KR20120000975A - 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20120000975A
KR20120000975A KR1020100061531A KR20100061531A KR20120000975A KR 20120000975 A KR20120000975 A KR 20120000975A KR 1020100061531 A KR1020100061531 A KR 1020100061531A KR 20100061531 A KR20100061531 A KR 20100061531A KR 20120000975 A KR20120000975 A KR 20120000975A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
substrate
electrode layer
sheet
Prior art date
Application number
KR1020100061531A
Other languages
English (en)
Inventor
조범철
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100061531A priority Critical patent/KR20120000975A/ko
Priority to US13/169,466 priority patent/US8766526B2/en
Priority to EP11171506.6A priority patent/EP2400569B1/en
Priority to CN2011101847539A priority patent/CN102299239A/zh
Publication of KR20120000975A publication Critical patent/KR20120000975A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00Refractors for light sources
    • F21V5/04Refractors for light sources of lens shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Abstract

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 기판; 상기 기판 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 전극층; 상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 상기 발광 소자를 포위하는 봉지재; 및 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 기판과 결합되는 광학 시트를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHTING SYSTEM}
본 발명은 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다.
이러한 발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 파장은 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.
최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용되어 지고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 기판; 상기 기판 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 전극층; 상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 상기 발광 소자를 포위하는 봉지재; 및 상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 기판과 결합되는 광학 시트를 포함한다.
실시예에 따른 조명 시스템은 조명 시스템에 있어서, 상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 청구항 제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자 패키지를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자를 설치하는 단계; 상기 발광 소자를 포위하는 봉지재를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 광학 시트를 부착하는 단계; 및 상기 기판 및 광학 시트를 단위 패키지 별로 분리하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
도 1을 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하는 도면.
도 2 내지 도 5은 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면.
도 7과 도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 광학 시트를 예시한 도면.
도 9는 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법에서 광학 시트의 부착방법을 예시한 도면
도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 11은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1을 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 기판(10)과, 상기 기판 상에 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)을 포함하는 전극층(30)과, 상기 기판(10) 상에 설치되는 발광 소자(40)와, 상기 발광 소자(40)를 포위하는 봉지재(50)와, 상기 발광 소자(40) 상에 배치되는 광학 시트(100)를 포함한다.
상기 기판(10)는 전기 절연성을 가진 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 수지, 세라믹, 실리콘 웨이퍼 등이 될 수도 있다. 실시예에서 상기 기판(10)은 실리콘 웨이퍼로 형성된 것이 예시되어 있다.
상기 기판(10)의 상면에는 선택적으로 제거되어 함몰된 형태인 리세스가 형성될 수 있으며, 상기 리세스 내에는 상기 발광 소자(40)가 배치되고 상기 봉지재(50)가 채워진다.
상기 기판(10)의 표면에는 절연층(20)이 형성될 수도 있다. 상기 절연층(20)는 누설 전류를 방지함으로써 발광 소자 패키지(200)의 전기적 안정성을 향상시킨다. 예를 들어, 상기 절연층(20)은 상기 기판(10)을 산화시킨 실리콘 산화막으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 절연층(20) 상에 형성될 수 있으며, 서로 전기적으로 분리된다. 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 기판(10)의 하면으로부터 상기 기판(10)의 상면에 형성된 리세스 내부까지 연장될 수 있다.
상기 발광 소자(40)는 상기 기판(10)의 리세스 내부에 배치될 수 있으며, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결된다. 실시예에서 상기 발광 소자(40)는 발광 다이오드가 사용된 것이 예시되어 있고, 상기 발광 소자(40)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 플립칩 방식으로 연결된다. 비록 도시되지는 않았지만, 상기 발광 소자(40)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)이 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수도 있으며, 적어도 하나의 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 봉지재(50)는 상기 발광 소자(40)를 포위하면서 상기 기판(10)의 리세스 내부에 채워진다. 상기 봉지재(50)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성될 수도 있으며, 형광체를 포함할 수도 있다. 상기 봉지재(50)는 상면이 평평하게 형성될 수 있으며, 오목 또는 볼록하게 형성되는 것도 가능하다.
상기 기판(10) 및 봉지재(40) 상에는 상기 광학 시트(100)가 결합된다. 상기 광학 시트(100)는 프리즘 시트가 될 수 있다.
도 7과 도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 광학 시트를 예시한 도면이다.
상기 광학 시트(100)는 제1 프리즘 시트(110)와 제2 프리즘 시트(120)를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 프리즘 시트(110)는 베이스부(111)와 상기 베이스부(111) 상에 프리즘부(112)를 포함할 수 있다. 비록 도시되지는 않았지만, 상기 제2 프리즘 시트(120)도 베이스부와 프리즘부를 포함할 수 있다.
상기 베이스부(111)는 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(PET)로 형성될 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 베이스부(111)는 상기 프리즘부(112)의 하부에 위치하여 상기 프리즘부(112)를 지지하는 역할을 할 수 있다.
상기 프리즘부(111)는 단면이 삼각 형상을 가지고 상기 베이스부(111) 상에서 나란히 연장되어 형성될 수도 있다. 상기 프리즘부(111)는 이크릴계 수지로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 스피로아세틸 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리티올폴리엔 수지 등으로 형성될 수도 있고, 상기 베이스부(111)와 동일한 재질로 일체로 형성되는 것도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(110)의 프리즘부(112)는 제1 방향으로 연장되며, 상기 제1 프리즘 시트(110) 상에 배치되는 상기 제2 프리즘 시트(120)의 프리즘부는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장될 수도 있다.
상기 프리즘부(112)에서 삼각 형상의 프리즘과 프리즘 사이의 피치(pitch)(D)는 30-70㎛로 형성될 수 있으며, 상기 프리즘의 높이(T)는 20-40㎛로 형성될 수 있다. 상기 프리즘부(112)의 굴절률은 1.41-1.53으로 형성될 수 있으며, 상기 봉지재(50)와 동일 또는 유사한 굴절률을 가질 수 있다. 상기 프리즘은 이등변 삼각형의 형태로 형성될 수 있으며, 상기 프리즘이 이등변 삼각형 형태로 형성되는 경우 빛의 산란도를 더욱 증가시킬 수 있다.
상기 제1 프리즘 시트(110) 및 제2 프리즘 시트(120)는 백라이트 유닛에서 도광판과 디스플레이 패널 사이에 배치되어 사용되는 것이 일반적이다. 그러나, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 상기 제1 프리즘 시트(110) 및 제2 프리즘 시트(120)를 단위 패키지에 결합시켜 사용함으로써 발광 소자 패키지(200)로부터 방출되는 광 효율을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 프리즘 시트(110) 및 제2 프리즘 시트(120)는 상기 발광 소자(40)에서 방출되어 상기 제1 프리즘 시트(110) 및 제2 프리즘 시트(120)로 유입된 후 반사에 의해 다시 발광 소자(40)가 배치된 방향으로 진행하는 빛 중 50% 이상의 빛을 상부로 재반사함으로써 광 효율을 증가시키며, 상기 프리즘은 굴절광을 증가시켜 광 효율을 증가시킨다
도 2 내지 도 5은 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판(10)이 분비되고, 상기 기판(10)을 선택적으로 제거하여 상기 발광 소자(40)가 배치되는 리세스(11)를 형성하고, 단위 패키지 분리 영역에 단위 패키지를 구분하는 관통홀(12)을 형성한다.
상기 기판(10)은 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있으며, 상기 리세스(11) 및 관통홀(12)은 습식 식각 또는 건식 식각 방법으로 형성할 수도 있다.
상기 리세스(11)는 상기 발광 소자(40)에서 방출되는 빛을 반사하는 반사컵의 역할도 수행할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(10) 상에 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)을 포함하는 전극층(30)을 형성하고, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 상기 발광 소자(40)를 설치한다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)을 형성하기 전, 상기 기판(10) 상에 절연층(20)을 형성할 수도 있다.
실시예에서 상기 발광 소자(40)는 플립칩 형태로 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 것이 예시되어 있으나, 상기 발광 소자(40)는 와이어를 통해 상기 제1 전극층(31) 및/또는 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 리세스(11) 내부에 형성되고 상기 광통홀(12)을 지나 상기 기판(10)의 바닥면까지 연장될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 기판(10)에 형성된 리세스(11) 내에 상기 봉지재(50)가 형성된다. 상기 봉지재(50)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 형광체가 분산되어 포함될 수도 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(40)는 청색광을 방출하는 발광 다이오드가 사용되고 상기 형광체는 상기 발광 소자(40)에서 방출되는 청색광에 여기되어 황색광을 방출하는 황색 형광체가 사용될 수도 있다.
또한, 상기 봉지재(50)에는 형광체가 포함되지 않을 수도 있으며, 상기 봉지재(50)와 상기 발광 소자(40) 사이에 형광체가 도포되는 것도 가능하다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(10) 상에 상기 광학 시트(100)를 형성한다. 상기 광학 시트(100)는 상기 기판(10), 전극층(30), 또는 봉지재(50) 중 적어도 어느 하나에 부착될 수 있다.
상기 광학 시트(100)는 제1,2 프리즘 시트(110,120)를 포함할 수도 있고, 상기 제1,2 프리즘 시트(110,120)는 서로 접착제에 의해 부착될 수도 있다.
상기 기판(10) 상에 상기 광학 시트(100)를 부착하는 방법은 다양하게 실시될 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(10), 봉지재(50), 전극층(30) 상에 접착제를 코팅한 후, 상기 광학 시트(100)를 부착한 후 경화시키는 방법이 사용될 수 있다.
또한, 상기 기판(10), 봉지재(50), 전극층(30) 상에 상기 광학 시트(100)를 배치한 후 열과 압력을 가하여 상기 광학 시트(100)가 부착되도록 하는 방법이 사용될 수도 있다.
또한, 상기 광학 시트(100)의 배면에 접착제를 패터닝한 후 상기 광학 시트(100)를 얼라인하여 상기 기판(10), 봉지재(50), 전극층(30) 상에 부착한 후 경화시키는 방법이 사용될 수도 있다.
그리고, 도 5에 도시된 구조물을 단위 패키지로 다이싱하면 상기 기판(10) 및 광학 시트(100)가 분리되면서 도 1과 같은 발광 소자 패키지(200)가 제작될 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법에서 광학 시트의 부착방법을 예시한 도면이다. 예들 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 광학 시트(100)의 배면에 접착제가 도포되고, 상기 접착제를 보호하기 위한 보호시트(130)가 마련될 수 있고, 상기 보호시트(130)를 상기 광학 시트(100)로부터 분리한 후, 상기 광학 시트(100)를 상기 기판(10)에 부착하는 방법이 사용될 수도 있다.
이때, 상기 광학 시트(100) 상에는 얼라인 마크(미도시)가 형성될 수도 있으며, 상기 얼라인 마크는 상기 광학 시트(100)를 상기 기판(10) 상에 정확히 설치할 수 있도록 한다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 10의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 11의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11을 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 11에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.
실시예에 따른 조명 시스템은 광 효율이 향상된 발광 소자 패키지를 사용함으로써 보다 광 효율이 향상된 조명 시스템을 제공할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 전극층;
    상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자;
    상기 발광 소자를 포위하는 봉지재; 및
    상기 발광 소자 상에 배치되어 상기 기판과 결합되는 광학 시트를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 광학 시트는 프리즘 시트를 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 프리즘 시트는 베이스부와, 상기 베이스부 상에 배치되는 프리즘부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광학 시트는 상기 기판, 전극층, 또는 봉지재 중 적어도 어느 하나와 접착하는 발광 소자 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하는 발광 소자 패키지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 전극층 사이에 절연층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 상면에 형성된 리세스를 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 리세스 내에 배치되는 발광 소자 패키지.
  8. 조명 시스템에 있어서,
    상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 청구항 제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템.
  9. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극층 및 제2 전극층을 포함하는 전극층을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자를 설치하는 단계;
    상기 발광 소자를 포위하는 봉지재를 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 광학 시트를 부착하는 단계; 및
    상기 기판 및 광학 시트를 단위 패키지 별로 분리하는 단계를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 광학 시트는 프리즘 시트를 포함하는 발광 소자 패키지 제조방법.
KR1020100061531A 2010-06-28 2010-06-28 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템 KR20120000975A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100061531A KR20120000975A (ko) 2010-06-28 2010-06-28 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템
US13/169,466 US8766526B2 (en) 2010-06-28 2011-06-27 Light-emitting device package providing improved luminous efficacy and uniform distribution
EP11171506.6A EP2400569B1 (en) 2010-06-28 2011-06-27 Light-emitting diode package
CN2011101847539A CN102299239A (zh) 2010-06-28 2011-06-28 发光器件封装

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100061531A KR20120000975A (ko) 2010-06-28 2010-06-28 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120000975A true KR20120000975A (ko) 2012-01-04

Family

ID=45608720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100061531A KR20120000975A (ko) 2010-06-28 2010-06-28 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120000975A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11739899B2 (en) Lighting device
US8324654B2 (en) Light emitting device and light unit having the same
US8568012B2 (en) Lighting unit and display device having the same
JP5797393B2 (ja) 発光素子パッケージ
TWI546984B (zh) 發光元件模組
EP2337072B1 (en) Light emitting device and light unit using the same
US8545082B2 (en) Light emitting apparatus and lighting system
EP2355194A2 (en) Light emitting device package
JP2011129916A (ja) 発光素子及びそれを用いたライトユニット
JP2013172154A (ja) 発光素子、発光素子製造方法、及びこれを備えた照明システム
TW202125069A (zh) 發光裝置以及液晶顯示裝置
CN109814189B (zh) 光学器件以及包括光学器件的光源模块
KR20110108147A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP7116331B2 (ja) 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
US8791482B2 (en) Light emitting device package
KR101047633B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR102432222B1 (ko) 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
KR101724699B1 (ko) 발광 장치 및 조명 시스템
KR20120000975A (ko) 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법, 및 조명 시스템
KR101997240B1 (ko) 조명 소자
WO2021205815A1 (ja) 線状発光部材及び面状発光装置
KR102523496B1 (ko) 조명 모듈의 조립 장치 및 이를 이용한 조립 방법
KR101125348B1 (ko) 라이트 유닛
CN117790485A (zh) 发光装置的制造方法以及发光装置
KR20130014262A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application