CN108778625A - 抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括其的抛光控制系统 - Google Patents

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Abstract

本实施例提供了一种机制，用于计算扫描的晶片形状的厚度以确定轮廓，并通过使用由轮廓计算的PV值和设定的预测PV值来计算Δ校正值和抛光终点时间，并将所述Δ校正值和抛光终点时间反映到正在抛光的每个晶片的抛光时间。因此，可以实现晶片表面的优异平坦度，同时，可以同时控制多个控制器以降低设备成本。

Description

抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括其的抛光控 制系统
技术领域
本实施例涉及一种抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括其的抛光控制系统，更具体地涉及一种用于提高晶片表面的抛光精度(平坦度)的抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括其的抛光控制系统。
背景技术
在制造半导体期间成为基板的晶片通过用于生长用作原料的晶锭的晶锭生长工艺、用于将晶锭切成晶片形状的切片工艺、用于使晶片的厚度均匀化和平坦化的研磨工艺、用于去除和减轻发生的损坏的蚀刻工艺、用于对晶片的表面镜面抛光的抛光工艺、以及用于清洁晶片和去除粘附在表面上的异物的清洁工艺来制造。
在上述过程期间，在晶片的表面和表面下(subsurface)可能发生缺陷。缺陷的类型包括颗粒、刮痕、晶体缺陷、表面下粗糙度等。
如今，对晶片的上述表面缺陷的限制迅速增强，特别是，由于晶片具有大规模直径，因此由于大规模直径的晶片的处理特征需要实现高质量的无缺陷晶片。
然而，传统的抛光装置不能精确地施加抛光时间，并且仍然发生晶片的表面缺陷。
例如，在日本专利申请公开No.2008-227393中公开的晶片表面的厚度测量装置被布置在远离抛光装置的上表面板的支撑框架中，测量晶片表面的厚度而不受上表面板的旋转振动的影响，并根据测得的晶片表面厚度对抛光装置施加抛光时间以抛光晶片表面。
然而，在相关技术中，由于抛光装置由用于控制上述厚度测量装置的每个控制器控制，所以控制器等的安装成本增加，并且由于晶片的测量次数和浆料的处理环境的限制，厚度的测量精度降低。
发明内容
技术问题
本实施例旨在提供用于根据晶片的表面形状计算校正值并将该校正值反映在抛光终点时间的抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括该抛光测量设备的抛光控制系统。
另外，本实施例旨在提供用于将抛光终点时间施加到用于每个抛光装置的控制器的抛光测量设备及其研磨时间控制方法，以及包括该抛光测量设备的抛光控制系统。
技术方案
根据一个实施例，提供了一种抛光测量设备，包括：形状扫描单元，被配置成扫描从控制每个晶片的抛光时间的至少一个控制器提供的晶片形状；轮廓确定单元，被配置成计算扫描的晶片形状的厚度，以确定关于晶片类型的至少一个轮廓；终点时间计算单元，被配置成通过所确定的轮廓计算PV值，并通过使用所计算的PV值和设定的预测PV值来计算Δ校正值和抛光终点时间；以及抛光时间改变单元，被配置成将所计算的抛光终点时间传送到至少一个控制器，以改变正在抛光的每个晶片的抛光时间。
晶片形状可以是根据抛光时间生成的结果。
轮廓计算单元可以通过位于每个晶片的相同线上的位置来计算厚度。
厚度可以包括每个位置的晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所计算的晶片形状的厚度而区分。
Δ校正值可以是预测的PV值-PV值，并且抛光终点时间可以是根据PV值+/-Δ校正值的控制时间。
预测的PV值可以是基于至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响抛光时间的环境因素而预测的值。
根据实施例，提供了一种抛光控制系统，包括：抛光测量设备，被配置成计算扫描的晶片形状的厚度以确定关于晶片类型的至少一个轮廓，并通过使用由所确定的轮廓和设定的预测PV值计算Δ校正值和抛光终点时间；至少一个控制器，被配置成将每个晶片的抛光时间应用于下一个抛光装置，以获得正在抛光的晶片的形状，并将抛光时间改变为所计算的抛光终点时间；以及抛光装置，被配置成根据抛光时间初次抛光每个晶片的表面，并根据改变的抛光终点时间二次抛光每个晶片的表面。
抛光装置可以通过位于同一线上的每个晶片的位置来计算厚度。
厚度可以包括每个位置的晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所计算的晶片形状的厚度而区分。
Δ校正值可以是预测的PV值-PV值，并且抛光终点时间可以是根据PV值+/-Δ校正值的控制时间。
预测的PV值可以是基于至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响抛光时间的环境因素而预测的值。
根据实施例，提供了一种研磨时间控制方法，作为通过抛光测量设备控制多个控制器的每个晶片的抛光终点时间的方法，包括：扫描由至少一个控制器提供的晶片形状；基于扫描的晶片形状，计算位于每个晶片的同一线上的各个位置的厚度；基于位置的所计算的厚度确定关于晶片类型的至少一个轮廓；通过所确定的轮廓计算PV值，并通过使用所计算的PV值和设定的预测的PV值计算Δ校正值和抛光终点时间；并且通过将所计算的抛光终点时间传送到至少一个控制器来改变正在抛光的每个晶片的抛光时间。
厚度可以包括每个位置的晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所计算的晶片形状的厚度而区分。
Δ校正值可以是预测的PV值-PV值，并且抛光终点时间可以是根据PV值+/-Δ校正值的控制时间。
预测的PV值可以是基于至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响抛光时间的环境因素而预测的值。
有益效果
如上所述，在本实施例中，可以计算晶片类型的每个轮廓的校正值，并且可以改变抛光时间，因此可以实现晶片表面上没有缺陷的晶片表面的优异的平坦度。
此外，在本实施例中，可以通过抛光测量设备控制多个控制器，因此可以显著降低设备成本。
有益效果不限于此，本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解未描述的其他效果。
附图说明
图1是示出根据实施例的抛光测量设备的连接关系的配置框图。
图2是示例性示出根据实施例的抛光测量设备的示例的配置框图。
图3是示出图2的抛光测量设备中公开的形状扫描单元的操作的示例的配置图。
图4是示出由图2的抛光测量设备的轮廓确定单元获得的轮廓的示例的配置图。
图5是示例性示出根据实施例的抛光控制系统的示例的配置框图。
图6是示例性示出根据实施例的抛光测量设备的示例的配置框图。
图7是示例性地示出根据实施例的研磨时间控制方法的示例的流程图。
图8是示意性地示出根据实施例的晶片形状和间隙之间的相关性的图。
图9是示意性地示出晶片状轮廓形状与间隙之间的相关性的曲线图。
具体实施方式
以下，将参考附图详细描述在本发明的随后的实施例中公开的方法和控制器。本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不意图限制本发明的实施例。
并且，除非特别说明相反，否则本文所述的诸如“包括”、“具有”或“配置”的术语意味着存在部件，因此不应被解释为排除其他部件而是进一步包括其他组件。
并且，还应理解，在以下实施例和权利要求中公开的实施例的描述中使用的单数形式“该”包括复数表达，除非在上下文中另有说明，并且“和/或”应该理解为包括所列出的一个或多个相关项目的任何和所有可能的组合。
在实施例的以下描述中，当描述每个层(膜)、区域、图案、或结构形成在基板，每个层(膜)、区域、垫或图案的“上方/上”或“下方/下”时，该描述包括“直接地”和“间接地(通过插入另一层)”在“上方/上”或“下方/下”形成。此外，将基于附图描述每层的上方/上或下方/下的标准。
在下文中，将基于上述观点详细描述抛光测量设备和用于其抛光时间的控制方法，以及包括抛光测量设备的抛光控制系统。
<抛光测量设备的连接的实施例>
图1是示出根据实施例的抛光测量设备的连接关系的配置框图。
参考图1，根据实施例的抛光测量设备100通过内部通信或外部通信控制至少一个控制器200。
例如，抛光测量设备100可以通过将与所计算的计算算法有关的控制命令发送到每个控制器200来同时控制每个控制器200。
上述至少一个控制器200实质上将与所获得的计算算法有关的控制命令应用于通过内部通信或外部通信连接的每个抛光装置300，并且晶片表面(前表面和/或后表面)在每个抛光装置300中被抛光。
这样的至少一个控制器200可以单独连接到每个抛光装置300，但是可以设置在每个抛光装置300的内部。
在下文中，将更详细地描述用于导出上述计算算法的抛光测量设备100。
<抛光测量设备的实施例>
图2是示例性示出根据实施例的抛光测量设备的示例的配置框图。
另外，图3是示出图2的抛光测量设备中公开的形状扫描单元的操作的示例的配置图，图4是示出由图2的抛光测量设备的轮廓确定单元获得的轮廓的示例的配置图，并且在描述图2时将补充参考图3和图4。
参考图2，根据实施例的抛光测量设备100包括形状扫描单元110、轮廓确定单元120、终点时间计算单元130、和抛光时间改变单元140。
在一个实施例中，形状扫描单元110可以从控制每个晶片的抛光时间的至少一个控制器接收晶片形状(晶片形状信息)，并且可以扫描接收的晶片形状。
优选地，形状扫描单元110可以在晶片的前表面和/或后表面上执行扫描。例如，如图3所示，当形状扫描单元110从对应于晶片的前表面的中心的位置朝向末端经过晶片的前表面的中心时，形状扫描单元110可以扫描晶片的整个前表面。上述形状扫描单元110可以被设置在抛光装置300中。
在实施例中，轮廓确定单元120可以计算由形状扫描单元110扫描的晶片形状的每个位置的厚度。例如，形状扫描单元110可以通过位于晶片的同一线上的每个位置点计算厚度。
由于位于同一线上的各个位置的晶片表面具有任意形状，如高低不平的形状，因此可以计算厚度。
本文中，上述厚度可以包括每个位置的晶片的晶片表面的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
例如，当任意形状为高低不平时，可以通过轮廓确定单元120识别和计算最高高度作为最大厚度，并且可以通过轮廓确定单元120将最低高度识别为最小厚度，并且其间的平均值高度可以由轮廓确定单元120识别和计算为平均厚度。
同样，当1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度(剩余厚度元素)也被分成距离晶片表面中心的1/4、2/4和3/4，每个高度的厚度可以由轮廓确定单元120计算。
此外，根据实施例的轮廓确定单元120可以基于作为厚度信息的至少一个所计算的厚度来确定与晶片类型相关的至少一个轮廓作为轮廓信息。
换句话说，当轮廓确定单元120通过同一线上的晶片表面的各个位置识别至少一个厚度元素时，可以容易地预测形状，并且基于此，可以充分地识别晶片表面的各个位置的关于晶片类型的至少一个轮廓形状。
上述至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于至少一个所计算的晶片形状的厚度而区分。
这种至少一个轮廓形状可以如图4中所示。为了平坦化晶片表面，图4所示的凸形比其它类型需要更长的抛光时间，然后抛光时间可以按W形、M形和凹形的顺序缩短。然而，本发明不限于上述四种轮廓形状。
在实施例中，终点时间计算单元130可以通过与由轮廓确定单元120确定的四个晶片形状相关的轮廓来计算峰谷值(PV值)。
当计算了PV值时，可以通过每个轮廓来识别实际的可抛光时间，如图4所示。然而，即使计算了初次抛光时间并将其应用于实际晶片表面的抛光，由于出现误差，晶片表面的平坦度可能不容易实现。
为了防止这种情况，终点时间计算单元130可以预先设置预测的PV值并且利用PV值来平坦化晶片表面。上述预测的PV值可以是基于每个至少一个轮廓的预测的抛光时间和/或影响抛光时间的环境因素而预测的值。
因此，根据实施例的终点时间计算单元130可以通过使用所计算的PV值和设定的预测的PV值来计算能够减小误差的Δ校正值，并且可以通过使用所计算的Δ校正值计算要应用于每个轮廓的晶片表面的抛光的抛光终点时间。
例如，可以通过以下公式1的运算来获得Δ校正值D，并且可以通过使用已经获得的Δ校正值D和根据每个PV值计算的控制时间t来计算抛光终点时间T。
也就是说，终点时间计算单元130可以通过以下公式2计算抛光终点时间T。当上述PV值较低时，晶片表面的平坦度(整体平坦度值(GBIR))更好，使得可以根据PV值确定控制时间t。
Δ校正值D＝预测的PV值-PV值[公式1]
抛光终点时间T是根据PV值±Δ校正值D的控制时间t[公式2]
最后，在实施例中，抛光时间改变单元140可以将由终点时间计算单元130计算的抛光结束点时间T发送到通过内部通信或外部通信连接的至少一个控制器200。
如上所述，由于所计算的抛光终点时间T被发送到每个控制器200，因此每个控制器200获得的抛光终点时间T可以不同。因此，根据实施例的抛光测量设备100可以通过将针对每个控制器200计算的算法发送到对应的控制器200来同时控制至少一个控制器200。
然而，传统设备既不应用上述计算算法，也不提供同时控制每个控制器200的机制。
接收抛光终点时间T的至少一个控制器200可以根据获得的抛光终点时间改变处于初次抛光下的每个晶片的抛光时间。
也就是说，至少一个控制器200可以将初次抛光时间改变为作为二次抛光时间的抛光终点时间，并且应用于每个抛光装置300。因此，每个抛光装置300根据改变的二次抛光终点时间执行晶片表面的抛光。
如上所述，在本实施例中，计算晶片类型的每个轮廓的校正值，并且改变和应用抛光时间，使得可以在晶片的表面上实现优异的平坦度而晶片表面上没有缺陷，可以同时控制多个控制器，由此可以显著降低设备成本。
<抛光控制系统的实施例>
图5是示例性示出根据实施例的抛光控制系统的示例的配置框图。
参考图5，根据实施例的抛光控制系统400包括抛光测量设备410、控制器420和抛光装置430。
在实施例中，抛光测量设备410分别通过内部通信或外部通信连接到多个控制器420，并执行每个算法以平坦化晶片的表面以应用于每个控制器420。
内部通信或外部通信是通常已知的连接，因此将省略其描述。
在实施例中，控制器420一个接一个地设置用于每个抛光设备430并且实质上控制抛光装置430，并且每个抛光装置430可以根据抛光测量设备410的控制命令(通过计算算法的控制命令)来控制。
此外，当控制器420将从抛光测量设备410提供的抛光时间应用于每个抛光装置430时，每个抛光装置430可以根据抛光时间初次抛光每个晶片的表面(包括晶片的前表面和后表面)。
此外，控制器420根据来自每个抛光装置430的初次抛光时间获得每个抛光晶片的形状(形状信息)，并且可以通过内部通信或外部通信发送到一个抛光测量设备410。
作为上述每个部件之间的连接手段的内部通信或外部通信是公知的连接，因此将省略其描述。
因此，根据实施例的抛光测量设备410可以基于从多个控制器420接收的每个晶片的形状生成上述计算算法，并且将包括在所生成的计算算法中的抛光终点时间发送到每个控制器420。
每个控制器420可以将获得的抛光终点时间应用于每个抛光装置430以改变正在抛光的抛光时间，并且每个抛光装置430可以基于改变的抛光终点时间对晶片表面执行二次抛光。
同时，一个控制器420可以通过内部或外部通信连接到每个抛光装置300，但是可以设置在其内部作为每个抛光装置300的部件。
在下文中，将更详细地描述用于生成上述计算算法的抛光测量设备410。
<抛光测量设备的详细实施例>
图6是示例性示出根据实施例的抛光测量设备的示例的配置框图。将补充地参考上述图3和图4描述图6。
参考图6，根据实施例的抛光测量设备410可以从控制每个晶片的抛光时间的至少一个控制器接收晶片形状(晶片形状信息)，并且可以扫描接收的晶片形状。
优选地，抛光测量设备410可以在晶片的前表面和/或后表面上执行扫描。例如，如图3所示，当从对应于晶片的前表面的中心的位置朝向末端经过晶片的前表面的中心时，抛光测量设备410可以扫描晶片的整个前表面。
此外，抛光测量设备410可以计算已经扫描的晶片形状的每个位置的厚度。形状扫描单元110可以通过位于晶片的同一线上的每个位置点计算厚度。
由于位于同一线上的各个位置的晶片表面具有任意形状，如高低不平的形状，因此可以计算厚度。
本文中，上述厚度可以包括每个位置的晶片的晶片表面的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
例如，当任意形状高低不平时，可以使用任意形状的最高高度作为最大厚度，并且可以使用最低高度作为最小厚度，并且可以使用它们之间的平均高度作为平均厚度。
同样，当从任意形状的中心分成1/4、2/4和3/4时，每个高度可以以1/4、2/4和3/4的厚度使用。
此外，抛光测量设备410可以基于至少一个计算的厚度(厚度信息)确定与晶片类型相关的至少一个轮廓(轮廓信息)。
更具体地，当抛光测量设备410通过同一线上的晶片表面的位置来识别至少一个厚度元素时，可以容易地预测形状，并且基于此，可以充分地识别晶片表面的各个位置的关于晶片类型的至少一个轮廓形状。
上述至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于如图3所示的晶片形状的至少一个所计算的厚度而区分。
这种至少一个轮廓形状可以如图4中所示。为了平坦化晶片表面，图4所示的凸形比其它类型需要更长的抛光时间，然后抛光时间可以按W形、M形和凹形的顺序缩短。然而，本发明不限于上述四种轮廓形状。
在实施例中，抛光测量设备410可以通过与四个确定的晶片形状相关的轮廓计算峰谷值(PV值)。
当计算了PV值时，可以通过每个轮廓来识别实际的可抛光时间，如图4所示。然而，即使计算了初次抛光时间并将其应用于实际晶片表面的抛光，由于出现误差，晶片表面的平坦度可能不容易实现。
为了防止这种情况，抛光测量设备410可以预先设置预测的PV值并且利用PV值来平坦化晶片表面。上述预测的PV值可以是基于每个至少一个轮廓的预测的抛光时间和/或影响抛光时间的环境因素而预测的值。
因此，抛光测量设备410可以通过使用所计算的PV值和设定的预测的PV值来计算能够减小误差的Δ校正值，并且可以通过使用所计算的Δ校正值计算要应用于每个轮廓的晶片表面的抛光的抛光终点时间。
例如，可以通过以下公式3的运算来获得Δ校正值D，并且可以通过使用已经获得的Δ校正值D和根据每个PV值计算的控制时间t来计算抛光终点时间T。
也就是说，抛光测量设备410可以通过以下公式4计算抛光终点时间T。当上述PV值较低时，晶片表面的平坦度(整体平坦度值(GBIR))更好，使得可以根据PV值确定控制时间t。
Δ校正值D＝预测的PV值-PV值[公式3]
抛光终点时间T是根据PV值±Δ校正值D的控制时间t[公式4]
在实施例中，抛光测量设备410可以将已经计算的抛光终点时间T发送到通过内部通信或外部通信连接的至少一个控制器420。
如上所述，由于所计算的抛光终点时间T被发送到每个控制器420，因此每个控制器420获得的抛光终点时间T可以不同。因此，根据实施例的抛光测量设备410可以通过将针对每个控制器420计算的算法发送到对应的控制器420来同时控制至少一个控制器420。
然而，传统装置既不应用上述计算算法，也不提供同时控制每个控制器200的机制。
接收抛光终点时间T的至少一个控制器420可以根据已经获得的抛光终点时间改变处于初次抛光下的每个晶片的抛光时间。
也就是说，至少一个控制器420可以将初次抛光时间改变为作为二次抛光时间的抛光终点时间，并且应用于每个抛光装置430。因此，每个抛光装置430根据改变的二次抛光终点时间执行晶片表面的抛光。
如上所述，在本实施例中，计算晶片类型的每个轮廓的校正值，并且改变和应用抛光时间，使得可以在晶片的表面上实现优异的平坦度而晶片表面上没有缺陷，可以同时控制多个控制器，由此可以显著降低设备成本。
<抛光时间的控制方法的实施例>
图7是示例性地示出根据实施例的研磨时间控制方法的示例的流程图。
根据实施例的研磨时间控制方法500通过抛光测量设备控制多个控制器的每个晶片的初次抛光时间和二次抛光时间。
本文中，初次抛光时间是指每个晶片表面(例如，包括前表面和后表面)的初次抛光的时间，并且上述二次抛光时间是校正初次抛光时间的时间，其可以指对于抛光一次的每个晶片表面再次抛光的时间。
由于上述抛光测量设备已在图1至图6中描述，将省略其描述，但是也应用于本实施例中。然而，在本实施例中，仅可以实现图1至图6的抛光测量设备的整个配置或部分配置。
由上述抛光测量设备实现的用于控制抛光时间的方法500如下。
参考图7，根据实施例的用于控制抛光时间的方法500包括用于通过抛光测量设备执行晶片表面的平坦化的步骤510至550。
首先，在示例性步骤510中，抛光测量设备可以扫描从至少一个控制器提供的晶片形状(晶片的形状信息)。晶片形状可以是初次处理的晶片的形状信息。
在示例性步骤520中，抛光测量设备可以基于已经扫描的晶片形状，通过位于每个晶片的相同线上的位置来计算厚度。
在计算中使用的厚度可以包括位于同一线上的每个位置的晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。这样的示例已经在图3中充分讨论，并且也可以应用于本实施例。
在示例性步骤530中，抛光测量设备可以基于已经计算的晶片表面的每个位置的厚度来确定与晶片类型相关的至少一个轮廓。
例如，上述至少一个轮廓可以包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所计算的晶片形状的厚度而区分。这样的示例已经在图4中充分讨论，并且也可以应用于本实施例。
在示例性步骤540中，抛光测量设备可以通过已经确定的每个轮廓计算PV值，并且可以通过使用所计算的PV值和设定的预测PV值来计算Δ校正值和抛光终点时间。
上述Δ校正值可以指预测的PV值-PV值，抛光终点时间可以指根据已经计算的PV值的控制时间±Δ校正值，并且预测的PV值可以是基于至少一个轮廓的每一个或影响抛光时间的环境因素来预测抛光时间的预测值。
最后，在示例性步骤550中，抛光测量设备可以将已经计算的抛光终点时间发送给至少一个控制器，以改变正在抛光的每个晶片的抛光时间。
例如，至少一个控制器可以将初次抛光时间改变为作为二次抛光时间的抛光终点时间，并且应用于每个抛光装置。因此，每个抛光装置根据改变的二次抛光终点时间执行晶片表面的抛光。
如上所述，在本实施例中，计算晶片类型的每个轮廓的校正值，并且改变和应用抛光时间，使得可以在晶片的表面上实现优异的平坦度而晶片表面上没有缺陷，可以同时控制多个控制器，由此可以显著降低设备成本。
同时，上述预测的PV值、Δ校正值和/或抛光终点时间可以是根据例如四种晶片类型的轮廓形状设置的值，但是计算结果可以变化。在下文中，将更详细地描述。
<间隙与晶圆厚度/轮廓之间的相关性的实施例>
图8是示意性地示出根据实施例的晶片形状和间隙之间的相关性的图，并且图9是示意性地示出晶片状轮廓形状与间隙之间的相关性的曲线图。
图1至图7中描述的抛光测量设备可以设定预测的PV值，以根据例如用于晶片表面的平坦化的四种晶片的轮廓形状(晶片表面的形状)来增加或减少抛光时间，并且可以计算抛光终点时间。
例如，图8中示出的类似晶片的虚线是抛光时间短时的晶片形状，并且当虚线的晶片形状的高度和载体之间的间隙大时，晶片的边缘形状也高度滚降(roll-off)，使得它可以具有凸形轮廓形状。
在凸形轮廓形状的情况下，当抛光时间增加时，凸形轮廓形状变为实线的晶片形状，实线的晶片形状的高度与载体之间的间隙相应地减小，并且晶片的边缘形状的滚降也减小。当将这种间隙的相关性应用于轮廓类型时，可以表示为如图9所示。
图9中所示的凸形轮廓类型包括的间隙差异最大，并且间隙的差异按W形、M形和凹形的轮廓形状的顺序变小。
因此，在图1至图7中描述的抛光测量设备中，当晶片的轮廓形状为凸形时，抛光终点时间增加使其变为凹形，并且随着晶片表面的中心抛光量增加，预测的PV值等可以在接近平坦度的方向上设置，并且其余的W形、M形和凹形的轮廓形状也可以考虑到图8中的间隙差，在接近平坦度的方向上设定预测的PV值等。
因此，在图1至图7的实施例中，反映上述预测的PV值等的Δ校正值和抛光终点时间可以极大地有助于实现晶片表面的平坦度。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神或基本特征的情况下，上面公开的实施例可以以其他特定形式实施。
因此，以上详细描述不应在所有方面进行限制性解释，而应视为说明性的。本实施例的范围应当通过对所附权利要求的合理解释来确定，并且本实施例的等同范围内的所有变化都包括在本实施例的范围内。
本发明的模式
在上述“具体实施方式”中充分描述了实施本发明的方式。
工业实用性
上述抛光测量设备和用于控制其抛光时间的方法以及包括抛光测量设备的抛光控制系统可以根据晶片的表面形状来计算校正值并且在抛光终点时间上反映该校正值，并应用抛光终点时间到每个抛光设备的控制器。因此，可以将其应用于能够制造具有优异平坦度的晶片而没有晶片表面缺陷的晶片制造装置。

Claims (20)

1.一种抛光测量设备，包括：
形状扫描单元，所述形状扫描单元被配置成扫描从控制每个晶片的抛光时间的至少一个控制器提供的晶片形状；
轮廓确定单元，所述轮廓确定单元被配置成计算所述扫描的晶片形状的厚度以确定关于晶片类型的至少一个轮廓；
终点时间计算单元，所述终点时间计算单元被配置成通过所确定的轮廓计算PV值并且通过使用所计算的PV值和设定的预测PV值来计算Δ校正值和抛光终点时间；以及
抛光时间改变单元，所述抛光时间改变单元被配置成将所计算的抛光终点时间发送到所述至少一个控制器，以改变正在抛光的每个所述晶片的抛光时间。
2.如权利要求1所述的抛光测量设备，其中，所述晶片形状是根据所述抛光时间生成的结果。
3.如权利要求1所述的抛光测量设备，其中，所述轮廓计算单元计算位于每个所述晶片的同一线上的每个位置的厚度。
4.如权利要求3所述的抛光测量设备，其中，所述厚度包括每个位置的所述晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
5.如权利要求4所述的抛光测量设备，其中，所述至少一个轮廓包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所述晶片形状的所计算的厚度而区分。
6.如权利要求1所述的抛光测量设备，其中，所述Δ校正值是所述预测PV值-所述PV值，并且所述抛光终点时间是根据所述PV值+/-所述Δ校正值的控制时间。
7.如权利要求6所述的抛光测量设备，其中，所述预测PV值是基于每个所述至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响所述抛光时间的环境因素而预测的值。
8.如权利要求1所述的抛光测量设备，其中，所述抛光时间改变单元通过内部通信或外部通信将由所述终点时间计算单元计算的抛光终点时间T发送到至少一个控制器。
9.如权利要求8所述的抛光测量设备，其中，接收所述抛光终点时间T的所述至少一个控制器根据所获得的抛光终点时间改变正在初次抛光的每个晶片的抛光时间。
10.一种抛光控制系统，包括：
抛光测量设备，所述抛光测量设备被配置成计算扫描的晶片形状的厚度以确定关于晶片类型的至少一个轮廓，并且通过使用由所确定的轮廓计算的PV值和设定的预测PV值来计算Δ校正值和抛光终点时间；
至少一个控制器，所述至少一个控制器将所述晶片的每一个的抛光时间应用于随后的抛光装置以获得正在抛光的晶片的形状，并且将所述抛光时间改变为所计算的抛光终点时间；以及
抛光装置，所述抛光装置被配置成根据所述抛光时间初次抛光所述晶片的每一个的表面，并且根据改变的抛光终点时间二次抛光所述晶片的每一个的所述表面。
11.如权利要求10所述的抛光控制系统，其中，所述抛光测量设备计算位于每个所述晶片的同一线上的每个位置的厚度。
12.如权利要求11所述的抛光控制系统，其中，所述厚度包括每个位置的所述晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
13.如权利要求12所述的抛光控制系统，其中，所述至少一个轮廓包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所述晶片形状的所计算的厚度而区分。
14.如权利要求10所述的抛光控制系统，其中，所述Δ校正值是所述预测PV值-所述PV值，并且所述抛光终点时间是根据所述PV值+/-所述Δ校正值的控制时间。
15.如权利要求14所述的抛光控制系统，其中，所述预测PV值是基于每个所述至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响所述抛光时间的环境因素而预测的值。
16.一种研磨时间控制方法，作为通过抛光测量设备控制多个控制器的每个晶片的抛光终点时间的方法，包括：
扫描从至少一个控制器提供的晶片形状；
基于所扫描的晶片形状计算位于每个所述晶片的同一线上的每个位置的厚度；
基于所计算的每个位置的厚度确定关于晶片类型的至少一个轮廓；
计算每个所确定的轮廓的PV值，并且通过使用所计算的PV值和设定的预测PV值计算Δ校正值和抛光终点时间；以及
通过将所计算的抛光终点时间发送到所述至少一个控制器来改变正在抛光的所述晶片中的每一个的所述抛光时间。
17.如权利要求16所述的研磨时间控制方法，其中，所述厚度包括每个位置的所述晶片的最大厚度、最小厚度、平均厚度、1/4厚度、2/4厚度和3/4厚度中的至少一个。
18.如权利要求17所述的研磨时间控制方法，其中，所述至少一个轮廓包括凸形、W形、M形和凹形，其基于所述晶片形状的所计算的厚度而区分。
19.如权利要求16所述的研磨时间控制方法，其中，所述Δ校正值是所述预测PV值-所述PV值，并且所述抛光终点时间是根据所述PV值+/-所述Δ校正值的控制时间。
20.如权利要求19所述的研磨时间控制方法，其中，所述预测PV值是基于每个所述至少一个轮廓的预测的抛光时间或者影响所述抛光时间的环境因素而预测的值。
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