DE112017000502T5

DE112017000502T5 - Poliermessvorrichtung und Abtragungszeitsteuerverfahren dafür und Poliersteuersystem, das diese enthält

Info

Publication number: DE112017000502T5
Application number: DE112017000502.7T
Authority: DE
Inventors: Kee Yun Han; Suk Jin Jung
Original assignee: SK Siltron Co Ltd
Current assignee: SK Siltron Co Ltd
Priority date: 2016-08-01
Filing date: 2017-01-11
Publication date: 2018-10-31
Also published as: JP2019507027A; US11389922B2; KR101870701B1; US20210205948A1; CN108778625A; KR20180014482A; WO2018026075A1

Abstract

Die vorliegenden Ausführungsformen stellen einen Mechanismus zur Berechnung einer Dicke einer abgetasteten Waferform bereit, um ein Profil zu bestimmen, und zur Berechnung eines Delta-Korrekturwerts und eines Polierendzeitpunkts unter Verwendung eines berechneten PV-Werts pro Profil und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts und zum Widerspiegeln derselben in der Polierzeit jedes Wafers, der gerade poliert wird. Folglich kann eine hervorragende Ebenheit einer Waferoberfläche erreicht werden und gleichzeitig können mehrere Steuerungen gleichzeitig gesteuert werden, um die Einrichtungskosten zu verringern.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegenden Ausführungsformen betreffen eine Poliermessvorrichtung und ein Abtragungszeitsteuerverfahren dafür und ein Poliersteuersystem, das diese umfasst, und insbesondere eine Poliermessvorrichtung und ein Abtragungszeitsteuerverfahren dafür zur Verbesserung der Polierpräzision (Ebenheit) einer Waferoberfläche und ein Poliersteuersystem, das diese umfasst.
Hintergrundtechnik
Ein Wafer, der während der Herstellung eines Halbleiters ein Substrat wird, wird durch ein Blockzuchtverfahren zum Züchten eines Blocks, der als ein Ausgangsmaterial dient, ein Scheibenschneidverfahren zum In-Scheiben-Schneiden eines Blocks in eine Waferform, ein Läppverfahren zum Vereinheitlichen und Ebnen einer Dicke eines Wafers, ein Ätzverfahren zum Entfernen und Lindern eines aufgetretenen Schadens, ein Polierverfahren zum Spiegelpolieren einer Oberfläche eines Wafers und ein Reinigungsverfahren zum Reinigen eines Wafers und Entfernen von Fremdsubstanzen, die an einer Oberfläche haften, hergestellt.
Während des vorstehend beschriebenen Verfahrens kann auf einer Oberfläche und unter der Oberfläche eines Wafers ein Defekt auftreten. Typen von Defekten umfassen Partikel, Kratzer, Kristalldefekte, Rauheit unter der Oberfläche und Ähnliches.
Heutzutage werden Beschränkungen für die vorstehend beschriebenen Oberflächendefekte eines Wafers schnell verstärkt, und insbesondere, wenn der Wafer einen großformatigen Durchmesser hat, ist es aufgrund einer Verarbeitungscharakteristik des Wafers mit einem großformatigen Durchmesser erforderlich, einen defektfreien Wafer hoher Qualität zu implementieren.
Eine herkömmliche Poliervorrichtung kann jedoch eine Polierzeit nicht präzise anwenden und Oberflächendefekte des Wafers treten immer noch auf.
Zum Beispiel ist eine Dickenmessvorrichtung einer Waferoberfläche, die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2008-227393 offenbart wird, in einem Halterahmen weg von einer oberen Oberflächenplatte einer Poliervorrichtung angeordnet, misst eine Dicke einer Waferoberfläche, ohne durch Schwingungen der Drehung der oberen Oberflächenplatte beeinflusst zu werden, und wendet gemäß der gemessenen Dicke der Waferoberfläche eine Polierzeit auf die Poliervorrichtung an, um die Waferoberfläche zu polieren.
Da jedoch in der verwandten Technik von jeder Steuerung zum Steuern der vorstehend beschriebenen Dickenmessvorrichtung eine Poliervorrichtung gesteuert wird, werden Installationskosten der Steuerung und Ähnlicher erhöht und die Messgenauigkeit einer Dicke wird aufgrund der Begrenzung der Anzahl von Messungen des Wafers und einer Verarbeitungsumgebung einer Schlämme verringert.
Offenbarung
Technisches Problem
Die vorliegenden Ausführungsformen sind auf die Bereitstellung einer Poliermessvorrichtung und eines Abtragungszeitsteuerverfahrens dafür zur Berechnung eines Korrekturwerts gemäß einer Oberflächenform eines Wafers und Widerspiegeln des Korrekturwerts in einem Polierendzeitpunkt und ein Poliersteuersystem, das diese umfasst, ausgerichtet.
Außerdem sind die vorliegenden Ausführungsformen auf die Bereitstellung einer Poliermessvorrichtung und eines Abtragungszeitsteuerverfahrens dafür, um einen Polierendzeitpunkt auf eine Steuerung für jede Poliervorrichtung anzuwenden, und ein Poliersteuersystem, das diese umfasst, ausgerichtet.
Technische Lösung
Gemäß einer Ausführungsform wird eine Poliermessvorrichtung bereitgestellt, die umfasst: eine Formabtasteinheit, die konfiguriert ist, um eine Waferform abzutasten, die von wenigstens einer Steuerung bereitgestellt wird, die eine Polierzeit jedes Wafers steuert; eine Profilbestimmungseinheit, die konfiguriert ist, um eine Dicke der abgetasteten Waferform zu bestimmen, um wenigstens ein Profil für einen Wafertyp zu bestimmen; eine Endzeitpunktberechnungseinheit, die konfiguriert ist, um durch das bestimmte Profil einen PV-Wert zu berechnen und unter Verwendung des berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Delta-Korrekturwert und einen Polierendzeitpunkt zu berechnen; und eine Polierzeitänderungseinheit, die konfiguriert ist, um den berechneten Polierendzeitpunkt an die wenigstens eine Steuerung zu übertragen, um eine Polierzeit jedes der Wafer, der gerade poliert wird, zu ändern.
Die Waferform kann ein Ergebnis sein, das gemäß der Polierzeit erzeugt wird.
Die Profilberechnungseinheit kann eine Dicke pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes der Wafer liegt, berechnen.
Die Dicke kann eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfassen.
Das wenigstens eine Profil kann eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfassen, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Der Delta-Korrekturwert kann der PV-Vorhersagewert - der PV-Wert sein, und der Polierendzeitpunkt kann eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert sein.
Der PV-Vorhersagewert kann ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit sein.
Gemäß einer Ausführungsform wird ein Poliersteuersystem bereitgestellt, das umfasst: eine Poliermessvorrichtung, die konfiguriert ist, um eine Dicke einer abgetasteten Waferform zu berechnen, um wenigstens ein Profil für einen Wafertyp zu bestimmen und unter Verwendung eines durch das bestimmte Profil berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Delta-Korrekturwert und einen Polierendzeitpunkt zu berechnen; wenigstens eine Steuerung, die konfiguriert ist, um eine Polierzeit jedes der Wafer auf eine folgende Poliervorrichtung anzuwenden, um eine Form des Wafers, der gerade poliert wird, zu erhalten, und die Polierzeit auf den berechneten Polierendzeitpunkt zu ändern; und die Poliervorrichtung, die konfiguriert ist, um eine Oberfläche jedes der Wafer gemäß der Polierzeit primär zu polieren und die Oberfläche jedes der Wafer gemäß dem geänderten Polierendzeitpunkt sekundär zu polieren.
Die Poliervorrichtung kann eine Dicke pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes der Wafer liegt, berechnen.
Die Dicke kann eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfassen.
Das wenigstens eine Profil kann eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfassen, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Der Delta-Korrekturwert kann der PV-Vorhersagewert - der PV-Wert sein, und der Polierendzeitpunkt kann eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert sein.
Der PV-Vorhersagewert kann ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit sein.
Gemäß einer Ausführungsform wird ein Abtragungszeitsteuerverfahren als ein Verfahren zum Steuern eines Polierendzeitpunkts für jeden Wafer von mehreren Steuerungen durch eine Poliermessvorrichtung bereitstellt, das umfasst: Abtasten einer Waferform, das von wenigstens einer Steuerung bereitgestellt wird; Berechnen einer Dicke pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes der Wafer liegt, basierend auf der abgetasteten Waferform; Bestimmen wenigstens eines Profils für einen Wafertyp basierend auf der pro Ort berechneten Dicke; Berechnen eines PV-Werts durch das bestimmte Profil und Berechnen eines Delta-Korrekturwerts und eines Polierendzeitpunkts unter Verwendung des berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts; und Ändern der Polierzeit jedes der Wafer, der gerade poliert wird, indem der berechnete Polierendzeitpunkt an die wenigstens eine Steuerung übertragen wird.
Die Dicke kann eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfassen.
Das wenigstens eine Profil kann eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfassen, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Der Delta-Korrekturwert kann der vorhergesagte PV-Wert - der PV-Wert sein, und der Polierendzeitpunkt kann eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert sein.
Der PV-Vorhersagewert kann ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit sein.
Vorteilhafte Ergebnisse
Wie vorstehend beschrieben, kann in den vorliegenden Ausführungsformen ein Korrekturwert für jedes Profil eines Wafertyps berechnet werden, und eine Polierzeit kann geändert werden, und somit kann eine hervorragende Ebenheit einer Waferoberfläche ohne Defekte auf der Waferoberfläche erreicht werden.
Außerdem können in den vorliegenden Ausführungsformen mehrere Steuerungen durch eine Poliermessvorrichtung gesteuert werden, und somit können Einrichtungskosten erheblich gesenkt werden.
Die vorteilhaften Ergebnisse sind nicht darauf beschränkt und andere nicht beschriebene Ergebnisse können von Fachleuten der Technik aus der nachstehenden Beschreibung klar verstanden werden.
Figurenliste

1 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das eine Verbindungsbeziehung einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt.
2 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
3 ist ein Konfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Betriebs einer Formabtasteinheit, die in der Poliermessvorrichtung von 2 offenbart wird, darstellt.
4 ist ein Konfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Profils darstellt, das durch eine Profilbestimmungseinheit der Poliermessvorrichtung von 2 erhalten wird.
5 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Poliersteuersystems gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
6 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
7 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel eines Abtragungszeitsteuerverfahrens gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
8 ist ein Diagramm, das eine Korrelation zwischen einer Waferform und einer Lücke gemäß einer Ausführungsform schematisch darstellt.
9 ist ein Diagramm, das eine Korrelation zwischen einer waferartigen Profilform und einer Lücke schematisch darstellt.

Beste Art der Ausführung der Erfindung
Hier nachstehend werden ein Verfahren und Steuerungen, die in den folgenden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart werden, unter Bezug auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. Hier verwendete Begriffe dienen zu dem Zweck, lediglich eine spezifische Ausführungsform zu beschreiben und sollen die Ausführungsform der Erfindung nicht beschränken.
Ebenso bedeuten die hier beschriebenen Begriffe „umfassen“, „haben“ oder „konfigurieren“, dass Komponenten vorhanden sind, wenn nicht spezifisch das Gegenteil dargelegt wird, und sollten somit nicht als andere Ausführungsformen ausschließend, sondern ferner die anderen Komponenten enthaltend ausgelegt werden.
Ebenso versteht sich, dass die Singularform „der“, „die“, „das“, die in der Beschreibung der in den folgenden Ausführungsformen und Patentansprüchen offenbarten Ausführungsformen verwendet werden, Pluralausdrücke, wenn in den oberen und unteren Kontexten nicht anders spezifiziert, einschließt, und „und/oder“ als jegliche und alle möglichen Kombinationen eines oder mehrerer der zugehörigen aufgelisteten Punkte umfassend verstanden werden sollte.
Wenn in der folgenden Beschreibung der Ausführungsform beschrieben wird, dass jede Schicht (Film), Bereich, Muster oder Struktur „über/auf“ oder „unterhalb/unter“ einem Substrat ausgebildet ist, umfasst die Beschreibung sowohl, dass jede Schicht (Film), Bereich, Belag oder Muster „direkt“ oder „indirekt (unter Dazwischenfügen einer anderen Schicht)“ „über/auf“ oder „unterhalb/unter“ ausgebildet ist. Ebenso wird ein Standard von über/auf oder unterhalb/unter jeder Schicht basierend auf den Zeichnungen beschrieben.
Hier nachstehend werden eine Poliermessvorrichtung und ein Steuerverfahren für deren Polierzeit und ein Poliersteuersystem, das diese enthält, basierend auf den vorstehend beschriebenen Gesichtspunkten im Detail beschrieben.
<Ausführungsform der Verbindung der Poliermessvorrichtung>
1 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das eine Verbindungsbeziehung einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt.
Bezug nehmend auf 1 steuert eine Poliermessvorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform wenigstens eine Steuerung 200 durch interne Kommunikation oder externe Kommunikation.
Zum Beispiel kann die Poliermessvorrichtung 100 jede Steuerung 200 gleichzeitig steuern, indem sie Steuerbefehle bezüglich eines berechneten Berechnungsalgorithmus an jede Steuerung 200 überträgt.
Die vorstehend beschriebene wenigstens eine Steuerung 200 wendet im Wesentlichen die Steuerbefehle bezüglich des erhaltenden Berechnungsalgorithmus auf jede der Poliervorrichtungen 300, die durch interne Kommunikation oder externe Kommunikation verbunden sind, an, und in jeder Poliervorrichtung 300 wird eine Waferoberfläche (eine vordere Oberfläche und/oder eine hintere Oberfläche) poliert.
Eine derartige wenigstens eine Steuerung 200 kann mit jeder Poliervorrichtung 300 getrennt verbunden sein, kann aber an einem inneren Abschnitt jeder Poliervorrichtung 300 angeordnet sein.
Hier nachstehend wird die Poliermessvorrichtung 100 zum Ableiten des vorstehend beschriebenen Berechnungsalgorithmus detaillierter beschrieben.
<Ausführungsform der Poliermessvorrichtung>
2 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
Außerdem ist 3 ein Konfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Betriebs einer Formabtasteinheit, die in der Poliermessvorrichtung von 2 offenbart wird, darstellt. 4 ist ein Konfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Profils darstellt, das durch eine Profilbestimmungseinheit der Poliermessvorrichtung von 2 erhalten wird, und auf 3 und 4 wird bei der Beschreibung von 2 ergänzend Bezug genommen.
Bezug nehmend auf 2 umfasst die Poliermessvorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform eine Formabtasteinheit 110, eine Profilbestimmungseinheit 120, eine Endzeitpunkt-Berechnungseinheit 130 und eine Polierzeitänderungseinheit 140.
In einer Ausführungsform kann die Formabtasteinheit 110 eine Waferform (Waferforminformation) von wenigstens einer Steuerung empfangen, die eine Polierzeit jedes Wafers steuert, und kann die empfangene Waferform abtasten.
Vorzugsweise kann die Waferabtasteinheit 110 eine Abtastung auf einer vorderen Oberfläche und/oder einer hinteren Oberfläche eines Wafers durchführen. Wie zum Beispiel in 3 gezeigt, kann die Formabtasteinheit 110 eine gesamte vordere Oberfläche des Wafers abtasten, wenn die Waferabtasteinheit 110 von einem Ort, der einer Mitte der vorderen Oberfläche des Wafers entspricht, durch die Mitte der vorderen Oberfläche des Wafers in Richtung eines Endes läuft. Die vorstehend beschriebene Formabtasteinheit 110 kann in einer Poliervorrichtung 300 bereitgestellt sein.
In einer Ausführungsform kann die Profilbestimmungseinheit 120 eine Dicke für die von der Formabtasteinheit 110 abgetastete Waferform pro jedem Ort berechnen. Zum Beispiel kann die Formabtasteinheit 110 eine Dicke pro jedem Ortspunkt auf der gleichen Linie des Wafers berechnen.
Da eine Waferoberfläche pro Ort, der auf der gleichen Linie angeordnet ist, eine zufällige Form, wie eine holprige Form hat, ist es möglich, die Dicke zu berechnen.
Hier kann die vorstehend beschriebene Dicke eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfassen.
Wenn die zufällige Form zum Beispiel holprig ist, kann die höchste Höhe durch die Profilbestimmungseinheit 120 erkannt und als eine maximale Dicke berechnet werden, und die niedrigste Höhe kann durch die Profilbestimmungseinheit 120 erkannt und als eine minimale Dicke berechnet werden, und eine mittlere Höhe dazwischen kann durch die Profilbestimmungseinheit 120 erkannt und als eine mittlere Dicke berechnet werden.
Wenn eine 1/4-Dicke, eine 2/4-Dicke und eine 3/4-Dicke, welche die verbleibenden Dickenelemente sind, von der Mitte der Waferoberfläche ebenso in 1/4, 2/4 und 3/4 unterteilt werden, kann die Dicke für jede Höhe durch die Profilbestimmungseinheit 120 berechnet werden.
Außerdem kann die Profilbestimmungseinheit 120 gemäß einer Ausführungsform wenigstens ein Profil, das Profilinformation in Bezug auf einen Wafertyp ist, basierend auf wenigstens einer berechneten Dicke, die Dickeninformation ist, bestimmen.
Mit anderen Worten erkennt die Bestimmungseinheit 120 wenigstens ein Dickenelement pro Ort der Waferoberfläche auf der gleichen Linie, die Form kann leicht vorhergesagt werden, und basierend darauf ist es möglich, wenigstens eine Profilform des Wafertyps pro Ort der Waferoberfläche ausreichend zu erkennen.
Das vorstehend beschriebene wenigstens eine Profil kann eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfassen, die auf der Basis wenigstens einer berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Eine derartige wenigstens eine Profilform kann wie in 4 dargestellt sein. Die in 4 gezeigte konvexe Form erfordert eine längere Polierzeit als die anderen Typen zum Ebnen der Waferoberfläche, und dann kann die Polierzeit in der Reihenfolge der W-Form, der M-Form und der konkaven Form verkürzt werden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die vorstehend beschriebenen vier Typen der Profilform beschränkt.
In einer Ausführungsform kann die Endzeitpunktberechnungseinheit 130 einen Spitzen-Tal-Wert (PV-Wert) pro Profil in Bezug auf die vier Waferformen, die von der Profilbestimmungseinheit 120 bestimmt werden, berechnen.
Wenn der PV-Wert berechnet wird, ist es möglich, eine tatsächliche Polierzeit für jedes Profil, wie in 4 gezeigt, zu erkennen. Obwohl jedoch eine primäre Polierzeit berechnet und auf das Polieren der tatsächlichen Waferoberfläche angewendet wird, kann die Ebenheit der Waferoberfläche aufgrund des Auftretens von Defekten nicht leicht implementiert werden.
Um dies zu verhindern, kann die Endzeitpunktberechnungseinheit 130 im Voraus einen vorhergesagten PV-Wert festlegen und den PV-Wert zum Ebnen der Waferoberfläche nutzen. Der vorstehend beschriebene PV-Vorhersagewert kann ein basierend auf einer vorhergesagten Polierzeit pro jeweils wenigstens einem Profil und/oder Umweltfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagter Wert sein.
Folglich kann die Endzeitpunktberechnungseinheit 130 gemäß einer Ausführungsform einen Delta-Korrekturwert berechnen, der fähig ist, unter Verwendung des berechneten PV-Werts und des festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Fehler zu verringern, und kann den Polierendzeitpunkt, der auf das Polieren der Waferoberfläche angewendet werden soll, pro jedem Profil unter Verwendung des berechneten Delta-Korrekturwerts berechnen.
Zum Beispiel kann der Delta-Korrekturwert D durch eine Operation der folgenden Gleichung 1 erhalten werden, und ein Polierendzeitpunkt T kann unter Verwendung des Delta-Korrekturwerts D, der bereits erhalten wurde, und einer Steuerzeit t, die gemäß jedem PV-Wert berechnet wird, berechnet werden.
Das heißt, die Endzeitpunktberechnungseinheit 130 kann den Polierendzeitpunkt T durch die folgende Gleichung 2 berechnen. Wen der vorstehend beschriebene PV-Wert niedriger ist, ist die Ebenheit (globale Ebenheitswerte (GBIR)) der Waferoberfläche besser, so dass die Steuerzeit t gemäß dem PV-Wert bestimmt werden kann. $Delta - Korrekturwert D = PV - Vorhersagewert - PV - Wert$
$\begin{array}{l} Der Polierendzeipunkt T ist die Steuerzeit t gemäß dem PV - Wert \pm dem \\ Delta Korrekturwert \end{array}$
Schließlich kann die Polierzeitänderungseinheit 140 in einer Ausführungsform den von der Endzeitpunktberechnungseinheit 130 berechneten Polierendzeitpunkt T an wenigstens eine Steuerung 200 übertragen, die durch interne oder externe Kommunikation verbunden ist.
Da der berechnete Polierendzeitpunkt T, wie vorstehend beschrieben, an jede Steuerung 200 übertragen wird, kann der von jeder Steuerung 200 erhaltene Polierendzeitpunkt T verschieden sein. Folglich kann die Poliermessvorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform gleichzeitig wenigstens eine Steuerung 200 steuern, indem sie einen Algorithmus, der für jede Steuerung 200 berechnet wird, an eine entsprechende Steuerung 200 überträgt.
Jedoch wendet die herkömmliche Vorrichtung weder den vorstehend beschriebenen Berechnungsalgorithmus an, noch stellt sie gleichzeitig einen Mechanismus zur Steuerung jeder Steuerung 200 bereit.
Die wenigstens eine Steuerung 200, welche den Polierendzeitpunkt T empfängt, kann die Polierzeit jedes Wafers, der primär poliert wird, gemäß dem erhaltenen Polierendzeitpunkt ändern.
Das heißt, die wenigstens eine Steuerung 200 kann die primäre Polierzeit auf den Polierendzeitpunkt ändern, der eine sekundäre Polierzeit ist, und auf jede Poliervorrichtung 300 anwenden. Folglich führt jede Poliervorrichtung 300 das Polieren der Waferoberfläche gemäß dem geänderten sekundären Polierendzeitpunkt durch.
Wie vorstehend beschrieben, wird in der vorliegenden Ausführungsform der Korrekturwert für jedes Profil des Wafertyps berechnet, und die Polierzeit wird geändert und angewendet, so dass auf der Oberfläche des Wafers eine hervorragende Ebenheit ohne Defekte auf der Waferoberfläche implementiert werden kann und mehrere Steuerungen gleichzeitig gesteuert werden können und somit Ausrüstungskosten erheblich verringert werden können.
<Ausführungsform des Poliersteuersystems>
5 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel eines Poliersteuersystems gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
Bezug nehmend auf 5 umfasst ein Poliersteuersystem 400 gemäß einer Ausführungsform eine Poliermessvorrichtung 410, eine Steuerung 420 und eine Poliervorrichtung 430.
In einer Ausführungsform ist die Poliermessvorrichtung 410 durch interne Kommunikation oder externe Kommunikation jeweils mit mehreren Steuerungen 420 verbunden und führt jeden Algorithmus zum Ebnen einer Oberfläche eines Wafers aus, um ihn auf jede Steuerung 420 anzuwenden.
Die interne Kommunikation oder die externe Kommunikation ist eine allgemein bekannte Verbindung und somit wird ihre Beschreibung weggelassen.
In einer Ausführungsform ist die Steuerung 420 einzeln für jede Poliervorrichtung 430 angeordnet und steuert im Wesentlichen die Poliervorrichtung 430, und jede Poliervorrichtung 430 kann gemäß einem Steuerbefehl (Steuerbefehl durch den Berechnungsalgorithmus) der Poliermessvorrichtung 410 gesteuert werden.
Wenn die Steuerung 420 ferner eine Polierzeit, die von der Poliermessvorrichtung 410 bereitgestellt wird, auf jede Poliervorrichtung 430 anwendet, kann jede Poliervorrichtung 430 die Oberfläche jedes Wafers (einschließlich der vorderen und hinteren Oberflächen des Wafers) gemäß der Polierzeit primär polieren.
Außerdem erhält die Steuerung 420 die Form (Forminformation) jedes polierten Wafers gemäß der primären Polierzeit von jeder Poliervorrichtung 430 und kann durch die interne Kommunikation oder die externe Kommunikation an eine Poliermessvorrichtung 410 übertragen.
Die interne Kommunikation oder die externe Kommunikation, die ein Mittel zur Verbindung zwischen jeder der vorstehend beschriebenen Komponenten ist, ist eine allgemein bekannte Verbindung, und folglich wird ihre Beschreibung weggelassen.
Folglich kann die Poliermessvorrichtung 410 gemäß einer Ausführungsform den vorstehend beschriebenen Berechnungsalgorithmus basierend auf der Form jedes Wafers, die von den mehreren Steuerungen 420 empfangen wird, erzeugen und den Polierendzeitpunkt, der in dem erzeugten Berechnungsalgorithmus enthalten ist, an jede Steuerung 420 übertragen.
Jede Steuerung 420 kann den erhaltenen Polierendzeitpunkt auf jede Poliervorrichtung 430 anwenden, um die Polierzeit, die gerade poliert wird, zu ändern, und jede Poliervorrichtung 430 kann basierend auf dem geänderten Polierendzeitpunkt ein sekundäres Polieren für die Waferoberfläche durchführen.
Indessen kann eine Steuerung 420 durch die interne Kommunikation oder die externe Kommunikation mit jeder Poliervorrichtung 300 verbunden sein, kann aber in deren Innerem als eine Komponente jeder der Poliervorrichtungen 300 angeordnet sein.
Hier nachstehend wird die Poliermessvorrichtung 410 zum Erzeugen des vorstehend beschriebenen Berechnungsalgorithmus detaillierter beschrieben.
<Detaillierte Ausführungsform der Poliermessvorrichtung>
6 ist ein Blockkonfigurationsdiagramm, das ein Beispiel einer Poliermessvorrichtung gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt. Bei der Beschreibung von 6 wird ergänzend auf die vorstehend beschriebenen 3 und 4 Bezug genommen.
Bezug nehmend auf 6 kann die Poliermessvorrichtung 410 gemäß einer Ausführungsform eine Waferform (Waferforminformation) von wenigstens einer Steuerung, die eine Polierzeit jedes Wafers steuert, empfangen und kann die empfangene Waferform abtasten.
Vorzugsweise kann die Poliermessvorrichtung 410 eine Abtastung einer vorderen Oberfläche und/oder einer hinteren Oberfläche des Wafers durchführen. Zum Beispiel kann die Poliermessvorrichtung 410, wie in 3 gezeigt, eine gesamte vordere Oberfläche des Wafers abtasten, wenn sie von einer Stelle, die einer Mitte der vorderen Oberfläche des Wafers entspricht, durch die Mitte der vorderen Oberfläche des Wafers in Richtung eines Endes läuft.
Außerdem kann die Poliermessvorrichtung 410 eine Dicke pro jedem Ort der Waferform, der bereits abgetastet wurde, berechnen. Die Formabtasteinheit 110 kann eine Dicke pro jedem Punkt, der auf der gleichen Linie des Wafers angeordnet ist, berechnen.
Da die Waferoberfläche pro Ort, der auf der gleichen Linie angeordnet ist, eine zufällige Form, wie eine holprige Form hat, ist es möglich, die Dicke zu berechnen.
Hier kann die vorstehend beschriebene Dicke eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke einer Waferoberfläche des Wafers pro Ort umfassen.
Wenn eine zufällige Form zum Beispiel Form zum Beispiel holprig ist, kann die höchste Höhe als eine maximale Dicke verwendet werden, und die niedrigste Höhe kann als eine minimale Dicke verwendet werden, und eine mittlere Höhe dazwischen kann als eine mittlere Dicke verwendet werden.
Wenn ebenso von der Mitte der zufälligen Form in 1/4, 2/4 und 3/4 unterteilt wird, kann jede Höhe in 1/4, 2/4 und 3/4-Dicken verwendet werden.
Außerdem kann die Profilmesseinheit 410 wenigstens ein Profil (Profilinformation) in Bezug auf einen Wafertyp basierend auf wenigstens einer berechneten Dicke (Dickeninformation) bestimmen.
Insbesondere, wenn die Poliermessvorrichtung 410 wenigstens ein Dickenelement pro Ort der Waferoberfläche auf der gleichen Linie erkennt, kann die Form leicht vorhergesagt werden, und basierend darauf ist es möglich, wenigstens eine Profilform des Wafertyps für den Ort der Waferoberfläche ausreichend zu erkennen.
Das vorstehend beschriebene wenigstens eine Profil kann eine konvexe Form, eine W-Form, eine M-Form und eine konkave Form umfassen, die auf der Basis wenigstens einer berechneten Dicke der Waferform, wie in 3 gezeigt, unterschieden werden.
Eine derartige wenigstens eine Profilform kann wie in 4 dargestellt sein. Die in 4 gezeigte konvexe Form erfordert eine längere Polierzeit als die anderen Typen zum Ebnen der Waferoberfläche, und dann kann die Polierzeit in der Reihenfolge der W-Form, der M-Form und der konkaven Form verkürzt werden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die vorstehend beschriebenen vier Typen der Profilform beschränkt.
In einer Ausführungsform kann die Poliermessvorrichtung 410 einen Spitzen-Tal-Wert (PV-Wert) pro Profil in Bezug auf die vier bestimmten Waferformen berechnen.
Wenn der PV-Wert berechnet wird, ist es möglich, eine tatsächliche Polierzeit pro jedem Profil, wie in 4 gezeigt, zu erkennen. Obwohl jedoch eine primäre Polierzeit berechnet und auf das Polieren der tatsächlichen Waferoberfläche angewendet wird, kann die Ebenheit der Waferoberfläche aufgrund des Auftretens von Fehlern nicht leicht implementiert werden.
Um dies zu verhindern, kann die Poliermessvorrichtung 410 im Voraus einen PV-Vorhersagewert festlegen und den PV-Wert zum Ebnen der Waferoberfläche nutzen. Der vorstehend beschriebene PV-Vorhersagewert kann ein basierend auf einer vorhergesagten Polierzeit pro wenigstens einem Profil und/oder Umweltfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagter Wert sein.
Folglich kann die Poliermessvorrichtung 410 einen Delta-Korrekturwert berechnen, der fähig ist, unter Verwendung des berechneten PV-Werts und des festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Fehler zu verringern, und kann den Polierendzeitpunkt, der auf das Polieren der Waferoberfläche angewendet werden soll, pro jedem Profil unter Verwendung des berechneten Delta-Korrekturwerts berechnen.
Zum Beispiel kann der Delta-Korrekturwert D durch eine Operation der folgenden Gleichung 3 erhalten werden, und ein Polierendzeitpunkt T kann unter Verwendung des Delta-Korrekturwerts D, der bereits erhalten wurde, und einer Steuerzeit t, die gemäß jedem PV-Wert berechnet wird, berechnet werden.
Das heißt, die Poliermessvorrichtung 410 kann den Polierendzeitpunkt T durch die folgende Gleichung 4 berechnen. Wenn der vorstehend beschriebene PV-Wert niedriger ist, ist die Ebenheit (Globale Ebenheitswerte (GBIR)) der Waferoberfläche besser, so dass die Steuerzeit t gemäß dem PV-Wert bestimmt werden kann. $Delta - Korrekturwert D = PV - Vorhersagewert - PV - Wert$
$\begin{array}{l} Der Polierendzeipunkt T ist die Steuerzeit t gemäß dem PV - Wert \pm dem \\ Delta Korrekturwert \end{array}$
In einer Ausführungsform kann die Poliermessvorrichtung 410 den bereits berechneten Polierendzeitpunkt T an wenigstens eine Steuerung 420 übertragen, die durch interne oder externe Kommunikation verbunden ist.
Da der berechnete Polierendzeitpunkt T, wie vorstehend beschrieben, an jede Steuerung 420 übertragen wird, kann der von jeder Steuerung 420 erhaltene Polierendzeitpunkt T verschieden sein. Folglich kann die Poliermessvorrichtung 410 gemäß einer Ausführungsform gleichzeitig wenigstens eine Steuerung 420 steuern, indem sie den Algorithmus, der für jede Steuerung 420 berechnet wird, an eine entsprechende Steuerung 420 überträgt.
Jedoch wendet die herkömmliche Vorrichtung weder den vorstehend beschriebenen Berechnungsalgorithmus an, noch stellt sie gleichzeitig einen Mechanismus zur Steuerung jeder Steuerung 200 bereit.
Die wenigstens eine Steuerung 420, welche den Polierendzeitpunkt T empfängt, kann die Polierzeit jedes Wafers, der primär poliert wird, gemäß dem bereits erhaltenen Polierendzeitpunkt ändern.
Das heißt, die wenigstens eine Steuerung 420 kann die primäre Polierzeit auf den Polierendzeitpunkt ändern, der eine sekundäre Polierzeit ist, und auf jede Poliervorrichtung 430 anwenden. Folglich führt jede Poliervorrichtung 430 das Polieren der Waferoberfläche gemäß dem geänderten sekundären Polierendzeitpunkt durch.
Wie vorstehend beschrieben, wird in der vorliegenden Ausführungsform der Korrekturwert pro jedem Profil des Wafertyps berechnet, und die Polierzeit wird geändert und angewendet, so dass auf der Oberfläche des Wafers eine hervorragende Ebenheit ohne Defekte auf der Waferoberfläche implementiert werden kann und mehrere Steuerungen gleichzeitig gesteuert werden können und somit Ausrüstungskosten erheblich verringert werden können.
<Ausführungsform des Steuerverfahrens für die Polierzeit>
7 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel eines Abtragungszeitsteuerverfahrens gemäß einer Ausführungsform beispielhaft darstellt.
Das Abtragungszeitsteuerverfahren 500 gemäß einer Ausführungsform steuert eine primäre Polierzeit und eine sekundäre Polierzeit für jeden Wafer mehrerer Steuerungen durch eine Poliermessvorrichtung.
Hier bezieht sich die primäre Polierzeit auf eine Zeit für das primäre Polieren jeder Waferoberfläche (zum Beispiel einschließlich der vorderen und hinteren Oberflächen), und die vorstehend beschriebene sekundäre Polierzeit ist eine Zeit, für welche die primäre Polierzeit korrigiert wird, die sich auf eine Zeit zum erneuten Polieren jeder einmal polierten Waferoberfläche bezieht.
Da die vorstehend beschriebene Poliermessvorrichtung in 1 bis 6 beschrieben wurde, wird ihre Beschreibung weggelassen, aber auch in der vorliegenden Ausführungsform angewendet. In der vorliegenden Ausführungsform kann jedoch nur eine Gesamtkonfiguration oder ein Teil der Konfiguration der Poliermessvorrichtung von 1 bis 6 implementiert werden.
Das Verfahren zur Steuerung der Polierzeit 500, das durch die vorstehend beschriebene Poliermessvorrichtung implementiert wird, ist wie folgt.
Bezug nehmend auf 7 umfasst das Verfahren zur Steuerung der Polierzeit 500 gemäß einer Ausführungsform die Schritte 510 bis 550 zum Durchführen des Ebnens einer Waferoberfläche durch die Poliermessvorrichtung.
Zuerst kann die Poliermessvorrichtung in einem beispielhaften Schritt 510 eine Waferform (Forminformation eines Wafers), die von wenigstens einer Steuerung bereitgestellt wird, abtasten. Die Waferform kann Forminformation des primär verarbeiteten Wafers sein.
In einem beispielhaften Schritt 520 kann die Poliermessvorrichtung eine Dicken pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes Wafers angeordnet ist, basierend auf der bereits abgetasteten Waferform berechnen.
Die in der Berechnung verwendete Dicke kann eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort, der auf der gleichen Linie angeordnet ist, umfassen. Ein derartiges Beispiel wurde in 3 vollständig diskutiert und kann auch auf die vorliegende Ausführungsform angewendet werden.
In einem beispielhaften Schritt 530 kann die Poliermessvorrichtung wenigstens ein Profil in Bezug auf einen Wafertyp basierend auf der bereits berechneten Dicke pro Ort der Waferoberfläche bestimmen.
Zum Beispiel kann das vorstehend beschriebene wenigstens eine Profil eine konvexe Form, eine W-Form, eine M-Form und eine konkave Form umfassen, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden. Ein derartiges Beispiel wurde in 4 vollständig diskutiert und kann auch auf die vorliegende Ausführungsform angewendet werden.
In einem beispielhaften Schritt 540 kann die Poliermessvorrichtung einen PV-Wert für jedes Profil, das bereits bestimmt wurde, berechnen und kann unter Verwendung des berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Delta-Korrekturwert und einen Polierendzeitpunkt berechnen.
Die vorstehend beschriebene Delta-Korrektur kann sich auf den PV-Vorhersagewert - den PV-Wert beziehen, der Polierendzeitpunkt kann sich auf eine Steuerzeit gemäß dem bereits berechneten PV-Wert + dem Delta-Korrekturwert beziehen, und der PV-Vorhersagewert kann ein basierend auf einer vorhergesagten Polierzeit pro jedem wenigstens einen Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagter Wert sein.
Schließlich kann die Poliermessvorrichtung in einem beispielhaften Schritt 550 den bereits berechneten Polierendzeitpunkt an wenigstens eine Steuerung übertragen, um die Polierzeit jedes Wafers, der gerade poliert wird, zu ändern.
Zum Beispiel kann wenigstens eine Steuerung die primäre Polierzeit auf den Polierendzeitpunkt ändern, was die sekundäre Polierzeit ist, und auf jede Poliervorrichtung anwenden. Folglich führt jede Poliervorrichtung das Polieren für die Waferoberfläche gemäß dem geänderten sekundären Polierendzeitpunkt durch.
Wie vorstehend beschrieben, wird in der vorliegenden Ausführungsform der Korrekturwert für jedes Profil des Wafertyps berechnet und die Polierzeit wird geändert und angewendet, so dass eine hervorragende Ebenheit auf der Oberfläche des Wafers ohne Defekte auf der Waferoberfläche implementiert werden kann und mehrere Steuerungen gleichzeitig gesteuert werden können und somit Einrichtungskosten erheblich gesenkt werden können.
Indessen können der vorstehend beschriebene PV-Vorhersagewert, der Delta-Korrekturwert und/oder der Polierendzeitpunkt ein Wert sein, der zum Beispiel gemäß der Profilform von vier Wafertypen festgelegt wird, aber ein Berechnungsergebnis kann variieren. Hier nachstehend wird dies detaillierter beschrieben.
<Ausführungsform der Korrelation zwischen Lücke und Waferdicke/Profil>
8 ist ein Diagramm, das eine Korrelation zwischen einer Waferform und einer Lücke gemäß einer Ausführungsform schematisch darstellt, und 9 ist ein Diagramm, das eine Korrelation zwischen einer waferartigen Profilform und einer Lücke schematisch darstellt.
Die in 1 bis 7 beschriebene Poliermessvorrichtung kann einen PV-Vorhersagewert festlegen, um eine Polierzeit gemäß einer Profilform (Form einer Waferoberfläche) von zum Beispiel vier Wafertypen zum Ebnen der Waferoberfläche zu verlängern oder zu verkürzen, und kann einen Polierendzeitpunkt berechnen.
Zum Beispiel ist eine in 8 gezeigte waferartig gestrichelten Linie die Waferform, wenn die Polierzeit kurz ist, und wenn eine Lücke zwischen der Höhe der Waferform der gestrichelten Linie und dem Träger groß ist, ist die Randform des Wafers auch stark aufgerollt, so dass sie eine Profilform mit konvexer Form haben kann.
Wenn die Polierzeit in dem Fall der Profilform mit konvexer Form verlängert wird, wird die Profilform mit konvexer Form ein Wafer mit einer durchgezogenen Linie, die Lücke zwischen der Höhe der Waferform der durchgezogenen Linie und dem Träger wird entsprechend verringert, und das Aufrollen der Randform des Wafers nimmt ebenfalls ab. Wenn eine Korrelation einer derartigen Lücke auf einen Profiltyp angewendet wird, kann dies wie in 9 gezeigt ausgedrückt werden.
Der in 9 gezeigte Profiltyp mit konvexer Form hat die größte Lückendifferenz, und die Lückendifferenz ist in der Reihenfolge der Profilformen der W-Form, der M-Form und der konkaven Form kleiner.
Wenn folglich in der in 1 bis 7 beschriebenen Poliermessvorrichtung die Profilform des Wafers eine konvexe Form ist, wird der Polierendzeitpunkt erhöht, so dass sie eine konkave Form ist, und wenn die Poliermenge der Waferoberfläche in der Mitte zunimmt, können ein PV-Vorhersagewert etc. in einer Richtung festgelegt werden, die sich der Ebenheit nähert, und die Profilform des Rests der W-Form, der M-Form und der konkaven Form kann unter Berücksichtigung der Lückendifferenz in 8 auch auf den PV-Vorhersagewert, etc. in der Richtung, die sich der Ebenheit nähert, festgelegt werden.
Folglich können in den Ausführungsformen von 1 bis 7 der Delta-Korrekturwert und der Polierendzeitpunkt, der den vorstehend beschriebenen PV-Vorhersagewert, etc. wiederspiegelt erheblich beitragen, um die Ebenheit der Waferoberfläche zu erreichen.
Es wird für Fachleute der Technik offensichtlich, dass die vorstehend offenbarten vorliegenden Ausführungsformen in anderen spezifischen Formen ausgeführt werden können, ohne von ihrem Geist oder wesentlichen Charakteristiken abzuweichen.
Folglich sollte die vorstehende detaillierte Beschreibung in allen Aspekten nicht als einschränkend ausgelegt werden und sollte als veranschaulichend betrachtet werden. Der Schutzbereich der vorliegenden Ausführungsform sollte durch vernünftige Interpretation der beigefügten Patenansprüche bestimmt werden, und alle Änderungen innerhalb des äquivalenten Schutzbereichs der vorliegenden Ausführungsform sind in dem Schutzbereich der vorliegenden Ausführungsform enthalten.
Betriebsarten der Erfindung
Die Art zur Ausführung der Erfindung wurde vorstehend in „Beste Art der Ausführung der Erfindung“ vollständig beschrieben.
Industrielle Anwendbarkeit
Die vorstehend beschriebene Poliermessvorrichtung und das Verfahren zur Steuerung ihrer Polierzeit und das Poliersteuersystem, das diese enthält, berechnen einen Korrekturwert gemäß einer Oberflächenform eines Wafers und spiegeln diesen in dem Polierendzeitpunkt wider und wenden den Polierendzeitpunkt auf eine Steuerung für jede Poliervorrichtung an. Daher ist es möglich, eine Waferfertigungsvorrichtung anzuwenden, die fähig ist, einen Wafer mit hervorragender Ebenheit ohne Defekte auf einer Waferoberfläche herzustellen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2008227393 [0006]

Claims

Poliermessvorrichtung, die aufweist: eine Formabtasteinheit, die konfiguriert ist, um eine Waferform abzutasten, die von wenigstens einer Steuerung bereitgestellt wird, die eine Polierzeit jedes Wafers steuert; eine Profilbestimmungseinheit, die konfiguriert ist, um eine Dicke der abgetasteten Waferform zu bestimmen, um wenigstens ein Profil für einen Wafertyp zu bestimmen; eine Endzeitpunktberechnungseinheit, die konfiguriert ist, um durch das bestimmte Profil einen PV-Wert zu berechnen und unter Verwendung des berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Delta-Korrekturwert und einen Polierendzeitpunkt zu berechnen; und eine Polierzeitänderungseinheit, die konfiguriert ist, um den berechneten Polierendzeitpunkt an die wenigstens eine Steuerung zu übertragen, um eine Polierzeit jedes der Wafer, der gerade poliert wird, zu ändern.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Waferform ein Ergebnis ist, das gemäß der Polierzeit erzeugt wird.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Profilberechnungseinheit eine Dicke pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes der Wafer liegt, berechnet.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Dicke eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfasst.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 4, wobei das wenigstens eine Profil eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfasst, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Delta-Korrekturwert der PV-Vorhersagewert - der PV-Wert ist, und der Polierendzeitpunkt eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert ist.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 6, wobei der PV-Vorhersagewert ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit ist.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Polierzeitänderungseinheit einen von der Endzeitpunktberechnungseinheit berechneten Polierendzeitpunkt T an wenigstens eine Steuerung überträgt, die durch interne oder externe Kommunikation verbunden ist.
Poliermessvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die wenigstens eine Steuerung, die den Polierendzeitpunkt T empfängt, eine Polierzeit jedes Wafers, der gerade primär poliert wird, auf den erhaltenen Polierendzeitpunkt ändert.
Poliersteuersystem, das aufweist: eine Poliermessvorrichtung, die konfiguriert ist, um eine Dicke einer abgetasteten Waferform zu berechnen, um wenigstens ein Profil für einen Wafertyp zu bestimmen und unter Verwendung eines durch das bestimmte Profil berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts einen Delta-Korrekturwert und einen Polierendzeitpunkt zu berechnen; wenigstens eine Steuerung, die konfiguriert ist, um eine Polierzeit jedes der Wafer auf eine folgende Poliervorrichtung anzuwenden, um eine Form des Wafers, der poliert wird, zu erhalten, und die Polierzeit auf den berechneten Polierendzeitpunkt zu ändern; und die Poliervorrichtung, die konfiguriert ist, um eine Oberfläche jedes der Wafer gemäß der Polierzeit primär zu polieren und Linie die Oberfläche jedes der Wafer gemäß dem geänderten Polierendzeitpunkt sekundär zu polieren.
Poliersteuersystem nach Anspruch 10, wobei die Poliermessvorrichtung eine Dicke pro Ort jedes der Wafer, die auf der gleichen Linie angeordnet sind, berechnet.
Poliersteuersystem nach Anspruch 11, wobei die Dicke eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfasst.
Poliersteuersystem nach Anspruch 12, wobei das wenigstens eine Profil eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfasst, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Poliersteuersystem nach Anspruch 10, wobei der Delta-Korrekturwert der PV-Vorhersagewert - der PV-Wert ist, und der Polierendzeitpunkt eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert ist.
Poliersteuersystem nach Anspruch 14, wobei der PV-Vorhersagewert ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit ist.
Abtragungszeitsteuerverfahren als ein Verfahren zum Steuern eines Polierendzeitpunkts für jeden Wafer von mehreren Steuerungen durch eine Poliermessvorrichtung, das aufweist: Abtasten einer Waferform, das von wenigstens einer Steuerung bereitgestellt wird; Berechnen einer Dicke pro Ort, der auf der gleichen Linie jedes der Wafer liegt, basierend auf der abgetasteten Waferform; Bestimmen wenigstens eines Profils für einen Wafertyp basierend auf der pro Ort berechneten Dicke; Berechnen eines PV-Werts durch das bestimmte Profil und Berechnen eines Delta-Korrekturwerts und eines Polierendzeitpunkts unter Verwendung des berechneten PV-Werts und eines festgelegten PV-Vorhersagewerts; und Ändern der Polierzeit jedes der Wafer, der gerade poliert wird, indem der berechnete Polierendzeitpunkt an die wenigstens eine Steuerung übertragen wird.
Abtragungszeitsteuerverfahren nach Anspruch 16, wobei die Dicke eine maximale Dicke und/oder eine minimale Dicke und/oder eine mittlere Dicke und/oder 1/4-Dicke und/oder eine 2/4-Dicke und/oder eine 3/4-Dicke jedes der Wafer pro Ort umfasst.
Abtragungszeitsteuerverfahren nach Anspruch 17, wobei das wenigstens eine Profil eine konvexe Form und/oder eine W-Form und/oder eine M-Form und/oder eine konkave Form umfasst, die auf der Basis der berechneten Dicke der Waferform unterschieden werden.
Abtragungszeitsteuerverfahren nach Anspruch 16, wobei der Delta-Korrekturwert der PV-Vorhersagewert - der PV-Wert ist, und der Polierendzeitpunkt eine Steuerzeit gemäß dem PV-Wert +/- dem Delta-Korrekturwert ist.
Abtragungszeitsteuerverfahren nach Anspruch 19, wobei der PV-Vorhersagewert ein vorhergesagter Wert basierend auf einer durch das wenigstens eine Profil oder Umgebungsfaktoren, welche die Polierzeit beeinflussen, vorhergesagten Polierzeit ist.