DE112016002346T5 - Komplettes Laserziehrief- und -ritzverfahren für großflächige CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule - Google Patents

Komplettes Laserziehrief- und -ritzverfahren für großflächige CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule Download PDF

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XinPing YU
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Abstract

Ein vollständig laserbasiertes Bohr- und Ritzverfahren für ein großflächiges CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodul wird angegeben: Verwenden eines ersten Lasers zum Bohren und Ritzen eines dünnen Molybdän-Films, die auf dem Natronkalkglassubstrat abgeschieden ist, um eine erste Ritzlinie (P1) zu erzeugen; Vorbereiten der folgenden Filmschichten auf der Oberseite der Molybdän-Schicht, welche in Schritt P1 gebohrt und geritzt worden ist: einer CIGS-Schicht, einer Cadmiumsulfidschicht und einer intrinsischen Zinkoxidschicht; nach dem Vorbereiten der vorstehenden Filmschichten, Verwenden eines zweiten Lasers zum Bohren und Ritzen zum Erzeugen einer zweiten Ritzlinie (P2), wobei die Ritzlinie aus Schritt P2 parallel zu der Ritzlinie aus P1 angeordnet ist; und Vorbereiten einer AZO-Schicht auf der intrinsischen Zinkoxidschicht, welche in Schritt P2 gebohrt und geritzt worden ist, und Verwenden eines dritten Lasers zum Bohren und Ritzen zum Erzeugen einer dritten Ritzlinie (P3), wobei die Ritzlinie aus Schritt P3 parallel zu der Ritzlinie aus Schritt P1 angeordnet ist. Durch Anwenden eines vollständig laserbasierten Bohr- und Ritzverfahrens um die interne Reihenschaltung zwischen Subzellen der großflächigen CIGS-Solarzellenmodule zu bewerkstelligen, werden die Nachteile großer Totzonenflächen, wie sie bei traditionellem mechanischem Bohren und Ritzen und häufigen Wechseln von mechanischen Nadeln verursacht werden, vermieden, wodurch die Leistung der CIGS-Solarzellenmodule erhöht, die Stabilität der Bohr- und Ritzvorrichtung verbessert und das Ziel, die Produktionseffizienz der Module zu erhöhen und die Produktions- und Wartungskosten zu senken, erreicht werden kann.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das technische Gebiet der Dünnfilm-Solarzellen und insbesondere das Verfahren der Herstellung von großflächigen Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)-Dünnschicht-Solarzellenmodulen.
  • Hintergrundtechnologie
  • Die Energiekrise und Umweltverschmutzung sind die zwei grundlegenden Probleme der Welt. Unter diesen Umständen ist die erneuerbare und unerschöpfliche Sonnenenergie eines der wichtigsten Mittel, um die Energiekrise zu bewältigen. Durch solch große Vorteile, wie die verstellbare optische Bandlücke, hohe Beständigkeit gegen Strahlung, stabile Akkuleistung und hoher Wirkungsgrad bei schlechten Lichtverhältnissen hat sich das Material der CIGS-Dünnfilm-Solarzellen als das vielversprechendste photovoltaische Material unter den Dünnfilm-Solarzellen herausgestellt.
  • Die Technologie der internen Reihenschaltung zwischen den Zellen ist eine der Schlüsseltechnologien bei der Herstellung von CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodulen. Mechanische Nadeln sind derzeit die am häufigsten verwendeten Werkzeuge zur Herstellung von großflächigen CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodulen mit einer Verarbeitungsgeschwindigkeit von etwa 0,5 m/s und einer Breite der Verarbeitungslinie bis zu mehr als 50 μm~80 μm. Zusätzlich zu häufigen umgekehrten oder gebrochenen Kanten könnte die Totzonenbreite 500 μm~600 μm erreichen, was zu einem großen Energieverlust der Module führt. Darüber hinaus erfordern die starken Beschädigungen an den mechanischen Nadeln ein häufiges Wechseln von Nadeln und eine regelmäßige Wartung der Maschinen, was die Herstellungskosten der Module erhöht. Das komplette Laserritzverfahren der vorliegenden Erfindung weist eine Wiederholungsfrequenz von 30 MHz 1 GHz und eine Verarbeitungsgeschwindigkeit, die 2~3 m/s erreichen könnte, auf. Durch Fokussieren der Laserstrahlen könnte die Ritzlinienbreite verringert werden, das Phänomen von umgekehrten oder gebrochenen Rändern könnte reduziert oder vermieden werden, und die Totzonenbreite könnte auf weniger als 200 μm reduziert werden, was den Leistungsverlust von geritzten Modulen in einem hohen Maße reduzieren, die Verarbeitungseffizienz verbessern und die Herstellungskosten senken könnte. Darüber hinaus zeichnet sich der Laser durch einen stabilen Betrieb und eine lange Lebensdauer aus, was die Wartungs- und Produktionskosten der Ausrüstung senkt.
  • Inhalte der Erfindung
  • Der Zweck der Erfindung besteht darin, ein komplettes Laserritzverfahren von großflächigen CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodulen bereitzustellen, um die drei Laserritzschritte der CIGS-Dünnfilm-Solarzellen abzuschließen und die interne Reihenschaltung zwischen den Subzellen der Solarzellenmodule zu bewerkstelligen. Die Wiederholfrequenz von 30 MHz~1 GHz könnte zu einer Erhöhung der Verarbeitungsgeschwindigkeit von bis zu 2~3 m/s führen. Durch Fokussieren der Laserstrahlen könnte die Ritzlinienbreite verringert werden, das Phänomen von umgekehrten oder gebrochenen Rändern könnte reduziert oder vermieden werden, und die Totzonenbreite könnte auf weniger als 200 μm reduziert werden, was den Leistungsverlust von geritzten Modulen in einem hohen Maße reduzieren, die Verarbeitungseffizienz verbessern und die Herstellungskosten senken könnte. Darüber hinaus zeichnet sich der Laser durch einen stabilen Betrieb und eine lange Lebensdauer aus, was die Wartungskosten der Anlage senkt.
  • Die Erfindung stellt ein komplettes Laserritzverfahren für die großflächigen CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule bereit. Das Verfahren wird in den folgenden Schritten implementiert:
    • 1. Vorbereiten einer Molybdän(Mo)-Schicht auf dem Natronkalkglassubstrat;
    • 2. Verwenden von Laser I zum Ritzen und Segmentieren der Mo-Schicht zum Erzeugen der ersten Ritzlinie (P1); Ritzen von (P1) hinunter bis zur Oberfläche des Natronkalkglassubstrats, um die Subzellen auf zwei Seiten der (P1) vollständig zu isolieren;
    • 3. Vorbereiten der CIGS-Schicht oberhalb der Mo-Schicht;
    • 4. Vorbereiten der Cadmiumsulfidschicht oberhalb der CIGS-Schicht;
    • 5. Vorbereiten der intrinsischen Zinkoxidschicht über der Cadmiumsulfidschicht;
    • 6. Verwenden von Laser II, um die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht gleichzeitig zu ritzen und zu segmentieren, um die Mo-Schicht freizulegen und die zweite Ritzlinie (P2) zu erzeugen; wobei die (P2) die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht, die CIGS-Schicht vollständig segmentiert, ohne die Oberfläche der Mo-Schicht zu beschädigen; wobei (P2) parallel zu (P1) sein sollte;
    • 7. Vorbereiten der aluminiumdotierten Zinkoxidschicht (AZO) über der intrinsischen Zinkoxidschicht;
    • 8. Verwenden von Laser III, um die AZO-Schicht, die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht zu ritzen und zu segmentieren, um die Mo-Schicht freizulegen und die dritte Ritzlinie (P3) zu erzeugen, um die interne Reihenschaltung zwischen den Subzellen der CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule zu bewerkstelligen; wobei die (P3) die AZO-Schicht, die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht vollständig ritzt und segmentiert, ohne die Oberfläche der Mo-Schicht zu beschädigen; wobei (P3) parallel zu (P1) und (P2) sein sollte.
  • Gemäß der obigen Beschreibung des kompletten Laserritzverfahrens von großflächigen CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodulen beziehen sich der oben genannte Laser I, Laser II und Laser III auf einen Nanosekundenlaser, einen Sub-Nanosekunden Laser oder einen Pikosekundenlaser. Der Nanosekundenlaser ist ein gepulster Faserlaser mit einer, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einem Strahlmodus von TEM00, einer Strahlqualität (M2) < 1,3, einer Pulsbreite im Bereich von 1 ns bis 600 ns, einer Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 2000 μJ, einer Pulswiederholungsfrequenz (PWF) im Bereich von 1 KHz bis 1000 KHz und einer Durchschnittsleistung von 0~25 W. Der Sub-Nanosekunden Laser ist ein Halbleiterlaser, der eine, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einen Strahlmodus von TEM00, eine Strahlqualität (M2) < 1,3, eine Pulsbreite im Bereich von 600 ps bis 2.000 ps, eine Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 300 μJ, einen PWF-Bereich von 10 KHz bis 100 KHz und eine Durchschnittsleistung von 0~3 W aufweist. Der Pikosekundenlaser ist ein gepulster Faserlaser, der eine, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einen Strahlmodus von TEM00, eine Strahlqualität (M2) < 1,3, eine Pulsbreite von weniger als 10 ps, eine Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 40 μJ, einen PWF-Bereich von 1 Hz bis 1.000 KHz und eine Durchschnittsleistung von 0~6 W aufweist.
  • Gemäß der obigen Beschreibung des kompletten Laserritzverfahrens für großflächige CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule umfasst die Erfindung die folgenden Merkmale:
    Erstens könnte die (P1) mit dem Laser durchgeführt werden, der von der Filmoberfläche oder dem Glassubstrat einfällt. Der Laser, der von der Filmoberfläche einfällt, bedeutet, den Laserstrahl in Richtung der beschichteten Oberfläche des Dünnfilms zu platzieren und die Laserstrahlen durch Fokussieren der Linse auf die Filmoberfläche zu fokussieren. Der Laser, der vom Glassubstrat einfällt, bedeutet, den Laserstrahl entgegen der Richtung der beschichteten Oberfläche des Dünnfilms, z. B. der Unterseite des Substrats, zu platzieren und die Laserstrahlen durch Fokussieren der Linse auf den Dünnfilm durch das Glassubstrat zu fokussieren.
    Zweitens wird die (P2) mit dem Laser durchgeführt, der von der Filmoberfläche einfällt.
    Drittens wird die (P3) mit dem Laser durchgeführt, der von der Filmoberfläche einfällt.
    Viertens liegt die Dicke der Mo-Schicht im Bereich von 600 nm bis 1.200 nm, diejenige der CIGS-Schicht im Bereich von 1,0 μm bis 2,0 μm, diejenige der Cadmiumsulfidschicht im Bereich von 30 nm bis 80 nm, diejenige der intrinsischen Zinkoxidfilmschicht im Bereich von 50 nm bis 150 nm, und diejenige der AZO-Filmschicht im Bereich von 300 nm bis 1000 nm.
    Fünftens ist die (P1) parallel zum Rand des Glassubstrats, (P2) parallel zu (P1) und (P3) ebenfalls parallel zur (P1).
  • Die vorliegende Erfindung wendet das komplette Laserritzverfahren an, um die interne Reihenschaltung zwischen Subzellen der großflächigen CIGS-Solarzellenmodule zu bewerkstelligen, die effektiv die Totzonenfläche reduzieren, die Leistung der CIGS-Solarzellenmodule erhöhen, das Problem des häufigen Wechselns von mechanischen Nadeln beim traditionellen mechanischen Ritzen lösen, die Produktionseffizienz der Module erhöhen und die Produktions- und Wartungskosten senken könnten.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • ist ein Diagramm, das die Struktur der CIGS-Dünnfilm-Solarzellen darstellt, die in der Erfindung verwendet werden.
  • ist ein Diagramm, das den gesamten Prozess der vorliegenden Erfindung des kompletten Laserritzverfahrens für die CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule darstellt.
  • ist ein Diagramm der P1-Ritzlinie.
  • ist ein Diagramm der P2-Ritzlinie.
  • ist ein Diagramm der P3-Ritzlinie.
  • ist ein Bild nach dem P1-Ritzen in Ausführungsform 1.
  • ist ein Bild nach dem P2-Ritzen in Ausführungsform 1.
  • ist ein Bild nach dem P3-Ritzen in Ausführungsform 1.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die technischen Lösungen der vorliegenden Erfindung werden nun im Detail unter Bezugnahme auf die Ausführungsformen und die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Ausführungsform 1
  • ist ein Diagramm, das die Struktur der CIGS-Dünnfilm-Solarzellen darstellt, die in der Erfindung verwendet werden. Wie in dargestellt, besteht die Zelle aus einem Glassubstrat, einer Mo-Schicht, einer CIGS-Schicht, einer Cadmiumsulfidschicht, einer intrinsischen Zinkoxidschicht und einer AZO-Schicht. ist ein Diagramm, das den gesamten Prozess der vorliegenden Erfindung des kompletten Laserritzverfahrens für die CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule darstellt. Wie in dargestellt, umfasst das vorliegende komplette Laserritzverfahren drei Laserritzlinien. Zuerst wird die Mo-Schicht durch Verwenden von Laser I auf dem Glassubstrat vorbereitet, um die Mo-Filmschicht zu ritzen und zu segmentieren, um die (P1)-Ritzlinie zu erzeugen; oberhalb der Mo-Schicht mit der P1-Ritzlinie wird danach der CIGS-Dünnfilm, der Cadmiumsulfid-Dünnfilm und der intrinsische Zinkoxid-Dünnfilm vorbereitet; Laser II wird verwendet, um die (P2)-Ritzlinie herzustellen, wobei die P2-Ritzlinie parallel zur P1-Ritzlinie verläuft und das CIGS, Cadmiumsulfid und intrinsisches Zinkoxid oberhalb der Mo-Schicht vollständig entfernt. Die AZO-Schicht wird auf der intrinsischen Zinkoxidschicht mit der (P2)-Ritzlinie vorbereitet und Laser III zum Herstellen der (P3)-Ritzlinie verwendet, wobei die P3-Ritzlinie parallel zu P1 verläuft und das CIGS, Cadmiumsulfid, AZO über der Mo-Schicht vollständig entfernt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Zelle in den folgenden Schritten hergestellt:
  • Schritt 1: Herstellung der Mo-Schicht. Abscheiden des Mo-Films auf dem Substrat aus Natronkalkglas durch DC-Magnetron-Sputtern. Der Film ist 1 μm dick.
  • Schritt 2: P1-Ritzen. Verwenden des Pikosekundenlasers mit einer Pulsbreite von 8 ps, einer Wellenlänge von 1.064 nm, einer Ritzleistung von 0,55 W, einer Einzelimpulsleistung von 6,88 μJ und einer PWF von 80 kHz, um das P1-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der auf die Rückseite des beschichteten Substrats bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Die Ritzlinienbreite beträgt 38,7 μm. ist ein Diagramm der P1-Ritzlinie. Die Mo-Schicht innerhalb der Ritzlinie wird vollständig entfernt, um die Oberfläche des Natronkalkglassubstrats freizulegen. ist das Bild nach dem P1-Ritzen.
  • Schritt 3: Herstellen des CIGS-Dünnfilms. Mithilfe des Verfahrens des Magnetronsputterns gefolgt von der Selenisierung der Metallvorläufer wird die CIGS-Schicht auf das Substrat mit der P1-Ritzlinie abgeschieden. Die CIGS-Schicht ist 1 μm dick.
  • Schritt 4: Vorbereiten des Cadmiumsulfid-Dünnfilms. Verwenden des Chemiebadverfahrens zum Vorbereiten der Cadmiumsulfidschicht auf dem abgeschiedenen CIGS-Dünnfilm. Die Schicht ist 50 nm dick.
  • Schritt 5: Vorbereiten des intrinsischen Zinkoxid-Dünnfilms. Abscheiden der intrinsischen Zinkoxidschicht oberhalb des Substrats mit dem Cadmiumsulfid-Dünnfilm durch DC-Magnetron-Sputtern. Der intrinsische Zinkoxid-Dünnfilm ist 50 nm dick.
  • Schritt 6: P2-Ritzen. Verwenden des Pikosekundenlasers mit einer Pulsbreite von 8 ps, einer Wellenlänge von 1.064 nm, einer Ritzleistung von 5 W, einer Einzelimpulsleistung von 5 μJ und einer PWF von 1.000 kHz, um das P2-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der von der Filmseite des beschichteten Glases bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Die P2-Ritzbreite beträgt 46,64 μm. ist ein Diagramm der P2-Ritzlinie. Das intrinsische Zinkoxid, Cadmiumsulfid und CIGS werden vollständig segmentiert, um die Mo-Schicht freizulegen. zeigt das Bild nach dem P2-Ritzen. Verwenden des Auto-Tracking-Systems, um die P2-Ritzlinie parallel zur P1-Ritzlinie zu halten.
  • Schritt 7: Vorbereiten des AZO-Dünnfilms. Abscheiden der AZO-Schicht auf die Oberseite des Substrats mit der (P2)-Ritzlinie durch Magnetron-Sputtern. Der Film ist 800 nm dick.
  • Schritt 8: (P3)-Ritzen. Verwenden des Pikosekundenlasers mit einer Pulsbreite von 8 ps, einer Wellenlänge von 1.064 nm, einer Ritzleistung von 5,5 W, einer Einzelimpulsleistung von 5,5 μJ und einer PWF von 1.000 kHz, um das (P3)-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der von der Filmseite des beschichteten Glases bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Ritzen und Segmentieren der AZO-Schicht, der intrinsischen Zinkoxidschicht, der Cadmiumsulfidschicht und der CIGS-Schicht, um die Mo-Schicht freizulegen, um das Ritzen des Moduls abzuschließen. ist ein Diagramm der P3-Ritzlinie. Die P3-Ritzlinienbreite beträgt 47 μm. zeigt das Bild nach dem P3-Ritzen. Wie in zu sehen beträgt die Totzonenbreite des Moduls 196 μm. Verwenden des Auto-Tracking-Systems, um die P3-Ritzlinie parallel zur P1-Ritzlinie zu halten.
  • Ausführungsform 2
  • Schritt 1: Das Gleiche wie bei der Operation in Schritt 1 der Ausführungsform 1.
  • Schritt 2: P1-Ritzen. Verwenden des Pikosekundenlasers mit einer Pulsbreite von 8 ps, einer Wellenlänge von 532 nm, einer Ritzleistung von 2,5 W, einer Einzelimpulsleistung von 31,25 μJ und einer PWF von 80 kHz, um das P1-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der auf die Rückseite des beschichteten Substrats bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Die Ritzlinienbreite beträgt 35 μm. Die Mo-Schicht innerhalb der Ritzlinie wird vollständig entfernt, um die Oberfläche des Natronkalkglassubstrats freizulegen.
  • Schritt 3~Schritt 8: Das Gleiche wie bei den Operationen aus Schritt 3~Schritt 8 der Ausführungsform 1.
  • Ausführungsform 3
  • Schritt 1: Das Gleiche wie bei der Operation in Schritt 1 der Ausführungsform 1.
  • Schritt 2: P1-Ritzen. Verwenden des Nanosekundenlasers mit einer Pulsbreite von 10 ns, einer Wellenlänge von 1.064 nm, einer Ritzleistung von 3,2 W, einer Einzelimpulsleistung von 40 μJ und einer PWF von 80 kHz, um das P1-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der auf die Rückseite des beschichteten Substrats bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Die Ritzlinienbreite beträgt 33 μm. Die Mo-Schicht innerhalb der Ritzlinie wird vollständig entfernt, um die Oberfläche des Natronkalkglassubstrats freizulegen.
  • Schritt 3~Schritt 8: Das Gleiche wie bei den Operationen aus Schritt 3~Schritt 8 der Ausführungsform 1.
  • Ausführungsform 4
  • Schritt 1: Das Gleiche wie bei der Operation in Schritt 1 der Ausführungsform 1.
  • Schritt 2: P1-Ritzen. Verwenden des Sub-Nanosekunden Lasers mit einer Pulsbreite von 800 ps, einer Wellenlänge von 532 nm, einer Ritzleistung von 0,65 W, einer Einzelimpulsleistung von 8,13 μJ und einer PWF von 80 kHz, um das P1-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der auf die Rückseite des beschichteten Substrats bei einer Ritzgeschwindigkeit von 2 m/s einfällt. Die Ritzlinienbreite beträgt 30 μm. Die Mo-Schicht innerhalb der Ritzlinie wird vollständig entfernt, um die Oberfläche des Natronkalkglassubstrats freizulegen.
  • Schritt 3~Schritt 8: Das Gleiche wie bei den Operationen aus Schritt 3~Schritt 8 der Ausführungsform 1.
  • Ausführungsform 5
  • Schritt 1~Schritt 5: Das Gleiche wie bei den Operationen aus Schritt 1~Schritt 5 der Ausführungsform 1.
  • Schritt 6: P2-Ritzen. Verwenden des Sub-Nanosekunden Lasers mit einer Pulsbreite von 800 ps, einer Wellenlänge von 532 nm, einer Ritzleistung von 2,1 W, einer Einzelimpulsleistung von 5 μJ und einer PWF von 100 kHz, um das P2-Ritzen auf der Probe mit dem Laser durchzuführen, der von der Filmseite des beschichteten Glases bei einer Ritzgeschwindigkeit von 0,2 m/s einfällt. Die P2-Ritzbreite beträgt 48 μm. Die intrinsische Zinkoxid-, Cadmiumsulfid- und CIGS-Schichten werden vollständig segmentiert, um die Mo-Schicht freizulegen. Verwenden des Auto-Tracking-Systems, um die P2-Ritzlinie parallel zur P1-Ritzlinie zu halten.
  • Schritt 7~Schritt 8: Das Gleiche wie bei den Operationen aus Schritt 7~Schritt 8 der Ausführungsform 1.
  • Obschon die vorliegende Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Einem Fachmann werden verschiedene Änderungen und Ersetzungen beim Lesen des Vorstehenden ersichtlich. Daher ist der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung durch die angefügten Patentansprüche definiert.

Claims (10)

  1. Komplettes Laserritzverfahren für großflächige CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule, umfassend die folgenden Merkmale: Verwenden eines Lasers zum Ritzen der Mo-Schicht, die auf dem Natronkalkglassubstrat abgeschieden ist, um eine erste Ritzlinie (P1) zu erzeugen; auf der Oberseite der Mo-Schicht mit der (P1)-Ritzlinie: nacheinander Vorbereiten der CIGS-Schicht, der Cadmiumsulfidschicht und der intrinsischen Zinkoxidschicht, Verwenden des Lasers zum Erzeugen einer zweiten Ritzlinie (P2) nach dem Vorbereiten der oben genannten Schichten; und Vorbereiten einer AZO-Schicht auf der intrinsischen Zinkoxidschicht mit der (P2)-Ritzlinie und Verwenden des Lasers zum Erzeugen einer dritten Ritzlinie (P3).
  2. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 1, umfassend das folgende Merkmal: die zweite Ritzlinie (P2) und die dritte Ritzlinie (P3) sind beide parallel zur ersten Ritzlinie (P1).
  3. Komplettes Laserritzverfahren für großflächige CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule, das die folgenden Operationsschritte beinhaltet: 1) Vorbereiten einer Molybdän (Mo)-Schicht auf dem Natronkalkglassubstrat; 2) Verwenden von Laser I zum Ritzen und Segmentieren der Mo-Schicht zum Erzeugen der ersten Ritzlinie (P1); Ritzen der (P1) hinunter bis zur Oberfläche des Natronkalkglassubstrats, um die Subzellen auf zwei Seiten der (P1) vollständig zu isolieren; 3) Vorbereiten der CIGS-Schicht oberhalb der Mo-Schicht; 4) Vorbereiten der Cadmiumsulfidschicht oberhalb der CIGS-Schicht; 5) Vorbereiten der intrinsischen Zinkoxidschicht oberhalb der Cadmiumsulfidschicht; 6) Verwenden von Laser II, um die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht gleichzeitig zu ritzen und zu segmentieren, um die Mo-Schicht freizulegen und die zweite Ritzlinie (P2) zu erzeugen; wobei die (P2) die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht, die CIGS-Schicht vollständig segmentiert, ohne die Oberfläche der Mo-Schicht zu beschädigen; wobei (P2) parallel zu (P1) sein sollte; 7) Vorbereiten der aluminiumdotierten Zinkoxidschicht (AZO) oberhalb der intrinsischen Zinkoxidschicht; 8) Verwenden von Laser III, um die AZO-Schicht, die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht zu ritzen und zu segmentieren, um die Mo-Schicht freizulegen und die dritte Ritzlinie (P3) zu erzeugen, um die interne Reihenschaltung zwischen den Subzellen der CIGS-Dünnfilm-Solarzellenmodule zu bewerkstelligen; wobei die (P3) die AZO-Schicht, die intrinsische Zinkoxidschicht, die Cadmiumsulfidschicht und die CIGS-Schicht vollständig ritzt und segmentiert, ohne die Oberfläche der Mo-Schicht zu beschädigen; wobei (P3) parallel zu (P1) und (P2) sein sollte.
  4. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3, umfassend das folgende Merkmal: die oben genannten Laser I, Laser II und Laser III, beziehen sich auf einen Nanosekundenlaser, Sub-Nanosekunden Laser oder Pikosekundenlaser.
  5. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 4, umfassend die folgenden Merkmale: der Nanosekundenlaser ist ein gepulster Faserlaser der eine, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einen Strahlmodus von TEM00, eine Strahlqualität < 1,3, eine Pulsbreite im Bereich von 1 ns bis 600 ns, eine Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 2000 μJ, eine Pulswiederholungsfrequenz (PWF) im Bereich von 1 KHz bis 1000 KHz und eine Durchschnittsleistung von 0~25 W aufweist; der Sub-Nanosekunden Laser ist ein Halbleiterlaser, der eine, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einen Strahlmodus von TEM00, eine Strahlqualität < 1,3, eine Pulsbreite im Bereich von 600 ps bis 2.000 ps, eine Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 300 μJ, einen PWF-Bereich von 10 KHz bis 100 KHz und eine Durchschnittsleistung von 0~3 W aufweist; der Pikosekundenlaser ist ein gepulster Faserlaser, der eine, zwei oder drei Laserwellenlängen von 1.064 nm, 532 nm oder 355 nm, einen Strahlmodus von TEM00, eine Strahlqualität < 1,3, eine Pulsbreite von weniger als 10 ps, eine Einzelpulsenergie im Bereich von 1 μJ bis 40 μJ, einen PWF-Bereich von 1 Hz bis 1.000 KHz und eine Durchschnittsleistung von 0~6 W aufweist.
  6. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3, umfassend die folgenden Merkmale: die (P1) könnte mit dem Laser durchgeführt werden, der von der Filmoberfläche oder dem Glassubstrat einfällt; wobei der Laser, der von der Filmoberfläche einfällt, bedeutet, den Laserstrahl in Richtung der beschichteten Oberfläche des Dünnfilms zu platzieren und die Laserstrahlen durch Fokussieren der Linse auf die Oberfläche zu fokussieren; der Laser, der vom Glassubstrat einfällt, bedeutet, den Laserstrahl entgegen der Richtung der beschichteten Oberfläche des Dünnfilms, z. B. der Unterseite des Substrats, zu platzieren und die Laserstrahlen durch Fokussieren der Linse auf den Dünnfilm durch das Glassubstrat zu fokussieren.
  7. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3, umfassend die folgenden Merkmale: (P2) und (P3) werden beide mit dem Laser durchgeführt, der von der Filmoberfläche einfällt.
  8. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3, umfassend die folgenden Merkmale: in Schritt 1) liegt die Dicke der Mo-Schicht im Bereich von 600 nm~1.200 nm.
  9. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3 oder 8, umfassend die folgenden Merkmale: in Schritt 3) liegt die Dicke der CIGS-Schicht zwischen 1,0 μm~2,0 μm; die Dicke der Cadmiumsulfidschicht liegt im Bereich von 30 nm~80 nm; die Dicke der intrinsischen Zinkoxidschicht liegt im Bereich von 50 nm~150 nm.
  10. Komplettes Laserritzverfahren nach Anspruch 3 oder 9, umfassend die folgenden Merkmale: in Schritt 5) liegt die Dicke der AZO-Schicht im Bereich von 300 nm~1.000 nm.
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