仅仅由所述单位光源构成。下面，通过仅仅由单位光源构成的光源部12，来具体说明所述单位光源。
图2是图1的A部分的局部放大图，图3是图2的剖视图，图4是表示图3的垂直型半导体发光元件的概念图。
根据图2、图3以及图4中的所示，作为使用半导体发光元件的单位光源100，示例了使用了无缘矩阵(Passive Matrix，PM)方式的半导体发光元件的情形。但是，以下进行说明的示例也可以适用于有源矩阵(Active Matrix，AM)方式的半导体发光元件。
所述单位光源100包括基板110、第一电极120、第一粘合层130、第二电极140以及多个半导体发光元件150(在本说明书中，多个是指两个以上)。
基板110是通过整个工程来形成其结构的基极层(base layer)，并且可以形成为用于配置第一电极120的配线基板。所述基板110可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性(flexible)光源部。另外，基板110可以是薄型金属。除此之外，只要是具有绝缘性、柔韧性的材质，就可以使用例如聚萘二甲酸乙二酯(PEN：Polyethylene Naphthalate)、聚对苯二甲酸酯(PET：Polyethylene Terephthalate)等中的任意一个。另外，所述基板110可以是透明的材质或不透明的材质中的任意一种。
另一方面，在所述基板110可以安装有散热片或散热器等，并由此能够实现散热功能。在此情况下，所述散热片或散热器等可以设置在所述基板110的用于配置所述第一电极120的一面的相反面。
第一电极120可以位于基板110上，并且形成为面形态的电极。因此，所述第一电极120可以形成为配置在所述基板110上的电极层，并且构成为起到数据电极的作用。另一方面，如后述的图6所示，在第一电极120上可以配置有有助于与连接电极220电连接的电极板(electrode pad)123。
第一粘合层130形成在第一电极120所处的基板110上。
所述第一粘合层130可以形成为具有粘合性和导电性的层，为此，在所述第一粘合层130可以混合有具有导电性的物质和具有粘合性的物质。因此，所述第一粘合层130可以称作导电性第一粘合层。另外，第一粘合层130具有延展性，据此，光源部12能够发挥柔性功能。
作为这种例子，第一粘合层130可以是各向异性导电膜(anistropy conductivefilm，ACF)、各向异性导电浆(paste)、含有导电颗粒的溶液(solution)等。所述第一粘合层130可以构成为，在贯通厚度的Z方向上允许彼此电连接，但是在水平的X-Y方向上具有电绝缘性的层。因此，所述第一粘合层130可以命名为Z轴导电层。
所述各向异性导电膜是一种各向异性导电介质(anisotropic conductivemedium)混合到绝缘性基底构件中的形态的薄膜(film)，若施加热和压力，则只有特定部分因各向异性导电介质而具有导电性。下面，以对所述各向异性导电膜施加热和压力的情形进行说明，但是，为了使所述各向异性导电膜的一部分具有导电性，可以采用其他方法。例如，这种方法可以是仅仅施加所述热和压力中的任意一种，或者UV固化等的方法。
另外，所述各向异性导电介质，例如可以是导电球或导电颗粒。根据图示，在本实施例中，所述各向异性导电膜是将导电球混合到绝缘性基底构件中的形态的薄膜，若施加热和压力，则只有特定部分将会因导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以形成为，包含多个颗粒(其导电性物质的芯(core)被聚合物材质的绝缘膜包覆)的状态，在此情况下，施加了热和压力的部分的绝缘膜将会被破坏，并且通过芯来具有导电性。此时，芯的形态将会发生变形，由此形成为在膜的厚度方向上彼此接触的层。作为更具体的例子，热和压力施加到整个各向异性导电膜，并且通过由各向异性导电膜而粘合的相对物的高度差，来部分地实现Z轴方向上的电连接。
作为另一例，各向异性导电膜可以形成为，含有多个颗粒(其绝缘芯包覆有导电性物质)的状态。在此情况下，施加了热和压力的部分的导电性物质发生变形(按压而贴合)，由此在薄膜的厚度方向上具有导电性。作为另一例，也可以是，导电性物质沿着Z轴方向贯通绝缘性基底构件，由此在薄膜的厚度方向上具有导电性的形态。在此情况下，导电性物质可以具有尖尖的端部。
根据图示，所述各向异性导电膜可以是，构成为导电球插入到绝缘性基底构件的一面的形态的固定阵列的各向异性导电膜(ACF：fixed array)。更具体地说，绝缘性基底构件由具有粘合性的物质形成，导电球集中配置于所述绝缘性基底构件的底部部分，若从所述基底构件施加热和压力，则会与所述导电球一起发生变形，由此在垂直方向上具有导电性。
但是，本发明不限于此，所述各向异性导电膜可以是，导电球随机地混合到绝缘性基底构件的形态，或者可以构成为多个层并在任意一层配置有导电球的形态(double-ACF)等。
异方向性导电浆是浆料和导电球的结合形态，可以是导电球混合到具有绝缘性和粘合性的基材的浆料。另外，含有导电颗粒的溶液可以是，含有导电性颗粒(particle)或纳米(nano)颗粒的形态的溶液。
在第一电极120位于基板110上的状态下，例如，在配置各向异性导电膜之后，若对半导体发光元件150施加热和压力而使其连接，则所述半导体发光元件150将会与第一电极120电连接。此时，所述半导体发光元件150优选配置成位于第一电极120上。另外，由于各向异性导电膜含有粘合组分，因此，第一粘合层130在半导体发光元件150和第一电极120之间不仅实现电连接，而且还实现机械性结合。
作为另一例，所述第一粘合层可以设置有用于实现共晶键合(Eutectic bonding)的锡系的合金(alloy)、Au、Al或Pb等，并且，所述基板和所述半导体发光元件可以通过共晶键合(Eutectic bonding)相结合。
由于半导体发光元件150具有优异的亮度，因此，即使以较小的尺寸也能构成单个单位像素。如上所述的单个半导体发光元件150可以是，一个边的长度可以为80μm以下且矩形或正四边形的元件。在此情况下，单个半导体发光元件的面积可以具有10-10～10-5m2的范围，发光元件之间的间隔可以是100um～10mm的范围。
所述半导体发光元件150可以具有垂直型结构。
多个第二电极140位于在多个垂直型半导体发光元件之间，多个所述第二电极140与所述半导体发光元件150电连接。
参照图4，这种垂直型半导体发光元件包括：p型电极156；形成在p型电极156上的p型半导体层155；形成在p型半导体层155上的有源层154；形成在有源层154上的n型半导体层153；以及形成在n型半导体层153上的n型电极152。在此情况下，位于下部的p型电极156可以经由第一粘合层130而与第一电极120电连接；位于上部的n型电极152可以与后述的第二电极140电连接。由于这种垂直型半导体发光元件150可以将电极上下配置，因此，具有能够降低芯片尺寸的巨大优点。
重新参照图2和图3，另外，多个半导体发光元件150构成发光元件阵列(array)，并且在多个半导体发光元件150之间形成有绝缘层160。例如，在所述第一粘合层130的一面形成有绝缘层160，由此填充所述半导体发光元件150之间的空间。
但是，本发明不限于此，可以是，在未配置有所述绝缘层160的情况下，所述第一粘合层130全部填充多个所述半导体发光元件之间的结构。
所述绝缘层160可以是，包含氧化硅(SiOx)等的透明绝缘层。作为另一例，在所述绝缘层160中，作为用于防止电极之间的短路(short)的结构，可以使用绝缘特性优异且光吸收较少的环氧系硅树脂、甲基(methyl)系硅树脂、苯基(phenyl)系硅树脂(silicone)等的聚合物材料，或SiN，Al2O3等的无机物质。
根据图示，在所述发光元件阵列形成有荧光体层180。
所述荧光体层180可以形成于所述半导体发光元件150的一面。例如，半导体发光元件150可以是用于发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光元件151，并且，可以设置有用于将这种蓝色(B)光转换为其他颜色的荧光体层180。在此情况下，荧光体层180可以具备：能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体；能够将蓝色(B)光转换为绿色(G)光的绿色荧光体；或者能够将蓝色(B)光转换为白色(W)光的黄色荧光体。
在此情况下，由基于氮化物(Nitride)的半导体发光元件所生成的光的波长具有390～550nm的范围，并且可以通过插入有荧光体的薄膜来将波长转换为450～670nm。另外，可以设置红色荧光体和绿色荧光体两者，并且混合多种波长的光，由此能够实现白色光。另外，当需要红色系列的光时，若使用GaAs系列的红色半导体发光元件，则可以使用非荧光体的光扩散膜。另外，为了提高光提取效率，可以插入图案化了的片(sheet)。
在此情况下，在所述半导体发光元件150和所述荧光体层180之间可以存在有光学间隙层171。所述光学间隙层171可以由光吸收较少且弯曲(bending)特性优异的环氧系硅树脂、丙烯酸系硅树脂、甲基(methyl)系硅树脂、苯基(phenyl)系硅树脂等的材料形成。另外，为了实现光效率的最优化，可以插入图形化了的片，或者可以混合折射率不同的颗粒。
另一方面，此时，也可以通过在所述荧光体层180层叠彩色滤光片(color filter)172来提高被转换了的光的颜色纯度。另外，为了从水分、氧气以及外部冲击中保护光源部，所述彩色滤光片172可以形成为被保护层173覆盖。此时，所述保护层173可以通过膜接合或树脂涂层实现。
本发明包括基板、多个半导体发光元件350，平坦层330、撑挡371以及气隙380。下面，参照附图，具体说明上述构成要素。
图5和图6是本发明的灯的剖视图。
多个半导体发光元件350配置在基板310上。具体地说，在基板310上配置有用于向多个半导体发光元件350施加电压的配线电极320，多个所述半导体发光元件350的每一个与所述配线电极320电连接。本发明不使用上述各向异性导电膜，而是利用金属焊料来使半导体发光元件350和配线电极320电连接。由此，在半导体发光元件350和基板310之间将会配置配线电极320和金属焊料层360。
另一方面，在多个所述半导体发光元件350之间形成有平坦层330。所述平坦层330可以由透光性树脂形成。所述平坦层330形成至半导体发光元件350的高度。由此，所述平坦层330能够使上述的荧光体层、彩色滤光片等稳定地层叠在所述半导体发光元件350上。
另一方面，撑挡371形成在所述平坦层330和基板310之间。所述撑挡371形成在所述基板310或所述配线电极320上，并且形成为围绕多个所述半导体发光元件的每一个的周边。
具体地说，参照图5，在配线电极320所经过的区域中，所述撑挡371形成在所述配线电极320上。与此不同地，参照图6，在所述配线电极320所经过的区域中，所述撑挡371形成在所述基板310上。
虽然没有图示，在所述配线电极320形成为面形态的情况下，所述撑挡371只形成在所述配线电极320上。
另一方面，由于所述撑挡371形成为其高度低于所述半导体发光元件350的高度，因此，所述撑挡371形成为只围绕上述的金属焊料360层和半导体发光元件350的下侧的一部分。在这种情况下，所述气隙380形成为围绕所述半导体发光元件350的侧面的一部分。此时，所述气隙380通过使射向所述半导体发光元件的侧面的光的一部分全反射，来能够提高灯的光提取率。
虽然没有图示，所述撑挡371可以形成为其高度与所述金属焊料层360的高度相同。在此情况下，所述撑挡371不会围绕所述半导体发光元件350的侧面。
另一方面，所述撑挡371可以由诸如旋涂玻璃(Spin on Glass)的硅氧烷(Siloxane)或二氧化硅(Silica)基树脂形成。
另一方面，所述半导体发光元件350周边的平坦层330可以形成为，与所述基板310和所述配线电极320隔开规定距离。根据这种结构，在半导体发光元件350的周边将会形成隔开空间。这种隔开空间是本发明的气隙380。
所述撑挡371配置于，由所述基板310及所述配线电极320与所述平坦层330隔开而形成的空间。所述气隙380只形成于所述撑挡371和所述半导体发光元件350之间，而在被所述撑挡371围绕的区域之外的区域不会形成所述气隙380。
为了更明确地说明本发明的灯的结构，将上述的平坦层330划分为两个区域并进行说明。用于形成两个所述区域的物质彼此相同，两个所述区域可以是物理地区分的区域，或者假想地区划的区域。在本说明书中，将平坦层330的整个区域中的围绕半导体发光元件350的区域称作第一区域331，并且将围绕所述第一区域331的区域称作第二区域332。
所述第一区域331形成为，围绕所述半导体发光元件350的侧面。在此，所述第一区域331与所述基板310和所述配线电极320隔开规定距离，并且不围绕所述金属焊料层360的侧面。另一方面，所述第一区域331可以形成为，围绕所述半导体发光元件350的整个侧面，或者不围绕所述半导体发光元件350的一部分侧面。所述撑挡371形成在所述第一区域331和所述基板310之间，或者形成在所述第一区域331和所述配线电极320之间。
另一方面，所述撑挡371形成于所述第一区域331和所述第二区域332的边界。所述第二区域332形成为围绕撑挡371，并且不与所述基板310和所述配线电极320隔开间隔。具体地说，在所述配线电极320所经过的区域中，所述第二区域332配置成覆盖所述配线电极320；在所述配线电极320未经过的区域中，所述第二区域332配置成覆盖所述基板310。由此，在所述第二区域332、所述基板310以及所述配线电极320之间不会形成气隙。
另一方面，本发明的灯形成于多个所述半导体发光元件350的周边，并且可以配置有配置在所述基板310和所述配线基板320上的玻璃层370。如图5所示，在所述配线基板320所经过的区域中，所述玻璃层370配置成覆盖所述配线基板320。与此不同地，参照图6，在所述配线基板320未经过的区域中，所述玻璃层370配置成覆盖所述基板310。
另一方面，所述玻璃层370可以形成至用于配置所述第二区域332的区域。由此，所述第二区域332的至少一部分可以形成在所述玻璃层370上。
所述撑挡371从所述玻璃层370朝向所述半导体发光元件350的厚度方向凸出而形成。所述撑挡371和所述玻璃层370由相同的物质形成。
所述玻璃层370和所述平坦层330隔开规定距离，所述气隙380形成在所述玻璃层370和所述平坦层330之间。
根据如上所述的结构，在半导体发光元件350的下侧将会形成气隙380。由于所述气隙380使从所述半导体发光元件350射出并射向所述半导体发光元件350的下侧的光全反射，因此能够提高灯的光提取率。尤其，与金属反射层不同，所述气隙380不会存在有因光吸收所导致的损失，因此能够大幅度地改善灯的光损失。
另一方面，所述气隙无需额外地追加工程，就能简单地形成。下面，具体说明用于形成所述气隙的制造方法。
图7至图11是表示制造本发明的灯的方法的概念图。
首先，参照图7，执行如下步骤，即，在基板410上配置配线电极420，并且在所述配线电极420上转印半导体发光元件450的步骤。
所述半导体发光元件450以晶片(wafer)为单位形成。形成在晶片上的半导体发光元件450从所述晶片分离并转印。当从晶片分离出所述半导体发光元件450时，可以采用激光剥离法(Laser Lift-off，LLO)或化学剥离法(Chemical Lift-off，CLO)等。
当从晶片分离出半导体发光元件450时，为了防止半导体发光元件450发生破损，将会在半导体发光元件450的周边形成芯片(trip)引导件431。所述芯片引导件431由透光性树脂形成，在转印半导体发光元件450时所述芯片引导件431不会被去除而残留。
所述芯片引导件431形成为，覆盖半导体发光元件450的侧面的至少一部分。具体地说，所述芯片引导件431形成为，在半导体发光元件450已转印到配线电极420上时，覆盖半导体发光元件450的侧面的至少一部分。
在所述半导体发光元件450和所述配线电极420之间形成有金属焊料层460，据此，所述芯片引导件431和所述配线电极420隔开规定距离。另外，在所述配线电极420未经过的区域中，所述芯片引导件431和所述基板410隔开规定距离。
在本说明书中，将所述配线电极420所经过的区域中的形成在所述配线电极420和所述芯片引导件431之间的空间、以及所述配线电极420未经过的区域中的形成在所述基板410和所述芯片引导件431之间的空间，均称作“隔开空间S”。
即使所述芯片引导件431将会覆盖所述半导体发光元件450的整个侧面，所述芯片引导件431、所述配线电极420以及所述基板410也会因所述金属焊料层460而隔开规定距离。
接着，如图8所示，在使半导体发光元件450转印到所述配线电极420之后，将会执行用于旋涂玻璃基树脂的步骤。将要旋涂的树脂的粘度可以约为1cp，但不限于此。
随着所述旋涂所形成的涂层470的厚度为数百nm至1μm。所述涂层470形成在半导体发光元件的上侧、所述芯片引导件431的侧面、所述配线电极420以及所述基板410上。此时，所述涂层470也形成于隔开空间S。
接着，如图9所示，在涂层的形成结束之后，执行用于固化所述涂层的步骤。
所述涂层470、470'将会在60℃至200℃的温度条件下固化。在所述固化过程中，将会蒸发掉诸如乙酸乙酯(Ethyl acetate)或丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)的溶剂，因此，所述涂层的厚度减小至数十至数百nm。
另一方面，在所述固化过程中，形成于所述隔开空间S的涂层470泄漏到外部并被固化，此时，将会在所述芯片引导件431的周边形成撑挡471。通过所述撑挡471，将会在所述半导体发光元件450的周边形成有封闭了的空间。之后，所述撑挡471能够防止外部物质流入到所述隔开空间S，并且在所述半导体发光元件450的周边形成气隙480。
接着，如图10所示，在使所述涂层固化之后，将会执行在多个所述半导体发光元件之间形成平坦层432的步骤。
所述平坦层432由与所述芯片引导件431相同的物质形成。因此，所述芯片引导件431和所述平坦层432可能不会被物理地区分。在图5和图6中说明了的平坦层的第一区域331是所述芯片引导件431，而所述第二区域332是在当前步骤中所形成的平坦层432。
最后，如图11所示，为了形成上部电极440，执行用于刻蚀平坦层430的一部分的步骤。在这种过程中，覆盖所述半导体发光元件的玻璃层471'和平坦层430将会被去除。其结果，所述玻璃层只配置在所述基板410或所述配线电极420上。
根据如上所述的制造方法，所述气隙是在用于提高灯的绝缘性的玻璃层涂布过程中形成的。即，根据本发明，无需进行额外的气隙形成工程，也能形成气隙。
以上进行说明的使用半导体发光元件的显示装置，不限于以上说明到的实施例的构成和方法，也可以通过选择性地将各个实施例的全部或一部分组合而构成，来实现所述实施例的多种变形。

Claims (10)

1.一种灯，其特征在于，包括：
基板；
多个半导体发光元件，配置在所述基板上；
平坦层，形成在多个所述半导体发光元件之间；以及
撑挡，配置在所述基板和所述平坦层之间，
在每个所述半导体发光元件和所述撑挡之间形成有气隙。
2.根据权利要求1所述的灯，其特征在于，
所述气隙围绕所述半导体发光元件的周边。
3.根据权利要求2所述的灯，其特征在于，还包括：
配线电极，配置在所述基板上；以及
金属焊料层，配置在所述配线电极和所述半导体发光元件之间，
所述气隙形成在所述配线电极上并围绕所述金属焊料层的侧面。
4.根据权利要求3所述的灯，其特征在于，
每个所述半导体发光元件的侧面的一部分被所述平坦层围绕，而剩余部分被所述气隙围绕。
5.根据权利要求3所述的灯，其特征在于，
每个所述半导体发光元件的整个侧面被所述平坦层围绕，
所述气隙围绕所述金属焊料层。
6.根据权利要求1所述的灯，其特征在于，
所述平坦层包括：
第一区域，围绕多个所述半导体发光元件；以及
第二区域，围绕所述第一区域，
所述气隙形成在所述第一区域和所述基板之间。
7.根据权利要求6所述的灯，其特征在于，
所述撑挡形成于所述第一区域和所述第二区域的边界，
所述第二区域围绕所述撑挡。
8.根据权利要求7所述的灯，其特征在于，
还包括玻璃层，所述玻璃层形成于多个所述半导体发光元件的周边并配置在所述基板上，
所述撑挡从所述玻璃层朝向所述半导体发光元件的厚度方向凸出而形成。
9.根据权利要求8所述的灯，其特征在于，
所述第二区域的一部分配置在所述玻璃层上。
10.一种灯的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成配线电极的步骤；
将在侧面形成有芯片引导件的半导体发光元件转印到所述配线电极上的步骤；
通过将玻璃基树脂旋涂在所述基板上来形成涂层的步骤；
固化所述涂层的步骤；
在使所述涂层固化之后，在多个所述半导体发光元件之间形成平坦层的步骤；以及
对所述平坦层的一部分进行刻蚀以形成上部电极的步骤，
在将半导体发光元件转印到所述配线电极的步骤中，在所述芯片引导件和所述基板之间形成隔开空间，
在形成涂层的步骤中，在所述隔开空间形成涂层。
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