DE112015003430T5

DE112015003430T5 - Halbleiter-Laservorrichtung

Info

Publication number: DE112015003430T5
Application number: DE112015003430.7T
Authority: DE
Inventors: Daji Morita; Masato Kawasaki; Tomotaka Katsura; Shuichi Fujikawa; Susumu Konno
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2014-07-25
Filing date: 2015-07-24
Publication date: 2017-04-27
Also published as: CN106575853A; US20170207605A1; JPWO2016013653A1; WO2016013653A1; JP6289640B2

Abstract

Es wird eine Halbleiter-Laservorrichtung angegeben, bei der zwischen einem wellenlängendispersiven Element und einem teilweise reflektierenden Spiegel ein solches Paar von anamorphen Prismen angeordnet ist, das so konfiguriert ist, dass ein Winkel vergrößert wird, der von einer optischen Achse regulärer Oszillationen eines Strahls mit regulärer Oszillation, der von jedem der lichtemittierenden Punkte emittiert wird, und einer optischen Achse der Kreuzkopplungen eines Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen gebildet wird, der von einem anderen von den lichtemittierenden Punkten ausgeht. Daher ist es möglich, Oszillationsverluste des Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu vergrößern, so dass Fokussierungseigenschaften verbessert werden, ohne die Abmessungen der Vorrichtung zu vergrößern.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Laservorrichtung, die so konfiguriert ist, dass sie mittels Wellenlängendispersion eines wellenlängendispersiven Elements Strahlen überlagert, die eine Vielzahl von Wellenlängen aufweisen, die von einer Vielzahl von lichtemittierenden Punkten erzeugt werden, und dass sie den überlagerten Strahl abgibt.
STAND DER TECHNIK
Bislang ist eine solche Halbleiter-Laservorrichtung bekannt, die ein Spatial-Filter aufweist, das zwischen einem wellenlängendispersiven Element und einem teilweise reflektierenden Spiegel eines externen Laser-Resonators angeordnet ist, um einen Ausgangsstrahl mit Kreuzkopplungs-Oszillationen aufgrund von optischen Wegen des externen Laser-Resonators zu unterdrücken, die von verschiedenen lichtemittierenden Punkte erzeugt werden (siehe zum Beispiel Patentliteratur 1 und Patentliteratur 2).
LITERATURLISTE
PATENTLITERATUR

PTL 1: US 06 192 062 B2
PTL 2: US 07 065 107 B2

KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Technisches Problem
Halbleiter-Laservorrichtungen weisen jedoch ein Problem dahingehend auf, dass Oszillationen mit einem Schlitz interferieren, der in dem Spatial-Filter verwendet wird, und die Laserausgangsleistung somit verringert ist.
Um zu verhindern, dass die Oszillationen mit dem Schlitz interferieren, und um die Abmessung der Vorrichtung zu verringern, ist es ferner notwendig, die Brennweiten von Linsen zu verringern, die in dem Spatial-Filter verwendet werden, was zu einem Problem dahingehend führt, dass die Laserausgangsleistung und Fokussierungseigenschaften aufgrund von Aberrationen der Linsen verringert sind.
Darüber hinaus bestehen Probleme dahingehend, dass der Schlitz anfällig dafür ist, während der Schlitz-Justierung zu verschmoren, da der Schlitz an den Fokuspositionen der Linsen angeordnet ist und es demzufolge sehr schwierig ist, den Schlitz zu justieren, und dass ein Kühlmechanismus für den Schlitz erforderlich ist, um das Verschmoren des Schlitzes in den Griff zu bekommen, was zu hohen Kosten führt.
Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleiter-Laservorrichtung anzugeben, die in der Lage ist, Oszillationsverluste von Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu erhöhen, so dass Fokussierungseigenschaften verbessert werden, ohne die Abmessungen der Vorrichtung zu vergrößern.
Lösung für das Problem
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiter-Laservorrichtung angegeben, die Folgendes aufweist: einen externen Laser-Resonator, der Folgendes aufweist: ein wellenlängendispersives Element, bei dem Strahlen von einer Vielzahl von lichtemittierenden Punkten überlagert werden; sowie einen teilweise reflektierenden Spiegel, auf den die Strahlen treffen, die das wellenlängendispersive Element durchlaufen haben, und der so konfiguriert ist, dass er einen Teil der Strahlen in einen Außenraum abgibt und einen verbleibenden Teil der Strahlen reflektiert, wobei der externe Laser-Resonator so konfiguriert ist, dass er mittels Wellenlängendispersion des wellenlängendispersiven Elements die Strahlen, die eine Vielzahl von Wellenlängen aufweisen, die von der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten erzeugt werden, überlagert und einen Strahl mit regulärer Oszillation, der von jedem der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten abgestrahlt wird, in den Außenraum abgibt; sowie ein einen Winkel vergrößerndes Element, das zwischen dem wellenlängendispersiven Element und dem teilweise reflektierenden Spiegel angeordnet ist und das so konfiguriert ist, dass es einen Winkel vergrößert, der von einer optischen Achse regulärer Oszillationen, bei der es sich um eine optische Achse des Strahls mit regulären Oszillationen handelt, und einer optischen Achse der Kreuzkopplungen gebildet wird, bei der es sich um eine optische Achse eines Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen handelt, der von einem anderen der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten ausgeht.
Vorteilhafte Effekte der Erfindung
Gemäß der Halbleiter-Laservorrichtung der vorliegenden Erfindung ist zwischen dem wellenlängendispersiven Element und dem teilweise reflektierenden Spiegel ein solches einen Winkel vergrößerndes Element angeordnet, das so konfiguriert ist, dass es den Winkel vergrößert, der von der optischen Achse regulärer Oszillationen des Strahls mit regulären Oszillationen, der von jedem der lichtemittierenden Punkte emittiert wird, und der optischen Achse der Kreuzkopplungen des Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen gebildet wird, der von einem anderen der lichtemittierenden Punkte ausgeht. Daher ist es möglich, Oszillationsverluste des Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu erhöhen, so dass die Fokussierungseigenschaften verbessert werden, ohne die Abmessungen der Vorrichtung zu vergrößern.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
In den Zeichnungen zeigen:
1 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung einer Halbleiter-Laservorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
2 eine graphische Darstellung, um Spektren eines Strahls mit regulärer Oszillation der Halbleiter-Laservorrichtung gemäß 1 zu zeigen;
3 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung von Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen in der Halbleiter-Laser-vorrichtung;
4 eine graphische Darstellung, um Spektren der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu zeigen;
5 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung eines Verfahrens, mit dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen der Halbleiter-Laservorrichtung unterdrückt werden;
6 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung eines Effekts, mit dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen in der Halbleiter-Laservorrichtung gemäß 1 unterdrückt werden;
7 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung einer Halbleiter-Laservorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
8 ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung einer Halbleiter-Laservorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen sind die gleichen oder entsprechende Teile für die Beschreibung mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
ERSTE AUSFÜHRUNGSFORM
1 ist ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung einer Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die Halbleiter-Laservorrichtung 40 ist so konfiguriert, dass Lichtstrahlen, die von einem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und einem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b eines ersten Halbleiterlasers 1a beziehungsweise eines zweiten Halbleiterlasers 1b zu einem einzigen Strahl überlagert werden, indem ein Wellenlängendispersions-Effekt eines wellenlängendispersiven Elements 5 verwendet wird.
Bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 ist als Laser-Resonator ein optisches System aus optischen Elementen zwischen Oberflächen der lichtemittierenden Punkte 2a und 2b der Halbleiterlaser 1a und 1b, die Oberflächen der lichtemittierenden Seite derselben gegenüberliegen, und einem teilweise reflektierenden Spiegel 7 gebildet. Ferner dienen die lichtemittierenden Punkte 2a und 2b in den Halbleiterlasern 1a und 1b im Allgemeinen selbst als Laser-Resonatoren. In der folgenden Beschreibung wird der vorstehend erwähnte Laser-Resonator, der außerhalb der lichtemittierenden Punkte 2a und 2b montiert ist und den teilweise reflektierenden Spiegel 7 und dergleichen als Komponenten aufweist, als ein externer Laser-Resonator bezeichnet.
Um die Darstellung zu vereinfachen, sind in 1 zwei Halbleiterlaser mit dem ersten Halbleiterlaser 1a und dem zweiten Halbleiterlaser 1b dargestellt, und die lichtemittierenden Punkte 2a und 2b sind jeweils bei den Halbleiterlasern 1a und 1b angeordnet (als Einzel-Emitter-Halbleiterlaser bezeichnet).
Die Anzahl von lichtemittierenden Punkten kann größer als die Anzahl von Halbleiterlasern sein. Ferner können außerdem in einem Fall, in dem eine Vielzahl von lichtemittierenden Punkten bei einem einzigen Halbleiterlaser vorhanden ist (bei einer sogenannten Halbleiterlaser-Leiste), Lichtstrahlen von einer Vielzahl von lichtemittierenden Punkten mittels des wellenlängendispersiven Elements 5 zu einem einzigen Strahl überlagert werden.
Wenngleich sich die Strahlen in dem externen Laser-Resonator in Wirklichkeit hin und her bewegen, wird zunächst eine Ausbreitung der Strahlen in einer Richtung von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 hin beschrieben.
Die Strahlen, die von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b der Halbleiterlaser 1a und 1b erzeugt werden, werden emittiert, wobei sie divergieren. Um die von den Halbleiterlasern 1a und 1b erzeugten Strahlen zu einem Modus des externen Resonators zu koppeln, werden die Strahlen im Wesentlichen durch optische Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b kollimiert.
Als optische Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b können zylindrische Linsen, sphärische Linsen, asphärische Linsen oder Spiegel mit Krümmungen oder Kombinationen derselben verwendet werden.
Im Allgemeinen weisen die Lichtstrahlen, die von den Halbleiterlasern 1a und 1b erzeugt werden, einen anisotropen Divergenzwinkel auf und weisen somit unterschiedliche Divergenzwinkel zwischen einer Richtung vertikal zu der Blattebene der Zeichnung und in einer Richtung in der Blattebene der Zeichnung auf. Demzufolge ist es erstrebenswert, dass eine Vielzahl von Linsen oder Spiegeln mit Krümmungen in Kombination als optische Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b verwendet werden.
Ferner können die optischen Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b in diesem Fall optische Strahlrotations-Systeme umfassen.
Als optisches Strahlrotations-System können eine Anordnung zylindrischer Linsen, die in einer Veröffentlichung offenbart ist (siehe Japanische Patentanmeldungs-Offenlegungsschrift JP 2000-137 139 A , 2), ein Reflexionsspiegel, der in einer Internationalen Veröffentlichung WO 98/08128 offenbart ist oder dergleichen verwendet werden.
Mit den vorstehend erwähnten optischen Strahlrotations-Systemen werden anisotrope Strahlen, die von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b emittiert werden, in einer Ebene vertikal zu optischen Achsen um 90° gedreht.
Die Strahlen, die im Wesentlichen durch die optischen Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b kollimiert werden, überlappen einander im Raum bei dem wellenlängendispersiven Element 5 durch ein optisches Kopplungssystem 4.
Wenngleich das optische Kopplungssystem 4 mit einer Brennweite f in 1 als eine Linse dargestellt ist, können eine zylindrische Linse, eine sphärische Linse, eine asphärische Linse oder ein Spiegel mit einer Krümmung oder eine Kombination derselben als das optische Kopplungssystem 4 verwendet werden.
Als wellenlängendispersives Element 5 können ein reflektives Beugungsgitter, ein durchlässiges Beugungsgitter, ein Prisma oder ein Element (ein Gitterprisma) verwendet werden, bei dem ein Beugungsgitter und ein Prisma kombiniert sind. Wenn die Wellenlängendispersion groß ist, das heißt, wenn ein Unterschied der Beugungswinkel oder der Brechungswinkel zwischen emittierten Strahlen mit zwei unterschiedlichen Wellenlängen groß ist, können die Strahlen von der Vielzahl von Halbleiterlasern 1a und 1b in einem kleinen Raum überlagert werden. Somit ist es erstrebenswert, dass ein Beugungsgitter anstatt eines Prismas verwendet wird.
Wenn unterschiedliche Lichtstrahlen, die von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittiert werden, bestimmte unterschiedliche Wellenlängen aufweisen, werden die von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b einfallenden Strahlen aufgrund der Wellenlängendispersion des wellenlängendispersiven Elements 5 zu einem einzigen Strahl überlagert, das heißt, aufgrund derartiger Eigenschaften, dass sich die Beugungswinkel oder die Brechungswinkel in Abhängigkeit von der Wellenlänge ändern.
Der einzelne Strahl, der durch Überlagerung der Strahlen erhalten wird, durchläuft ein Paar 6 von anamorphen Prismen, das als ein einen Winkel vergrößerndes Element dient, und wird dann zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 hin emittiert.
Dabei ist das Paar 6 von anamorphen Prismen derart orientiert, dass lediglich eine Größe 21 eines Ausgangsstrahls mit regulärer Oszillation in einer Achse parallel zu der Blattebene der Zeichnung verringert wird, nachdem der Strahl, der von dem wellenlängendispersiven Element 5 zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 läuft, das Paar 6 von anamorphen Prismen durchlaufen hat.
Das Paar 6 von anamorphen Prismen, das zwei Prismen aufweist, kann die Strahlgröße lediglich in einer Richtung ändern und wird häufig für den Zweck der Formveränderung eines ellipsenförmigen Strahls in einen kreisförmigen Strahl verwendet.
Ein Teil des Strahls, der auf den teilweise reflektierenden Spiegel 7 abgestrahlt wird, wird durch den teilweise reflektierenden Spiegel 7 hindurchgelassen und als Ausgangsstrahl 10 mit regulärer Oszillation extrahiert. Der verbleibende Teil wird von dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 reflektiert.
Der reflektierte Strahl pflanzt sich auf dem gleichen Weg wie der Strahl fort, der von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b in einer entgegengesetzten Richtung zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 läuft, gelangt zu dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a des ersten Halbleiterlasers 1a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b des zweiten Halbleiterlasers 1b und kehrt ordnungsgemäß zu rückseitigen Endoberflächen des ersten lichtemittierenden Punkts 2a des ersten Halbleiterlasers 1a und des zweiten lichtemittierenden Punkts 2b des zweiten Halbleiterlasers 1b zurück. Auf diese Weise wird eine Funktion als externer Laser-Resonator erreicht.
Um den externen Laser-Resonator zu erhalten, werden Positionen und Winkel des teilweise reflektierenden Spiegels 7, das wellenlängendispersive Element 5, das optische Kopplungssystem 4 sowie die optischen Strahlkollimations-Systeme 3a und 3b justiert.
In einem Zustand, in dem der externe Laser-Resonator erhalten wird, ist eine optische Achse zwischen dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 und dem wellenlängendispersiven Element 5 ausgebildet, und zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b sind zwei verschiedene optische Achsen ausgebildet. Die zwei verschiedenen optischen Achsen verbinden das wellenlängendispersive Element 5 und den ersten lichtemittierenden Punkt 2a miteinander und verbinden das wellenlängendispersive Element 5 und den zweiten lichtemittierenden Punkt 2b miteinander. Laseroszillationswellenlängen von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b werden automatisch derart bestimmt, dass diese optischen Achsen gebildet werden.
Das heißt, wenn die Funktion des externen Laser-Resonators bei der Halbleiter- Laservorrichtung 40 erhalten wird, werden die Oszillationswellenlängen des ersten lichtemittierenden Punkts 2a und des zweiten lichtemittierenden Punkts 2b automatisch derart bestimmt, dass der externe Laser-Resonator mit einer optischen Achse regulärer Oszillationen 20 erhalten wird, bei der es sich um die eine optische Achse handelt, die zwischen dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 und dem wellenlängendispersiven Element 5 in 1 ausgebildet ist. Die Wellenlängen unterscheiden sich voneinander.
Im Folgenden wird dieser Oszillationsstrahl als ein Strahl mit regulärer Oszillation bezeichnet.
In 2 sind Wellenlängenspektren während einer Emission des Strahls mit regulärer Oszillation gezeigt.
Bei diesem Strahl mit regulärer Oszillation werden zwei Strahlen von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b überlagert und werden von dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 als einzelner Ausgangstrahl 10 mit regulärer Oszillation emittiert. Somit kann die Luminanz ungefähr verdoppelt werden. Die Luminanz kann weiter verbessert werden, wenn die Anzahl von Halbleiterlasern und die Anzahl von lichtemittierenden Punkten erhöht werden.
Auch wenn die optischen Elemente in dem externen Laser-Resonator derart justiert sind, dass die optische Achse 20 regulärer Oszillationen gemäß 1 ausgebildet ist, kann indessen eine unerwünschte Laseroszillation auftreten.
Wie später noch näher beschrieben, oszillieren Laserstrahlen jeweils unerwünscht durch einen anderen als den ersten lichtemittierenden Punkt 2a und den zweiten lichtemittierenden Punkt 2b. Im Folgenden wird dieser unerwünschte Laseroszillationsstrahl als ein Strahl mit Kreuzkopplungs-Oszillationen bezeichnet.
Als nächstes werden die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
Um eine Beschreibung der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu vereinfachen, weist die Halbleiter-Laservorrichtung 40 in 3 die minimale Anzahl von optischen Elementen auf, und das Paar 6 von anamorphen Prismen, das in 1 dargestellt ist, ist nicht zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 angebracht.
In 3 sind die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen, bei denen es sich um die optischen Achsen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen handelt, mit den gestrichelten Linien gekennzeichnet, und die optische Achse 20 regulärer Oszillationen ist mit der durchgezogenen Linie gekennzeichnet.
Die optische Achse 20 regulärer Oszillationen befindet sich an einem Punkt auf dem wellenlängendispersiven Element 5 und tritt senkrecht in den teilweise reflektierenden Spiegel 7 ein.
Demgegenüber sind die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen nicht auf einen Punkt bei dem wellenlängendispersiven Element 5 fokussiert und treten nicht vertikal, sondern schräg in den teilweise reflektierenden Spiegel 7 ein.
Die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen treffen schräg auf dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b auf und werden schräg von diesen emittiert. Die Strahlen können mit bestimmten Winkelöffnungen von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b erzeugt werden, und demzufolge kann der externe Laser-Resonator auch mit den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen erhalten werden, bei denen es sich um Strahlen handelt, die schräg zu dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b verlaufen.
Dabei wird ein Teil des von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a emittierten Strahls spiegelartig von dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 reflektiert und tritt dann in den zweiten lichtemittierenden Punkt 2b ein. Ein Teil des von dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittierten Strahls wird spiegelartig von dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 reflektiert und tritt dann in den ersten lichtemittierenden Punkt 2a ein.
Auf diese Weise wird der externe Laser-Resonator mit den optischen Wegen erhalten, auf denen die Strahlen in einer hin und her gehenden Weise auf dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b auftreffen und von diesen emittiert werden.
Dabei verläuft die optische Achse 20 regulärer Oszillationen senkrecht zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 und ist eine optische Achse, während die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen schräg zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 verlaufen, wie in 3 dargestellt.
Folglich werden zusätzlich zu dem Ausgangsstrahl 10 mit regulärer Oszillation, der von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen erzeugt wird, Ausgangsstrahlen 11a und 11b mit Kreuzkopplungs-Oszillationen gemischt, die unterschiedliche Verlaufsrichtungen aufweisen, um die Fokussierungseigenschaften des von dem externen Laser-Resonator erzeugten Strahls zu reduzieren.
Nachstehend werden vor einer detaillierten Beschreibung der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen die folgenden zwei Bedingungen angegeben.
Bedingung (1) ist, dass es sich bei einer Oszillationswellenlänge aufgrund einer Kreuzkopplung, wie in 4 gezeigt, um eine mittlere Wellenlänge zwischen den Oszillationswellenlängen des ersten lichtemittierenden Punkts 2a und des zweiten lichtemittierenden Punkts 2b während der Emission des Strahls mit regulärer Oszillation handelt.
Bedingung (2) ist, dass Emissionswinkel der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen bei einer Emission von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b in Bezug auf die optische Achse 20 regulärer Oszillationen vertikal symmetrisch sind.
Die vorstehend angegebenen Bedingungen werden verwendet, um die Beschreibung leicht verständlich zu machen, und Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen sind unter anderen Bedingungen als den vorstehend erwähnten Bedingungen faktisch denkbar. Die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen sind mit den vorstehend erwähnten Bedingungen jedoch ausreichend verständlich.
Basierend auf der Bedingung (2) sind die Emissionswinkel der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen, die von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittiert werden, +θ1 beziehungsweise –θ1, wie in 3 dargestellt.
Basierend auf der Bedingung (1) erstrecken sich die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen nach einem Durchlaufen des wellenlängendispersiven Elements 5 unter Winkeln +θg beziehungsweise –θg und schneiden sich mit der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei dem teilweise reflektierenden Spiegel 7.
Ein Teil der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen, die in den teilweise reflektierenden Spiegel 7 eintreten, wird spiegelartig reflektiert. Bei den spiegelartig reflektierten Strahlen tritt die optische Achse 30 der Kreuzkopplungen, die von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a emittiert wird, in den zweiten lichtemittierenden Punkt 2b ein, und die optische Achse 30 der Kreuzkopplungen, die von dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittiert wird, tritt in den ersten lichtemittierenden Punkt 2a ein. Auf diese Weise werden optische Wege des Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen gebildet.
Als nächstes wird ein Verfahren beschrieben, bei dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden.
In 3 ist ein Abstand von dem wellenlängendispersiven Element 5 zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 mit L1 vorgegeben. Dieser Abstand wird mit L2 (> L1) vorgegeben, wie in 5 dargestellt. Dabei werden die Wellenlängen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen basierend auf der Bedingung 1 nicht geändert, und demzufolge verbleiben die Winkel, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 gebildet werden, bei +θg beziehungsweise –θg, welche die gleichen wie jene gemäß 3 sind.
Folglich hat das Maß einer Abweichung der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei dem wellenlängendispersiven Element 5 bei der Konfiguration gemäß 3 einen Wert D1 und hat bei der Konfiguration gemäß 5 den Wert D2 = (L2/L1) × D1. Dabei weist D2 einen größeren Wert auf als D1.
Im Ergebnis sind die Emissionswinkel der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen, die von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittiert werden, Winkel von +θ2 beziehungsweise –θ2 in Bezug auf die optische Achse 20 regulärer Oszillationen.
Dabei sind die Relationen θ2 = (L2/L1) × θ1 sowie θ2 > θ1 erfüllt.
Es ist denkbar, dass dann, wenn die Winkel vergrößert werden, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen, die von dem ersten lichtemittierenden Punkt 2a und dem zweiten lichtemittierenden Punkt 2b emittiert werden, und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen gebildet werden, eine Resonanz der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen bei den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b unterdrückt wird und ein Oszillationsverlust der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen erhöht wird.
Somit können die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden, indem der Wert für die Winkel θ2 erhöht wird, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen gemäß 5 gebildet werden.
Um die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu unterdrücken, lässt sich aus der vorstehenden Beschreibung entnehmen, dass es effektiv ist, die vorstehend erwähnten Winkel θ2 zu vergrößern, das heißt das Maß einer Abweichung der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei dem wellenlängendispersiven Element 5 zu erhöhen.
Der Winkel θg ist jedoch im Allgemeinen ein signifikant kleiner Wert, und demzufolge muss L2 signifikant erhöht werden, um D2 auf einen Wert zu erhöhen, der eine Unterdrückung der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen ermöglicht, was zu einem Problem dahingehend führt, dass die Abmessungen der Vorrichtung beträchtlich vergrößert werden.
Die Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform ist indessen so konfiguriert, dass die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden, ohne die Abmessungen der Vorrichtung beträchtlich zu vergrößern. Nachstehend wird unter Bezugnahme auf 6 ein Effekt beschrieben, mit dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden.
Gemäß 6 weist das Paar 6 von anamorphen Prismen einen Effekt auf, durch den die Größe eines Strahls in einer Achse parallel zu der Blattebene der Zeichnung um das 1/A-Fache verringert wird, wenn der Strahl das Paar 6 von anamorphen Prismen in einer Richtung zu den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b hin durchläuft, bei der es sich um eine Emissionsrichtung des Strahls handelt. Hierbei ist A eine natürliche Zahl ungleich 0, und der Wert von A kann frei gewählt werden, indem die Anordnung und die Form des Paars 6 von anamorphen Prismen eingestellt wird. Kommerziell vertriebene Paare von anamorphen Prismen weisen in vielen Fällen einen Wert für A von etwa 2 bis 6 auf.
Wenn dabei im Hinblick auf die Winkel der optischen Achsen die Winkel, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen gebildet werden, zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem Paar 6 von anamorphen Prismen +θg beziehungsweise –θg betragen, dann haben die Winkel, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen gebildet werden, zwischen dem Paar 6 von anamorphen Prismen und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 die Werte +Aθg beziehungsweise –Aθg, die A-Mal so groß wie +θg und –θg in der Blattebene der Zeichnung sind.
Dabei weist das Maß der Abweichung D4 der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei dem wellenlängendispersiven Element 5 einen ausreichend kleinen Wert von θg auf, und demzufolge ist D4 ≈ AD3 erfüllt.
Während es effektiv ist, das vorstehend erwähnte Maß einer Abweichung D4 zu erhöhen, um die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu unterdrücken, wie vorstehend beschrieben, wird festgestellt, dass stattdessen in der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform nur der Wert von D3 erhöht werden muss. Es muss nur L3 erhöht werden, um D3 zu erhöhen.
Dabei betragen die Winkel, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen zwischen dem Paar 6 von anamorphen Prismen und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 gebildet werden, +Aθg beziehungsweise –Aθg. Die Winkel, die von den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen und der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen gebildet werden, sind um das A-Fache erhöht, und demzufolge ist ein Maß einer Erhöhung von D3 zusammen mit einer Erhöhung von L3 ebenfalls um das A-Fache erhöht.
Hier wird ein Fall betrachtet, bei dem mit der Verwendung der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform, wie in 6 dargestellt, ein Effekt, durch den die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden, äquivalent zu jenem der in 5 dargestellten Konfiguration erzielt wird, bei welcher der Abstand von dem wellenlängendispersiven Element 5 zu dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 mit L2 vorgegeben ist.
Um den Effekt, bei dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden, äquivalent zu jenem gemäß 5 zu erzielen, muss nur die Relation D4 = AD3 = D2 erfüllt sein. Dementsprechend wird ein Wert von L3 bestimmt, mit dem D3 = D2/A erfüllt ist.
Werte für D3 und D2 werden basierend auf den Ausdrücken (1) und (2) bestimmt. D3 ≈ Aθg × L3 (1) D2 = θg × L2 (2) L3 wird aus dem Ausdruck (1) bestimmt. L3 = D3/Aθg (3)
Nun ist D3 = D2/A erfüllt, und demzufolge wird der Ausdruck (3) umgeformt wie folgt: L3 = D2/A²θg (4)
Das Folgende ist erfüllt, wenn der Ausdruck (2) in den Ausdruck (4) substituiert wird. L3 = L2/A² (5)
Durch die vorstehende Berechnung wird festgestellt, dass nur L3 = L2/A² erfüllt sein muss, um D3 = D2/A zu erfüllen.
Wie vorstehend beschrieben, ist gemäß der Halbleiter-Laservorrichtung 40 der ersten Ausführungsform zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 ein solches Paar 6 von anamorphen Prismen angeordnet, das als ein den Winkel vergrößernde Element dient, das so konfiguriert ist, dass die Winkel vergrößert werden, die von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen des Strahls mit regulärer Oszillation, der von jedem von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b emittiert wird, und den optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen gebildet werden, die jeweils durch einen anderen der lichtemittierenden Punkte 2a und 2b schwingen.
Daher werden bemerkenswerte Effekt erzielt, mit denen eine effiziente Unterdrückung der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen erreicht wird, so dass die Fokussierungseigenschaften verbessert werden, während der Abstand zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 klein gehalten wird, ohne ein Spatial-Filter zu verwenden, das aufgrund einer Aberration von Linsen oder einer Interferenz von Strahlen mit einem abschirmenden Element eine Verringerung der Ausgangsleistung verursacht.
ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM
7 ist ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der zweiten Ausführungsform handelt es sich um die Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform, zu der eine Apertur 8 in der Nähe von dem wellenlängendispersiven Element 5 hinzugefügt worden ist. Mit der Apertur 8 werden die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen physisch blockiert.
Die Aperturweite der Apertur 8 ist größer als die Weite 21 eines Ausgangsstrahls mit regulärer Oszillation der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen, und die Apertur 8 ist so angeordnet, dass sie mit dem Ausgangsstrahl 10 mit regulärer Oszillation interferiert. Eine grobe Angabe für die Aperturweite der Apertur 8 ist, dass sie mehr als 1,1-Mal so groß wie die Breite des Ausgangsstrahls 10 mit regulärer Oszillation ist, in der 99 % der gesamten Energie des Ausgangsstrahls 10 mit regulärer Oszillation enthalten ist.
Auch wenn die Aperturweite der Apertur 8 groß ist, wie vorstehend beschrieben, ist das Maß der Abweichung der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der zweiten Ausführungsform so groß wie bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform, und demzufolge können die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen auch bei Verwendung einer derartigen Apertur 8 mit einer großen Aperturweite effektiv blockiert werden.
Ferner ist es möglich, dass die Apertur 8 nicht an einer Position in der Nähe von dem des wellenlängendispersiven Element 5 angeordnet wird, sondern in der Nähe von dem optischen Kopplungssystem 4 angeordnet wird. Kurz gesagt, es ist lediglich notwendig, die Apertur 8 an einer Position zwischen dem optischen Kopplungssystem 4 und dem wellenlängendispersiven Element 5 anzuordnen, bei der die Apertur 8 die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen effektiv unterdrücken kann.
Die restliche Konfiguration ist die gleiche wie jene der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform.
Gemäß der Halbleiter-Laservorrichtung 40 der zweiten Ausführungsform ist die Apertur 8 zwischen dem optischen Kopplungssystem 4 und dem wellenlängendispersiven Element 5 angeordnet, bei denen es sich um Komponenten des externen Laser-Resonators handelt, und demzufolge kann der Effekt des Unterdrückens der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen stets auf einem bestimmten Niveau gehalten werden, ohne dass er durch individuelle Unterschiede der lichtemittierenden Punkte 2a und 2b, wie beispielsweise zulässige Winkelöffnungen, beeinflusst wird.
Ferner können Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen, welche die zulässigen Winkelöffnungen der lichtemittierenden Punkte 2a und 2b nicht überschreiten, ebenfalls blockiert werden, und demzufolge kann der Abstand L3 zwischen dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 und dem Paar 6 von anamorphen Prismen weiter verkürzt werden, so dass eine weitere Verringerung der Abmessungen der Vorrichtung ermöglicht wird.
Wenngleich bei der Beschreibung der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß jeder vorstehend beschriebenen Ausführungsform das Paar 6 von anamorphen Prismen als ein den Winkel vergrößerndes Element verwendet wird, ist das den Winkel vergrößernde Element selbstverständlich nicht auf diese Konfiguration beschränkt und kann auch ein anderes Element sein, solange dieses Element die gleiche Funktion aufweist.
Wenngleich ferner die Halbleiter-Laservorrichtung gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform als eine Halbleiter-Laservorrichtung beschrieben ist, bei der das optische Kopplungssystem 4, das so konfiguriert ist, dass es die Strahlen von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b bei dem wellenlängendispersiven Element überlagert, zwischen den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b und dem wellenlängendispersiven Element 5 angeordnet ist, so ist die vorliegende Erfindung auch auf eine Halbleiter-Laservorrichtung anwendbar, bei der die Strahlen von den lichtemittierenden Punkten 2a und 2b direkt bei dem wellenlängendispersiven Element 5 überlagert werden.
Ferner kann die Apertur 8 an anderen Positionen als der Position zwischen dem optischen Kopplungssystem 4 und dem wellenlängendispersiven Element 5 angeordnet sein, wie beispielsweise an einer Position auf der Seite der lichtemittierenden Punkte (2a, 2b) des optischen Kopplungssystems 4 oder an einer Position auf der Seite des Paares 6 von anamorphen Prismen des wellenlängendispersiven Elements 5. Ferner kann die Apertur 8 an jeder Position angeordnet sein, anstatt an der einen Position angeordnet zu sein.
DRITTE AUSFÜHRUNGSFORM
8 ist ein schematisches Diagramm einer Konfiguration zur Darstellung der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der dritten Ausführungsform, zu der im Vergleich zu der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der ersten Ausführungsform ein Paar von anamorphen Prismen hinzugefügt ist, sind ein erstes Paar 6a von anamorphen Prismen und ein zweites Paar 6b von anamorphen Prismen zwischen dem wellenlängendispersiven Element 5 und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 angeordnet. In 8 sind die optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen in den Paaren 6a und 6b von anamorphen Prismen weggelassen.
Ein Winkelvergrößerungs-Verhältnis des hinzugefügten zweiten Paars 6b von anamorphen Prismen ist mit B dargestellt. Dann ist das Maß der Abweichung D4 der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen von der optischen Achse 20 regulärer Oszillationen bei dem wellenlängendispersiven Element 5 gleich D4 ≈ A × B × D3, wenn ein Abstand zwischen dem zweiten Paar 6b von anamorphen Prismen und dem teilweise reflektierenden Spiegel 7 mit L3 vorgegeben ist.
Es ist effizient, das vorstehend erwähnte Maß der Abweichung D4 zu vergrößern, um die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu unterdrücken, und demzufolge zeigt die Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der dritten Ausführungsform einen Effekt, mit dem die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen unterdrückt werden, der stärker als die vorstehend beschriebenen ist.
Wenn der Abstand zwischen dem ersten Halbleiterlaser 1a und dem zweiten Halbleiterlaser 1b verkürzt wird, dann wird der Laufwinkel θg der optischen Achsen 30 der Kreuzkopplungen nach dem Durchlaufen des wellenlängendispersiven Elements 5 verringert. Somit ist es schwierig, die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu unterdrücken.
In diesem Fall ist es effektiv, ein Winkelvergrößerungs-Verhältnis des Paars 6 von anamorphen Prismen zu vergrößern, um die Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen zu unterdrücken. Es muss lediglich ein in 8 dargestellter Winkel α2 vergrößert werden, um das Winkelvergrößerungs-Verhältnis des Paars 6 von anamorphen Prismen zu vergrößern. Wenn jedoch α2 vergrößert wird, dann wird ein Verlust aufgrund von Reflexionen vergrößert, um die Oszillationseffizienz zu verringern.
Bei der Verwendung der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der dritten Ausführungsform kann jedoch ein Effekt des Unterdrückens der Kreuzkopplung erhöht werden, ohne Winkelvergrößerungs-Verhältnisse der jeweiligen Paare 6a und 6b von anamorphen Prismen zu vergrößern, so dass eine Verringerung von Oszillationsverlusten ermöglicht wird.
Bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der dritten Ausführungsform ist die Vielzahl von Paaren 6a und 6b von anamorphen Prismen so angeordnet, dass der Effekt des Unterdrückens der Strahlen mit Kreuzkopplungs-Oszillationen erhöht werden kann, ohne Oszillationsverluste zu vergrößern.
Wenngleich bei der Halbleiter-Laservorrichtung 40 gemäß der dritten Ausführungsform zwei Paare 6a und 6b von anamorphen Prismen angeordnet sind, so ist die Anzahl von Paaren von anamorphen Prismen selbstverständlich nicht auf zwei beschränkt und kann gleich drei oder höher sein.
Bezugszeichenliste

1a: erster Halbleiterlaser
1b: zweiter Halbleiterlaser
2a: erster lichtemittierender Punkt
2b: zweiter lichtemittierender Punkt
3: optisches Strahlkollimations-System
4: optisches Kopplungssystem
5: wellenlängendispersives Element
6: Paar von anamorphen Prismen (den Winkel vergrößerndes Element)
6a: erstes Paar von anamorphen Prismen (den Winkel vergrößerndes Element)
6b: zweites Paar von anamorphen Prismen (den Winkel vergrößerndes Element)
7: teilweise reflektierender Spiegel
10: Ausgangsstrahl mit regulärer Oszillation
11: Ausgangsstrahl mit Kreuzkopplungs-Oszillationen
20: optische Achse regulärer Oszillationen
21: Größe eines Ausgangsstrahls mit regulärer Oszillation
30: optische Achse der Kreuzkopplungen
40: Halbleiter-Laservorrichtung

Claims

Halbleiter-Laservorrichtung, die Folgendes aufweist: – einen externen Laser-Resonator, der Folgendes aufweist: – ein wellenlängendispersives Element, bei dem Strahlen von einer Vielzahl von lichtemittierenden Punkten überlagert werden; und – einen teilweise reflektierenden Spiegel, der mit den Strahlen bestrahlt wird, die das wellenlängendispersive Element durchlaufen haben, und der so konfiguriert ist, dass er einen Teil der Strahlen in einen Außenraum abgibt und einen verbleibenden Teil der Strahlen reflektiert, wobei der externe Laser-Resonator so konfiguriert ist, dass mittels Wellenlängendispersion des wellenlängendispersiven Elements die Strahlen überlagert werden, die eine Vielzahl von Wellenlängen aufweisen, die von der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten erzeugt werden, und dass ein Strahl mit regulärer Oszillation, der von jedem der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten ausgeht, in den Außenraum abgegeben wird; und ein einen Winkel vergrößerndes Element, das zwischen dem wellenlängendispersiven Element und dem teilweise reflektierenden Spiegel angeordnet ist und das so konfiguriert ist, dass ein Winkel vergrößert wird, der von einer optischen Achse regulärer Oszillationen, bei der es sich um eine optische Achse des Strahls mit regulärer Oszillation handelt, und einer optischen Achse der Kreuzkopplungen gebildet wird, bei der es sich um eine optische Achse eines Strahls mit Kreuzkopplungs-Oszillationen handelt, der von einem anderen der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten ausgeht, um dadurch ein Maß einer Abweichung der optischen Achse der Kreuzkopplungen von dem Strahl mit regulärer Oszillation bei dem wellenlängendispersiven Element zu vergrößern.
Halbleiter-Laservorrichtung nach Anspruch 1, die ferner ein einen Winkel vergrößerndes Element oder eine Vielzahl von einen Winkel vergrößernden Elementen aufweist, die zwischen dem einen Winkel vergrößernden Element und dem teilweise reflektierenden Spiegel angeordnet sind.
Halbleiter-Laservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das einen Winkel vergrößernde Element ein Paar von anamorphen Prismen aufweist.
Halbleiter-Laservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, die ferner ein optisches Kopplungssystem aufweist, das zwischen der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten und dem wellenlängendispersiven Element angeordnet ist, wobei das optische Kopplungssystem so konfiguriert ist, dass die Strahlen von der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten bei dem wellenlängendispersiven Element überlagert werden.
Halbleiter-Laservorrichtung nach Anspruch 4, die ferner eine Apertur aufweist, die so konfiguriert ist, dass verhindert wird, dass der Strahl mit Kreuzkopplungs-Oszillationen in das wellenlängendispersive Element eintritt, wobei die Apertur zumindest an einer von einer Position zwischen dem optischen Kopplungssystem und der Vielzahl von lichtemittierenden Punkten, einer Position zwischen dem wellenlängendispersiven Element und dem einen Winkel vergrößernden Element und einer Position zwischen dem optischen Kopplungssystem und dem wellenlängendispersiven Element angeordnet ist.
Halbleiter-Laservorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Aperturweite der Apertur größer als die Strahlgröße des Strahls mit regulärer Oszillation ist.