DE112016005401T5 - Verfahren und Vorrichtung zum Auslesen von Speicherzellen auf Basis von Taktimpuls-Zählungen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Auslesen von Speicherzellen auf Basis von Taktimpuls-Zählungen Download PDF

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Abstract

Ein offenbartes Beispiel des Abfühlens programmierter Zustände von Speicherzellen umfasst das Starten eines Zählers zu einem Zeitpunkt, an dem eine Vielzahl von Speicherzellen aktiviert wird. Binärwerte werden auf Basis von Leseverstärkern in einem Schaltkreis mit den Speicherzellen als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht, erhalten. Ein programmierter Zustand der Speicherzellen wird auf Basis der Binärwerte bestimmt.

Description

  • FACHGEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft im Allgemeinen Speichervorrichtungen und im Speziellen Verfahren und Vorrichtungen zum Auslesen von Speicherzellen auf Basis von Taktimpuls-Zählungen.
  • HINTERGRUND
  • Nichtflüchtige Speichervorrichtungen sind in der Lage, Daten über lange Zeiträume zu speichern, ohne mit Strom versorgt sein zu müssen, um solch eine Datenspeicherung beizubehalten. Beispielsweise wird Information in eine nichtflüchtige Flash-Speichervorrichtung geschrieben, indem die elektrischen Eigenschaften von auf Transistoren basierenden Speicherzellen der Flash-Speichervorrichtung verändert werden, sich in Bezug darauf, wie solche Speicherzellen auf angelegte Spannungen reagieren, zu verändern. Die elektrischen Eigenschaften verschiedener Speicherzellen in einer Halbleiter-Speichervorrichtung sind repräsentativ für Binärbits, die ausgelesen werden können, indem die Schwellenspannungen der Speicherzellen als Reaktion auf angelegte Eingabespannungen abgefühlt werden.
  • Eine Schwellenspannung einer Speicherzelle ist die Gate-Source-Spannung des Transistors der Speicherzelle, die nötig ist, damit elektrischer Strom durch den Source-Anschluss und den Drain-Anschluss fließen kann. Um den elektrischen Strom, der durchfließt, und damit die Schwellenspannungen von Speicherzellen in einer Flash-Speichervorrichtung abzufühlen, sind bei der Flash-Speichervorrichtung Leseverstärker im Schaltkreis mit Spalten der Speicherzellen bereitgestellt. So können die Leseverstärker genützt werden, um logische Werte, die dem elektrischen Strom entsprechen, der durch die Speicherzellen fließt, zwischenzuspeichern. Die zwischengespeicherten logischen Werte können dann weiterverarbeitet werden, um die Schwellenspannungen der Speicherzellen zu bestimmen. Im Gegensatz dazu zeigen die Schwellenspannungen verschiedene Binärbitwerte an, die in den Speicherzellen gespeichert sind. Solche Abfühlvorgänge können verwendet werden, um programmierte Zustände der Speicherzellen während Vorgängen zur Programmverifikation, die verwendet werden, um zu bestätigen, ob beabsichtigte Informationen (z.B. Daten) während Schreibvorgängen vollständig auf die Speicherzellen geschrieben werden, auszulesen. Abfühlvorgänge werden auch während normalen Auslesevorgängen der Speicherzellen verwendet, die einmal oder mehrmals durchgeführt werden können, nachdem die Information erfolgreich auf die Speicherzellen geschrieben wurde.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine beispielhafte Speichersteuerung, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung umgesetzt werden kann, um Auslesevorgänge auf einem beispielhaften Flash-Speicher auf Basis von Taktimpuls-Zählungen durchzuführen.
    • 2 ist eine beispielhafte elektrischer Strom-Spannungs- (I-V) Kurve eines Speicherzelltransistors des beispielhaften Flash-Speichers aus 1, die den elektrischen Stromfluss durch den Transistor in Bezug auf verschiedene Wortleitungsauslesungs/verifikationsspannungen (VWLRV), die an einem Gate-Anschluss des Transistors angelegt werden, zeigt.
    • 3 ist ein Graph von programmierten Zuständen von Speicherzellen, der die Verteilung programmierter Zustände von beispielhaften Schwellenspannungen (VT) einer Speicherzelle von Speicherzellen des Flash-Speichers aus 1 zeigt.
    • 4 ist ein Graph, der beispielhafte lineare Annäherungen ersten Grades zwischen elektrischem Strom der Speicherzelle (ICELL) und mittleren Verteilungen der Schwellenspannung von Speicherzellen, die in dem in 3 dargestellten Graph der programmierten Zustände von Speicherzellen dargestellt sind, zeigt.
    • 5 ist eine typische Kurve von beispielhafter elektrischer Strom-Impulszählung (I-N) eines Transistors einer Speicherzelle aus dem beispielhaften Flash-Speicher aus 1, die eine beispielhafte lineare Beziehung ersten Grades zwischen elektrischem Stromfluss einer Speicherzelle (ICELL) und verschiedenen Taktimpulszählungen zeigt, die abgelaufene Zeit anzeigt, die erforderlich ist, um einen Speicherzellen-Leseverstärker auszulösen.
    • 6 ist ein Blockdiagramm des beispielhaften Flash-Speichers aus 1 und eine beispielhafte Vorrichtung, die in der beispielhaften Speichersteuerung aus 1 gemäß den Lehren der vorliegenden Offenbarung umgesetzt werden kann.
    • 7A ist ein Graph programmierter Zustände, der beobachtete programmierte Zustände von Ziel-Speicherzellen zeigt.
    • 7B stellt Auslöser auf Zählerbasis dar, um die programmierten Zustände von Ziel-Speicherzellen, die im Graph der programmierten Zustände aus 7A dargestellt sind, zu erreichen.
    • 7C ist eine beispielhafte Programm-Impulstyp-Tabelle, die Arten von Programmimpulsen zeigt, die benötigt werden, um entsprechende Ziel-Speicherzellen zu programmieren, um eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) während einem Speicherzellen-Programmiervorgang zu erreichen.
    • 8 stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen zum Erreichen von programmierten Zuständen von Speicherzellen auf Basis der Auswirkungen eines Temperaturkoeffizienten (TCO) eines dielektrischen Materials auf einem elektrischen Strom einer Speicherzelle (ICELL) über einen Temperaturbereich in dem dielektrischen Material dar.
    • 9 stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen zum Erreichen von programmierten Zuständen von Speicherzellen auf Basis der Auswirkungen eines Temperaturkoeffizienten (TCO) eines dielektrischen Materials auf einem elektrischen Strom einer Speicherzelle (ICELL) über verschiedene programmierte Zustände von Speicherzellen dar.
    • 10A zeigt die Schwankung des elektrischen Stroms durch eine Anordnung von Speicherzellen (IARRAY) im Flash-Speicher aus 1 in Bezug auf Positionen der Speicherzellen im Flash-Speicher.
    • 10B stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen zum Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen auf Basis der Auswirkungen von Positionen der Speicherzellenanordnungen auf dem Anordnungsstrom (IARRAY) durch die Speicherzellen dar.
    • 11A stellt eine Verteilung von programmierten Zuständen von Speicherzellen des Flash-Speichers aus 1 in Verbindung mit beobachteter Soft-Bit-Information der Speicherzellen dar.
    • 11B stellt Auslöser auf Taktimpulszählungsbasis dar, um die Soft-Bit-Information von Speicherzellen zu erreichen, die in Verbindung mit der Verteilung der programmierten Zustände aus 11A gezeigt wird.
    • 12 ist ein Flussdiagramm, das beispielhafte computerlesbare Anweisungen darstellt, die ausgeführt werden können, um die beispielhafte Speichersteuerung aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung aus 6 umzusetzen, um Auslöser auf Taktimpulszählungsbasis zu nutzen, um programmierte Zustände von Speicherzellen des Flash-Speichers aus 1 auszulesen.
    • 13 ist ein Flussdiagramm, das beispielhafte computerlesbare Anweisungen darstellt, die ausgeführt werden können, um die beispielhafte Speichersteuerung aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung aus 6 umzusetzen, um Auslöser auf Taktimpulszählungsbasis auf Basis von verschiedenen Impulszählungskriterien zu nutzen, um programmierte Zustände von Speicherzellen des Flash-Speichers aus 1 auszulesen.
    • 14 ist eine beispielhafte Prozessor-Plattform, die in der Lage ist, die beispielhaften computerlesbaren Anweisungen, die in 12 und 13 dargestellt sind, auszuführen, um die beispielhafte Speichersteuerung aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung aus 6 umzusetzen, um Auslöser auf Impulszählungsbasis zu nutzen, um programmierte Zustände von Speicherzellen des Flash-Speichers aus 1 gemäß den Lehren der vorliegenden Offenbarung auszulesen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Hierin offenbarte Beispiele können verwendet werden, um programmierte Zustände von Speicherzellen in Halbleiter-Speichervorrichtungen auf Basis von Taktimpulszählungen auszulesen. Programmierte Zustände stellen Information dar, die in Speicherzellen gespeichert ist. Viele Halbleiter-Speichervorrichtungen speichern Informationen auf Basis von Veränderungen an den elektrischen Eigenschaften von Speicherzellen. In manchen Halbleiter-Speichervorrichtungen verändern solche Veränderungen an den elektrischen Eigenschaften die elektrischen Ströme durch Speicherzellen, um verschiedene gespeicherte Informationen darzustellen. Hierin offenbarte Beispiele fühlen programmierte Zustände von Speicherzellen auf Basis von Beziehungen zwischen Zeit und dem elektrischen Stromfluss durch die Speicherzellen ab. Beispielsweise wird ein integrierender Kondensator verwendet, um eine Ladung auf Basis des elektrischen Stroms durch eine Speicherzelle aufzubauen. Hierin offenbarte Beispiele nutzen Taktimpulszählungen, um ein Ausmaß an Integrationszeit des Kondensators, die während dem Laden des Kondensators vergeht, zu verfolgen. Auf diese Art kann die Anzahl an Taktimpulsen, die vergehen, genutzt werden, um den programmierten Zustand der Speicherzelle zu bestimmen.
  • Die Integrationszeit des Kondensators bezieht sich auf das Speichern von Energie in einem Kondensator, während der Kondensator im Verlauf der Zeit eine Ladung aufbaut, basierend auf der Menge an elektrischem Strom, der durch den Kondensator fließt. Die Integrationszeit des Kondensators ist direkt proportional zu dem elektrischen Strom. Beispielsweise führen höhere Mengen an elektrischem Strom, der durch einen Kondensator fließt, zu einer niedrigeren Integrationszeit des Kondensators, da die große Menge an elektrischem Strom den Kondensator dazu veranlasst, eine Ladung schneller aufzubauen, als wenn der elektrische Strom niedriger wäre. Hierin offenbarte Beispiele nutzen Taktimpulszählungen als Maß der Zeit, um zu bestimmen, wie schnell elektrische Ströme Ladungen auf integrierenden Kondensatoren entsprechender Speicherzellen auf Halbleiter-Speichervorrichtungen aufbauen. So können hierin offenbarte Beispiele programmierte Zustände von Speicherzellen bestimmen, indem elektrische Ströme, die durch Speicherzellen fließen, auf Basis von Taktimpulszählungen beobachtet werden.
  • Hierin offenbarte Beispiele können in Verbindung mit einer beliebigen Art von Speichervorrichtung verwendet werden, in der verschiedene Mengen an elektrischem Strom, die durch Speicherzellen fließen, programmierte Zustände dieser Speicherzellen darstellen. Beispielsweise sind in einer Flash-Speichervorrichtung Speicherzelltransistoren auf verschiedene Schwellenspannungen zur Darstellung verschiedener programmierter Zustände programmiert. In einer Flash-Speicherzelle ist ein Transistor die elektronische Komponente, die Information (z.B. ein oder mehrere Binärbits an Daten) speichert. Die Speicherzelle kann während einer Speicherzellen-Programmierphase programmiert sein, Daten zu speichern, indem sie einen oder mehrere Programmimpulse nutzt, um eine Elektronenladung auf einem Floating-Gate des Speicherzelltransistors zu verändern. Beispielsweise verändert das Verändern der Elektronenladung auf dem Floating-Gate die programmierte Schwellenspannung (VT) des Speicherzelltransistors, was die Menge an elektrischem Stromfluss zwischen dem Drain-Anschluss und dem Source-Anschluss des Speicherzelltransistors beeinflusst, wenn der Gate-Anschluss des Speicherzelltransistors sich unter festgelegter Gate-Vorspannung befindet. So ist der Spannungsabstand zwischen der resultierenden programmierten Schwellenspannung (VT) und der festgelegten Gate-Vorspannung während einem Auslesevorgang direkt proportional zur Menge an elektrischem Stromfluss durch die Speicherzelle, der wiederum den programmierten Zustand dieser Speicherzelle darstellt. So können verschiedene Informationen in Speicherzellen gespeichert werden, indem ein oder mehrere Programmierdurchläufe während einer Programmierphase verwendet werden, um die Elektronenladung des Floating-Gates von Speicherzelltransistoren zu verändern. Ähnliche Programmierverfahren können verwendet werden, um Informationen in anderen Arten von Halbleiterspeichern zu speichern. Beispielsweise können andere Speicherarten, die nicht lineare elektronische Komponenten, wie z.B. Transistoren, oder lineare elektronische Komponenten, wie z.B. Komponenten auf Widerstandsbasis, nutzen, ebenfalls programmiert werden, indem die elektrischen Eigenschaften dieser Komponenten verändert werden, um verschiedene Informationen zu speichern. Die hierin offenbarten Beispiele können in Verbindung mit beliebigen solcher Speicherarten verwendet werden, in denen verschiedene Mengen an elektrischem Strom, die durch diese Komponenten fließen, entsprechende gespeicherte Informationen darstellen. In manchen Beispielen können die Lehren der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, um die Programmier- und/oder Auslesegeschwindigkeiten von NAND-Flash und/oder 3D-NAND-Flash zu erhöhen und/oder um die Leistung der Festplatte (SSD) zu verbessern.
  • Um Taktimpulszählungen zum Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen in Halbleiterspeichern zu verwenden, nutzen hierin offenbarte Beispiele Taktimpulszählung-zu-Strom-Verfahren, um Leseverstärker zu betreiben. Beispielsweise werden Taktimpulszählungen verwendet, um den Betrieb von Leseverstärkern zu steuern, um die Verteilungen von Schwellenspannungen in relativ höheren Geschwindigkeiten zu extrahieren als bei Abfühlverfahren der Verteilung von Schwellenspannungen nach dem Stand der Technik, ohne zum Auslesen gespeicherter Informationen die Wortleitungs- oder Bitleitungs-Vorspannung manipulieren zu müssen.
  • In Flash-Speichervorrichtungen werden Speicherzellen adressiert, indem Wortleitungen (z.B. Zeilen) und Bitleitungen (z.B. Spalten) so aktiviert werden, dass eine Speicherzelle aktiviert wird, wenn sie sich an dem Schnittpunkt einer aktivierten Wortleitung und einer aktivierten Bitleitung befindet. Die adressierte Speicherzelle kann dann beschrieben oder ausgelesen werden. Speicherzellen-Auslesevorgänge, die auf dem Durchlaufen oder dem Ansteigenlassen von verschiedenen Wortleitungsspannungen zum Abfühlen verschiedener Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen basieren, erfordern aufgrund umfangreicher Widerstands-Kapazitäts-(RC) Verzögerungen, die mit dem Durchlaufen oder dem Ansteigenlassen von den verschiedenen Wortleitungsspannungen verbunden sind, eine beträchtliche Menge an Zeit.
  • Zusätzlich dazu erfolgt, wenn die Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen auf vor-geladenen/aktivierten Bitleitungen viel niedriger sind als die Gate-Source-Spannungen (VT << Vgs) des Transistors, die zur Aktivierung einer entsprechenden Wortleitung verwendet werden, eine sehr schnelle Entladung des elektrischen Stroms, der in die Transistoren dieser Speicherzellen injiziert wurde, durch deren Source- (SRC) Anschlüsse in eine SRC-Platte des Flash-Speichernacktchips. Diese schnelle Entladung erfolgt aufgrund des signifikanten Spannungsunterschieds zwischen den Schwellenspannungen und den Gate-Source-Spannungen (VT << Vgs) der Speicherzellen. Die rasche Entladung in die SRC-Platte erzeugt einen SRC-Sprung, der im Aufbau einer unerwünschten Vorspannung auf der SRC-Platte, die auf alle SRC-Anschlüsse von Speicherzelltransistoren angelegt wird, besteht. Als solche beeinflusst die unerwünschte Vorspannung nachfolgende Schwellenspannung-Auslesungen der Speicherzelle unter Verwendung von Verfahren nach dem Stand der Technik, indem sie diese Schwellenspannungen größer erscheinen lässt als die elektrischen Eigenschaften der Speicherzellen, für deren Ausgabe sie programmiert wurden.
  • Die hierin offenbarten Beispiele sind nützlich, um die Geschwindigkeiten und Genauigkeiten der Auslesung programmierter Zustände von Speicherzellen zu verbessern. Beispielsweise kann, da hierin offenbarte Beispiele Leseverstärker auf Basis von Taktimpulszählungen auslösen, eine Wortleitungsspannung von aktivierten Speicherzellen fixiert bleiben, während eine Verteilung der Schwellenspannungen (VT) der Speicherzellen abgefühlt wird. Die Fixierung solcher Wortleitungsspannungen erhöht die Geschwindigkeiten, mit denen programmierte Zustände von Speicherzellen ausgelesen werden können, da das Halten der Wortleitungsspannung auf einem fixierten Wert eine Einschwingzeit der Wortleitung in die Nähe einer Widerstands-Kapazitäts- (RC) Verzögerung der Wortleitung für jeden einzelnen Auslese-/verifikations-Schwellenspannungs- (VT) Pegel verringert. Beispielsweise ist jedes Mal, wenn eine unterschiedliche Spannung auf eine Wortleitung angelegt wird, um eine unterschiedliche Schwellenspannung (VT) unter Verwendung von Abfühlverfahren für Speicherzellen nach dem Stand der Technik abzufühlen, zusätzliche Zeit erforderlich, um die Wortleitung auf einen stationären Zustand einzuschwingen, in dem die Schwellenspannung (VT) dieser Speicherzellen auf jener Wortleitung abgefühlt werden kann. Indem nur eine einzige fixierte Spannung auf die Wortleitung angelegt wird, um eine Verteilung der Schwellenspannungen (VT) unter Verwendung von Taktimpulszählungen, wie hierin offenbart wird, abzufühlen, werden zahlreiche langwierige Einschwingzeiten von Verfahren nach dem Stand der Technik eliminiert, sodass zahlreiche Schwellenspannungen (VT) viel schneller abgefühlt werden können.
  • In manchen offenbarten Beispielen können programmierte Zustände von Speicherzellen mit verbesserter Genauigkeit unter Verwendung von hierin offenbarten Beispielen ausgelesen werden, indem eine Abfühlzeit (tsen) eines Leseverstärkers verändert wird, indem verschiedene Impulszählungen (N) ausgewählt werden, bei denen der Leseverstärker ausgelöst werden soll, und/oder indem verschiedene Taktzeitspannen (Tclk) ausgewählt werden, die für den Antrieb eines Zählers, der die Impulszählungen (N) erzeugt, verwendet werden. Beispielsweise kann die Taktzeitspanne (Tclk) verringert werden, um Auslesungen von programmierten Zuständen von Speicherzellen mit einer höheren Auflösung zu erhalten. Zusätzlich dazu kann die Genauigkeit weiter verbessert werden, indem lineare Beziehungen zweiten oder dritten Grades zwischen Impulszählungen (N) und dem elektrischen Strom von Speicherzellen (ICELL) für verschiedene Spannungsabstände zwischen Gate-Source-Spannung (Vgs) und Schwellenspannung (VT) (z.B. Vgs - Vt) verwendet werden.
  • 1 ist eine beispielhafte Speichersteuerung 102 zum Ausführen von Programmier- und Auslesevorgängen auf einem beispielhaften Flash-Speicher 104. Beispielsweise umfasst der Flash-Speicher 104 eine Vielzahl von Speicherzellen, auf die hierin im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 106 Bezug genommen wird. Im dargestellten Beispiel können die Speicherzellen 106 in einer Programmierphase so programmiert werden, dass sie Informationen speichern, und sie können während Auslesephasen schließlich einmal oder mehrere Male gelesen werden, um die gespeicherte Information auszulesen. Während den Programmier- und/oder Auslesephasen in einigen Beispielen kann/können eine oder mehrere verschiedene der Speicherzellen 106 selektiv aktiviert werden, um Informationen nur in gewünschte Speicherzellen der Speicherzellen 106 zu programmieren, oder um nur aus gewünschten Speicherzellen der Speicherzellen 106 Informationen auszulesen. Für das Programmieren und/oder Auslesen ausgewählte Speicherzellen der Speicherzellen 106 werden als Ziel-Speicherzellen bezeichnet und nicht ausgewählte Speicherzellen der Speicherzellen 106 werden als Nichtziel-Speicherzellen bezeichnet.
  • Der Flash-Speicher 104 des dargestellten Beispiels ist ein SLC- (Single Level Cell) NAND-Flash-Speicher, der einen Binärbit-Wert pro Speicherzelle 106 speichert. Allerdings können die hierin offenbarten Beispiele in Verbindung mit NAND-Flash-Speichern, die mehrere Bits pro Speicherzelle speichern, wie z.B. NAND-Flash-Speicher mit zwei Bits pro Zelle (2bpc) (oft als MLC- (Multi Level Cell) Flash-Speicher bezeichnet), 3bpc-NAND-Flash-Speicher (oft als TLC- (Triple Level Cell) Flash-Speicher bezeichnet), 4bpc-NAND-Flash-Speicher (oft als QLC- (Quad Level Cell) Flash-Speicher bezeichnet) oder beliebigen anderen geeigneten Arten von Speichern, die eine beliebige Anzahl von Bits pro Zelle speichern, ausgeführt werden. Beispielsweise können hierin offenbarte Beispiele in Verbindung mit einer beliebigen Art von Speicher verwendet werden, bei der die verschiedenen Pegel von elektrischem Strom, der durch die Speicherzellen dieser Speicher fließt, für die entsprechende Information, die in den Speicherzellen gespeichert ist, repräsentativ ist.
  • Im dargestellten Beispiel können die Speichersteuerung 102 und der Flash-Speicher 104 in ein einzelnes Flash-Speicher-integrierter Schaltkreis- (IC) Paket integriert werden. Beispielsweise können sich die Speichersteuerung 102 und der Flash-Speicher 104 auf dem gleichen Nacktchip befinden und auf demselben IC-Paket angeordnet werden oder sie können sich auf verschiedenen Nacktchips befinden und in dem gleichen IC-Paket aneinander begrenzt sein. Alternativ dazu kann sich die Speichersteuerung 102 in einem anderen IC-Paket befinden als der Flash-Speicher 104.
  • Im dargestellten Beispiel sind die Speicherzellen 106 in einer gleichen Wortleitung (KL(0)) 108 (z.B. einer Reihe) angeordnet. Ebenfalls ist im dargestellten Beispiel jede der Speicherzellen 106 auf einer entsprechenden Bitleitung (BL) angeordnet, die als BL(0) bis BL(x) dargestellt werden und auf die im Allgemeinen unter Verwendung des Bezugszeichens 110 Bezug genommen wird. Jede der Speicherzellen 106 des dargestellten Beispiels wird adressiert, indem die Wortleitung (WL(0)) 108 aktiviert wird (z.B. indem eine Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) auf diese angelegt wird) und eine entsprechende Bitleitung der Bitleitungen BL(0) bis BL (x) vor-geladen wird. Der Flash-Speicher 104 des dargestellten Beispiels ist mit beispielhaften Leseverstärkern 112 bereitgestellt, um programmierte Zustände der Speicherzellen 106 abzufühlen. Beispielsweise fließen, wenn die Wortleitung (WL(0) 108 und eine oder mehrere Bitleitungen BL(0) bis BL(x) 110 ausgewählt werden, um eine oder mehrere Ziel-Speicherzellen der Speicherzellen 106 zu aktivieren, elektrische Ströme durch die Ziel-Speicherzellen der Speicherzellen 106 auf Basis der programmierten Schwellenspannungen (VT) dieser Speicherzellen 106. Die Leseverstärker 112 speichern Werte auf Basis dieser elektrischen Ströme zwischen, um programmierte Zustände der Ziel-Speicherzellen der Speicherzellen 106 zu identifizieren. Der Flash-Speicher 104 des dargestellten Beispiels ist mit beispielhaften Daten-Caches, einschließlich eines sekundären Daten-Caches (SDC) 114, eines ersten primären Daten-Caches (PDC1) 116 und eines zweiten primären Daten-Caches (PDC2) 118 bereitgestellt. Die Daten-Caches 114, 116 und 118 sind bereitgestellt, um Werte zu speichern, die von den Leseverstärkern 112 entsprechend der in den Speicherzellen 106 gespeicherten Information zwischengespeichert werden. Obwohl nur drei Daten-Caches 114, 116 und 118 im dargestellten Beispiel aus 1 gezeigt werden, können weniger oder mehr Daten-Caches in Verbindung mit hierin offenbarten Beispielen verwendet werden, um Binärwerte zu speichern, die von den Leseverstärkern 112 zwischengespeichert wurden, um programmierte Zustände der Speicherzellen 106 zu bestimmen.
  • Im dargestellten Beispiel wird Information, die in den Speicherzellen 106 gespeichert ist, durch eine beispielhafte Verteilung 122 der programmierten Zustände dargestellt, die zeigt, dass manche der Speicherzellen 106 in einer ersten Verteilung der Schwellenspannung (VT1) programmiert sind (z.B. 3,25 Volt (V) +/- 0,5 V), manche der Speicherzellen 106 in einer zweiten Verteilung der Schwellenspannung (VT2) programmiert sind (z.B. 2 V, +/- 0,5 V) und manche der Speicherzellen 106 in einer dritten Verteilung der Schwellenspannung (VT3) programmiert sind (z.B. 0,75 V, +/-0,5 V). Von jeder der Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2 und VT3 des dargestellten Beispiels wird gezeigt, dass sie Grenzen (z.B. Ränder) im niedrigeren und im oberen Bereich aufweist. So weist die beispielhafte Verteilung 122 der programmierten Zustände eine Anzahl an Speicherzellen 106 auf, die so programmiert sind, dass sie innerhalb der niedrigeren und höheren Spannungsbereich-Grenzen dieser Verteilungen der Schwellenspannungen VT1, VT2 und VT3 liegen. Im dargestellten Beispiel ist jede der Verteilungen der Schwellenspannungen VT1, VT2 und VT3 der Speicherzellen 106 an eine entsprechende von drei Zonen des programmierten Zustands Z1, Z2 und Z3 begrenzt. Beispielsweise ist eine erste Zone des programmierten Zustands Z1 durch eine Grenze im niedrigeren Spannungsbereich (z.B. 2,75 V) und eine Grenze im höheren Spannungsbereich (z.B. 3,75 V) der ersten Verteilung der Schwellenspannung VT1 begrenzt. Die zweite Zone des programmierten Zustands Z2 des dargestellten Beispiels ist durch eine Grenze im niedrigeren Spannungsbereich (z.B. 1,5 V) und eine Grenze im oberen Spannungsbereich (z.B. 2,5 V) der zweiten Verteilung der Schwellenspannung VT2 begrenzt. Die dritte Zone des programmierten Zustands Z3 des dargestellten Beispiels ist durch eine Grenze im niedrigeren Spannungsbereich (z.B. 0,25 V) und eine Grenze im höheren Spannungsbereich (z.B. 1,25 V) der dritten Verteilung der Schwellenspannung VT3 begrenzt. Die Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2 und VT3 des dargestellten Beispiels werden relativ zu einer fixierten Gate-Vorspannung, die als Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) bezeichnet wird, dargestellt (z.B. eine VWLRV 214 aus 2). So wird gezeigt, dass jede der beispielhaften Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2 und VT3 einen unterschiedlichen Spannungsabstand von der oder eine verschiedene Spannungsnähe zu der Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214 aufweist.
  • Die Speichersteuerung 102 des dargestellten Beispiels umfasst eine Zeitdauer-Verfolgungseinheit in Form eines beispielhaften Zählers 136. Die beispielhafte Speichersteuerung 102 umfasst auch Auslöserwerte (z.B. Auslöserwerte auf Zeitdauerbasis) in der Form der beispielhaften Auslöserwerte 138, 140 und 142. Im dargestellten Beispiel werden die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 genützt, um die Leseverstärker 112 dazu zu veranlassen, dass sie Werte, die den programmierten Zuständen einer oder mehrerer der Speicherzellen 106 entsprechen, auf Basis von elektrischem Strom, der durch die eine oder die mehreren der Speicherzellen 106 fließt, zwischenspeichern. Werden beispielsweise Ziel-Speicherzellen der Speicherzellen 106 aktiviert, beginnt der Zähler 136, einen Zählwert, der eine abgelaufene Zeitdauer repräsentiert, auf Basis einer Takteingabe zu akkumulieren. Erreicht der beispielhafte Zähler 136 einen der beispielhaften Auslöser-Zählerwerte 138, 140 oder 142, veranlasst die Speichersteuerung 102, dass die Leseverstärker 112 Werte zwischenspeichern, die den programmierten Zuständen der Ziel-Speicherzellen der Speicherzellen 106 entsprechen. Obwohl im dargestellten Beispiel die drei Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 gezeigt werden, können in anderen Beispielen weniger oder mehr Auslöser-Zählerwerte verwendet werden.
  • Im dargestellten Beispiel werden die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 verwendet, um die Verteilung von Speicherzellen im Bereich der drei Zonen der programmierten Zustände Z1, Z2 und Z3 zu bestimmen, die in der Verteilung der programmierten Zustände 122 gezeigt sind. Beispielsweise kann der erste Auslöser-Zählerwert 138 verwendet werden, um Speicherzellen der Speicherzellen 106 im dritten programmierten Zustand Z3 zu detektieren, der zweite Auslöser-Zählerwert 140 kann verwendet werden, um Speicherzellen der Speicherzellen 106 im zweiten programmierten Zustand Z2 zu detektieren, und der dritte Auslöser-Zählerwert 142 kann verwendet werden, um Speicherzellen der Speicherzellen 106 im dritten programmierten Zustand Z3 zu detektieren. Das bedeutet, dass die verschiedenen Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 im dargestellten Beispiel das Auslösen der Leseverstärker 112 zu verschiedenen Zeitpunkten hervorrufen. Solche verschiedenen Auslösezeiten ermöglichen es elektrischen Strömen, die durch die Speicherzellen 106 fließen, Ladungen auf entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) in den Leseverstärkern 112 aufzubauen. Die beispielhaften Leseverstärker 112 speichern dann Binärwerte für verschiedene Speicherzellen der Speicherzellen 106 zwischen, abhängig davon, wann entsprechende integrierende Kondensatoren ausreichend Ladung aufbauen, um einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 zu überschreiten. Im dargestellten Beispiel erzeugen die Mengen an Energie, die in den integrierenden Kondensatoren gespeichert sind, Spannungen an den integrierenden Kondensatoren von ähnlich oder identisch programmierten Speicherzellen der Speicherzellen 106 (z.B. Speicherzellen der Speicherzellen mit derselben programmierten Schwellenspannung (VT)), um entsprechende der Leseverstärker 112 nach einer gleichen Zeitdauer, die auf einer gleichen programmierten Schwellenspannung (VT) der Speicherzellen der Speicherzellen 106 basiert, auszulösen. Das bedeutet, dass die ähnlich oder identisch programmierten Speicherzellen der Speicherzellen 106 die Auslösespannungspegel der entsprechenden der Leseverstärker 112 zum gleichen Zeitpunkt überschreiten, da sie auf dieselbe Schwellenspannung (VT) programmiert sind. Ebenfalls gilt im dargestellten Beispiel für Speicherzellen der Speicherzellen 106, die auf verschiedene Schwellenspannungen (VT) programmiert sind, dass die Mengen an Energie, die in den integrierenden Kondensatoren gespeichert sind, Spannungen an den integrierenden Kondensatoren dieser verschieden programmierten Speicherzellen 106 (z.B. Speicherzellen der Speicherzellen mit verschiedenen programmierten Schwellenspannungen (VT)) erzeugen, um entsprechende der Leseverstärker 112 nach verschiedenen Zeitdauern auf Basis ihrer entsprechenden der verschieden programmierten Schwellenspannungen (VT) auszulösen. Das heißt, unterschiedlich programmierte Speicherzellen der Speicherzellen 106 überschreiten die Auslösespannungspegel der entsprechenden der Leseverstärker 112 an unterschiedlichen Zeitpunkten, da sie auf diese unterschiedlichen Schwellenspannungen (VT) programmiert sind. In dargestellten Beispiel speichern die Leseverstärker 112 ein binäres ‚1‘ für programmierte Schwellenspannungspegel (VT) oberhalb des Auslösespannungspegels des Leseverstärkers zwischen, und sie speichern ein binäres ‚0‘ für programmierte Schwellenspannungspegel (VT) unterhalb des Auslösespannungspegels des Leseverstärkers zwischen.
  • Im dargestellten Beispiel ist der Zeitbereich des Auslösespannungspegels des Leseverstärkers auf einen Zeitbereich eingestellt, der mehr als ausreicht, damit Spannungen, die sich an integrierenden Kondensatoren aufgebaut haben, die Leseverstärker 112 auslösen können, damit die höchste Schwellenspannung (VT) gemessen werden kann. Beispielsweise ist in der Verteilung der programmierten Zustände 122 die höchste gemessene Schwellenspannung (VT) die erste Schwellenspannung (VT1). Zusätzlich dazu beträgt eine Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV), die auf die Wortleitung 108 während eines Auslesevorgangs angelegt wird, ein wenig mehr (z.B. 100∼500 mV mehr) als die höchste zu messende Schwellenspannung (VT) (z.B. der erste Schwellenspannungspegel (VT1) in der Verteilung der programmierten Zustände 122). So weisen, wenn die Wortleitung 108 unter Verwendung der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) aktiviert wird, jene Speicherzellen der Speicherzellen 106 mit relativ niedrigen Schwellenspannungen (z.B. der dritten Schwellenspannung (VT3)) den höchsten elektrischen Stromfluss auf, und zwar aufgrund des relativ großen Abstandes zwischen den niedrigen Schwellenspannungen jener Speicherzellen 106 und der im Vergleich größeren Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV), die auf die Wortleitung 108 angelegt wurde. Zusätzlich dazu weisen jene Speicherzellen der Speicherzellen 106 mit den höchsten Schwellenspannungen (z.B. der ersten Schwellenspannung (VT1)) den niedrigsten elektrischen Stromfluss auf, und zwar aufgrund des relativ kleinen Abstandes zwischen den höheren Schwellenspannungen jener Speicherzellen 106 und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV), die auf die Wortleitung 108 angelegt wurde.
  • Die unterschiedlichen Mengen an elektrischem Strom durch verschiedene Speicherzellen der Speicherzellen 106 unter einer fixierten Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) (z.B. einer fixierten Gate-Vorspannung) führen dazu, dass sich Ladungen auf entsprechenden integrierenden Kondensatoren der Leseverstärker 112 in unterschiedlichen Geschwindigkeiten aufbauen. Solche unterschiedlichen Geschwindigkeiten des Ladungsaufbaus auf den integrierenden Kondensatoren schaffen zeitbasierende Beziehungen zwischen elektrischem Strom und programmierten Zuständen der Speicherzellen 106. Hierin offenbarte Beispiele nutzen solche zeitbasierenden Beziehungen, um die programmierten Zustände der Speicherzellen 106 abzufühlen. Beispielsweise stellen die verschiedenen Auslöse-Zählerwerte 138, 140 und 142 verschiedene Zeitgrößen dar, während derer elektrische Ströme durch die Bitleitungen (BL(x)) 110 zwischen den Speicherzellen 106 und den entsprechenden integrierenden Kondensatoren in den Leseverstärkern 112 fließen. So verwendet die beispielhafte Speichersteuerung 102 die verschiedenen Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142, um auszulösen, dass die Leseverstärker 112 Binärwerte für entsprechende der Speicherzellen 112 zwischenspeichern, wenn ausreichend Zeit abgelaufen ist, dass entsprechende elektrische Ströme ausreichend Spannung auf den integrierenden Kondensatoren aufbauen, um die Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 zu überschreiten. Im dargestellten Beispiel könnten die Ausgaben der Leseverstärker 112 nach verschiedenen Zeitintervallen zu entsprechenden des PDC0 118, des PDC1 116 oder des SDC 114 transferiert werden. So könnten nach den Abfühlvorgängen geeignete Logikvorgänge auf den Ausgabewerten der Leseverstärker ausgeführt werden, um die programmierten Zustände der Speicherzellen 106 zu extrahieren oder zu bestimmen.
  • Unter Verwendung der zeitbasierenden Beziehungen zwischen elektrischem Strom und programmierten Zuständen der Speicherzellen 106 löst die Speichersteuerung 102 die Leseverstärker 112 zu einem ersten Zeitpunkt aus, basierend darauf, dass der Zähler 136 den ersten Auslöser-Zählerwert 138 erreicht. Dies führt dazu, dass die Leseverstärker 112 Werte zwischenspeichern, die jenen Speicherzellen der Speicherzellen 106 mit Schwellenspannungen (VT) im dritten programmierten Zustand Z3 entsprechen, und dass die zwischengespeicherten Werte des dritten programmierten Zustandes Z3 im SDC 114 gespeichert werden. Außerdem löst die Speichersteuerung 102 die Leseverstärker 112 zu einem zweiten Zeitpunkt aus, basierend darauf, dass der Zähler 136 den zweiten Auslöser-Zählerwert 140 erreicht. Dies führt dazu, dass die Leseverstärker 112 Werte zwischenspeichern, die jenen Speicherzellen der Speicherzellen 106 mit Schwellenspannungen (VT) im zweiten programmierten Zustand Z2 entsprechen, und die vorherigen Werte jener Speicherzellen der Speicherzellen 106 im dritten programmierten Zustand Z3 zwischenspeichern, sowie die zwischengespeicherten Werte des zweiten programmierten Zustandes Z2 und des dritten programmierten Zustandes Z3 im PDC1 116 speichern. Zusätzlich dazu löst die Speichersteuerung 102 die Leseverstärker 112 zu einem dritten Zeitpunkt aus, basierend darauf, dass der Zähler 136 den dritten Auslöser-Zählerwert 142 erreicht. Dies führt dazu, dass die Leseverstärker 112 Werte zwischenspeichern, die jenen Speicherzellen der Speicherzellen 106 mit Schwellenspannungen (VT) im ersten programmierten Zustand Z1 entsprechen, und die vorherigen Werte jener Speicherzellen der Speicherzellen 106 im zweiten und dritten programmierten Zustand Z2 und Z3 zwischenspeichern, sowie die zwischengespeicherten Werte des ersten programmierten Zustandes Z1, des zweiten programmierten Zustandes Z2 und des dritten programmierten Zustandes Z3 im PDC0 118 speichern. So kann die Speichersteuerung 102 mit logischen Schaltkreisen oder Funktionen zum Ausführen logischer Vorgänge an den im SDC 114, im PDC1 116 und im PDC0 118 gespeicherten Werten die programmierten Zustände der Speicherzellen 106 bestimmen, und zwar auf Basis der Werte, die von den Leseverstärkern 112 zu den verschiedenen Zeitpunkten zwischengespeichert wurden, die den Auslöser-Zählerwerten 138, 140 und 142 entsprechen.
  • Obwohl das dargestellte Beispiel aus 1 eine Zeitdauer-Verfolgungseinheit in Form des Zählers 136 aufweist, und obwohl hierin offenbarte Beispiele in Verbindung mit dem Zähler 136 beschrieben werden, kann eine beliebige Art von Zeitdauer-Verfolgungseinheit verwendet werden, um die Mengen an abgelaufener Zeit aufzuzeichnen, um die Speichersteuerung zu veranlassen, auszulösen, dass die Leseverstärker 112 an verschiedenen abgelaufenen Zeiten auf Basis verschiedener Auslöserwerte (z.B. Auslöserwerte auf Basis der Zeitdauer) programmierte Zustände der Speicherzellen 106 abfühlen. Wird beispielsweise eine Zeitdauer-Verfolgungseinheit in Form einer Zeitgeberschaltung statt des Zählers 136 verwendet, so können die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142, die verwendet werden, um die abgelaufene Zeit zu verfolgen, stattdessen unter Verwendung von Auslöserwerten auf Basis der Zeitgeberschaltung in Form von Zeitwerten umgesetzt werden. In solchen Beispielen löst die Speichersteuerung 102 die Leseverstärker 112 aus, wenn Mengen an abgelaufener Zeit, die von der Zeitschaltung verfolgt wurden, die Zeitwerte der Auslöser auf Zeitschaltungsbasis erfüllen. In wiederum anderen Beispielen kann eine beliebige andere Art von Zeitdauer-Verfolgungseinheit verwendet werden, um die Leseverstärker 112 auszulösen. Beispielsweise kann die Zeitdauer-Verfolgungseinheit an einem Zeitpunkt beginnen, die abgelaufene Zeit zu verfolgen, an dem Speicherzellen 106 aktiviert werden, um es den integrierenden Kondensatoren zu ermöglichen, Spannungen aufzubauen, die den jeweiligen Speicherzellen der aktivierten Speicherzellen 106 entsprechen. Auf diese Art kann die Speichersteuerung 102 die von der Zeitdauer-Verfolgungseinheit verfolgte abgelaufene Zeit nutzen, um die Leseverstärker 112 an verschiedenen abgelaufenen Zeiten oder Zeitdauern auszulösen.
  • 2 ist eine beispielhafte typische elektrische Strom-Spannungs- (I-V) Kurve 202 eines Speicherzellentransistors 204 einer Speicherzelle 106 des beispielhaften Flash-Speichers 104 aus 1. Die typische I-V-Kurve 202 zeigt einen beispielhaften elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch den Transistor 204, im Vergleich zu verschiedenen Wortleitungsauslese/verifizierungsspannungen (VWLRV) 214, angelegt an einen Gate-Anschluss 208 des Transistors 204. Wie im dargestellten Beispiel gezeigt wird, fließt der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 entlang der Bitleitung (BL(X)) 110 zwischen einem Drain-Anschluss 210 und einem Source-Anschluss 212 des Transistors 204. Die typische I-V-Kurve 202 des dargestellten Beispiels basiert auf einer Source-Spannung (VSRC), die auf einen Source-Anschluss 212 des Transistors 204 angelegt wird, die gleich 0 ist (z.B. VSRC = 0 V). Im dargestellten Beispiel zeigt die typische I-V-Kurve 202, dass der Speicherzellen-Strom (ICELL) 2006 (z.B. ein Drain-Source-Strom (Ids)) durch die Speicherzelle 106 gleich 0 ist (z.B. Ids = ICELL = 0 Mikroampere (µA)) wenn eine Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 niedriger oder gleich einer Schwellenspannung (VT) 2016 (z.B. VWLRV <= VT) des Transistors 204 ist. Der Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch die Speicherzelle 106 nimmt zu, wenn die Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214, die auf den Gate-Anschluss 208 des Transistors 204 angelegt ist, weiter weg von der Schwellenspannung (VT) 216 des Transistors 204 zunimmt.
  • Das in 2 dargestellte Beispiel zeigt auch einen linearen Bereich einer linearen Beziehung ersten Grades 222 zwischen dem Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214. Die lineare Beziehung ersten Grades 222 zeigt, dass die Menge an Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch die Speicherzelle 106 linear zunimmt, je höher die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannungen (VWLRV) 214 auf dem Gate-Anschluss 208 des Speicherzellen-Transistors 204 sind. Das bedeutet, dass die lineare Beziehung ersten Grades 222 zeigt, dass ein größerer Spannungsabstand (d.h. weniger Spannungsnähe) zwischen der angelegten Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLFV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 zu einem größeren Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch die Speicherzelle 106 führt. Zusätzlich dazu führt ein niedrigerer Spannungsabstand (d.h. mehr Spannungsnähe) zwischen der angelegten Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 zu einem geringeren Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch die Speicherzelle 106. So können, durch das Wissen um die auf den Gate-Anschluss 208 angelegte Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214, hierin offenbarte Beispiele die programmierten Schwellenspannung innerhalb des linearen Bereichs der Speicherzelle 106 bestimmen, indem die Menge an Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 auf Basis von einem oder mehreren Auslöser-Zählerwerten (z.B. den Auslöser-Zählerwerten 138, 140 und 142 aus 1) und der Kondensator-Integrationszeit eines integrierenden Kondensators eines Leseverstärkers (z.B. des integrierenden Kondensators (VINT) 602 des Leseverstärkers 112 aus 6) detektiert wird. Das bedeutet, dass aufgrund der Beeinflussung der Menge an Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 durch die Menge an Zeit, die benötigt wird, um eine Spannung auf einem integrierenden Kondensator aufzubauen, das Abfühlen der Spannung des integrierenden Kondensators an einem oder mehreren Zeitpunkten (z.B. auf Basis der Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142) das Bestimmen eines programmierten Zustandes der Speicherzellen 106 ermöglicht wird. Baut sich beispielsweise die Spannung auf dem integrierenden Kondensator schnell auf (z.B. aufgrund eines großen Speicherzellen-Stroms (ICELL) 206), bestimmen hierin offenbarte Beispiele, dass der programmierte Zustand der Speicherzelle 106 ein programmierter Zustand ist, in dem es einen großen Spannungsabstand (z.B. wenig Spannungsnähe) zwischen der angelegten Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 gibt. Baut sich die Spannung auf dem integrierenden Kondensator langsam auf (z.B. aufgrund eines großen Speicherzellen-Stroms (ICELL) 206), bestimmen hierin offenbarte Beispiele, dass der programmierte Zustand der Speicherzelle 106 ein programmierter Zustand ist, in dem es einen geringen Spannungsabstand (z.B. große Spannungsnähe) zwischen der angelegten Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 gibt.
  • Ist die angelegte Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 groß genug, und übersteigt die Spannung auf einem integrierenden Kondensator die Grenze des linearen Bereichs der typischen I-V-Kurve 202, dann gelangt die typische I-V-Kurve 202 der Speicherzelle 106 in den nichtlinearen Bereich der typischen I-V-Kurve 202. In solchen Fällen können die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 (1) trotzdem eingestellt werden, und zwar auf Basis typischer Werte von elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL) zur Schwellenspannung (VT) im nichtlinearen Bereich. Das bedeutet, programmierte Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen 106 können trotzdem extrahiert oder bestimmt werden, und zwar auf Basis der hierin offenbarten Verfahren der Impulszählung, selbst wenn sich die Spannungen auf integrierenden Kondensatoren im nichtlinearen Bereich der typischen I-V-Kurve 202 befinden.
  • Der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 der Speicherzelle 106 ist ein Drain-Source-Strom (Ids), der zwischen dem Drain-Anschluss 210 und dem Source-Anschluss 212 fließt. Der Drain-Source-Strom (Ids) hängt von Eigenschaften des Speicherzellen-Transistors 204 sowie von Spannungen, die auf den Speicherzellen-Transistor 204 angelegt werden, ab, wie in den nachstehenden beispielhaften Gleichungen 1 und 2 gezeigt wird. I d s = μ n C o x W L ( V g s − V T ) V d s
    Figure DE112016005401T5_0001
     I d s = μ n C o x W L ( V w l r v − V s r c − V T ) ( V b i t l i n e − V s r c )
    Figure DE112016005401T5_0002
  • In der beispielhaften Gleichung 1 oben wird eine Elektronenmobilitäts- (µn) Konstante des Transistors 204 mit einer Konstante der Gate-Kapazität pro Flächeneinheit (Cox) des Transistors 204 multipliziert, um ein Produkt (µnCox) zu bestimmen, das mit einem Quotienten ( W L )
    Figure DE112016005401T5_0003
    einer Breite (W) des Transistors 204, dividiert durch eine Länge (L) des Transistors 204, multipliziert wird, um einen Ausdruck ( μ n C o x W L )
    Figure DE112016005401T5_0004
    der Transistoreigenschaften zu bestimmen. Ebenfalls in der beispielhaften Gleichung 1 wird die Differenz zwischen einer Gate-Source-Spannung (Vgs) und der Schwellenspannung (VT) des Transistors 204 mit einer Drain-Source-Spannung (Vds) des Transistors 204 multipliziert, um den Ausdruck der Transistorspannungen ((Vgs - VT)Vds) zu bestimmen. Der Drain-Source-Strom (Ids) (und damit der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206) wird dann als Produkt des Ausdrucks der Transistoreigenschaften ( μ n C o x W L )
    Figure DE112016005401T5_0005
    und des Ausdrucks der Transistorspannungen ((Vgs - VT )Vds) ausgedrückt.
  • In der beispielhaften Gleichung 2 oben wird die Gate-Source-Spannung (Vgs) als Differenz zwischen der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (Vwlrv) 214 und einer Source-Spannung (Vsrc) des Transistors 204 ausgedrückt. Ebenfalls in Gleichung 2 oben wird die Drain-Source-Spannung (Vds) als Differenz zwischen der Auslese/Verifikationsspannung der Bitleitung (Vbitline) und der Source-Spannung (Vsrc) des Transistors 204 ausgedrückt. In den hierin offenbarten Beispielen ist die Source-Spannung (Vsrc) die Vorspannung, die sich am Source-Anschluss 212 befindet und die die Summe der angelegten Vorspannung auf eine Source-Platte des Flash-Speichers 104 plus dem Versorgungsschienen-IR- (Stromwiderstand) Abfall des leitenden Materials, das zwischen dem Source-Anschluss 212 der Speicherzelle 106 und der Source-Platte des Flash-Speichers 104 verbunden ist, ist. Das bedeutet, die Source-Platte des Flash-Speichers 104 baut eine SRC-Sprung-Vorspannung auf Basis schneller Entladungen des elektrischen Stroms von den Gate-Source-Spannungen (Vgs) zur Source-Platte des Flash-Speichers 104 auf, wenn Wortleitungsauslese/verifizierungsspannungen (VWLRV), die auf die Gate-Anschlüsse der Speicherzellen 106 angelegt werden, viel höher als die Schwellenspannungen (VT) der Speicherzellen 106 sind.
  • Obwohl das in 2 dargestellte Beispiel die lineare Beziehung ersten Grades 222 zeigt, können hierin offenbarte Beispiele zusätzlich dazu oder alternativ dazu auf Basis von linearen Beziehungen zweiten und/oder dritten Grades zwischen dem Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 umgesetzt werden. In solchen Beispielen können die Beziehungen zweiten und/oder dritten Grades verwendet werden, um die Genauigkeit zu erhöhen, mit der die programmierte Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 bestimmt werden kann.
  • Die 3 bis 5 stellen Graphen dar, die Beziehungen zwischen Schwellenspannungen (VT) (z.B. die Schwellenspannung (VT) 216 aus 2), Speicherzellen-Strom (ICELL) (z.B. der Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 aus 2) und Impulszählungen (z.B. den Auslöser-Zählerwerten 138, 140, 142 aus 1) zeigen. 3 ist ein Graph programmierter Zustände der Speicherzellen, 300, der beispielhafte programmierte Schwellenspannungszustände von Speicherzellen der Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 aus 1 zeigt. 4 zeigt einen Graphen 400, der beispielhafte lineare Approximationen ersten Grades zwischen Speicherzellen-Strom (ICELL) und mittleren Verteilungen von Schwellenspannungen von Speicherzellen, die in dem Graphen der programmierten Zustände der Speicherzellen aus 3 dargestellt sind, darstellt. 5 ist eine beispielhafte typische Kurve der elektrischen Strom-Impulszählung (I-N) eines Speicherzellen-Transistors des beispielhaften Flash-Speichers aus 1, der eine beispielhafte lineare Beziehung ersten Grades zwischen dem elektrischen Stromfluss der Speicherzelle (ICELL) und verschiedenen Taktimpuls-Zählungen zeigt, die die abgelaufene Zeit anzeigen, bis ein Leseverstärker 112 ausgelöst wird.
  • Nun hinsichtlich 3: Der beispielhafte Graph programmierter Zustände der Speicherzelle, 300, zeigt Beziehungen mittlerer Verteilungen von Schwellenspannungen VT1, VT2, VT3 und VT4 der Speicherzellen 106 im Vergleich zu einer Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214. Im dargestellten Beispiel ist die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 die gewünschte Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) für Speicherzellen 106, die sich in Betrieb befinden (z.B. Speicherzellen 106, die aktiviert wurden oder für das Abfühlen vor-geladen sind) und die Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2, VT3 und VT4 sind tatsächliche programmierte Zustände verschiedener Speicherzellen der Speicherzellen 106. Hierin offenbarte Beispiele können verwendet werden, um Verteilungen der Speicherzellen 106 in die Zonen der programmierten Zustände Z1, Z2, Z3 und Z4 zu bestimmen und um die Spannungsnähen zwischen den programmierten Schwellenspannungen (VT) (z.B. der Schwellenspannung (VT) 216 aus 2) der Speicherzellen 106 und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 zu identifizieren.
  • Die beispielhaften Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2, VT3 und VT4 werden auf Basis einer fixierten Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 an Gate-Anschlüssen der Speicherzellen 106 (z.B. die am Gate-Anschluss 208 der Speicherzelle 106 gezeigte Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) aus 2), auf Basis einer fixierten Source-Anschluss-Spannung (VSRC) an Source-Anschlüssen der Speicherzellen 106 (z.B. der Source-Anschluss 212 der Speicherzelle 106 aus 2) und auf Basis einer fixierten Drain-Anschluss-Spannung (VSRC) an Bitleitungen der Speicherzellen 106 (z.B. der Bitleitungsanschluss 110 der Speicherzelle 106 aus 2) beobachtet. Im dargestellten Beispiel wird die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 so ausgewählt, dass sie geringfügig höher ist (z.B. 100∼500 mV mehr) als die zu extrahierende Verteilung der Ziel-Schwellenspannung. So befinden sich jene Speicherzellen der Speicherzellen 106, die größere Spannungsabstände zwischen ihren programmierten Schwellenspannungen (VT) und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 aufweisen, näher an der oder in der vierten Zone der programmierten Zustände, Z4, und jene Speicherzellen der Speicherzellen 106, die eine größere Spannungsnähe zwischen ihren programmierten Schwellenspannungen (VT) und der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 aufweisen, befinden sich näher an der oder in der ersten Zone der programmierten Zustände, Z1. Die Spannungsabstände oder Spannungsnähen zwischen der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 und programmierten Schwellenspannungen (VT) der Speicherzellen werden unter Verwendung der nachstehenden beispielhaften Gleichungen 3 und 4 dargestellt. Spannungsnähe = ( V gs − V T )
    Figure DE112016005401T5_0006
     Spannungsnähe = ( V WLRV − V SRC − V T ) , wobei V gs = ( V WLRV − V SRC )
    Figure DE112016005401T5_0007
  • In der beispielhaften Gleichung 3 oben ist die Spannungsnähe gleich der Spannungsnähe (oder gleich dem Spannungsabstand) zwischen der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 einer Speicherzelle 106. Die Spannungsnähe der Gleichung 3 wird bestimmt als Differenz zwischen einer Gate-Source-Spannung (Vgs) eines Speicherzellen-Transistors (z.B. des Speicherzellen-Transistors 204 aus 2) und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106. In der obenstehenden beispielhaften Gleichung 4 wird die Spannungsnähe mit Bezug auf die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 und die Source-Anschluss-Spannung (VSRC) gezeigt, wobei die Spannungsnähe als programmierte Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106, Source-Anschluss-Spannung (VSRC) der Speicherzelle 106 und Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 der Speicherzelle 106 bestimmt wird.
  • In dem in 4 dargestellten Beispiel zeigt der Graph 400 beispielhafte lineare Approximationen ersten Grades zwischen dem Speicherzellen-Strom (ICELL) durch die Speicherzellen 106 und die mittleren Verteilungen der Schwellenspannungen VT1, VT2, VT3 und VT4 aus 3. Die mittleren Verteilungen der Schwellenspannung VT1, VT2, VT3 und VT4 sind in 4 als lineare Approximation der ersten Zone Z1, 402, als lineare Approximation der zweiten Zone Z2, 404, als lineare Approximation der dritten Zone Z3, 406, und als lineare Approximation der vierten Zone Z4, 408, dargestellt. In dem dargestellten Beispiel ist eine fixierte Drain-Source-Spannung (Vds) 412 dargestellt. Die fixierte Drain-Source-Spannung (Vds) 412 bezieht sich auf die Spannung an Drain-Anschlüssen und Source-Anschlüssen der Speicherzellen (z.B. den Drain-Anschluss 210 und den Source-Anschluss 212 der Speicherzelle 106 aus 2). Die fixierte Drain-Source-Spannung (Vds) 412 ist gemäß der nachstehenden beispielhaften Gleichung 5 dargestellt. V ds = V bl − V SRC
    Figure DE112016005401T5_0008
  • In der beispielhaften Gleichung 5 oben wird die Drain-Source-Spannung (Vds) 412 als Differenz einer Bitleitungsspannung (Vbl) und einer Source-Spannung (VSRC) dargestellt. Die Bitleitungsspannung (Vbl) ist jene Spannung (z.B. ∼0,4 V), die auf eine entsprechende Bitleitung (BL(x)) 110 (1) einer Speicherzelle 106 angelegt wird, wenn die Speicherzelle 106 aktiviert ist oder vor-geladen wird, um das Lesen der Speicherzelle 106 zu ermöglichen.
  • Der beispielhafte Graph 400 aus 4 zeigt, dass die lineare Approximation ersten Grades der ersten Zone Z1, 402, die lineare Approximation ersten Grades der zweiten Zone Z2, 404, die lineare Approximation ersten Grades der dritten Zone Z3, 406 und die lineare Approximation ersten Grades der vierten Zone Z4, 408, die Drain-Source-Spannung (Vds) 412 an entsprechenden elektrischen Speicherzellen-Strömen (ICELL) erreichen, die als ein erster Drain-Source-Strom (Ids1), ein zweiter Drain-Source-Strom (Ids2), ein dritter Drain-Source-Strom (Ids3) und ein vierter Drain-Source-Strom (Ids4) gezeigt werden. So zeigen der beispielhafte Graph 300 aus 3 und der beispielhafte Graph 400 aus 4, inwiefern der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) ein Indikator für die Schwellenspannung (VT) einer Speicherzelle ist. Spezifischer gesagt ist der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) indirekt proportional zur Schwellenspannung (VT) einer Speicherzelle. Beispielsweise entspricht, für die vierte Zone des programmierten Zustandes, Z4, die am weitesten von der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 in 3 beabstandet gezeigt wird, die lineare Approximation ersten Grades der vierten Zone Z4, 408, aus 4, dem höchsten Drain-Source-Strom (Ids4) für jene Speicherzellen der Speicherzellen 106, die Schwellenspannungen (VT) aufweisen, die der fixierten Drain-Source-Spannung (Vds) 412 gleich sind.
  • Der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) kann als elektrischer Drain-Source-Strom (Ids) aus der nachstehenden beispielhaften Gleichung 6 dargestellt werden. I ds ∝ C + KV T
    Figure DE112016005401T5_0009
  • Gemäß der beispielhaften Gleichung 6 oben stellt ein elektrischer Drain-Source-Strom (Ids) einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) dar, der proportional (∝) zur Summe einer Konstante des elektrischen Drain-Source-Stroms (C) und dem Produkt einer Schwellenspannung (VT) und dem Änderungsratenkonstanten-Wert (K) ist. In der beispielhaften Gleichung 4 oben ist der elektrische Drain-Source-Strom (Ids) einer Speicherzelle 106 gleich der Konstanten des elektrischen Drain-Source-Stroms (C), wenn die Schwellenspannung (VT) der Speicherzelle 106 null beträgt. Ebenfalls in der beispielhaften Gleichung 6 oben stellt der Änderungsratenkonstanten-Wert (K) die Änderungsrate des elektrischen Drain-Source-Stroms (Ids) relativ zu verschiedenen Speicherzellen-Schwellenspannungen (VT), die an der Drain-Source-Spannung (Vds) 412 fixiert sind, dar.
  • 5 ist eine beispielhafte typische elektrischer Strom-Impulszählungs- (I-P) Kurve 500 eines Speicherzellen-Transistors (z.B. des Transistors 204 aus 2) des beispielhaften Flash-Speichers 104 aus 1. Die beispielhafte typische I-P-Kurve 500 stellt eine beispielhafte lineare Beziehung ersten Grades 502 zwischen dem elektrischen Stromfluss der Speicherzelle (ICELL) und der Zeit dar, gezeigt durch ansteigende/anwachsende Impulszählungen. Beispielsweise zeigt die typische I-P-Kurve 500, dass ein vierter Drain-Source-Strom (Ids4) einer Speicherzelle 106 in geringerer Zeit (z.B. weniger Impulszählungen) abgefühlt werden kann als ein zweiter Drain-Source-Strom (Ids2). Zusätzlich dazu nimmt die Menge an elektrischem Strom zwischen dem vierten Drain-Source-Strom (Ids4) und dem zweiten Drain-Source-Strom (Ids2) linear ab, relativ zu einer Zunahme der Impulszählungen (z.B. einer Zunahme der abgelaufenen Zeit).
  • Das Beispiel aus 5 zeigt auch, wie die typische I-P-Kurve 500 verwendet werden kann, um Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen zu bestimmen. Fließt beispielsweise, wie in 5 gezeigt wird, der vierte Drain-Source-Strom (Ids4) durch eine Speicherzelle 106, wird die Speicherzelle 106 auf eine vierte Schwellenspannung (VT4) programmiert. Zusätzlich dazu wird, wenn der zweite Drain-Source-Strom (Ids2) durch eine Speicherzelle 106 fließt, die Speicherzelle 106 auf eine zweite Schwellenspannung programmiert. So zeigt die typische I-P-Kurve 500, dass die vierte Schwellenspannung (VT4) unter Verwendung einer niedrigeren Impulszählung abgefühlt werden kann als jene Impulszählung, die verwendet wird, um die zweite Schwellenspannung (VT2) abzufühlen.
  • 6 ist ein Blockdiagramm des beispielhaften Flash-Speichers 104 aus 1 und eine beispielhafte Vorrichtung 600, die gemäß den Lehren der vorliegenden Offenbarung umgesetzt wird. Die Vorrichtung 600 des dargestellten Beispiels ist so konfiguriert, dass sie programmierte Zustände der Speicherzellen 106 (1 und 2) in Halbleiter-Speichervorrichtungen (z.B. dem Flash-Speicher 104) auf Basis von Taktimpulszählungen (z.B. den Auslöser-Zählerwerten 138, 140 und 142 aus 1) wie hierin offenbart ausliest. Die beispielhafte Vorrichtung 600 kann in der beispielhaften Speichersteuerung 102 aus 1 oder getrennt von der Speichersteuerung 102 umgesetzt werden. In manchen Beispielen können manche Teile der Vorrichtung 600 in der Speichersteuerung 102 umgesetzt werden und andere Teile der Vorrichtung 600 können getrennt von der Speichersteuerung 102 umgesetzt werden.
  • Das in 6 dargestellte Beispiel zeigt den Transistor 204 der Speicherzelle 106 im Flash-Speicher 104. Das in 6 dargestellte Beispiel zeigt, auch wie sich die Speicherzelle 106 mit einem entsprechenden der Leseverstärker 112 in einem Schaltkreis befindet. Im dargestellten Beispiel umfasst der Leseverstärker 112 einen integrierenden Kondensator (CINT) 602, der parallel mit dem Speicherzellen-Transistor 204 des Flash-Speichers 104 verbunden ist. Wird im dargestellten Beispiel die Speicherzelle 106 mit der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 (2) auf der Wortleitung (WL(0)) 108 und mit einer Bitleitungsvorladespannung (Vbl) 604 (z.B. ∼ 0,4 V) auf der entsprechenden Bitleitung (BL(x)) 110 aktiviert, beginnt der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206, durch die Speicherzellen 106 zu fließen und eine Spannung auf dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aufzubauen. Da sich der integrierende Kondensator (CINT) 602 parallel zum Speicherzellen-Transistor 204 befindet, baut der integrierende Kondensator (CINT) 602 eine Spannung im Verlauf der Zeit auf, relativ zur programmierten Schwellenspannung (VT) 216 des Transistors 204. Ist der Spannungsabstand zwischen der Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 groß, dann ist der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 proportional hoch (z.B. siehe Gleichungen 1 und 2 oben). Ist der Spannungsabstand zwischen der Wortleitungslese/verifikationsspannung (VWLRV) 214 und der programmierten Schwellenspannung (VT) 216 gering, dann ist der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 proportional niedrig (z.B. siehe Gleichungen 1 und 2 oben). Im dargestellten Beispiel veranlasst ein hoher elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 den integrierenden Kondensator (CINT) 602 dazu, eine Abfühlspannung aufzubauen, um den Leseverstärker 112 im Vergleich schneller auszulösen, als wenn der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 niedriger wäre. Obwohl ein integrierender Kondensator (CINT) 602 in 6 dargestellt ist, umfassen die Leseverstärker 112 aus 1 eine Vielzahl von integrierenden Kondensatoren, sodass sich jede Bitleitung (BL) 110 in einem Schaltkreis mit einem entsprechenden integrierenden Kondensator in den Leseverstärkern 112 befindet.
  • Durch das Steuern des Leseverstärkers 112, dass dieser die Spannung an dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 zu verschiedenen Zeitpunkten auf Basis verschiedener Impuls-Zählungen (z.B. den Auslöser-Zählerwerten 138, 140 und 142 aus 1) abfühlt, kann die Vorrichtung 600 die programmierte Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 bestimmen. Die beispielhafte Gleichung 7 unten zeigt die Beziehung zwischen der Abfühlzeit (tsen) und der Kondensatorintegration (CINT) relativ zu einer Schwellenspannung (VTP) eines PMOS-Transistors 606 im Leseverstärker 112 und den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) 206. t sen = ( C int × V TP ) /I CELL
    Figure DE112016005401T5_0010
  • In der beispielhaften Gleichung 7 oben ist die Abfühlzeit (tsen) eine Zeitdauer, die der integrierende Kondensator (CINT) 602 benötigt, um ausreichend Spannung aufzubauen, um den PMOS-Transistor 606 im Leseverstärker 112 auszulösen. In den in Gleichung 7 und 6 dargestellten Beispielen ist die Schwellenspannung (VTP) des PMOS-Transistors 606 die Auslösespannung des Leseverstärkers 112. Gemäß der beispielhaften Gleichung 7 ist die Abfühlzeit (tsen), die benötigt wird, um die programmierte Schwellenspannung (VT) 216 abzufühlen, als Produkt einer Kondensatorintegrations- (CINT) Konstante des integrierenden Kondensators (CINT) 602 und der Schwellenspannung (VTP) des PMOS-Transistors 606 im Leseverstärker 112, dividiert durch den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) 206, ausgedrückt. Unter Verwendung der beispielhaften Gleichung 7 können verschiedene Abfühlzeiten für verschiedene der elektrischen Drain-Source-Ströme (Ids1 bis Ids4) aus 4 und 5 so ausgedrückt werden, wie dies in den nachstehenden beispielhaften Gleichungen 8 und 9 gezeigt ist. t 1 = ( C int × V TP ) /I ds1
    Figure DE112016005401T5_0011
     t n = ( C int × V TP ) /I dsn
    Figure DE112016005401T5_0012
  • Die beispielhafte Gleichung 8 oben zeigt eine erste Abfühlzeit (t1) zum Steuern des Leseverstärkers 112, sodass dieser erste programmierte Schwellenspannungen (VT1) (3) abfühlt, die einem ersten elektrischen Drain-Source-Strom (Ids1) entsprechen. Die beispielhafte Gleichung 9 oben zeigt eine n-te Abfühlzeit (tn) zum Steuern des Leseverstärkers 112, dass dieser n-te programmierte Schwellenspannungen (VTn) (3) abfühlt, die einem n-ten elektrischen Drain-Source-Strom (Idsn) entsprechen.
  • Hierin offenbarte Beispiele verfolgen die Abfühlzeit (tsen) unter Verwendung von Taktsignal-Impulszählungen (N) wie z.B. der Auslöse-Zählwerte 138, 140 und 142 aus 1. Die nachstehende beispielhafte Gleichung 10 drückt die Beziehung zwischen Abfühlzeit (tsen) und Impulszählung (N) einer Taktzeitspanne (Tclk) eines Eingabe-Taktsignals aus. t sen = N × T clk
    Figure DE112016005401T5_0013
  • Die nachstehende beispielhafte Gleichung 11 ist eine algebraische Umformulierung der obenstehenden beispielhaften Gleichung 10 und drückt die Beziehung zwischen Impulszählungen (N) und den beispielhaften Gleichungen 6 und 7 oben aus. Wie in der beispielhaften Gleichung 10 oben gezeigt wird, ist die Abfühlzeit (tsen) direkt proportional zur Impulszählung (N) und zur Taktzeitspanne (Tclk). So führt eine Zunahme der Impulszählung (N) zu einer Zunahme der Abfühlzeit (tsen). Zusätzlich dazu führt die Zunahme der Taktzeitspanne (Tclk) auch zu einer Zunahme der Abfühlzeit (tsen). So kann die Abfühlzeit (tsen) verändert werden, indem verschiedene Impulszählungen (N) ausgewählt werden und/oder indem verschiedene Taktzeitspannen (Tclk) ausgewählt werden. Beispielsweise kann für eine fixierte Abfühlzeit die Taktzeitspanne (Tclk) verringert werden, um Auslesungen von programmierten Zuständen der Speicherzelle mit höherer Auflösung zu erreichen (z.B. eine feinere Granularität, um zwischen Schwellenspannungen (VT) zu unterscheiden, die in Spannungsnähe näher zueinander angeordnet sind). N = t sen /T clk = ( ( C int × V TP ) /T clk ) ( 1 / ( C + KV T ) )
    Figure DE112016005401T5_0014
  • Wie in der beispielhaften Gleichung 11 oben dargestellt ist, wird eine Impulszählung (N) zur Steuerung einer Zeit, in der der Leseverstärker 112 die programmierten Schwellenspannungen (VT) 216 auf Basis einer Abfühlspannung, die auf dem integrierenden Kondensator 602 aufgebaut wurde, abfühlt, als Produkt der Kondensatorintegrations- (CINT) Konstante des integrierenden Kondensators (CINT) 602 und der Schwellenspannung (VTP) eines Eingabe-Taktsignals, (((Cint × VT) / Tclk)), multipliziert mit dem umgekehrten Ausdruck des in Gleichung 6 oben gezeigten Ausdrucks ausgedrückt.
  • Die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 verwendet Impulszählungen (N), um die Leseverstärker 112 zu steuern, damit diese die Schwellenspannung (VT) 216 des programmierten Zustandes der Speicherzelle 106 abfühlen. Im dargestellten Beispiel ist die Vorrichtung mit dem beispielhaften Zähler 136 (1) (z.B. eine Zeitdauer-Verfolgungseinheit), einem oder mehreren beispielhaften Auslöser-Register(n) 614, einem beispielhaften Komparator 616, einem beispielhaften Auslöserwert-Speicher 618, einer beispielhaften Auslöserwert-Abrufeinheit 620, einer beispielhaften Spannungssteuerung 622, einem beispielhaften Kriterienbedingungsdetektor 624, einem beispielhaften Detektor programmierter Zustände 626, einem beispielhaften Ausgabe-Analysator 628, einer beispielhaften E/A-Pufferschnittstelle 630, einer beispielhaften Mikrosteuerung 632 und einem beispielhaften Anweisungsspeicher 634 bereitgestellt. Ebenfalls im dargestellten Beispiel gezeigt ist ein beispielhafter Taktgeber 636, der den Zähler 136 antreibt. Beispielsweise kann der Taktgeber 636 ein Hochfrequenz-Taktgeber (z.B. 500 Megahertz (MHz) bis 1 Gigahertz (GHz)) oder ein Taktgeber mit einer beliebigen anderen Geschwindigkeit sein. In manchen Beispielen ist der Taktgeber 636 in der Vorrichtung 600 bereitgestellt. In anderen Beispielen ist der Taktgeber 636 von der Vorrichtung 600 getrennt und stellt der Vorrichtung 600 zum Ansteuern des Zählers 136 ein Taktsignal bereit. In manchen Beispielen wird der Taktgeber 636 umgesetzt, indem ein Taktgeber der Speichersteuerung 102 verwendet wird, die in der Speichersteuerung 102 zu anderen Zwecken verwendet wird, wie etwa dem Steuern der Zeit von Auslese- und/oder Schreibvorgängen.
  • In der beispielhaften Vorrichtung 600 empfängt der Zähler 136 ein Eingabe-Taktsignal vom Taktgeber 636 mit einer Taktzeitspanne (Tclk) und erzeugt Impulszählungen (N) 638 in einem Zeitraum auf Basis der Taktzeitspanne (Tclk) des Taktgebers 636. Das/die beispielhafte(n) Auslöser-Register 614 speichert/speichern Auslöser-Zählerwerte (NT) 642, wie z.B. die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 aus 1, um anzuzeigen, wann der Leseverstärker 112 einen Wert zwischenspeichern soll, der einer abgefühlten Spannung an dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 entspricht. Beispielsweise kann der Auslöserwert-Speicher 618 eine Datenstruktur 640 (z.B. eine Nachschlagtabelle, eine Abbildungstabelle, eine Zuordnungstabelle etc.) umfassen, um zahlreiche Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 (z.B. die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 aus 1) in Verbindung mit entsprechenden verschiedenen Schwellenspannungen (VTn) 644 von Speicherzellen 106 zu speichern. Die zahlreichen Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 des dargestellten Beispiels entsprechen verschiedenen Abfühlzeiten zum Abfühlen entsprechender der Schwellenspannungen (VTn) 644. Soll die Vorrichtung 600 eine bestimmte Schwellenspannung (VTn) 644 abfühlen, kann die beispielhafte Auslöserwert-Abrufeinheit 620 einen entsprechenden Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 vom Auslöserwert-Speicher 618 erhalten und den erhaltenen Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 in ein Auslöser-Register 614 laden oder darin speichern. Der beispielhafte Komparator 616 kann dann den Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 mit Impulszählungen (N) 638, die vom Zähler 136 erzeugt wurden, vergleichen, um ein SENB-Signal 646 zu schalten, wenn die Impulszählung (N) 638 zum Auslöser-Zählerwert (NTn) 642, der in das Auslöser-Register 614 geladen wurde, passt. In dem dargestellten Beispiel aktiviert das SENB-Signal eine Freigabe- (STB) Leitung 646 des Leseverstärkers 112, die auslöst, dass der Leseverstärker 112 einen Binärwert zwischenspeichert, der der abgefühlten Spannung an dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 entspricht. Im dargestellten Beispiel kann die Vorrichtung 600 den Binärwert verwenden, um die programmierte Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 zu bestimmen.
  • In manchen Beispielen, in denen zahlreiche Auslöserzähler-Register 614 bereitgestellt sind, kann die beispielhafte Auslöserwert-Abrufeinheit 620 zahlreiche Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 von der Auslöserwert-Speicherung 618 erhalten und die zahlreichen Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 in verschiedene der Auslöserzähler-Register 614 laden, damit diese vom Komparator genutzt werden können. In wiederum anderen Beispielen können zahlreiche Auslöserzähler-Register 614 mit statischen Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642, die sich nicht verändern, bereitgestellt sein. In solchen Beispielen schaltet der Komparator 616 sein SENB-Signal 644 auf Basis derselben statischen Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642, wann immer Auslesungen aus dem Flash-Speicher 104 durchgeführt werden.
  • Die beispielhafte Spannungssteuerung 622 ist bereitgestellt, um Spannungspegel zu steuern, die auf den Flash-Speicher 104 angelegt werden. Beispielsweise steuert die Spannungssteuerung 622 das Aktivieren der Wortleitung (WL(0)) 108 z.B. mit der Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 ( 2) und steuert das das Vorladen der Bitleitungen (BL(x)) 110 z.B. mit der Bitleitungsvorlade-Spannung Vbl 604.
  • Der beispielhafte Kriterienbedingungsdetektor 624 ist für beispielhafte Umsetzungen bereitgestellt, in denen die Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 aus dem Auslöserwert-Speicher 618 auf Basis von Kriterien ausgewählt werden, die verschiedenen Eigenschaften des Flash-Speichers 104 entsprechen. Beispielhafte Kriterien können die Temperatur einer Anordnung von Speicherzellen des Flash-Speichers 104, die Positionen von Speicherzellen 106 innerhalb einer Anordnung von Speicherzellen des Flash-Speichers 104 und/oder Werte von Schwellenspannungen (VT), die aus den Speicherzellen 106 ausgelesen werden sollen, sein. Beispiele zur Verwendung solcher Kriterien sind in Verbindung mit den nachstehenden 7A, 7B, 8 und 9 beschrieben. Um Eigenschaften des Flash-Speichers 104 als Kriterien zur Auswahl der Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 zu verwenden, speichert die Datenstruktur 640 des Auslöserwert-Speichers 618 charakteristische Werte CRTn 650 (z.B. Temperaturkoeffizienten-Werte, Positionswerte, Ziel-Schwellenspannungs- (VTT) Werte etc.) in Verbindung mit verschiedenen entsprechenden Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642, sodass verschiedene Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 verwendet werden können, um das/die Auslöser-Register 614 auf Basis von Eigenschaften des Flash-Speichers 104 dynamisch zu aktualisieren. So kann, wenn der beispielhafte Kriterienbedingungsdetektor 624 eine Kriterienbedingung des Flash-Speichers 104 liest, die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 die gemessene Kriterienbedingung als Feedback verwenden, um dynamisch einen oder mehrere entsprechende Auslöser-Zählerwert(e) (NTn) 642 aus dem Auslöser-Wertespeicher 618 auf Basis der Kriterieneigenschaft, die von dem beispielhaften Kriterienbedingungsdetektor 624 gemessen wurde, abzurufen und den/die abgerufenen Auslöser-Zählerwert(e) (NTn) 642 zur Verwendung durch den Komparator 616 in das/die Auslöser-Register(n) 614 zu laden.
  • Der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 befindet sich mit dem SDC 114 und den PDCs 116 und 118 in einem Schaltkreis. Der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 bestimmt die programmierte Schwellenspannung (VT) 216 der Speicherzelle 106 auf Basis der/des von dem Leseverstärker 112 in einen oder mehreren aus SDC 114, PDC1 116 und/oder PDC2 118 zwischengespeicherten Binärwerte/Binärwerts. Beispielsweise kann der Detektor programmierter Zustände 626 einen Wert einer Schwellenspannung (VTn) 664 von der Auslöserwert-Abrufeinheit 620, der dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 624 entspricht, der in das Auslöser-Register 614 geladen wurde, empfangen. Der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 kann dann bestimmen, dass für jedes binäre Eins ‚1‘, das im Daten-Cache (z.B. dem SDC 114, dem PDC1 116, dem PDC2 118) gespeichert ist, der programmierte Zustand einer entsprechenden Speicherzelle 106 der Wert der Schwellenspannung (VTn) 664 ist, der dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 entspricht, der von dem Komparator 616 verwendet wird, um die STB-Leitung 646 des Leseverstärkers 112 zu aktivieren.
  • Der beispielhafte Ausgabe-Analysator 628 ist bereitgestellt, um die programmierten Zustände zu analysieren, die von dem Detektor der programmierten Zustände 626 bestimmt wurden. Werden beispielsweise hierin offenbarte Beispiele während Programmverifikationsvorgängen verwendet, kann der Ausgabe-Analysator 628 die programmierten Zustände von dem Detektor programmierter Zustände 626 analysieren, um zu bestimmen, ob Speicherzellen 106 auf eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) programmiert wurden. In manchen Beispielen bestimmt der Ausgabe-Analysator 628 Soft-Bit-Information von Speicherzellen 106. Beispielsweise kann der Ausgabe-Analysator 628 programmierte Zustände von dem Detektor programmierter Zustände 626 analysieren, um die Verteilungen der Schwellenspannung (VT) der Speicherzellen 106 zu analysieren, um zu bestimmen, ob die Grenzen des Schwellenspannungs- (VT) Bereichs (z.B. Referenzspannungen) verlagert werden müssen, um gespeicherte Daten darzustellen. Beispielsweise kann sich der Flash-Speicher 104 im Verlauf der Zeit verschlechtern oder auf andere Weise Veränderungen seiner elektrischen Eigenschaften erfahren. In solchen Fällen können sich Bereiche von Schwellenspannungen (VT), die gespeicherte Information repräsentieren, verlagern, sodass eine Verteilung der Schwellenspannungen (VT) des Flash-Speichers 104 ihre Genauigkeit zur Repräsentation der gespeicherten Information verliert. Um das Verlieren solch einer gespeicherten Information zu vermeiden, können Referenz-Spannungen, die die Bereichsgrenzen der Schwellenspannungen (VT) definieren, verändert werden, um die Verteilung der Schwellenspannungen (VT) des Flash-Speichers 104 so auszurichten, dass diese der gespeicherten Information genau entsprechen. Beispiele zum Extrahieren von Soft-Bit-Information aus dem Flash-Speicher unter Anwendung der hierin offenbarten Verfahren sind nachstehend in Verbindung mit den 11A und 11B beschrieben.
  • Die beispielhafte E/A-Pufferschnittstelle 630 ist bereitgestellt, um Daten, die im Flash-Speicher 104 gespeichert sind, an einen Speicherdatenbus auszugeben. Stellt beispielsweise ein Host-Prozessor (z.B. der Prozessor 1412 aus 14) die Anfrage, Daten aus dem Flash-Speicher 104 auszulesen, kann die Vorrichtung 600 Daten aus dem Flash-Speicher 104 unter Verwendung von hierin offenbarten Beispielen auslesen und die E/A-Pufferschnittstelle 630 kann die ausgelesenen Daten in einen Speicherdatenbus laden, der für den Host-Prozessor zugänglich ist.
  • Die beispielhafte Mikrosteuerung 632 ist bereitgestellt, um maschinenlesbare Anweisungen auszuführen, um eine oder mehrere Komponenten der beispielhaften Vorrichtung 600 umzusetzen. Der beispielhafte Anweisungsspeicher 634 ist bereitgestellt, um maschinenlesbare Anweisungen, die durch die Mikrosteuerung ausführbar sind, um eine oder mehrere Komponenten der Vorrichtung 600 umzusetzen, zu speichern. In manchen Beispielen werden die Mikrosteuerung 632 und der Anweisungsspeicher 634 ausgelassen und die Komponenten der Vorrichtung 600 sind in logischen Schaltkreisen und/oder anderer geeigneter Hardware umgesetzt. In manchen Beispielen sind manche Komponenten der Vorrichtungen 600 unter Verwendung von maschinenlesbaren Anweisungen, die in dem Anweisungsspeicher 634 gespeichert sind und durch die Mikrosteuerung 632 ausgeführt werden, umgesetzt, und andere der Komponenten der Vorrichtung 600 sind als Hardware umgesetzt.
  • Während eine beispielhafte Art der Umsetzung der beispielhaften Vorrichtung 600 in 6 dargestellt ist, können eines/einer/eine oder mehrere der Elemente, Vorgänge und/oder Vorrichtungen, die in 6 dargestellt sind, kombiniert, geteilt, anders angeordnet, ausgelassen, eliminiert und/oder auf eine andere Art umgesetzt werden. Ferner können der beispielhafte Zähler 136, das beispielhafte Auslöser-Register 614, der beispielhafte Komparator 616, der beispielhafte Auslöserwert-Speicher 618, die beispielhafte Auslöserwert-Abrufeinheit 620, die beispielhafte Spannungssteuerung 622, der beispielhafte Kriterienbedingungsdetektor 624, der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626, der beispielhafte Ausgabe-Analysator 628, die beispielhafte E/A-Pufferschnittstelle 630 und/oder allgemeiner die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 durch Hardware, Software, Firmware und/oder eine beliebige Kombination aus Hardware, Software und/oder Firmware umgesetzt werden. So könnte beispielsweise ein(e) beliebige(r) aus dem beispielhaften Zähler 136, dem beispielhaften Auslöser-Register 614, dem beispielhaften Komparator 616, dem beispielhaften Auslöserwert-Speicher 618, der beispielhaften Auslöserwert-Abrufeinheit 620, der beispielhaften Spannungssteuerung 622, dem beispielhaften Kriterienbedingungsdetektor 624, dem beispielhaften Detektor programmierter Zustände 626, dem beispielhaften Ausgabe-Analysator 628, der beispielhaften E/A-Pufferschnittstelle 630 und/oder allgemeiner der beispielhaften Vorrichtung 600 durch einen oder mehrere analoge(n) oder digitale(n) Schaltkreis(e), logische Schaltkreise, programmierbare(n) Prozessor(en), anwendungsspezifische(n) integrierte(n) Schaltkreis(e) (ASIC), programmierbare logische Schaltung(en) (PLD) und/oder feldprogrammierbare logische Vorrichtung(en) (FPLD) umgesetzt werden. Zum Lesen eines beliebigen der Vorrichtungs- oder Systemansprüche des vorliegenden Patents mit Bezug auf eine reine Software- und/oder Firmware-Umsetzung ist zumindest eines aus dem beispielhaften Zähler 136, dem beispielhaften Auslöser-Register 614, dem beispielhaften Komparator 616, dem beispielhaften Auslöserwert-Speicher 618, der beispielhaften Auslöserwert-Abrufeinheit 620, der beispielhaften Spannungssteuerung 622, dem beispielhaften Kriterienbedingungsdetektor 624, dem beispielhaften Detektor programmierter Zustände 626, dem beispielhaften Ausgabe-Analysator 628 und/oder der beispielhaften E/A-Pufferschnittstelle 630 ausdrücklich so definiert, dass er/sie/es eine greifbare computerlesbare Datenspeichervorrichtung oder Datenspeicherplatte wie z.B. einen Arbeitsspeicher, eine Digital Versatile Disk (DVD), eine Compact Disk (CD), eine Blu-ray-Disk etc. umfasst, der/die die Software und/oder Firmware speichert. Ferner kann die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 außerdem ein oder mehrere Elemente, Vorgänge und/oder Vorrichtungen zusätzlich zu oder statt jenen, die in 6 dargestellt sind, umfassen, und kann mehr als einen von beliebigen oder allen dargestellten Elementen, Vorgängen und Vorrichtungen umfassen.
  • 7A ist ein Graph programmierter Zustände 700, der beobachtete programmierte Zustände 702 von Ziel-Speicherzellen (z.B. Speicherzellen der Speicherzellen 106 aus 1) zeigt. Im dargestellten Beispiel sind die programmierten Zustände 702 eine Verteilung von programmierten Schwellenspannungen (VT) von jenen Speicherzellen der Speicherzellen 106, auf die zur Programmierung auf eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 abgezielt wird. Im dargestellten Beispiel werden die beobachteten programmierten Zustände 702 während eines Programmverifikationsvorgangs einer Programmierphase, während der Daten auf den Flash-Speicher 104 geschrieben werden, abgefühlt. Beispielsweise schreibt während der Programmierphase die Speichersteuerung 102 (1) Daten auf Ziel-Speicherzellen, indem ein oder mehrere Programmierdurchgänge auf die Ziel-Speicherzellen durchgeführt werden, während der elektrische Programmimpulse verwendet werden, um die Elektronenladungen auf Gate-Anschlüssen (z.B. dem Gate-Anschluss 208 aus 2) der Ziel-Speicherzellen zu verändern. So führen die Elektronenladungseigenschaften der Gate-Anschlüsse dazu, dass die Ziel-Speicherzellen eine programmierte Schwellenspannung (VT) aufweisen, die gleich einer Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 ist, die binäre Daten darstellt, die zur Speicherung in diesen Ziel-Speicherzellen vorgesehen sind. In manchen Fällen, in denen die Elektronenladungen auf den Gate-Anschlüssen signifikant verändert werden müssen, müssen mehrere Programmierdurchgänge durchgeführt werden, ohne die Ziel-Speicherzellen zu überprogammieren, sodass die programmierten Schwellenspannungen (VT) der Speicherzellen die Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 nicht überschreiten.
  • Nach jedem Programmierdurchgang führt die Speichersteuerung 102 einen Programmverifikationsvorgang durch, um programmierte Schwellenspannungen (VT) der Ziel-Speicherzellen zu bestimmen. Auf diese Weise kann die Speichersteuerung 102 bestimmen, wann die Ziel-Speicherzellen die beabsichtigte Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 erreicht haben, die den Daten entspricht, die geschrieben werden sollen. Zusätzlich dazu kann die Speichersteuerung 102 Spannungsabstände zwischen programmierten Schwellenspannungen (VT) der Ziel-Speicherzellen und der beabsichtigten Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 bestimmen. Durch das Bestimmen der Spannungsabstände der Ziel-Speicherzellen und des Zeitpunktes, an dem die Ziel-Speicherzellen die beabsichtigte Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 erreicht haben, kann die Speichersteuerung 102 bestimmen, welche Ziel-Speicherzellen keine elektrischen Programmimpulse mehr benötigen, um die Elektronenladungen auf deren entsprechendem Gate-Anschluss weiter zu verändern, welche Ziel-Speicherzellen relativ nahe an der beabsichtigten Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 sind, sodass sie nur einen partiellen Programmimpuls benötigen (z.B. einen SSPC- (Selective Slow Program Convergence) Programmimpuls) (z.B. durch die Vorspannung von Bitleitungen von entsprechenden Speicherzellen auf 1 V statt auf 0 V, um die Programmiergeschwindigkeit dieser entsprechenden Speicherzellen zu verlangsamen), um die beabsichtigte Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 zu erreichen, und welche Ziel-Speicherzellen noch relativ weit von der beabsichtigten Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 entfernt sind, sodass sie volle Programmimpulse (PGM) benötigen (z.B. durch die Vorspannung von Bitleitungen von entsprechenden Speicherzellen auf 0 V, um zu ermöglichen, dass diese entsprechenden Speicherzellen in voller Programmiergeschwindigkeit programmiert werden können), um die beabsichtigte Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 zu erreichen.
  • Das in 7A dargestellte Beispiel zeigt eine beispielhafte Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 (z.B. eine Programmverifikationsspannung (VPV)) mit Bezug auf drei programmierte Zustandszonen Z1, Z2 und Z3 über die Verteilung der Schwellenspannung (VT) der programmierten Zustände 702 von Ziel-Speicherzellen. Im dargestellten Beispiel haben Ziel-Speicherzellen in der dritten Zone programmierter Zustände, Z3, den größten Spannungsabstand zwischen ihren programmierten Schwellenspannungen (VT) und der Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706, was wiederum zum größten elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) durch diese Ziel-Speicherzellen führt. Die zweite Zone programmierter Zustände, Z2, umfasst Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) mit im Vergleich dazu näheren Spannungsnähen zur Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706, was wiederum zu einem geringeren elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) durch diese Ziel-Speicherzellen führt. Die erste Zone programmierter Zustände, Z1, umfasst Ziel-Speicherzellen mit programmierten Ziel-Schwellenspannungen (VT), die die Ziel-Schwellenspannung (VT) erfüllen und daher den niedrigsten elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) oder keinen Zellstrom aufweisen. Die beispielhaften Zonen programmierter Zustände Z1, Z2 und Z3 des dargestellten Beispiels können verwendet werden, um zu bestimmen, welche Ziel-Speicherzellen noch einen oder mehrere Programmierdurchgänge erfordern, und welche Art von elektrischem Programmimpuls (z.B. ein partieller SSPC-Programmimpuls oder ein voller PGM-Programmimpuls) anzuwenden ist. Beispielsweise erfordern in dem in 7 dargestellten Beispiel Ziel-Speicherzellen in der dritten Zone programmierter Zustände, Z3, zumindest einen weiteren Programmierdurchgang unter Anwendung eines vollen PGM-Programmimpulses, Ziel-Speicherzellen in der zweiten Zone programmierter Zustände, Z2, erfordern zumindest einen weiteren Programmierdurchgang unter Anwendung eines partiellen SSPC-Programmimpulses und Ziel-Speicherzellen in der ersten Zone programmierter Zustände, Z1, erfordern keinen weiteren Programmimpuls.
  • 7B stellt die Auslöser-Zählerwerte NT1 714 und NT2 716 zum Erreichen der programmierten Zustände 702 von Ziel-Speicherzellen, die im Graph der programmierten Zustände, 700, aus 7A gezeigt werden, dar. 7B zeigt auch ein beispielhaftes Taktsignal 720, das z.B. durch den Taktgeber 636 aus 6 bereitgestellt ist. Das beispielhafte Taktsignal 720 treibt den beispielhaften Zähler 136 an, die Impulszählungen (N) 638 aus 6 zu erzeugen. 7B zeigt auch ein beispielhaftes Auslöser- (SENB) Signal 722 (z.B. das SENB-Signal 644 aus 6), das von dem beispielhaften Komparator 616 aus 6 bereitgestellt werden kann, um die Freigabe- (STB) Leitung 646 des Leseverstärkers 112 aus 6 zu aktivieren. Im dargestellten Beispiel ist der Leseverstärker 112 ein NAND-Speicher-Leseverstärker und die Freigabe- (STB) Leitung 646 auf dem Leseverstärker 112 ist eine durch einen Pegel ausgelöste Leitung. Im dargestellten Beispiel aktiviert ein niedriger Pegel auf dem beispielhaften Auslöser- (SENB) Signal 722 die Freigabe- (STB) Leitung 646, damit diese bewirkt, dass der Leseverstärker 112 Werte zwischenspeichert.
  • Im dargestellten Beispiel beginnt die Impulszählung (N) 638 bei null (N = 0) und der erste Auslöser-Zählerwert NT1 714 wird in das Auslöser-Register 614 geladen. Sobald die Spannungssteuerung 622 (6) die Ziel-Speicherzellen zum Lesen/Abfühlen ihrer programmierten Schwellenspannungen (VT) aktiviert, beginnt der Zähler 136 mit der Zunahme/Akkumulierung der Impulszählung (N) 638. Werden die Ziel-Speicherzellen durch die Spannungssteuerung 622 aktiviert, indem die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 (2) auf eine entsprechende Wortleitung (WL) angelegt wird und entsprechende Bitleitungen (BL) mit der Bitleitungs-Vorspannung (Vbl) 604 (6) vor-geladen werden, beginnen elektrische Speicherzellen-Ströme (ICELL), durch die Ziel-Speicherzellen zu fließen, was dazu führt, dass sich Abfühlspannungen an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) aufbauen. Während sich im Verlauf der Zeit Abfühlspannungen an integrierenden Kondensatoren aufbauen, vergleicht der Komparator 616 (6) die Impulszählung (N) 638 vom Zähler 136 mit dem ersten Auslöser-Zählerwert NT1 714, der in das Auslöser-Register 614 geladen wurde. Bestimmt der Komparator 616, dass die Impulszählung (N) 638 zum ersten Auslöser-Zählerwert NT1 714 passt, schaltet der Komparator 616 das Auslöser- (SENB) Signal 722, damit dieses die Freigabe- (STB) Leitung 646 der Leseverstärker 112 (1) aktiviert, damit die Leseverstärker 112 veranlasst werden, Binärwerte zwischenzuspeichern, die den Spannungen an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator CINT 602) entsprechen. Beispielsweise wird ein Binärwert von Eins ‚1‘ für Spannungen an integrierenden Kondensatoren zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 übersteigen, und ein Binärwert von Null ‚0‘ wird für Spannungen über integrierende Kondensatoren zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 nicht übersteigen. Im dargestellten Beispiel werden die logischen Werte, die von den Leseverstärkern 112 auf Basis des ersten Auslöser-Zählerwerts NT1 714 zwischengespeichert werden, in dem ersten Datencache (PDC1) 116 (1 und 6) gespeichert.
  • Nach dem Zwischenspeichern von Binärwerten auf Basis des ersten Auslöser-Zählerwerts NT1 714 wird der zweite Auslöser-Zählerwert NT2 716 in das Auslöser-Register 614 geladen. Während sich im Verlauf der Zeit weitere Ladungen von integrierenden Kondensatoren aufbauen, vergleicht der Komparator 616 die Impulszählung (N) 638 vom Zähler 136 mit dem zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 716, der in das Auslöser-Register 614 geladen wurde. Bestimmt der Komparator 616, dass die Impulszählung (N) 638 zum zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 716 passt, schaltet der Komparator 616 das Auslöser- (SENB) Signal 722, damit dieses die Freigabe- (STB) Leitung 646 der Leseverstärker 112 (1) aktiviert, damit die Leseverstärker 112 veranlasst werden, Binärwerte zwischenzuspeichern, die der Spannung an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator CINT 602) entsprechen. Beispielsweise wird ein Binärwert von Eins ‚1‘ für Spannungen über integrierende Kondensatoren zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 übersteigen, und ein Binärwert von Null ‚0‘ wird für Spannungen an integrierenden Kondensatoren zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 nicht übersteigen. Im dargestellten Beispiel werden die logischen Werte, die von den Leseverstärkern 112 auf Basis des zweiten Auslöser-Zählerwerts NT2 716 zwischengespeichert werden, in dem zweiten Datencache (PDC2) 118 (1 und 6) gespeichert.
  • Nach dem Zwischenspeichern von Binärwerten auf Basis des zweiten Auslöser-Zählerwerts NT2 716 erhält der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 die zwischengespeicherten Binärwerte aus dem ersten und zweiten primären Daten-Cache 116 und 118, um die programmierten Zustände der Ziel-Speicherzellen zu bestimmen. Beispielsweise bestimmt der Detektor programmierter Zustände 626, dass binäre Einsen ‚1‘ im ersten primären Daten-Cache (PDC1) 116 Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der dritten Zone programmierter Bereiche Z3 entsprechen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der dritten Zone programmierter Zustände Z3 einen relativ hohen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, um integrierende Kondensatoren (CINT) über den Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 zu laden, bevor die Impulszählung (N) 638 den ersten Auslöser-Zählerwert NT1 714 erreicht.
  • Der Detektor programmierter Zustände 626 führt logische Vergleichsvorgänge (z.B. logische XOR-Vorgänge) zwischen Bits in den primären und sekundären Daten-Caches 116 und 118 aus, um Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der zweiten Zone programmierter Zustände Z2 zu bestimmen. Beispielsweise bestimmt der Detektor programmierter Zustände 626, dass Bit-Positionen mit binären Nullen ‚0‘ im ersten primären Daten-Cache (PDC1) 116 und binären Einsen ‚1‘ im zweiten primären Daten-Cache (PDC2) 118 Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der zweiten Zone programmierter Zustände Z2 entsprechen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der zweiten Zone programmierter Zustände Z2 einen im Vergleich niedrigeren elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, der mehr Zeit benötigt, um entsprechende integrierende Kondensatoren (CINT) so zu laden, dass die Spannungen auf den integrierenden Kondensatoren (CINT) den Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 nicht überschreiten, bis die Impulszählung (N) 638 den ersten Auslöser-Zählerwert NT1 714 überschritten hat und bevor die Impulszählung (N) 638 den zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 716 erreicht.
  • Auf Basis von logischen Vergleichsvorgängen bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände auch, dass Bit-Positionen mit binären Nullen ‚0‘ im ersten primären Daten-Cache (PDC1) 116 und binären Nullen ‚0‘ im zweiten primären Daten-Cache (PDC2) 118 Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der ersten Zone programmierter Zustände Z1 entsprechen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in der ersten Zone programmierter Zustände Z1 einen relativ niedrigen elektrischen Speicherzellen-Strom auf, der mehr Zeit erfordert, um die entsprechenden integrierenden Kondensatoren (CINT) so zu laden, dass die Spannungen an den integrierenden Kondensatoren (CINT) den Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 nicht überschreiten, bis der Impulszähler (N) 638 den zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 716 überschreitet.
  • 7C ist eine beispielhafte Programm-Impulstyp-Tabelle 730, die Arten von Programmimpulsen zeigt, die benötigt werden, damit entsprechende Ziel-Speicherzellen eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) während einer Speicherzellen-Programmierphase erreichen. Nachdem der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 die Zonen programmierter Zustände Z1, Z2 und Z3 der Ziel-Speicherzellen auf Basis von Binärwerten, die wie oben in Verbindung mit 7B beschrieben von den Leseverstärkern 112 zwischengespeichert wurden, bestimmt hat, verwendet der Ausgabe-Analysator 628 (6) die Programm-Impulstyp-Tabelle 730 in Verbindung mit den identifizierten Zonen programmierter Zustände Z1, Z2 und Z3 der Ziel-Speicherzellen, um Programm-Impulstypen für die Ziel-Speicherzellen zu bestimmen. Beispielsweise bestimmt der Ausgabe-Analysator 628, dass Ziel-Speicherzellen in der dritten Zone programmierter Zustände Z3 einen vollen PGM-Programmimpuls während eines nächsten Programmierdurchgangs benötigen, um die programmierten Schwellenspannungen (VT) dieser Ziel-Speicherzellen näher zur Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 zu bewegen. Der beispielhafte Ausgabe-Analysator 628 bestimmt, dass Ziel-Speicherzellen in der zweiten Zone programmierter Zustände Z2 einen partiellen SSPC-Programmimpuls während eines nächsten Programmierdurchgangs benötigen, um die programmierten Schwellenspannungen (VT) dieser Ziel-Speicherzellen näher zur Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 zu bewegen. Zusätzlich dazu bestimmt der beispielhafte Ausgabe-Analysator 628, dass Ziel-Speicherzellen in der ersten Zone programmierter Zustände Z1 darin gehemmt INH werden müssen, beliebige weitere Programmimpulse während eines nächsten Programmierdurchgangs zu empfangen, da sich diese Ziel-Speicherzellen schon an der Ziel-Schwellenspannung (VTT) 706 befinden. Auf Basis der Programm-Impulstypen, die von dem Ausgabe-Analysator unter Verwendung der Programm-Impulstyp-Tabelle 730 bestimmt wurden, kann die Spannungssteuerung 622 Spannungspegel der Programmimpulse, die verwendet werden, um weitere Programmierdurchgänge auf den Ziel-Speicherzellen auszuführen, steuern.
  • 8 stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen für erhaltene programmierte Zustände von Speicherzellen 106 (1) auf Basis der Auswirkungen eines Temperaturkoeffizienten (TCO) eines dielektrischen Materials auf dem elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) über die Temperatur im dielektrischen Material dar. Wird beispielsweise das dielektrische Material des Speicherzellen-Transistors 204 (2 und 6) Temperaturveränderungen unterzogen, beeinflusst ein Temperaturkoeffizient (TCO) des Transistors 204 den elektrischen Strom durch den Speicherzellen-Transistor 204. Beispielsweise ist der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 (2 und 6) des Transistors 204 durch die Temperaturveränderungen beeinflusst. In manchen Beispielen kann der Flash-Speicher 104 signifikanten Temperaturveränderungen unterzogen werden, abhängig von der Speicherzugriffslast auf dem Flash-Speicher 204 (z.B. kann der Flash-Speicher 104 während starkem Zugriff auf Daten starke Wärme ableiten), von Temperaturen naher Komponenten auf derselben Schaltplatte und/oder von Umgebungstemperaturen. In manchen Fällen können signifikante Temperaturveränderungen aufgrund der Auswirkungen der Temperatur auf den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL 206) ungenaue Auslesungen von programmierten Zuständen von Speicherzellen hervorrufen. Um die Wahrscheinlichkeit, dass Temperaturveränderungen ungenaue Auslesungen von Speicherzellen hervorrufen, wesentlich zu reduzieren oder zu eliminieren, können hierin offenbarte Beispiele die Temperatur als Kriterium zur Auswahl von Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642 (6) zum Detektieren von programmierten Zuständen der Speicherzellen 106 verwenden.
  • Wie in 8 gezeigt wurde, kann ein Temperaturkoeffizient (TCO) eines dielektrischen Materials linear 802 oder nicht linear 804 sein. Geeignete Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 können im Vorhinein für verschiedene Temperaturen in den Temperatur-Betriebsbereichen von Speichern mit linearen Temperaturkoeffizienten (TCO) 802 oder nicht linearen Temperaturkoeffizienten (TCO) 804 bestimmt werden und in den Speichern oder verbundenen Speichersteuerungen zur Auswahl während Lesevorgängen dieser Speicher gespeichert werden. Beispielsweise kann der Auslöserwert-Speicher 618 aus 6 Temperaturwerte in den charakteristischen Werten CRTn 650 in Verbindung mit entsprechenden der Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 speichern. So kann während eines Lesevorgangs der Kriterienbedingungsdetektor 624 eine Temperatur (z.B. unter Verwendung eines Thermoelements im Nacktchip oder auf der Platine) des Flash-Speichers 104 und/oder eine Speicherzellenanordnung im Flash-Speicher 104 detektieren und die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 kann die beobachtete Temperatur verwenden, um einen Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 abzurufen. Durch die Verwendung von Temperatur als Eigenschaftskriterium des Flash-Speichers 104 können Auslesungen aus dem Flash-Speicher 104 bei Temperaturveränderungen mit im Wesentlichen derselben Genauigkeit erfolgen.
  • In dem in 8 dargestellten Beispiel wird eine Niedrigtemperatur- (LT) Auslöserzählung 806 als eine Abfühlzeit (tsen) von 200 Nanosekunden (ns) aufweisend dargestellt, die mit 200 Impulsen eines Taktgebers mit 1 Gigahertz (1 GHz) (z.B. N = 200, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. Ebenfalls in dem in 8 gezeigten Beispiel wird eine Hochtemperatur- (HT) Auslöserzählung 808 als eine Abfühlzeit (tsen) von 400 Nanosekunden (ns) aufweisend dargestellt, die mit 400 Impulsen eines Taktgebers mit 1 Gigahertz (1 GHz) (z.B. N = 400, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. So zeigt das in 8 dargestellte Beispiel, dass mit einem Anstieg der Temperatur einer Speichervorrichtung die in 8 abgebildeten Temperaturkoeffizienten (TCO) eine Abnahme an elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 in diesen Speichervorrichtungen hervorrufen. Der mit zunehmender Temperatur abnehmende elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 veranlasst die integrierenden Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, Abfühlspannungen in einer niedrigeren Geschwindigkeit aufzubauen. So wird während höherer Betriebstemperaturen mehr Zeit (z.B. mehr Impulszählungen (N)) benötigt, um programmierte Zustände derselben Speicherzellen abzufühlen. Ein höherer elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 für niedrigere Temperaturen veranlasst die integrierenden Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, Abfühlspannungen in einer schnelleren Geschwindigkeit aufzubauen. So wird während niedrigerer Betriebstemperaturen weniger Zeit (z.B. weniger Impulszählungen (N)) benötigt, um die programmierten Zustände derselben Speicherzellen abzufühlen.
  • 9 stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen zum Erhalten von programmierten Zuständen von Speicherzellen 106 auf Basis der Auswirkungen von programmierten Zuständen von Speicherzellen (z.B. Speicherzellen-Schwellenspannungen (VT)) auf einen Temperaturkoeffizienten (TCO) (z.B. ein von programmierten Zuständen abhängiger Temperaturkoeffizient (TCO)) eines dielektrischen Materials der Speicherzellen 106 dar. Das in 9 dargestellte Beispiel zeigt verschiedene Schwellenspannungspegel VT0, VT1, VT2, VT3, VT4, VT5, VT6 und VT7. Im dargestellten Beispiel nimmt bei einer Zunahme der Schwellenspannung (VT) einer Speicherzelle 106 (z.B. vom Schwellenspannungspegel VT0 zum Schwellenspannungspegel VT7) auch der Temperaturkoeffizient (TCO) der Speicherzelle 106 zu. Beispielsweise werden verschiedene Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a bis h für verschiedene Schwellenspannungspegel VT0 bis VT7 gezeigt. Jeder der Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a bis h verursacht verschiedene Veränderungen des elektrischen Speicherzellen-Stroms (ICELL) in einem Temperaturbereich. Ist beispielsweise eine Speicherzelle 106 auf einen der Schwellenspannungspegel VT0 bis VT7 programmiert, veranlasst ein entsprechender der Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a bis h des programmierten Schwellenspannungspegels, dass sich der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) durch die programmierte Speicherzelle 106 über einen Temperaturbereich auf eine unterschiedliche Art und in unterschiedlichen elektrischen Strompegeln verändert als wenn die Speicherzelle 106 auf einen anderen der Schwellenspannungspegel VT0 bis VT7, der einem anderen der Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a bis h entspricht, programmiert wäre.
  • Beispiele für verschiedene Veränderungen des elektrischen Speicherzellen-Stromes (ICELL) über einen Temperaturbereich auf Basis des Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a, der der nullten Schwellenspannung VT0 entspricht, werden in einem Graph 904, der den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) vs. Temperatur zeigt, dargestellt. Beispiele für verschiedene Veränderungen des elektrischen Speicherzellen-Stromes (ICELL) über einen Temperaturbereich auf Basis des Temperaturkoeffizienten (TCO) 902h, der der siebenten Schwellenspannung VT7 entspricht, werden in einem Graph 906, der den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) vs. Temperatur zeigt, dargestellt. Wie in den dargestellten Beispielen der Strom-vs.-Temperatur-Graphen 904 und 906 gezeigt wird, ist der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) bei niedrigeren Temperaturkoeffizienten (TCO), die niedrigeren Schwellenspannungen (VT) entsprechen, höher und der elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) nimmt ab, wenn der Temperaturkoeffizient (TCO) bei höheren Schwellenspannungen (VT) zunimmt. Da höhere Pegel von elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL) dazu führen, dass sich Abfühlspannungen schneller auf integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator CINT 602 aus 6) aufbauen als niedrigere Pegel von elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL), wird weniger Zeit benötigt, bis die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren die Auslösespannungen der Leseverstärker 112 überschreiten, wenn die Speicherzellen auf niedrigere Schwellenspannungen (VT) programmiert sind, die niedrigeren Temperaturkoeffizienten (TCO) entsprechen. Außerdem wird mehr Zeit benötigt, damit die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren die Auslösespannungen der Leseverstärker 112 überschreiten, wenn die Speicherzellen auf höhere Schwellenspannungen (VT) programmiert sind, die höheren Temperaturkoeffizienten (TCO) entsprechen. Die nachstehende beispielhafte Tabelle 1 zeigt eine beispielhafte Datenstruktur, die verschiedene Bereiche von Auslöser-Zählerwerten (N(VT, T)) für die Schwellenspannungspegel VT0 bis VT7 über einen Temperaturbereich (T0 bis T3) speichert. Tabelle 1 - Auslöser-Zählerwerte (N) über Temperatur (T) für verschiedene Schwellenspannungen (VT) und entsprechende Temperaturkoeffizienten (TCO)
    VT0 (TCO0) VT1 (TCO1) VT2 (TCO2) VT3 (TCO3) VT4 (TCO4) VT5 (TCO5) VT6 (TCO6) VT7 (TCO7)
    Temp0 (T0) N(0,0) N(0,1) N(0,2) N(0,3) N(0,4) N(0,5) N(0,6) N(0,7)
    Temp1 (T1) N(1,0) N(1,1) N(1,2) N(1,3) N(1,4) N(1,5) N(1,6) N(1,7)
    Temp2 (T2) N(2,0) N(2,1) N(2,2) N(2,3) N(2,4) N(2,5) N(2,6) N(2,7)
    Temp3 (T3) N(3,0) N(3,1) N(3,2) N(3,3) N(3,4) N(3,5) N(3,6) N(3,7)
  • In dem in Tabelle 1 oben dargestellten Beispiel wird ein unterschiedlicher Bereich von Auslöser-Zählerwerten (N(VT,T)) über den Temperaturbereich (T0 bis T3) für jede Schwellenspannung VT0 bis VT7 und entsprechenden Temperaturkoeffizienten (TCO) 902a bis h verwendet. In der beispielhaften Tabelle 1 ist die nullte Schwellenspannung VT0 ein niedrigerer Spannungspegel als die siebente Schwellenspannung VT7, eine nullte Temperatur T0 ist niedriger als eine dritte Temperatur T3 und Auslöser-Zählerwerte (N(0,0), N(1,0), N(2,0), N(3,0)), die der nullten Schwellenspannung VT0 entsprechen, befinden sich in einem niedrigeren Zählungsbereich (z.B. weniger Zeitdauer zum Aufbau einer Abfühlspannung auf dem integrierenden Kondensator (CINT) 604 aus 6) als Auslöser-Zählerwerte (N(0,7), N(1,7), N(2,7), N(3,7)), die der siebenten Schwellenspannung VT7 entsprechen. Beispielsweise werden für die nullte Schwellenspannung VT0 (z.B. entsprechend dem Graphen 904 von elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) über Temperatur aus 9) die verschiedenen Auslöser-Zählerwerte (N(0,0), N(1,0), N(2,0), N(3,0)) als Speicherzellen-Temperaturzunahmen von der nullten Temperatur (T0) zur dritten Temperatur (T3) verwendet. Zusätzlich dazu werden für die siebente Schwellenspannung VT7 (z.B. entsprechend dem Graphen 906 von elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) vs. Temperatur aus 9) die verschiedenen Auslöser-Zählerwerte (N(0,7), N(1,7), N(2,7), N(3,7)) als Speicherzellen-Temperaturzunahmen von der nullten Temperatur (T0) zur dritten Temperatur (T3) verwendet. So können Speicherzellen, die auf niedrigere Schwellenspannungen (VT) programmiert sind, über einen Bereich von Betriebstemperaturen unter Verwendung von niedrigeren Bereichen von Impulszählungen (N) gelesen werden, und höhere Schwellenspannungen (VT) können über einen Bereich von Betriebstemperaturen unter Verwendung von höheren Bereichen von Impulszählungen (N) gelesen werden.
  • Geeignete Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 aus FIG. 6 können im Vorhinein für verschiedene Schwellenspannungen (VT) (z.B. die Schwellenspannungen VT0 bis VT7 aus 9 und Tabelle 1 oben) von Speichern auf Basis ihrer Temperaturkoeffizienten (TCO) (z.B. den Temperaturkoeffizienten 902a bis h aus 9, die in Tabelle 1 oben als TCO0 bis TCO7 gezeigt werden) bestimmt werden. Die Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 können in den Speichern oder verbundenen Speichersteuerungen zur Auswahl während Auslesevorgängen dieser Speicher gespeichert werden. Beispielsweise kann der Auslöserwerte-Speicher 618 aus FIG. 6 für jede Schwellenspannung (VTn) 644 (6) Bereiche von Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642 (z.B. die Auslöser-Zählerwerte N(0,0) ... N(3,7) aus Tabelle 1 oben) in Verbindung mit verschiedenen Temperaturen (z.B. den Temperaturen T0 bis T3 aus Tabelle 1 oben, gespeichert als die charakteristischen Werte CRTn 650) speichern. Auf diese Weise kann der Kriterienbedingungsdetektor 624 während eines Auslesevorgangs eine Temperatur (z.B. unter Verwendung eines Thermoelements im Nacktchip oder auf der Platine) des Flash-Speichers 104 und/oder eine Speicherzellenanordnung im Flash-Speicher 104 detektieren und die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 kann einen entsprechenden Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 für eine entsprechende Schwellenspannung (VTn) 644 bei einer spezifischen Temperatur abrufen. Durch die Verwendung verschiedener Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 für verschiedene Schwellenspannungen (VTn) 644 und Temperaturen, die auf Temperaturkoeffizienten (TCO) von Speichern basieren, können Auslesungen aus dem Flash-Speicher 104 bei verschiedenen Temperaturen in einem Temperaturbereich für verschiedene programmierte Schwellenspannungen (VT) der Speicherzellen 106 mit im Wesentlichen derselben Genauigkeit erfolgen.
  • Im dargestellten Beispiel aus 9 wird ein beispielhafter temperaturabhängiger Auslöser-Zählerbereich 910 für einen niedrigen Schwellenspannungspegel (VT0) als einen Abfühlzeit- (tsen) Bereich von 100∼200 Nanosekunden (ns) aufweisend gezeigt, der mit 100∼200 Impulsen eines 1-Gigahertz-(1 GHz) Taktgebers (z.B. N = 100∼200, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. Ebenfalls im Beispiel aus 9 wird eine beispielhafte temperaturabhängige Auslöserzählung 912 für einen hohen Schwellenspannungspegel (VT7) als einen Abfühlzeit- (tsen) Bereich von 400∼500 ns aufweisend gezeigt, der mit 400∼500 Impulsen eines 1-Gigahertz- (1 GHz) Taktgebers (z.B. N = 400-500, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. So zeigt das in 9 dargestellte Beispiel, dass die Temperaturkoeffizienten (TCO), die in 9 dargestellt sind, bei niedrigeren Schwellenspannungspegeln (VT) insgesamt höhere Bereiche von elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 über einen Betriebstemperaturbereich hervorrufen. Der höhere elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 für niedrigere Schwellenspannungen (VT) veranlasst integrierende Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, Abfühlspannungen in schnellerer Geschwindigkeit aufzubauen. So wird beim Abfühlen niedrigerer Schwellenspannungen (VT) weniger Zeit (z.B. weniger Impulszählungen (N)) benötigt, um programmierte Zustände von Speicherzellen abzufühlen. Ein geringerer elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 für höhere Schwellenspannungen (VT) veranlasst integrierende Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, Abfühlspannungen in geringerer Geschwindigkeit aufzubauen. So wird beim Abfühlen höherer Schwellenspannungen (VT) mehr Zeit (z.B. mehr Impulszählungen (N)) benötigt, um programmierte Zustände von Speicherzellen abzufühlen.
  • 10A zeigt die Schwankung in elektrischem Strom durch eine Speicherzellenanordnung (IARRAY) 1002 im Flash-Speicher 104 aus 1 im Vergleich zu Speicherzellenanordnungspositionen von Kacheln, die die Speicherzellen 106 im Flash-Speicher 104 umfassen. Im dargestellten Beispiel schwanken die Speicherzellenanordnungspositionen der Speicherzellen 106 zwischen einer weiter entfernt angeordneten (FS) Position 1004 und einer näher angeordneten (NS) Position 1006 hinsichtlich eines Spannungstreibers 1008, der Spannungen an den Wortleitungen (WL(y)), Bitleitungen (BL(y)) und Source-Leitung (src) des Flash-Speichers 104 anlegt. 10B stellt verschiedene beispielhafte Impulszählungen zum Abfühlen programmierter Zustände der Speicherzellen 106 auf Basis der Auswirkungen von Speicherzellenanordnungspositionen auf dem Anordnungsstrom (IARRAY) 1002 durch die Speicherzellen 106 dar. Die in 10A und 10B dargestellten Beispiele zeigen, dass der Anordnungsstrom (IARRAY) 1002 durch Speicherzellen 106, die weiter vom Spannungstreiber 1008 entfernt sind (z.B. Speicherzellen 106, die an der FS-Position 1004 oder näher zu dieser angeordnet sind) niedriger ist. Der Anordnungsstrom (IARRAY) 1002 durch Speicherzellen 106 ist bei Speicherzellen 106, die näher am Spannungstreiber 1008 angeordnet sind (z.B. Speicherzellen 106, die an der NS-Position 1006 oder näher zu dieser angeordnet sind), höher.
  • In den in 10A und 10B dargestellten Beispielen ist der Anordnungsstrom (IARRAY) 1002 repräsentativ für elektrische Speicherzellen-Ströme (ICELL) durch die Speicherzellen 106, die integrierende Kondensatoren (CINT) (z.B. den integrierenden Kondensator (CING) 602 aus 6) in den Leseverstärkern 112 laden, um die programmierten Zustände der Speicherzellen abzufühlen. Geeignete Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 können im Vorhinein für verschiedene Speicherzellenanordnungspositionen von Speichern bestimmt und in den Speichern oder verbundenen Speichersteuerungen zur Auswahl während Lesevorgängen dieser Speicher gespeichert werden. Beispielsweise kann der Auslöserwert-Speicher 618 aus 6 Anordnungspositionswerte in den charakteristischen Werten CRTn 650 in Verbindung mit entsprechenden der Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642 speichern. Auf diese Weise kann der Kriterienbedingungsdetektor 624 während eines Lesevorganges eine Speicheranordnungsposition einer Reihe (z.B. einer Wortleitung) von Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 detektieren (z.B. unter Verwendung eines Wortleitungsadressen-Dekodierers) und die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 kann die beobachtete Anordnungsposition verwenden, um einen oder mehrere entsprechende(n) Auslöser-Zählerwert(e) (NTn) 642 abzurufen. Durch die Verwendung der Speicherzellenanordnungsposition als Kriterieneigenschaft des Flash-Speichers 104 können Auslesungen des Flash-Speichers 104 im Wesentlichen mit derselben Genauigkeit erfolgen, ungeachtet der Speicherzellenanordnungspositionen im Flash-Speicher 104.
  • In dem in 10B dargestellten Beispiel wird ein beispielhafter Auslöser-Zähler 1010 für die NS-Position 1006 als eine Abfühlzeit (tsen) von 200 Nanosekunden (ns) aufweisend gezeigt, die mit 200 Impulsen eines 1-Gigahertz- (1 GHz) Taktgebers (z.B. N = 200, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. Ebenfalls in dem Beispiel aus 10B ist ein beispielhafter Auslöser-Zähler 1012 für die FS-Position 1004 als eine Abfühlzeit von 400 ns aufweisend gezeigt, die mit 400 Impulsen eines 1-Gigahertz- (1 GHz) Taktgebers (z.B. N = 400, Tclk = 1 ns) verfolgt wird. So zeigt das in 10B dargestellte Beispiel, dass Speicherzellen 106, die näher an dem Spannungstreiber 1008 angeordnet sind, einen höheren elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 (2 und 6) aufweisen. Der höhere elektrische Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 für Speicherzellen 106, die näher am Spannungstreiber 1008 angeordnet sind, veranlasst integrierende Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, eine Abfühlspannung in einer schnelleren Geschwindigkeit aufzubauen als elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 von Speicherzellen 106, die weiter vom Spannungstreiber 1008 entfernt sind. Auf diese Weise wird beim Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen 106, die sich näher am Spannungstreiber 1008 befinden, weniger Zeit (z.B. weniger Impulszählungen (N)) benötigt, um die programmierten Zustände abzufühlen. Ein niedrigerer elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 für Speicherzellen 106, die vom Spannungstreiber 1008 weiter entfernt angeordnet sind, veranlasst integrierende Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) dazu, eine Abfühlspannung in einer langsameren Geschwindigkeit aufzubauen als elektrischer Speicherzellen-Strom (ICELL) 206 von Speicherzellen 106, die näher am Spannungstreiber 1008 angeordnet sind. Auf diese Weise wird beim Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen 106, die weiter von den Leseverstärkern 112 entfernt angeordnet sind, mehr Zeit (z.B. mehr Impulszählungen (N)) benötigt, um die programmierten Zustände abzufühlen.
  • 11A stellt eine Verteilung programmierter Zustände 1100 von Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 aus 1 in Verbindung mit beobachteter Soft-Bit-Information der Speicherzellen 106 dar. Die Verteilung programmierter Zustände 1100 aus 11A repräsentiert eine Schwellenspannungs- (VT) Verteilung der Speicherzellen 106. 11B stellt Auslöser auf Impulszählerbasis zum Erhalten der Soft-Bit-Information der Speicherzellen 106 dar, die in Verbindung mit der Verteilung programmierter Zustände 1100 aus 11A gezeigt wird. Die in 11A dargestellte Soft-Bit-Information entspricht jenen Speicherzellen der Speicherzellen 106, die programmierte Zustände aufweisen, die nicht deutlich innerhalb eines speziellen Schwellenspannung- (VT) Bereichs angeordnet sind, um Daten, die in diesen Speicherzellen 106 gespeichert sind, genau zu identifizieren. Beispielsweise kann ein Schwellenspannungs- (VT) Bereich, der einem gespeicherten binären Null ‚0‘ entspricht, zwischen einer ersten unteren Grenz-Referenzspannung (R0) (11A) von 0,5 Volt und einer ersten oberen Grenz-Referenzspannung (R1) (11A) von 1,5 Volt angeordnet sein, und ein Schwellenspannungs- (VT) Bereich, der einer gespeicherten binären Eins ‚1‘ entspricht, kann zwischen einer zweiten unteren Grenz-Referenzspannung (R2) (11A) von 2,0 Volt und einer zweiten oberen Grenz-Referenzspannung (R3) (11A) von 3,5 Volt angeordnet sein. (In dem Beispiel aus 11A wird der Spannungsabstand zwischen der ersten oberen Grenz-Referenzspannung (R1) und der zweiten unteren Grenz-Referenzspannung (R3) nicht im Maßstab dargestellt, um die Verteilung der Schwellenspannung zwischen diesen beiden Grenz-Referenzspannungen klarer und detaillierter zeigen zu können.
  • Im Verlauf der Zeit kann sich der Flash-Speicher 104 verschlechtern oder auf andere Weise Veränderungen seiner elektrischen Eigenschaften erfahren. In solchen Fällen können sich Bereiche von Schwellenspannungen (VT), die gespeicherte Information repräsentieren, verlagern, sodass eine Verteilung der Schwellenspannungen (VT) des Flash-Speichers 104 ihre Genauigkeit zur Repräsentation der gespeicherten Information verliert. Beispielsweise sind, wie in 11A gezeigt, programmierte Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen zwischen der ersten oberen Grenz-Referenzspannung (R1), die einem gespeicherten binären Null ‚0‘ entspricht, und der zweiten unteren Grenz-Referenzspannung (R2), die einem gespeicherten binären Eins ‚1‘ entspricht, angeordnet. Auf diese Weise werden Speicherzellen 106, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in einem Soft-Bit-Bereich 1102 aufweisen, der zwischen der ersten oberen Grenz-Referenzspannung (R1) und der zweiten unteren Grenz-Referenzspannung (R2) angeordnet ist, als Speicher-Soft-Bits bezeichnet, da ihre programmierten Schwellenspannungen (VT) nicht genau eine Information wiedergeben, die darin gespeichert werden soll. Um das Verlieren solch einer gespeicherten Information zu vermeiden, können Referenz-Spannungen (z.B. R0, R1, R2, R3), die die Bereichsgrenzen des Schwellenspannungs-(VT) Bereichs definieren, verändert werden, um die Verteilung der Schwellenspannungen (VT) des Flash-Speichers 104 so auszurichten, dass diese der gespeicherten Information genau entsprechen.
  • Die Soft-Bit-Information aus 11A wird verwendet, um Schwellenspannungen (VT) von Speicherzellen 106 in verschiedene Regionen zu gruppieren, die als Regionen 1 bis 6 gezeigt werden. In dem dargestellten Beispiel wird jede der Regionen 1 bis 6 unter Verwendung eines Zwei-Bit-Binärcodes (z.B. die Binärcodes 00, 01, 11, 10) identifiziert. Wird eine andere Anzahl an Regionen verwendet, um die Soft-Bit-Information zu gruppieren, können Binärcodes mit weniger oder mehr Bits verwendet werden, um diese Regionen zu identifizieren. In dem in 11A dargestellten Beispiel repräsentieren Speicherzellen 106 mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 1 genau ein gespeichertes binäres Null ‚0‘ und Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 6 repräsentieren genau eine gespeicherte binäre Eins ‚1‘. Speicherzellen 106 mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in den Regionen 2 bis 5 befinden sich im Soft-Bit-Bereich 1102 und speichern nicht genau ein binäres Null ‚0‘ oder eine binäre Eins ‚1‘. Um zu bestimmen, wo sich größere Konzentrationen von Speicherzellen 106 im Soft-Bit-Bereich 1102 befinden, können hierin offenbarte Beispiele verwendet werden, um programmierte Schwellenspannungen (VT) auf Basis von Impulszähler-Auslösern (NT) (z.B. dem Impulszähler-Auslöser (NTn) 642 aus 6), wie nachstehend in Verbindung mit 11B beschrieben ist, abzufühlen.
  • 11B stellt die Auslöser-Zählerwerte NT1 1112, NT2 1114, NT3 1116, NT4 1118 und NT5 1120 dar, um die programmierten Zustände der Ziel-Speicherzellen 106 zu erhalten, die in der Verteilung programmierter Zustände 1100 aus 11A dargestellt sind. 11B zeigt auch ein beispielhaftes Taktsignal 1122, das z.B. vom Taktgeber 636 aus 6 bereitgestellt wird. Das beispielhafte Taktsignal 1122 treibt den beispielhaften Zähler 136 (1 und 6) dazu an, die Impulszählungen (N) 638 aus 6 zu erzeugen. 11B zeigt auch ein beispielhaftes Auslöser- (SENB) Signal 1126 (z.B. das SENB-Signal 644 aus 6), das von dem beispielhaften Komparator 616 aus 6 bereitgestellt sein kann, um die Freigabe- (STB) Leitung 646 des Leseverstärkers 112 aus 6 zu aktivieren. In dem dargestellten Beispiel ist die Freigabe- (STB) Leitung 646 des Leseverstärkers 112 eine pegelausgelöste Leitung, bei der ein niedriger Pegel (z.B. wie dargestellt auf dem beispielhaften Auslöser-(SENB) Signal 722 aus 7) die Freigabe- (STB) Leitung 646 aktiviert, um den Leseverstärker 112 dazu zu veranlassen, Werte zwischenzuspeichern.
  • Im dargestellten Beispiel werden die Auslöser-Zählerwerte NT1 1112, NT2 1114, NT3 1116, NT4 1118 und NT5 1120 in die Auslöser-Register 614 (6) geladen und die Impulszählung (N) 638 beginnt bei null (N = 0). Aktiviert die Spannungssteuerung 622 (6) Ziel-Speicherzellen zum Auslesen/Abfühlen ihrer programmierten Schwellenspannungen (VT), beginnt der Zähler 136 mit der Zunahme/der Akkumulierung der Impulszählung (N) 638. Werden die Ziel-Speicherzellen von der Spannungssteuerung 622 aktiviert, indem die Wortleitungsauslese/verifizierungsspannung (VWLRV) 214 (2) auf eine entsprechende Wortleitung (WL) angelegt wird und indem entsprechende Bitleitungen (BL) mit der Bitleitungsvorlade-Spannung (Vbl) 604 (6) vor-geladen werden, beginnen elektrische Speicherzellen-Ströme (ICELL), durch die Ziel-Speicherzellen zu fließen, was veranlasst, dass sich Abfühlspannungen an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) aufbauen. Während sich im Verlauf der Zeit die Abfühlspannungen im integrierenden Kondensator aufbauen, vergleicht der Komparator 616 (6) die Impulszählung (N) 638 vom Zähler 136 mit dem ersten Auslöser-Zählerwert NT1 1112, der in das Auslöser-Register 614 geladen wurde. Bestimmt der Komparator 616, dass die Impulszählung (N) 638 zum ersten Auslöser-Zählerwert NT1 1112 passt, schaltet der Komparator 616 das Auslöser- (SENB) Signal 1126, um die Freigabe- (STB) Leitung 646 der Leseverstärker 112 (1) zu aktivieren, um die Leseverstärker 112 zu veranlassen, Binärwerte zwischenzuspeichern, die der Abfühlspannung an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator CINT 602) entsprechen. Beispielsweise wird ein Binärwert von Eins ‚1‘ für Abfühlspannungen über integrierenden Kondensatoren CINT zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 überschreiten, und ein Binärwert von Null ‚0‘ wird für Abfühlspannungen über integrierende Kondensatoren CINT zwischengespeichert, die einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 nicht überschreiten. Im dargestellten Beispiel werden die logischen Werte, die von den Leseverstärkern 112 auf Basis eines ersten Auslöser-Zählerwerts NT1 1112 zwischengespeichert werden, in einem entsprechenden Daten-Cache (z.B. einem der Daten-Caches 114, 116 oder 118 aus 1 und 6) gespeichert. Ähnlich dazu schaltet der Kondensator 616 für jeden der Auslöser-Zählerwerte NT1 1112, NT2 1114, NT3 1116, NT4 1118 und NT5 1120 das Auslöser- (SENB) Signal 1126, um die Freigabe- (STB) Leitung 646 der Leseverstärker 112 zu aktivieren, um die Leseverstärker 112 zu veranlassen, Binärwerte zwischenzuspeichern, die den Abfühlspannungen an entsprechenden integrierenden Kondensatoren (z.B. den integrierenden Kondensator CINT 602) entsprechen, während sich im Verlauf der Zeit weiterhin Abfühlspannungen an den integrierenden Kondensatoren aufbauen. Nach jedem Zwischenspeicherungsereignis der Leseverstärker 112 speichern die Leseverstärker 112 die zwischengespeicherten Werte in einem entsprechenden Daten-Cache. Obwohl nur drei Daten-Caches, 114, 116 und 118, in 1 und 6 gezeigt werden, können mehr Daten-Caches verwendet werden, um die Binärwerte zu speichern, die von den Leseverstärkern 112 zwischengespeichert werden, nachdem jeder der Auslöser-Zählerwerte NT1 1112, NT2 1114, NT3 1116, NT4 1118 und N15 1120 von der Impulszählung (N) 638 erreicht wurde.
  • Nach dem Speichern der Binärwerte, die vom Leseverstärker 112 zwischengespeichert wurden, erhält im dargestellten Beispiel der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 die zwischengespeicherten Binärwerte aus den Daten-Caches, um programmierte Zustände der Ziel-Speicherzellen zu bestimmen. Beispielsweise führt der Detektor programmierter Zustände 626 logische Vergleichsvorgänge (z.B. logische XOR-Vorgänge) zwischen Bits, die zum ersten Auslöser-Zählerwert NT1 1112 zwischengespeichert wurden, und Bits, die zum zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 1114 zwischengespeichert wurden, aus, um Ziel-Speicherzellen zu bestimmen, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in Region 2 (11A), entsprechend einem Binärregionscode ‚00‘, aufweisen. Unter Anwendung solcher logischer Vergleichsvorgänge bestimmt der Detektor programmierter Zustände 626, dass Bit-Positionen mit binären Nullen ‚0‘, die zum ersten Auslöser-Zählerwert NT1 1112 zwischengespeichert werden, und binären Einsen ‚1‘, die zum zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 1114 zwischengespeichert werden, Ziel-Speicherzellen entsprechen, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in Region 2 aufweisen, die einem Binärregionscode ‚00‘ entsprechen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 2 einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, der die entsprechenden integrierenden Kondensatoren (CINT) in solch einer Geschwindigkeit lädt, dass die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren (CINT) den Auslöser-Spannungspegel der Leseverstärker 112 erst überschreiten, nachdem die Impulszählung (N) 638 den ersten Auslöser-Zählerwert NT1 1112 überschritten hat und bevor die Impulszählung (N) 638 den zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 1114 erreicht.
  • Auf Basis der logischen Vergleichsvorgänge, die mit der Soft-Bit-Extraktion aus 11B verbunden sind, bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 auch, dass Bit-Positionen, die binäre Nullen ‚0‘, die zum zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 1114 zwischengespeichert werden, und binäre Einsen ‚1‘, die zum dritten Auslöser-Zählerwert NT3 1116 zwischengespeichert werden, aufweisen, Ziel-Speicherzellen entsprechen, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in Region 3 entsprechend dem Binärregionscode ‚01‘ aufweisen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 3 einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, der entsprechende integrierende Kondensatoren (CINT) in einer Geschwindigkeit lädt, die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren (CINT) erzeugt, die den Auslöser-Spannungspegel der Leseverstärker 112 erst überschreiten, nachdem die Impulszählung (N) 638 den zweiten Auslöser-Zählerwert NT2 1114 überschritten hat und bevor die Impulszählung (N) 638 den dritten Auslöser-Zählerwert NT3 1116 erreicht.
  • Ebenfalls auf Basis der logischen Vergleichsvorgänge, die mit der Soft-Bit-Extraktion aus 11B verbunden sind, bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626, dass Bit-Positionen, die binäre Nullen ‚0‘, die zum dritten Auslöser-Zählerwert NT3 1116 zwischengespeichert werden, und binäre Einsen ‚1‘, die zum vierten Auslöser-Zählerwert NT4 1118 zwischengespeichert werden, aufweisen, Ziel-Speicherzellen entsprechen, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in Region 4 entsprechend dem Binärregionscode ‚11‘ aufweisen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 4 einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, der entsprechende integrierende Kondensatoren (CINT) in einer Geschwindigkeit lädt, die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren (CINT) erzeugt, die den Auslöser-Spannungspegel der Leseverstärker 112 erst überschreiten, nachdem die Impulszählung (N) 638 den dritten Auslöser-Zählerwert NT3 1116 überschritten hat und bevor die Impulszählung (N) 638 den vierten Auslöser-Zählerwert NT4 1118 erreicht.
  • Ebenfalls auf Basis der logischen Vergleichsvorgänge, die mit der Soft-Bit-Extraktion aus 11B verbunden sind, bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626, dass Bit-Positionen, die binäre Nullen ‚0‘, die zum vierten Auslöser-Zählerwert NT4 1118 zwischengespeichert werden, aufweisen, Ziel-Speicherzellen entsprechen, die programmierte Schwellenspannungen (VT) in Region 5 entsprechend dem Binärregionscode ‚10‘ aufweisen. Beispielsweise weisen die Ziel-Speicherzellen mit programmierten Schwellenspannungen (VT) in Region 5 einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) auf, der entsprechende integrierende Kondensatoren (CINT) in einer Geschwindigkeit lädt, die Abfühlspannungen auf den integrierenden Kondensatoren (CINT) erzeugt, die den Auslöser-Spannungspegel der Leseverstärker 112 nicht überschreiten, bevor die Impulszählung (N) 638 den vierten Auslöser-Zählerwert NT4 1118 erreicht.
  • Nachdem die Soft-Bit-Information extrahiert und in die verschiedenen Regionen 2 bis 5 gruppiert wurde, kann der Ausgabe-Analysator 628 (6) die Soft-Bit-Information analysieren, um zu bestimmen, ob die Grenz-Referenzspannungen (R0 bis R3 aus 11A) von Schwellenspannungs- (VT) Bereichen neu definiert werden müssen, um die Verteilung der Schwellenspannungen (VT) des Flash-Speichers 104 neu auszurichten, damit Information, die in den Speicherzellen 104 gespeichert ist, genauer dargestellt werden kann.
  • Die 12 und 13 stellen Flussdiagramme dar, die beispielhafte maschinenlesbare Anweisungen zur Umsetzung der beispielhaften Vorrichtung 600 aus 6 und/oder der beispielhaften Speichersteuerung 102 aus 1 zum Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen unter Anwendung von Impulszählungen zum Auslösen von Leseverstärkern (z.B. den Leseverstärkern 112 aus 1 und 6) darstellen. In diesen Beispielen umfassen die maschinenlesbaren Anweisungen ein oder mehrere Programm(e) zur Ausführung durch einen Prozessor oder eine Steuerung wie z.B. die Mikrosteuerung 632 aus 6 und/oder die Speichersteuerung 102 aus 1. Das/die Programm(e) können in Software ausgeführt sein, die auf einem greifbaren computerlesbaren Speichermedium wie z.B. einer CD-ROM, einer Diskette, einer Festplatte, einer Digital Versatile Disk (DVD), einer Blue-Ray-Disk oder einem Arbeitsspeicher (z.B. dem Anweisungsarbeitsspeicher 634 aus 6) gespeichert ist, die mit der Mikrosteuerung 632 verbunden ist, aber das/die gesamte(n) Programm(e) und/oder Teile davon könnte(n) alternativ dazu auch durch eine andere Vorrichtung als die Mikrosteuerung 632 ausgeführt werden und/oder in Firmware oder dedizierter Hardware ausgeführt werden. Ferner können, obwohl das/die beispielhafte(n) Programm(e) mit Bezug auf die in 12 und 13 dargestellten Flussdiagramme beschrieben ist/sind, viele weitere Verfahren zur Umsetzung der beispielhaften Vorrichtung 600 und/oder der beispielhaften Speichersteuerung 102 alternativ dazu verwendet werden. Beispielsweise kann die Zeilenfolge der Ausführung der Blöcke verändert werden und/oder manche der beschriebenen Blöcke könnten verändert, eliminiert oder kombiniert werden.
  • Wie oben erwähnt wurde, können die beispielhaften Vorgänge aus 12 und 13 unter Verwendung kodierter Anweisungen (z.B. computer- und/oder maschinenlesbare Anweisungen) auf einem greifbaren computerlesbaren Speichermedium gespeichert werden, wie z.B. einem Festplattenlaufwerk, einem Flash-Speicher, einem Festwertspeicher (ROM), einer Compact Disk (CD), einer Digital Versatile Disk (DVD), einem Cache, einem Zugriffsspeicher (RAM) und/oder einer beliebigen anderen Speichervorrichtung oder Speicherdiskette, in der Information für eine beliebige Zeitdauer (z.B. für erweiterte Zeitspannen, permanent, für kurze Zeitspannen, für temporäres Puffern und/oder für das Cachen der Information) gespeichert wird. Wie hierin verwendet ist die Bezeichnung greifbares computerlesbares Speichermedium ausdrücklich so definiert, dass sie jede beliebige Art von computerlesbarer Speichervorrichtung und/oder Speicherdiskette umfasst, aber sich ausbreitende Signale nicht umfasst und auch Übertragungsmedien nicht umfasst. Wie hierin verwendet werden „greifbares computerlesbares Speichermedium“ und „greifbares maschinenlesbares Speichermedium“ synonym verwendet. Zusätzlich dazu oder alternativ dazu können die beispielhaften Vorgänge aus den 12 und 13 unter Verwendung kodierter Anweisungen (z.B. computer- und/oder maschinenlesbarer Anweisungen), die auf einem nichttransitorischen computer- und/oder maschinenlesbaren Medium wie z.B. wie z.B. einem Festplattenlaufwert, einem Flash-Speicher, einem Festwertspeicher, einer Compact Disk, einer Digital Versatile Disk, einem Cache, einem Zugriffsspeicher und/oder einer beliebigen anderen Speichervorrichtung oder Speicherdiskette, in der Information für eine beliebige Zeitdauer (z.B. für erweiterte Zeitspannen, permanent, für kurze Zeitspannen, für temporäres Puffern und/oder für das Cachen der Information) gespeichert sind, umgesetzt werden. Wie hierin verwendet ist die Bezeichnung nichttransitorisches computerlesbares Medium ausdrücklich so definiert, dass sie jede beliebige Art von computerlesbarer Speichervorrichtung und/oder Speicherdiskette umfasst, aber sich ausbreitende Signale nicht umfasst und auch Übertragungsmedien nicht umfasst. Wie hierin verwendet, soll der Ausdruck „zumindest“, wird er als Übergangsbezeichnung in einer Einleitung eines Anspruches verwendet, unbegrenzt sein, und zwar auf dieselbe Weise, wie der Begriff „umfassen“ unbegrenzt ist.
  • 12 ist ein Flussdiagramm, das beispielhafte computerlesbare Anweisungen darstellt, die ausgeführt werden können, um die beispielhafte Speichersteuerung aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 umzusetzen, um Auslöser auf Impulszählungsbasis zu verwenden, um programmierte Zustände der Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 aus 1 auszulesen. Der beispielhafte Vorgang aus 12 kann verwendet werden, um programmierte Zustände der Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 auszulesen/abzufühlen. Beispielsweise können die programmierten Zustände während Auslese/verifikationsvorgängen zwischen Programmierdurchgängen der Speicherzellen 106 ausgelesen werden, sie können ausgelesen werden, um Soft-Bit-Information wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben zu extrahieren, und/oder können sie können während eines Lesevorgangs ausgelesen werden, in dem ein Host-Prozessor (z.B. der Prozessor 1412 aus 14) Daten aus dem Flash-Speicher 104 anfordert.
  • Der beispielhafte Vorgang aus 12 beginnt bei Block 1202, bei dem die beispielhafte Auslöserwert-Abrufeinheit 620 (6) einen oder mehrere Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 (6) abruft. Beispielsweise kann/können der/die Auslöser-Zählerwert(e) (NTn) 642 dem Auslesen verschiedener programmierter Zustände (z.B. der Schwellenspannungen (VTn) 644) der Speicherzellen 106 entsprechen. Im dargestellten Beispiel aus Block 1202 greift die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 auf den einen oder die mehreren Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 im Auslöserwert-Speicher 618 (6) zu und lädt den einen oder die mehreren Auslöser-Zählerwert(e) (NTn) 642 in das eine oder die mehreren Auslöser-Register 614 (6).
  • Die beispielhafte Spannungssteuerung 622 (6) aktiviert eine oder mehrere der Speicherzellen 106 (Block 1204). Beispielsweise aktiviert die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzelle(n) 106, indem die Wortleitungsverifizierungs/lesespannung (VWLRV) 214 (2) auf die entsprechende Wortleitung (z.B. die Wortleitung (WL(0)) 108 aus 1 und 6) und die Bitleitungsvorladespannung (Vbl) 604 (6) auf die eine oder mehreren entsprechende(n) Bitleitungen (z.B. eine oder mehrere Bitleitungen (BL(x)) 110 aus 1 und 6) angelegt wird. Im dargestellten Beispiel werden die eine oder die mehreren Speicherzelle(n) 106 aktiviert, um das Auslesen/Abfühlen ihrer programmierten Zustände (z.B. der programmierten Schwellenspannungen (VT)) zu ermöglichen.
  • Im dargestellten Beispiel startet die beispielhafte Mikrosteuerung 632 ( 6), wenn die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzelle(n) 106 an Block 1204 aktiviert, den beispielhaften Zähler 136 (1 und 6) an Block 1206. Beispielsweise ermöglicht die Mikrosteuerung 632 dem Zähler 136, die Zunahme/die Akkumulierung von Impulszählungen auf Basis eines Eingabe-Taktsignals (z.B. des Taktsignals 720 aus 7 und/oder 1126 aus 11) des beispielhaften Taktgebers 636 (6) zu starten. Im dargestellten Beispiel startet die Mikrosteuerung 632 den Zähler 136, damit dieser beginnt, von null zu zählen, und zwar zum selben Zeitpunkt oder im Wesentlichen zum selben Zeitpunkt (z.B. innerhalb von 1 und 10 Taktzeitspannen (Tclk) des Taktsignals von dem Taktgeber 636) wie die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzelle(n) 106 aktiviert. In anderen Beispielen kann eine andere geeignete Verzögerung zwischen dem Starten des Zählers 136 und dem Aktivieren der einen oder mehreren Zelle(n) 106 verwendet werden, solange Zähler-Auslöserwerte (NTn) 642, die verwendet werden, um Binärwerte von den Leseverstärkern 112 zwischenzuspeichern, ausreichend Mengen an abgelaufener Zeit entsprechen, während der elektrische Speicherzellen-Ströme (ICELL) Ladungen auf integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) aufbauen.
  • Der beispielhafte Komparator 616 bestimmt, ob ein Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 im Auslöser-Register 614 erreicht wurde (Block 1208). Beispielsweise vergleicht der Komparator 616 die Impulszählung (N) 638 von dem Zähler 136 mit dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 im Auslöser-Register 614. Wurde der Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 nicht erreicht, vergleicht der Komparator 616 weiter die Impulszählung (N) 638 mit dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642. Detektiert der Komparator eine Entsprechung an Block 1208 zwischen der Impulszählung (N) 638 und dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642, wird ein oder mehrere Binärwert(e) an den Leseverstärkern 112 zwischengespeichert (Block 1210). Beispielsweise sendet der Komparator 616 ein Auslöser- (SENB) Signal 644 (6) aus, um die Freigabe- (STB) Leitung der Leseverstärker 112 zu aktivieren. Auf diese Weise werden die Leseverstärker 112 dazu ausgelöst, einen oder mehrere binäre Nullen oder Einsen an einer oder mehreren Bitposition(en), die der einen oder den mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106 entsprechen, zwischenzuspeichern. Beispielsweise zeigt die zwischengespeicherte binäre Null oder Eins pro Speicherzelle 106 an, ob die Speicherzelle 106 einen elektrischen Speicherzellstorm (ICELL) aufweist, um eine Ladung auf einem entsprechenden integrierenden Kondensator (CINT) (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) ausreichend aufzubauen und einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 zu überschreiten.
  • Der/die zwischengespeicherte(n) Binärwert(e) von den Leseverstärkern 112 wird/werden in einem Daten-Cache gespeichert (Block 1212). Beispielsweise kann einer der Daten-Caches 114, 116 oder 118 (1 und 6) den/die zwischengespeicherten Binärwert(e) speichern. Die beispielhafte Mikrosteuerung 632 bestimmt dann, ob die Überwachung der Impulszählung (N) 638 durch den Zähler 136 weiter fortgesetzt wird, und zwar auf Basis eines anderen Auslöser-Zählerwerts (NTn) 642 (Block 1214). Bestimmt die Mikrosteuerung 632 an Block 1214, dass die Impulszählung (N) 638 auf Basis eines anderen Auslöser-Zählerwertes (NTn) 642 weiter überwacht wird, kehrt die Steuerung zu Block 1208 zurück. Andernfalls, bestimmt die Mikrosteuerung 632, dass es keinen anderen Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 gibt, geht die Steuerung zu Block 1216 weiter.
  • Bei Block 1216 bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 (6) programmierte Zustände der einen oder mehreren aktivierten Speicherzellen 106. Beispielsweise kann der Detektor programmierter Zustände 626 den/die programmierten Zustand/Zustände (z.B. programmierte Schwellenspannungen (VT)) der einen oder mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106 bestimmen, indem eine oder mehrere logische Vergleichsvorgänge angewendet wird/werden, um den/die zwischengespeicherten Binärwert(e) zu analysieren, der/die in einem oder mehreren der Daten-Caches 114, 116 oder 118 gespeichert ist/sind.
  • An Block 1218 führt die Vorrichtung 600 dann einen oder mehrere Speichervorgang/Speichervorgänge auf Basis der programmierten Zustände, die bei Block 1216 bestimmt wurden, durch. Beispielsweise kann, wenn der Vorgang aus FIG. 12 während eines Programmverifikationsvorganges durchgeführt wird, der Ausgabe-Analysator 628 bestimmen, ob ein weiterer Programmierdurchgang benötigt wird, um die eine oder mehreren aktivierte(n) Speicherzelle(n) 106 auf eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) zu programmieren. Wird ein weiterer Programmierdurchgang benötigt, kann der Ausgabe-Analysator 628 auch Programm-Impulstyp(en) bestimmen, die benötigt werden, um die Ziel-Schwellenspannung (VTT) für die eine oder mehreren aktivierte(n) Speicherzelle(n) 106 wie oben in Verbindung mit 7C beschrieben zu erreichen. Wird der Vorgang aus 12 ausgeführt, um eine Leseanfrage von einem Host-Prozessor, der mit dem Flash-Speicher 104 verbunden ist, zu bedienen, kann ein Speichervorgang an Block 1218 die E/A-Pufferschnittstelle umfassen, um Daten, die von den programmierten Speicherzuständen dargestellt werden, auf einen Datenbus des Flash-Speichers 104 zu schreiben, damit diese für den anfragenden Host-Prozessor zugänglich sind.
  • Wird der Vorgang aus 12 durchgeführt, um Soft-Bit-Informationen wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben zu extrahieren und zu analysieren, können die Speichervorgänge aus Block 1218 umfassen, dass der Detektor programmierter Zustände 626 Speicherzellen 106 mit verschiedenen der Regionen 2 bis 5 im Soft-Bit-Bereich in Verbindung bringt, wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben ist. Zusätzlich dazu kann der Ausgabe-Analysator 628 (6) die Verteilung der Speicherzellen 106 über die Regionen 2 bis 5 analysieren, um zu bestimmen, ob die Grenz-Referenzspannungen (R0 bis R3 aus 11A) von Schwellenspannungs- (VT) Bereichen neu definiert werden müssen, um die Verteilung der Schwellenspannung (VT) des Flash-Speichers 104 neu auszurichten, damit Informationen, die in den Speicherzellen 104 gespeichert sind, genauer dargestellt werden können. In solchen Beispielen können die Ergebnisse des Ausgabe-Analysators 628 dann von der Mikro-Steuerung 632 verwendet werden, um die Grenz-Referenzspannungen (R0 bis R3 aus 11A) der Schwellenspannungs- (VT) Bereiche neu zu definieren.
  • Nach dem Durchführen der einen oder mehreren Speichervorganges/Speichervorgänge an Block 1218 bestimmt die Mikrosteuerung 632, ob eine weitere Auslesung durchgeführt werden soll (Block 1220). Soll die Vorrichtung 600 eine weitere Auslesung durchführen, kehrt die Steuerung zu Block 1202 zurück. Andernfalls endet der beispielhafte Vorgang aus 12.
  • 13 ist ein Flussdiagramm, das beispielhafte computerlesbare Anweisungen darstellt, die ausgeführt werden können, um die beispielhafte Speichersteuerung 102 aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 umzusetzen, um Auslöser auf Impulszählungsbasis dazu zu verwenden, programmierte Zustände von Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 aus 1 auf Basis verschiedener Impulszählungskriterien auszulesen. Beispielhafte Kriterien können die Temperatur einer Speicherzellen-Anordnung des Flash-Speichers 104, die Positionen von Speicherzellen 106 innerhalb einer Speicherzellen-Anordnung des Flash-Speichers 104 und/oder die Werte von Schwellenspannungen (VT), die aus programmierten Speicherzellen 106 ausgelesen werden sollen, sein. Der beispielhafte Vorgang aus 13 kann verwendet werden, um programmierte Zustände der Speicherzellen 106 des Flash-Speichers 104 unter Verwendung von Auslöser-Zählerwerten (NTn) 642 (6), die auf Basis eines oder mehrerer beispielhafter/n Kriteriums/Kriterien ausgewählt wurden, auszulesen/abzufühlen. Beispielsweise können die programmierten Zustände während Auslese-Verifikationsvorgängen zwischen Programmierdurchgängen der Speicherzellen 106 ausgelesen werden, sie können ausgelesen werden, um Soft-Bit-Information auszulesen, wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben wurde, und/oder sie können während eines Lesevorgangs ausgelesen werden, in dem ein Host-Prozessor (z.B. der Prozessor 1412 aus 14) Daten aus dem Flash-Speicher 104 anfordert.
  • Der beispielhafte Vorgang aus 13 beginnt bei Block 1301, an dem der beispielhafte Kriterienbedingungsdetektor 624 eine oder mehrere Kriterienbedingung(en) von ein oder mehreren zu lesenden Speicherzellen 106 erhält. Beispielsweise kann der Kriterienbedingungsdetektor 624 eine Temperatur (z.B. unter Verwendung eines Thermoelements im Nacktchip oder auf der Platine) einer Speicherzellen-Anordnung, in der die eine oder die mehreren Speicherzellen 106 angeordnet ist/sind, messen. Der Kriterienbedingungsdetektor 624 kann eine Speicheranordnungsposition einer Reihe (z.B. einer Wortleitung) der einen oder mehreren Speicherzelle(n) 106 des Flash-Speichers 104 (z.B. unter Verwendung eines Wortleitungsadress-Dekodierers) detektieren. Der Kriterienbedingungsdetektor 624 kann Schwellenspannungs- (VT) Pegel erhalten, die aus der einen oder den mehreren Speicherzellen 106 ausgelesen werden sollen. So können die eine oder mehreren Kriterienbedingungen, die von dem Kriterienbedingungsdetektor 624 erhalten wurden, von der Vorrichtung 600 verwendet werden, um programmierte Zustände der einen oder mehreren Speicherzellen 106 wie oben in Verbindung mit 8, 9, 10A und 10B beschrieben auszulesen.
  • An Block 1302 ruft die beispielhafte Auslöserwert-Abrufeinheit 620 (6) einen oder mehrere Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 (6) auf Basis der Kriterienbedingung ab. Beispielsweise ruft die Auslöserwert-Abrufeinheit 620 den einen oder die mehreren Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 im Auslöserwert-Speicher 618 ( 6) auf Basis der Kriterienbedingung ab und lädt den einen oder die mehreren Auslöser-Zählerwerte (NTn) 642 in das eine oder die mehreren Auslöser-Register 614 (6).
  • Die beispielhafte Spannungssteuerung 622 (6) aktiviert eine oder mehrere der Speicherzellen 106 (Block 1304). Beispielsweise aktiviert die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzellen 106 durch das Anlegen der Wortleitungsverifizierungs/auslesespannung (VWLRV) 214 (2) auf die entsprechende Wortleitung (z.B. die Wortleitung (WL(0)) 108 aus 1 und 6) und die Bitleitungs-Vorladespannung (Vbl) 604 (6) auf die eine oder mehreren entsprechende(n) Bitleitung(en) (z.B. eine oder mehrere Bitleitungen (BL(x)) 110 aus 1 und 6). Im dargestellten Beispiel werden die eine oder die mehreren Speicherzellen 106 aktiviert, um das Auslesen/Abfühlen ihrer programmierten Zustände (z.B. der programmierten Schwellenspannungen (VT)) zu ermöglichen.
  • Wenn im dargestellten Beispiel die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzellen 106 an Block 1304 aktiviert, startet die beispielhafte Mikrosteuerung 632 (6) den beispielhaften Zähler 136 (1 und 6) an Block 1306. Beispielsweise ermöglicht es die Mikrosteuerung 632 dem Zähler 136, mit der Zunahme/Akkumulierung der Impulszählungen zu beginnen, auf Basis eines Eingabe-Taktsignals (z.B. des Taktsignals 720 aus 7 und/oder 1126 aus 11) von dem beispielhaften Taktgeber 636 (6). Im dargestellten Beispiel startet die Mikrosteuerung 632 den Zähler 136, damit dieser beginnt, von null zu zählen, und zwar zum selben Zeitpunkt oder im Wesentlichen zum selben Zeitpunkt (z.B. innerhalb von 1 und 10 Taktzeitspannen (Tclk) des Taktsignals von dem Taktgeber 636) wie die Spannungssteuerung 622 die eine oder mehreren Speicherzelle(n) 106 aktiviert. In anderen Beispielen kann eine andere geeignete Verzögerung zwischen dem Starten des Zählers 136 und dem Aktivieren der einen oder mehreren Zelle(n) 106 verwendet werden, solange Zähler-Auslöserwerte (NTn) 642, die verwendet werden, um Binärwerte von den Leseverstärkern 112 zwischenzuspeichern, ausreichend Mengen an abgelaufener Zeit entsprechen, während der elektrische Speicherzellen-Ströme (ICELL) Ladungen auf integrierenden Kondensatoren (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) aufbauen.
  • Der beispielhafte Komparator 616 bestimmt, ob ein Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 im Auslöser-Register 614 erreicht wurde (Block 1308). Beispielsweise vergleicht der Komparator 616 die Impulszählung (N) 638 von der Zählung 136 mit dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 im Auslöser-Register 614. Wurde der Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 nicht erreicht, vergleicht der Komparator 616 weiter die Impulszählung (N) 638 mit dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642. Detektiert der Komparator 616 eine Entsprechung zwischen der Impulszählung (N) 638 und dem Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 an Block 1308, wird/werden ein oder mehrere Binärwert(e) bei den Leseverstärkern 112 zwischengespeichert (Block 1310). Beispielsweise sendet der Komparator 616 ein Auslöser- (SENB) Signal 644 (6) ab, um die Freigabe- (STB) Leitung der Leseverstärker 112 zu aktivieren. So werden die Leseverstärker 112 ausgelöst, eine oder mehrere binäre Nullen oder Einsen an einer oder mehreren Bit-Position(en) zwischenzuspeichern, die der einen oder den mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106 entspricht/entsprechen. Beispielsweise zeigt die zwischengespeicherte binäre Null oder Eins pro Speicherzelle 106 an, ob die Speicherzelle 106 einen elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) aufweist, der ausreicht, um eine Ladung auf einem entsprechenden integrierenden Kondensator (CINT) (z.B. dem integrierenden Kondensator (CINT) 602 aus 6) aufzubauen, um einen Auslösespannungspegel der Leseverstärker 112 zu überschreiten.
  • Der/die zwischengespeicherten Binärwert(e) von den Leseverstärkern 112 wird/werden in einem Daten-Cache gespeichert (Block 1312). Beispielsweise kann einer der Daten-Caches 114, 116 oder 118 (1 und 6) den/die zwischengespeicherten Binärwert(e) speichern. Die beispielhafte Mikrosteuerung 632 bestimmt dann, ob die Impulszählung (N) 638 weiter durch den Zähler 136 überwacht wird, und zwar auf Basis eines anderen Auslöser-Zählerwerts (NTn) 642 (Block 1314). Bestimmt die Mikrosteuerung 632 an Block 1314, dass die Impulszählung (N) 638 auf Basis eines anderen Auslöser-Zählerwerts (NTn) 642 weiter überwacht wird, dann kehrt die Steuerung zu Block 1308 zurück. Andernfalls, wenn die Mikrosteuerung 632 bestimmt, dass es keinen weiteren Auslöser-Zählerwert (NTn) 642 gibt, geht die Steuerung zu Block 1316 weiter.
  • Bei Block 1316 bestimmt der beispielhafte Detektor programmierter Zustände 626 (6) die programmierten Zustände der einen oder mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106. Beispielsweise kann der Detektor programmierter Zustände 626 den/die programmierten Zustand/Zustände (z.B. programmierte Schwellenspannungen (VT)) der einen oder mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106 bestimmen, indem ein oder mehrere logische Vergleichsvorgänge angewendet werden, um den/die zwischengespeicherten Binärwert(e), der/die in einem oder mehreren der Daten-Caches 114, 116 oder 118 gespeichert sind, zu analysieren.
  • Bei Block 1318 führt die Vorrichtung 600 dann einen oder mehrere Speichervorgang/Speichervorgänge auf Basis der an Block 1316 bestimmten programmierten Zustände durch. Wurde beispielsweise der Vorgang aus FIG. 13 während eines Programmverifikationsvorganges ausgeführt, kann der Ausgabe-Analysator 628 bestimmen, ob ein weiterer Programmierdurchgang benötigt wird, um die eine oder mehreren aktivierten Speicherzelle(n) 106 auf eine Ziel-Schwellenspannung (VTT) zu programmieren. Wird ein weiterer Programmierdurchgang benötigt, kann der Ausgabe-Analysator 628 auch (einen) Programm-Impulstyp(en) bestimmen, der/die benötigt werden, um die Ziel-Schwellenspannung (VTT) für die eine oder mehreren aktivierte(n) Speicherzelle(n) 106 zu erreichen, wie oben in Verbindung mit 7C beschrieben wurde. Wird der Vorgang aus 13 ausgeführt, um eine Ausleseanfrage von einem Host-Prozessor, der mit dem Flash-Speicher 104 verbunden ist, zu bedienen, kann ein Speichervorgang an Block 1318 umfassen, dass die E/A-Pufferschnittstelle Daten, die durch die programmierten Speicherzustände dargestellt werden, in einen Datenbus des Flash-Speichers 104 schreibt, damit diese für den anfragenden Host-Prozessor zugänglich sind.
  • Wird der Vorgang aus 13 ausgeführt, um Soft-Bit-Informationen wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben durchzuführen, können die Speichervorgänge aus Block 1318 umfassen, dass der Detektor programmierter Zustände 626 die Speicherzellen 106 mit verschiedenen der Regionen 2 bis 5 im Soft-Bit-Bereich in Verbindung bringt, wie oben in Verbindung mit 11A und 11B beschrieben wurde. Zusätzlich dazu kann der Ausgabe-Analysator 628 (6) die Verteilung der Speicherzellen 106 über die Regionen 2 bis 5 analysieren, um zu bestimmen, ob Grenz-Referenzspannungen (R0 bis R3 aus 11A) von Schwellenspannungs- (VT) Bereichen neu definiert werden müssen, um die Verteilung der Schwellenspannung (VT) des Flash-Speichers 104 neu anzuordnen, um Information, die in den Speicherzellen 104 gespeichert ist, genauer darzustellen. In solchen Beispielen können die Ergebnisse des Ausgabe-Analysators 628 dann von der Mikrosteuerung 632 verwendet werden, um die Grenz-Referenzspannungen (R0 bis R3 aus 11A) der Schwellenspannungs- (VT) Bereiche neu zu definieren.
  • Nach dem Durchführen des/der einen oder mehreren Speichervorgangs/Speichervorgänge an Block 1318 bestimmt die Mikrosteuerung 632, ob eine weitere Auslesung durchgeführt wird (Block 1320). Wenn die Vorrichtung 600 eine weitere Auslesung durchführen soll, kehrt die Steuerung zu Block 1301 zurück. Andernfalls endet der beispielhafte Vorgang aus 13.
  • 14 ist ein Blockdiagramm einer beispielhaften Prozessor-Plattform 1400, die in der Lage ist, die Anweisungen aus 12 und/oder 13 auszuführen, um die beispielhafte Speichersteuerung 102 aus 1 und/oder die beispielhafte Vorrichtung 600 aus 6 umzusetzen. Die Prozessor-Plattform 1400 kann z.B. ein Server, ein Personal Computer, eine mobile Vorrichtung (z.B. ein Mobiltelefon, ein Smartphone, ein Tablet wie z.B. ein iPad™), ein PDA (Personal Digital Assistant), ein Internetgerät, ein DVD-Player, ein CD-Player, ein digitaler Videorecorder, ein Blu-ray-Player, eine Spielekonsole, ein Personal Video Recorder, eine Set Top Box oder eine beliebige andere Art von Rechnervorrichtung sein.
  • Die Prozessor-Plattform 1400 des dargestellten Beispiels umfasst einen Prozessor 1412. Der Prozessor 1412 des dargestellten Beispiels ist eine Hardware. Beispielsweise kann der Prozessor 1412 durch einen oder mehrere integrierte Schaltkreise, logische Schaltkreise, Mikroprozessoren oder Steuerungen einer beliebigen gewünschten Familie oder eines beliebigen gewünschten Herstellers umgesetzt werden.
  • Der Prozessor 1412 des dargestellten Beispiels umfasst einen lokalen Speicher 1413 (z.B. einen Cache). Der Prozessor 1412 des dargestellten Beispiels steht in Kommunikation mit einem Hauptspeicher, der einen flüchtigen Speicher 1414 und einen nichtflüchtigen Speicher 1416 über einen Bus 1418 umfasst. Der flüchtige Speicher kann mittels synchronem DRAM (SDRAM, Synchronous Dynamic Random Access Memory), dynamischem RAM (DRAM, Dynamic Random Access Memory), RDRAM (RAMBUS Dynamic Random Access Memory) und/oder einer beliebigen anderen Art von Festwertspeichervorrichtung umgesetzt werden. Der nichtflüchtige Speicher 1416 kann mittels Flash-Speicher und/oder einer beliebigen anderen Art von Speichervorrichtung umgesetzt werden. Der Zugang zu den Hauptspeichern 1414 und 1416 wird durch eine oder mehrere Speichersteuerungen gesteuert. In dem in 14 dargestellten Beispiel werden die Speichersteuerung 102, der Flash-Speicher 104 und die Vorrichtung 600 so gezeigt, dass sie in dem nichtflüchtigen Speicher 1416 umgesetzt werden. Zusätzlich oder alternativ dazu können die Speichersteuerung 102, der Flash-Speicher 104 und die Vorrichtung 600 in dem flüchtigen Speicher 1414 umgesetzt werden. In anderen Beispielen können die Speichersteuerung 102 und/oder die Vorrichtung 600 getrennt vom nichtflüchtigen Speicher 1416 (und/oder dem flüchtigen Speicher 1414) umgesetzt und mit dem nichtflüchtigen Speicher 1416 kommunikativ gekoppelt sein, um den Flash-Speicher 104 zu steuern (und/oder mit dem flüchtigen Speicher 1414 kommunikativ gekoppelt sein, um den flüchtigen Speicher 1414 zu steuern).
  • Die Prozessorplattform 1400 des dargestellten Beispiels umfasst auch eine Schnittstellenschaltung 1420. Die Schnittstellenschaltung 1420 kann durch eine beliebige Art von Schnittstellenstandard umgesetzt werden, wie z.B. eine Ethernet-Schnittstelle, einen USB (Universal Serial Bus) und/oder eine PCI-Express-Schnittstelle.
  • Im dargestellten Beispiel sind eine oder mehrere Eingabevorrichtungen 1422 mit der Schnittstellenschaltung 1420 verbunden. Die Eingabevorrichtung(en) 1422 ermöglicht/ermöglichen es einem Benutzer, Daten und Befehle in den Prozessor 1412 einzugeben. Die Eingabevorrichtung(en) können z.B. durch einen Schallsensor, ein Mikrophon, eine Kamera (Stehbild oder Video), eine Tastatur, eine Taste, eine Maus, einen Touchscreen, ein Touchpad, eine Trackball-Taste, Isopoint und/oder ein Stimmerkennungssystem umgesetzt sein.
  • Auch eine oder mehrere Ausgabevorrichtungen 1424 sind mit der Schnittstellenschaltung 1420 des dargestellten Beispiels verbunden. Die Ausgabevorrichtungen 1424 können z.B. durch Display-Vorrichtungen (z.B. eine Leuchtdiode (LED), eine organische Leuchtdiode (OLED), eine Flüssigkeitskristallanzeige, ein Kathodenstrahlröhren-Display (CRT), einen Touchscreen, eine taktile Ausgabevorrichtung, einen Drucker und/oder Lautsprecher) umgesetzt werden. Die Schnittstellenschaltung 1420 des dargestellten Beispiels umfasst daher typischerweise eine Grafiktreiber-Karte, einen Grafiktreiber-Chip oder einen Grafiktreiber-Prozessor.
  • Die Schnittstellenschaltung 1420 des dargestellten Beispiels umfasst auch eine Kommunikationsvorrichtung wie z.B. einen Sender, einen Empfänger, einen Sendeempfänger, ein Modem und/oder eine Netzwerkschnittstellenkarte, um den Datenaustausch mit externen Maschinen (z.B. Rechnervorrichtungen jeglicher Art) über ein Netzwerk 1426 (z.B. eine Ethernet-Verbindung, eine DSL (Digital Subscriber Line), eine Telefonleitung, ein Koaxialkabel, ein Mobiltelefonsystem etc.) zu ermöglichen.
  • Die Prozessorplattform 1400 des dargestellten Beispiels umfasst auch eine oder mehrere Massenspeichervorrichtungen 1428 zum Speichern von Software und/oder Daten. Beispiele für solche Massenspeichervorrichtungen 1428 umfassen Diskettenlaufwerke, Festplattenlaufwerke, Laufwerke für Compact Disks, Laufwerke für Blu-ray-Disks, RAID-Systeme und Laufwerke für Digital Versatile Disks (DVD).
  • Kodierte Anweisungen 1432 zur Verwendung durch die Speichersteuerung 102 und/oder die Vorrichtung 600 zur Umsetzung der beispielhaften Vorgänge aus 12 und/oder FIG. 13 können im nichtflüchtigen Speicher 1416 und/oder auf einem entfernbaren greifbaren computerlesbaren Speichermedium wie z.B. einer CD oder DVD gespeichert werden.
  • Hierin offenbarte Beispiele sind nützlich, um programmierte Zustände von Speicherzellen in Halbleiter-Speichervorrichtungen zu bestimmen, und zwar auf Basis der Verfolgung von abgelaufenen Zeitdauern (z.B. unter Verwendung von TaktimpulsZählungen), um Leseverstärker dazu auszulösen, programmierte Zustände von Speicherzellen abzufühlen. Obwohl das Auslösen von Leseverstärkern auf Zeitdauerbasis hierin in Verbindung mit manchen Beispielen offenbart ist, kann solch ein Auslösen von Leseverstärkern auf Zeitdauerbasis in Verbindung mit anderen beispielhaften Umsetzungen umgesetzt werden. Beispielsweise kann das Auslösen von Leseverstärkern auf Zeitdauerbasis gemäß den Lehren der vorliegenden Offenbarung in Verbindung mit Speichereigenschaften, die den elektrischen Speicherzellen-Strom (ICELL) durch einen Speicherzellen-Transistor beeinflussen, zusätzlich zu oder statt eines Speicherzellen-Temperaturkoeffizienten (z.B. wie in Verbindung mit 8 und 9 beschrieben) und einer Speicherzellposition in einer Speicherzellen-Anordnung (z.B. wie in Verbindung mit 10A und 10B beschrieben) verwendet werden. Eine weitere beispielhafte Speichereigenschaft, die verwendet werden kann, um verschiedene Auslöser auf Zeitdauerbasis (z.B. die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 aus 1 und 642 aus 6) auszuwählen, um Leseverstärker auszulösen, umfasst Veränderungen des Speicheranordnungsstromes. Beispielsweise wird der elektrische Strom, der durch eine Speicheranordnung von Speicherzellen fließt, durch verschiedene Datenmuster beeinflusst, die in Speicherzellen der Speicheranordnung gespeichert sind. So können verschiedene geeignete Auslöser auf Zeitdauerbasis basierend auf der beispielhaften Speichereigenschaft von Veränderungen in den Speicheranordnungsströmen auf Basis verschiedener gespeicherter Datenmuster ausgewählt werden. Wiederum eine andere beispielhafte Speichereigenschaft, die verwendet werden kann, um verschiedene Auslöser auf Zeitdauerbasis (z.B. die Auslöser-Zählerwerte 138, 140 und 142 aus 1 und 642 aus 6) auszuwählen, um Leseverstärker auszulösen, umfasst Veränderungen in den Source-Spannungen von Speicheranordnungskacheln. Beispielsweise wird der elektrische Strom, der durch eine Speicheranordnung von Speicherzellen fließt, durch Veränderungen der Vorspannung auf einer Source-Platte eines Speichers beeinflusst. Auf diese Weise können verschiedene geeignete Auslöser auf Zeitdauerbasis basierend auf der beispielhaften Speichereigenschaft der Veränderungen der Vorspannung auf einer Source-Platte eines Speichers ausgewählt werden.
  • Hierin offenbarte Beispiele sind nützlich, um die Geschwindigkeit des Auslesens von programmierten Zuständen von Speicherzellen zu verbessern. So kann beispielsweise auf Grund der hierin offenbarten Beispielen, in denen Leseverstärker auf Basis von Taktimpulszählungen ausgelöst werden, eine Wortleitungsspannung aktivierter Speicherzellen fixiert bleiben, während eine Verteilung der Schwellenspannung (VT) der Speicherzellen abgefühlt wird. Das Fixiertlassen solcher Wortleitungsspannungen erhöht die Geschwindigkeiten, mit denen programmierte Zustände von Speicherzellen ausgelesen werden können, da das Fixiertbleiben der Wortleitungsspannung eine Einschwingzeit der Wortleitung auf die Nähe einer Widerstands-Kapazitäts- (RC) Verzögerung der Wortleitung für jeden einzelnen Auslese-/verifikations-Schwellenspannungs- (VT) Pegel verringert. Beispielsweise ist jedes Mal, wenn eine unterschiedliche Spannung auf eine Wortleitung angelegt wird, um eine unterschiedliche Schwellenspannung (VT) unter Verwendung von Abfühlverfahren für Speicherzellen nach dem Stand der Technik abzufühlen, zusätzliche Zeit erforderlich, um die Wortleitung auf einen stationären Zustand einzuschwingen, in dem die Schwellenspannung (VT) dieser Speicherzellen auf jener Wortleitung abgefühlt werden. Durch das Anlegen nur einer einzelnen fixierten Spannung auf die Wortleitung, um eine Verteilung der Schwellenspannungen (VT) unter Verwendung von Taktimpulszählungen wie hierin offenbart ist abzufühlen, werden zahlreiche lange Einschwingzeiten von Verfahren nach dem Stand der Technik eliminiert, sodass zahlreiche Schwellenspannungen (VT) viel schneller abgefühlt werden können.
  • Hierin offenbarte Beispiele sind nützlich, um die Genauigkeit des Auslesens von programmierten Zuständen von Speicherzellen zu verbessern. Beispielsweise kann eine Abfühlzeit (tsen) eines Leseverstärkers verändert werden, indem verschiedene Impulszählungen (N) ausgewählt werden, an denen die Leseverstärker ausgelöst werden sollen, und/oder indem verschiedene Taktzeitspannen (Tclk) ausgewählt werden, die verwendet werden, um einen Zähler anzutreiben, der die Impulszählungen (N) erzeugt. Beispielsweise kann die Taktzeitspanne (Tclk) verringert werden, um Auslesungen von programmierten Zuständen von Speicherzellen in höherer Auflösung zu erzielen. Zusätzlich dazu kann die Genauigkeit weiter erhöht werden, indem lineare Beziehungen zweiten oder dritten Grades zwischen Impulszählungen (N) und elektrischem Speicherzellen-Strom (ICELL) für verschiedene Spannungsabstände zwischen Gate-Source-Spannungen (Vgs) und Schwellenspannung (VT) verwendet werden (z.B. Vgs - VT).
  • Das Folgende bezieht sich auf weitere Beispiele, die hierin offenbart sind.
  • Beispiel 1 ist ein Verfahren zum Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen. Das Verfahren nach Beispiel 1 umfasst das Starten eines Zählers zu einem Zeitpunkt, an dem eine Vielzahl von Speicherzellen aktiviert wird; das Erhalten von Binärwerten auf Basis von Leseverstärkern in einem Schaltkreis mit den Speicherzellen als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht; und auf Basis der Binärwerte das Bestimmen eines programmierten Zustandes der Speicherzellen.
  • In Beispiel 2 kann der Inhalt nach Beispiel 1 gegebenenfalls umfassen, dass der Zähler, der den Auslöser-Zählerwert erreicht, veranlasst, dass die Leseverstärker die Binärwerte zwischenspeichern.
  • In Beispiel 3 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 2 gegebenenfalls das Auswählen des Auslöser-Zählerwerts von einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen umfassen.
  • In Beispiel 4 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 3 gegebenenfalls umfassen, dass der programmierte Zustand der Speicherzellen eine programmierte Schwellenspannung ist.
  • In Beispiel 5 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 4 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert einer Menge von elektrischem Speicherzellen-Stromfluss zwischen Drain-Anschlüssen und Source-Anschlüssen von Transistoren der Speicherzellen entsprechen, wenn die Speicherzellen aktiviert sind.
  • In Beispiel 6 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 5 gegebenenfalls das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Temperatur der Speicherzellen umfassen.
  • In Beispiel 7 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 6 gegebenenfalls das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Position der Speicherzellen in einer Speicherzellenanordnung umfassen.
  • In Beispiel 8 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 7 gegebenenfalls das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Ziel-Schwellenspannung und einer Temperatur der Speicherzellen umfassen.
  • In Beispiel 9 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 8 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen erhalten wird, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, unterscheidet, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  • In Beispiel 10 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 9 gegebenenfalls umfassen, dass das Aktivieren der Speicherzellen das Anlegen von Spannungen auf Bitleitungen und eine Wortleitung, die den Speicherzellen entsprechen, umfasst.
  • In Beispiel 11 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 1 bis 10 gegebenenfalls umfassen, dass das Starten des Zählers das Aktivieren des Zählers, mit dem Akkumulieren von Zählerwerten auf Basis eines Eingabe-Taktsignals zu beginnen, umfasst.
  • Beispiel 12 ist eine Vorrichtung zum Abfühlen eines programmierten Zustandes einer Speicherzelle. Die Vorrichtung nach Beispiel 12 umfasst einen Zähler zum Beginnen des Erzeugens von Zählerwerten als Reaktion auf die Aktivierung einer Speicherzelle. Die Vorrichtung nach Beispiel 12 umfasst auch einen Leseverstärker in einem Schaltkreis mit der Speicherzelle, um einen Binärwert zu erhalten, der einem programmierten Zustand der Speicherzelle entspricht, als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht. Die Vorrichtung nach Beispiel 12 umfasst auch einen Detektor programmierter Zustände, um den programmierten Zustand der Speicherzelle auf Basis des von dem Leseverstärker erhaltenen Binärwerts zu bestimmen.
  • In Beispiel 13 kann der Inhalt nach Beispiel 12 gegebenenfalls einen Komparator umfassen, um den Leseverstärker zu veranlassen, den Binärwert als Reaktion darauf, dass der Zähler den Auslöser-Zählerwert erreicht, zwischenzuspeichern.
  • In Beispiel 14 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 13 gegebenenfalls eine Auslöserwert-Abrufeinheit umfassen, um den Auslöser-Zählerwert aus einer Vielzahl von verschiedenen Auslöser-Zählerwerten auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen zu erhalten.
  • In Beispiel 15 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 14 gegebenenfalls umfassen, dass der programmierte Zustand der Speicherzelle eine programmierte Schwellenspannung ist.
  • In Beispiel 16 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 15 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert einem elektrischen Speicherzellen-Strom entspricht, der zwischen einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss des Transistors der Speicherzelle fließt, wenn die Speicherzelle aktiviert ist.
  • In Beispiel 17 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 14 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert geringer als ein zweiter abrufbarer Auslöser-Zählerwert ist, wobei ein erster elektrischer Speicherzellen-Strom dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der größer als ein zweiter elektrischer Speicherzellen-Strom ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht, und wobei der programmierte Zustand dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der niedriger als ein zweiter programmierter Zustand ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht.
  • In Beispiel 18 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 17 gegebenenfalls eine Auslöserwert-Abrufeinheit umfasst, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen zu erhalten, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen unterscheidet, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  • In Beispiel 19 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 18 gegebenenfalls einen Eigenschaftsdetektor, um eine Temperatur einer Speicherzellenanordnung, in der die Speicherzelle angeordnet ist, zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Temperatur der Speicherzellenanordnung zu erhalten, umfassen.
  • In Beispiel 20 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 19 gegebenenfalls einen Eigenschaftsdetektor, um eine Position der Speicherzelle in einer Speicherzellenanordnung zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Position der Speicherzelle in der Speicherzellenanordnung zu erhalten, umfassen.
  • In Beispiel 21 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 20 gegebenenfalls einen Eigenschaftsdetektor, um eine Temperatur der Speicherzelle zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Temperatur und der Ziel-Schwellenspannung zu erhalten, umfassen.
  • In Beispiel 22 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 21 gegebenenfalls eine Spannungssteuerung umfassen, um die Speicherzelle zu aktivieren, indem Spannungen auf eine Bitleitung und eine Wortleitung, die der Speicherzelle entsprechen, angelegt werden.
  • In Beispiel 23 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 12 bis 22 gegebenenfalls einen oder mehrere Prozessoren; eine Netzwerk-Schnittstelle in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren; und eine Speichersteuerung in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren, wobei die Speichersteuerung die Zeitdauer-Verfolgungseinheit, den Leseverstärker und den Detektor programmierter Zustände umfasst, umfassen.
  • Beispiel 24 ist zumindest ein Verfahrensprodukt, das maschinenlesbare Anweisungen umfasst, die, wenn sie ausgeführt werden, eine Speichersteuerung veranlassen, zumindest einen Zähler zu einem Zeitpunkt, an dem eine Vielzahl von Speicherzellen aktiviert werden, zu starten; Binärwerte auf Basis von Leseverstärkern in einem Schaltkreis mit den Speicherzellen als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht, zu erhalten; und auf Basis der Binärwerte einen programmierten Zustand der Speicherzellen zu bestimmen.
  • In Beispiel 25 kann der Inhalt nach Beispiel 24 gegebenenfalls umfassen, dass die Binärwerte von den Leseverstärkern als Reaktion darauf, dass der Zähler den Auslöser-Zählerwert erreicht, zwischengespeichert werden.
  • In Beispiel 26 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 25 gegebenenfalls umfassen, dass die Anweisungen ferner die Speichersteuerung veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert aus einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen auszuwählen.
  • In Beispiel 27 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 26 gegebenenfalls umfassen, dass der programmierte Zustand der Speicherzellen eine programmierte Schwellenspannung ist.
  • In Beispiel 28 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 27 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert einer Menge von elektrischem Speicherzellen-Stromfluss zwischen Drain-Anschlüssen und Source-Anschlüssen von Transistoren der Speicherzellen entsprechen, wenn die Speicherzellen aktiviert sind.
  • In Beispiel 29 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 28 gegebenenfalls umfassen, dass die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Temperatur der Speicherzellen zu erhalten.
  • In Beispiel 30 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 29 gegebenenfalls umfassen, dass die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Position der Speicherzellen in einer Speicherzellenanordnung zu erhalten.
  • In Beispiel 31 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 30 gegebenenfalls umfassen, dass die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Ziel-Schwellenspannung und einer Temperatur der Speicherzellen zu erhalten.
  • In Beispiel 32 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 31 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen erhalten wird, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, unterscheidet, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  • In Beispiel 33 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 32 gegebenenfalls umfassen, dass die Anweisungen die Speichersteuerung veranlassen sollen, die Speicherzellen zu aktivieren, indem Spannungen auf Bitleitungen und eine Wortleitung, die den Speicherzellen entsprechen, angelegt werden.
  • In Beispiel 34 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 24 bis 33 gegebenenfalls umfassen, dass das Starten des Zählers das Aktivieren des Zählers, mit dem Akkumulieren von Zählerwerten auf Basis eines Eingabe-Taktsignals zu beginnen, umfasst.
  • Beispiel 35 ist eine Vorrichtung zum Abfühlen eines programmierten Zustandes einer Speicherzelle. Die Vorrichtung nach Beispiel 35 umfasst Mittel zum Akkumulieren eines Zählerwerts als Reaktion auf die Aktivierung einer Speicherzelle. Die Vorrichtung nach Beispiel 35 umfasst auch Mittel zum Erhalten eines Binärwerts, der einem programmierten Zustand der Speicherzelle entspricht, als Reaktion darauf, dass der Zählerwert einen Auslöser-Zählerwert erreicht. Die Vorrichtung nach Beispiel 35 umfasst auch Mittel zum Bestimmen des programmierten Zustands der Speicherzelle auf Basis des Binärwerts.
  • In Beispiel 36 kann der Inhalt nach Beispiel 35 gegebenenfalls umfassen, dass das Mittel zum Erhalten des Binärwerts durch ein Mittel zum Vergleichen eines Zählerwerts des Zählers mit dem Auslöser-Zählerwert ausgelöst wird, den Binärwert zwischenzuspeichern.
  • In Beispiel 37 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 36 gegebenenfalls Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts von einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen umfassen.
  • In Beispiel 38 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 37 gegebenenfalls umfassen, dass der programmierte Zustand der Speicherzelle eine programmierte Schwellenspannung ist.
  • In Beispiel 39 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 38 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert einem elektrischen Speicherzellen-Strom entspricht, der zwischen einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss des Transistors der Speicherzelle fließt, wenn die Speicherzelle aktiviert ist.
  • In Beispiel 40 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 39 gegebenenfalls umfassen, dass der Auslöser-Zählerwert geringer als ein zweiter abrufbarer Auslöser-Zählerwert ist, wobei ein erster elektrischer Speicherzellen-Strom dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der größer als ein zweiter elektrischer Speicherzellen-Strom ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht, und wobei der programmierte Zustand dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der niedriger als ein zweiter programmierter Zustand ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht.
  • In Beispiel 41 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 40 gegebenenfalls Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen umfassen, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen unterscheidet, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  • In Beispiel 42 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 41 gegebenenfalls Mittel zum Erhalten einer Temperatur einer Speicherzellenanordnung, in der die Speicherzelle angeordnet ist; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Temperatur der Speicherzellenanordnung umfassen.
  • In Beispiel 43 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 42 gegebenenfalls Mittel zum Erhalten einer Position der Speicherzelle in einer Speicherzellenanordnung; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Position der Speicherzelle in der Speicherzellenanordnung umfassen.
  • In Beispiel 44 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 43 gegebenenfalls Mittel zum Erhalten einer Temperatur der Speicherzelle; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Temperatur und der Ziel-Schwellenspannung umfassen.
  • In Beispiel 45 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 44 gegebenenfalls Mittel zum Aktivieren der Speicherzelle durch das Anlegen von Spannungen auf eine Bitleitung und eine Wortleitung, die der Speicherzelle entsprechen, umfassen.
  • In Beispiel 46 kann der Inhalt nach einem beliebigen der Beispiele 35 bis 45 gegebenenfalls einen oder mehrere Prozessoren; eine Netzwerk-Schnittstelle in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren; und eine Speichersteuerung in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren, wobei die Speichersteuerung das Mittel zum Akkumulieren des Zählerwerts, das Mittel zum Erhalten des Binärwerts und das Mittel zum Bestimmen des programmierten Zustands der Speicherzelle umfasst, umfassen.
  • Obwohl hierin bestimmte beispielhafte Verfahren, Vorrichtungen und Verfahrensprodukte offenbart wurden, ist der Schutzumfang des vorliegenden Patents nicht auf diese beschränkt. Andererseits deckt das vorliegende Patent alle Verfahren, Vorrichtungen und Verfahrensprodukte ab, die den Regeln entsprechend unten in den Schutzumfang der Ansprüche des vorliegenden Patents fallen.

Claims (46)

  1. Verfahren zum Abfühlen programmierter Zustände von Speicherzellen, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Starten eines Zählers zu einem Zeitpunkt, an dem eine Vielzahl von Speicherzellen aktiviert wird; Erhalten von Binärwerten auf Basis von Leseverstärkern in einem Schaltkreis mit den Speicherzellen als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht; und auf Basis der Binärwerte das Bestimmen eines programmierten Zustandes der Speicherzellen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Zähler, der den Auslöser-Zählerwert erreicht, veranlasst, dass die Leseverstärker die Binärwerte zwischenspeichern.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Auswählen des Auslöser-Zählerwerts von einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der programmierte Zustand der Speicherzellen eine programmierte Schwellenspannung ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Auslöser-Zählerwert einer Menge von elektrischem Speicherzellen-Stromfluss zwischen Drain-Anschlüssen und Source-Anschlüssen von Transistoren der Speicherzellen entsprechen, wenn die Speicherzellen aktiviert sind.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Temperatur der Speicherzellen umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Position der Speicherzellen in einer Speicherzellenanordnung umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis einer Ziel-Schwellenspannung und einer Temperatur der Speicherzellen umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen erhalten wird, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, unterscheidet, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aktivieren der Speicherzellen das Anlegen von Spannungen auf Bitleitungen und eine Wortleitung, die den Speicherzellen entsprechen, umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Starten des Zählers das Aktivieren des Zählers, mit dem Akkumulieren von Zählerwerten auf Basis eines Eingabe-Taktsignals zu beginnen, umfasst.
  12. Vorrichtung zum Abfühlen eines programmierten Zustandes einer Speicherzelle, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: einen Zähler zum Beginnen des Erzeugens von Zählerwerten als Reaktion auf die Aktivierung einer Speicherzelle; einen Leseverstärker in einem Schaltkreis mit der Speicherzelle, um einen Binärwert zu erhalten, der einem programmierten Zustand der Speicherzelle entspricht, als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht; und einen Detektor programmierter Zustände, um den programmierten Zustand der Speicherzelle auf Basis des von dem Leseverstärker erhaltenen Binärwerts zu bestimmen.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner einen Komparator umfasst, um den Leseverstärker zu veranlassen, den Binärwert als Reaktion darauf, dass der Zähler den Auslöser-Zählerwert erreicht, zwischenzuspeichern.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner eine Auslöserwert-Abrufeinheit umfasst, um den Auslöser-Zählerwert aus einer Vielzahl von verschiedenen Auslöser-Zählerwerten auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen zu erhalten.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der programmierte Zustand der Speicherzelle eine programmierte Schwellenspannung ist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der Auslöser-Zählerwert einem elektrischen Speicherzellen-Strom entspricht, der zwischen einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss des Transistors der Speicherzelle fließt, wenn die Speicherzelle aktiviert ist.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der Auslöser-Zählerwert geringer als ein zweiter abrufbarer Auslöser-Zählerwert ist, wobei ein erster elektrischer Speicherzellen-Strom dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der größer als ein zweiter elektrischer Speicherzellen-Strom ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht, und wobei der programmierte Zustand dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der niedriger als ein zweiter programmierter Zustand ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner eine Auslöserwert-Abrufeinheit umfasst, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen zu erhalten, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen unterscheidet, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: einen Eigenschaftsdetektor, um eine Temperatur einer Speicherzellenanordnung, in der die Speicherzelle angeordnet ist, zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Temperatur der Speicherzellenanordnung zu erhalten.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: einen Eigenschaftsdetektor, um eine Position der Speicherzelle in einer Speicherzellenanordnung zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Position der Speicherzelle in der Speicherzellenanordnung zu erhalten.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: einen Eigenschaftsdetektor, um eine Temperatur der Speicherzelle zu erhalten; und eine Auslöserwert-Abrufeinheit, um den Auslöser-Zählerwert auf Basis der Temperatur und der Ziel-Schwellenspannung zu erhalten.
  22. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner eine Spannungssteuerung umfasst, um die Speicherzelle zu aktivieren, indem Spannungen auf eine Bitleitung und eine Wortleitung, die der Speicherzelle entsprechen, angelegt werden.
  23. Vorrichtung nach Anspruch 12, die ferner Folgendes umfasst: einen oder mehrere Prozessoren; eine Netzwerk-Schnittstelle in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren; und eine Speichersteuerung in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren, wobei die Speichersteuerung die Zeitdauer-Verfolgungseinheit, den Leseverstärker und den Detektor programmierter Zustände umfasst.
  24. Zumindest ein Verfahrensprodukt, das maschinenlesbare Anweisungen umfasst, die, wenn sie ausgeführt werden, eine Speichersteuerung veranlassen, zumindest: einen Zähler zu einem Zeitpunkt, an dem eine Vielzahl von Speicherzellen aktiviert werden, zu starten; Binärwerte auf Basis von Leseverstärkern in einem Schaltkreis mit den Speicherzellen als Reaktion darauf, dass der Zähler einen Auslöser-Zählerwert erreicht, zu erhalten; und auf Basis der Binärwerte einen programmierten Zustand der Speicherzellen zu bestimmen.
  25. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Binärwerte von den Leseverstärkern als Reaktion darauf, dass der Zähler den Auslöser-Zählerwert erreicht, zwischengespeichert werden.
  26. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Anweisungen ferner die Speichersteuerung veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert aus einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen auszuwählen.
  27. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei der programmierte Zustand der Speicherzellen eine programmierte Schwellenspannung ist.
  28. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei der Auslöser-Zählerwert einer Menge von elektrischem Speicherzellen-Stromfluss zwischen Drain-Anschlüssen und Source-Anschlüssen von Transistoren der Speicherzellen entsprechen, wenn die Speicherzellen aktiviert sind.
  29. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Temperatur der Speicherzellen zu erhalten.
  30. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Position der Speicherzellen in einer Speicherzellenanordnung zu erhalten.
  31. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Anweisungen die Speichersteuerung ferner veranlassen sollen, den Auslöser-Zählerwert auf Basis einer Ziel-Schwellenspannung und einer Temperatur der Speicherzellen zu erhalten.
  32. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei der Auslöser-Zählerwert auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen erhalten wird, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, unterscheidet, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  33. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei die Anweisungen die Speichersteuerung veranlassen sollen, die Speicherzellen zu aktivieren, indem Spannungen auf Bitleitungen und eine Wortleitung, die den Speicherzellen entsprechen, angelegt werden.
  34. Zumindest ein Verfahrensprodukt nach Anspruch 24, wobei das Starten des Zählers das Aktivieren des Zählers, mit dem Akkumulieren von Zählerwerten auf Basis eines Eingabe-Taktsignals zu beginnen, umfasst.
  35. Vorrichtung zum Abfühlen eines programmierten Zustandes einer Speicherzelle, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: Mittel zum Akkumulieren eines Zählerwerts als Reaktion auf die Aktivierung einer Speicherzelle; Mittel zum Erhalten eines Binärwerts, der einem programmierten Zustand der Speicherzelle entspricht, als Reaktion darauf, dass der Zählerwert einen Auslöser-Zählerwert erfüllt; und Mittel zum Bestimmen des programmierten Zustands der Speicherzelle auf Basis des Binärwerts.
  36. Vorrichtung nach Anspruch 35, wobei das Mittel zum Erhalten des Binärwerts durch ein Mittel zum Vergleichen eines Zählerwerts des Zählers mit dem Auslöser-Zählerwert ausgelöst wird, den Binärwert zwischenzuspeichern.
  37. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts von einer Vielzahl verschiedener Auslöser-Zählerwerte auf Basis einer gemessenen Eigenschaft der Speicherzellen umfasst.
  38. Vorrichtung nach Anspruch 35, wobei der programmierte Zustand der Speicherzelle eine programmierte Schwellenspannung ist.
  39. Vorrichtung nach Anspruch 35, wobei der Auslöser-Zählerwert einem elektrischen Speicherzellen-Strom entspricht, der zwischen einem Drain-Anschluss und einem Source-Anschluss des Transistors der Speicherzelle fließt, wenn die Speicherzelle aktiviert ist.
  40. Vorrichtung nach Anspruch 35, wobei der Auslöser-Zählerwert geringer als ein zweiter abrufbarer Auslöser-Zählerwert ist, wobei ein erster elektrischer Speicherzellen-Strom dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der größer als ein zweiter elektrischer Speicherzellen-Strom ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht, und wobei der programmierte Zustand dem Auslöser-Zählerwert entspricht, der niedriger als ein zweiter programmierter Zustand ist, der dem zweiten abrufbaren Auslöser-Zählerwert entspricht.
  41. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis eines ersten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen umfasst, wobei der erste Temperaturkoeffizient dem zu messenden programmierten Zustand entspricht, wobei sich der erste Temperaturkoeffizient von einem zweiten Temperaturkoeffizienten der Speicherzellen unterscheidet, wenn die Speicherzellen auf einen zweiten programmierten Zustand programmiert sind, und wobei der zweite Temperaturkoeffizient einem zweiten Auslöser-Zählerwert entspricht, um zu bestimmen, wenn die Speicherzellen auf den zweiten programmierten Zustand programmiert sind.
  42. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Folgendes umfasst: Mittel zum Erhalten einer Temperatur einer Speicherzellenanordnung, in der die Speicherzelle angeordnet ist; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Temperatur der Speicherzellenanordnung.
  43. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Folgendes umfasst: Mittel zum Erhalten einer Position der Speicherzelle in einer Speicherzellenanordnung; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Position der Speicherzelle in der Speicherzellenanordnung.
  44. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Folgendes umfasst: Mittel zum Erhalten einer Temperatur der Speicherzelle; und Mittel zum Erhalten des Auslöser-Zählerwerts auf Basis der Temperatur und einer Ziel-Schwellenspannung.
  45. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Mittel zum Aktivieren der Speicherzelle durch das Anlegen von Spannungen auf eine Bitleitung und eine Wortleitung, die der Speicherzelle entsprechen, umfasst.
  46. Vorrichtung nach Anspruch 35, die ferner Folgendes umfasst: einen oder mehrere Prozessoren; eine Netzwerk-Schnittstelle in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren; und eine Speichersteuerung in Kommunikation mit dem einen oder den mehreren Prozessoren, wobei die Speichersteuerung das Mittel zum Akkumulieren des Zählerwerts, das Mittel zum Erhalten des Binärwerts und das Mittel zum Bestimmen des programmierten Zustands der Speicherzelle umfasst.
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