DE112014006786B4 - Leistungshalbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Leistungshalbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleiterschaltelement (2g);eine Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen (4) und eine Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen (5), die jeweils elektrisch mit dem Halbleiterschaltelement verbunden sind und Überstandabschnitte aufweisen, welche von einer Anordnungsoberfläche des Halbleiterschaltelements vorstehen;eine gedruckte Platine (6), die über der Anordnungsoberfläche angeordnet ist; undeine auf der gedruckten Platine verdrahtete Signalleitung (8), welche eine Gate-Signalleitung (8a) und eine Emitter-Signalleitung (8b) aufweist, die elektrisch mit dem Halbleiterschaltelement (2g) verbunden sind, wobei die Gate-Signalleitung (8a) und die Emitter-Signalleitung (8b) mit Bezug auf die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen und die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen einen gesamten Umfang aller Überstandabschnitte umgeben und in einer Draufsicht mit einem Abstand davon angeordnet sind.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leistungshalbleitervorrichtung, die ein Halbleiterschaltelement aufweist.
  • Stand der Technik
  • Eine Leistungshalbleitervorrichtung, die ein Halbleiterschaltelement aufweist, wird in einem Inverter, einem Konverter oder dergleichen eingesetzt (z.B. Patentdokument 1).
  • Dokument des Stands der Technik
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP 2001 - 185 679 A
  • Aus der JP 2010 - 27 710 A ist ein Halbleitermodul bekannt, welches parallel geschaltete Halbleiterschaltelemente, einen Kollektor-Relaisleiter zum Verbinden eines Kollektoranschlusses mit Kollektorelektroden der Halbleiterschaltelemente, Emitterdrähte und einen Emitter-Relais-Leiter zum Verbinden eines Emitteranschlusses mit Emitterelektroden und eines Gate-Relaisleiters zum Verbinden einer Gate-Elektrode mit Gate-Elektroden aufweist, wobei der Kollektor-Relaisleiter, der Emitter-Relais-Leiter, der Gate-Relais-Leiter und die Emitterdrähte so angeordnet sind, dass die induzierte elektromotorische Kraft, die der Gate-Relais-Leiter mit durch den Kollektor-Relais-Leiter und den Emitter-Relais-Leiter fließenden Strömen erzeugt, gleich der induzierten elektromotorischen Kraft ist, die die Emitterdrähte erzeugen.
  • Aus der JP 2010 - 27 691 A ist ein Halbleiterbauelement bekannt, welches ein Leistungsbauelement, das auf einer Basisplatine angeordnet ist, einen Gate-Ansteuersignaleingangsanschluss, einen Emittererfassungsanschluss und eine Ansteuersignalübertragungsverdrahtung aus einer Metallplatte umfasst, die das Gate des Leistungsbauelements mit dem Gate-Ansteuersignaleingang verbindet und eine Emittererfassungsverdrahtung aus einer Metallplatte, den Emitter der Leistungsvorrichtung mit dem Emittererfassungsanschluss verbindet.
  • Aus der JP 2009 - 21 345 A ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, welches einen Hauptelektrodenanschluss, zu dem ein Kollektor-Emitter-Strom eines Leistungshalbleiterelements fließt, und eine Verdrahtungsplatine aufweist, die eine elektrische Steuerung über das Leistungshalbleiterelement ausführt und in der Nähe des Hauptelektrodenanschlusses angeordnet ist. Dabei weist eine Verdrahtungsschaltungsplatine ein Emittermuster, das mit dem Emitter des Leistungshalbleiterelements verbunden ist, und ein Gatemuster auf, das mit dem Gate des Leistungshalbleiterelements verbunden ist, wobei das Gatemuster ein Induktionsverursachungsmuster aufweist, das sich parallel zu einer Richtung erstreckt, in der der Strom des Hauptelektrodenanschlusses fließt, um durch das Emittermuster abgeschirmt zu sein.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • In einer Leistungshalbleitervorrichtung schwingt eine Gate-Signalwellenform unmittelbar nach dem Abschalten. Obwohl ein Mechanismus eines Auftretens dieses Schwingungsphänomens nicht vollständig geklärt worden ist, wird gefordert, dieses Schwingungsphänomen zu unterbinden, da eine solche Schwingung einer Gate-Signalwellenform einen fehlerhaften Betrieb einer Leistungshalbleitervorrichtung hervorrufen kann.
  • Deshalb ist die vorliegende Erfindung angesichts eines solchen Problems, wie vorstehend beschrieben, entwickelt worden und zielt darauf, eine Technik zur Verfügung zu stellen, die ein Unterbinden einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform ermöglicht.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs. Die Unteransprüche haben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung zum Inhalt.
  • Wirkung der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Schwingung einer Gate-Signalwellenform unterbunden werden.
  • Aufgaben, Merkmale, Betriebsarten und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und den begleitenden Zeichnungen anschaulicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anordnung einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • 2 ist eine perspektivische Schnittansicht, die schematisch einen Teil einer Anordnung der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 3 ist eine perspektivische Schnittansicht, die schematisch einen Teil einer Anordnung der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anordnung einer ähnlichen Halbleitervorrichtung zeigt.
    • 5 ist ein Diagramm, das eine Wellenform jedes Signals der ähnlichen Halbleitervorrichtung zeigt.
    • 6 ist ein Diagramm, das eine Wellenform jedes Signals der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 7 ist eine perspektivische Schnittansicht, die schematisch einen Teil einer Anordnung einer nicht erfindungsgemäßen Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einem modifizierten Beispiel der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 8 ist eine perspektivische Schnittansicht, die schematisch einen Teil einer Anordnung einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
  • Arten zum Ausführen der Erfindung
  • <Erste Ausführungsform>
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anordnung einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und 2 und 3 sind perspektivische Schnittansichten, aufgenommen entlang von Linien A-A und B-B in 1. In 2 und 3 ist zur Erleichterung eines Verständnisses eine Darstellung eines Teils von Komponenten der Leistungshalbleitervorrichtung aus 1 weggelassen, und eine Anordnung einer Gate-Signalelektrode 3d und einer Emitter-Signalelektrode 3e aus 1 ist verändert.
  • Die Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform weist eine Basisplatte 1 für eine Wärmeableitung, eine Mehrzahl von Chip-Aufbausubstraten 2, eine Mehrzahl von Signalelektrodenabschnitten 3, eine Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen 4, eine Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen 5 und eine in 1 gezeigte gedruckte Platine 6, einen Emitter-Draht 7a, einen Gate-Signaldraht 7b und einen Emitter-Signaldraht 7c, die in 2 gezeigt sind, und eine in 3 gezeigte Signalleitung 8 auf.
  • Die Mehrzahl von Chip-Aufbausubstraten 2 und die Mehrzahl von Signalelektrodenabschnitten 3 sind auf einer Hauptoberfläche der Basisplatte 1 für eine Wärmeableitung angeordnet, die aus Metall besteht.
  • Jedes Chip-Aufbausubstrat 2 weist ein Lötmittel 2a, eine Metallelektrode 2b, ein isolierendes Substrat 2c (d.h. Keramiksubstrat), eine Kollektor-Elektrode 2d, eine Emitter-Elektrode 2e, ein Lötmittel 2f und einen Leistungshalbleiter-Chip 2g auf, die in 2 gezeigt sind.
  • Das Lötmittel 2a, die Metallelektrode 2b und das isolierende Substrat 2c sind in dieser Folge auf der Hauptoberfläche der Basisplatte 1 für eine Wärmeableitung angeordnet. Die Kollektor-Elektrode 2d und die Emitter-Elektrode 2e sind auf einer Hauptoberfläche des isolierenden Substrats 2c angeordnet. Der Leistungshalbleiter-Chip 2g ist durch das Lötmittel 2f mit der Kollektor-Elektrode 2d verbunden.
  • In der vorliegenden ersten Ausführungsform ist der Leistungshalbleiter-Chip 2g durch einen Halbleiter mit breiter Bandlücke zum Beispiel aus Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Diamant oder dergleichen aufgebaut und ist auf einem nicht gezeigten Halbleitermodul angeordnet. Dann weist der Leistungshalbleiter-Chip 2g ein nicht gezeigtes Halbleiterschaltelement wie zum Beispiel einen IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) und eine nicht gezeigte Diode auf.
  • Jeder Signalelektrodenabschnitt 3 weist ein Lötmittel 3a, eine Metallelektrode 3b, ein isolierendes Substrat 3c (z.B. Keramiksubstrat), die Gate-Signalelektrode 3d und die Emitter-Signalelektrode 3e auf, die in 2 gezeigt sind.
  • Das Lötmittel 3a, die Metallelektrode 3b und das isolierende Substrat 3c sind in dieser Folge auf der Hauptoberfläche der Basisplatte 1 für eine Wärmeableitung angeordnet. Die Gate-Signalelektrode 3d und die Emitter-Signalelektrode 3e sind auf einer Hauptoberfläche des isolierenden Substrats 3c angeordnet und weisen Überstandabschnitte auf, die von der Anordnungsoberfläche vorstehen und die gedruckte Platine 6 erreichen.
  • Der Leistungshalbleiter-Chip 2g ist über den Emitter-Draht 7a elektrisch mit der Emitter-Elektrode 2e verbunden, ist über den Gate-Signaldraht 7b elektrisch mit der Gate-Signalelektrode 3d verbunden und ist über den Emitter-Signaldraht 7c elektrisch mit der Emitter-Signalelektrode 3e verbunden.
  • Jeder Kollektor-Hauptanschluss 4 ist über die Kollektor-Elektrode 2d elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Chip 2g (Halbleiterschaltelement) verbunden und weist einen Überstandabschnitt auf, der von einer Anordnungsoberfläche des Leistungshalbleiter-Chips 2g (Halbleiterschaltelement) vorsteht. In der vorliegenden ersten Ausführungsform korrespondiert die Anordnungsoberfläche des Leistungshalbleiter-Chips 2g zu der Hauptoberfläche des isolierenden Substrats 2c.
  • Jeder Emitter-Hauptanschluss 5 ist über den Emitter-Draht 7a und die Emitter-Elektrode 2e elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Chip 2g (Halbleiterschaltelement) verbunden und weist einen Überstandabschnitt auf, der von der Anordnungsoberfläche des Leistungshalbleiter-Chips 2g (Halbleiterschaltelement) vorsteht. In der vorstehenden Anordnung sind der Kollektor-Hauptanschluss 4 und der Emitter-Hauptanschluss 5 parallel zu dem Leistungshalbleiter-Chip 2g angeschlossen.
  • Die Anzahlen der Kollektor-Hauptanschlüsse 4 und der Emitter-Hauptanschlüsse 5 können jeweils jede mehrzahlige Anzahlen sein und sind nicht auf jeweils drei beschränkt, wie in 1 gezeigt. Ein 1-in-1-Gehäuse (ein Element in einem Modul) setzt in vielen Fällen eine Struktur voraus, in welcher sowohl zwei der Kollektor-Hauptanschlüsse 4 als auch zwei der Emitter-Hauptanschlüsse 5 oder sowohl drei der Kollektor-Hauptanschlüsse 4 als auch drei der Emitter-Hauptanschlüsse 5 mit dem Halbleiterschaltelement verbunden sind, um einen parallelen Stromfluss zu diesen Anschlüssen herzustellen.
  • Die gedruckte Platine 6 ist so über der Anordnungsoberfläche des Leistungshalbleiter-Chips 2g angeordnet, dass sie parallel zu der Anordnungsoberfläche liegt, und ist mit einer Mehrzahl von Löchern 6a versehen, die in einer Draufsicht eine quadratische Form aufweisen, wie in 1 und 3 gezeigt. Dann sind in jedem Loch 6a Überstandabschnitte eines Paars des Kollektor-Hauptanschlusses 4 und des Emitter-Hauptanschlusses 5 frei eingepasst. In einer solchen Anordnung umgibt die gedruckte Platine 6 mit Bezug auf die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen 4 und die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen 5 einen gesamten Umfang aller Überstandabschnitte und ist in einer Draufsicht mit einem Abstand davon angeordnet.
  • Die Signalleitung 8 weist, wie in 3 gezeigt, eine Gate-Signalleitung 8a und eine Emitter-Signalleitung 8b auf und ist zu der gedruckten Platine 6 verdrahtet. In 3 ist, obwohl die Gate-Signalleitung 8a auf einer oberen Oberfläche der gedruckten Platine 6 verdrahtet ist und die Emitter-Signalleitung 8b auf einer rückseitigen Oberfläche der gedruckten Platine 6 verdrahtet ist, die Verdrahtung nicht darauf beschränkt, und zum Beispiel können sowohl die Gate-Signalleitung 8a als auch die Emitter-Signalleitung 8b gemeinsam auf einer von der oberen Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche der gedruckten Platine 6 verdrahtet sein.
  • Ähnlich wie die gedruckte Platine 6 umgibt die Signalleitung 8 (die Gate-Signalleitung 8a und die Emitter-Signalleitung 8b) mit Bezug auf die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen 4 und die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen 5 einen gesamten Umfang aller Überstandabschnitte und ist in einer Draufsicht mit einem Abstand davon angeordnet. Ein Abstand (eine Lücke) zwischen den Signalleitungen 8 (der Gate-Signalleitung 8a und der Emitter-Signalleitung 8b) und jedem aus der Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen 4 und der Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen 5 ist unter Berücksichtigung einer Spannungsfestigkeit und einer Größe bestimmt, die für die Leistungshalbleitervorrichtung benötigt werden. Zum Beispiel liegt dieser Abstand (die Lücke) in einer Leistungshalbleitervorrichtung, die eine Spannungsfestigkeit von 3,3kV oder mehr aufweist, bevorzugt in der Größenordnung von 3,0 bis 30,0mm mit Hinblick auf ein Verhindern eines außerordentlichen Anwachsens einer Größe eines Gehäuses. Dieser numerische Wert wird unter der Annahme berechnet, dass eine Isolationsspannungsfestigkeit einer Atmosphäre 3kV/mm ist.
  • Die Gate-Signalleitung 8a ist über die Gate-Signalelektrode 3d oder dergleichen elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Chip 2g (Halbleiterschaltelement) verbunden, und die Emitter-Signalleitung 8b ist über die Emitter-Signalelektrode 3e oder dergleichen elektrisch mit dem Leistungshalbleiter-Chip 2g (Halbleiterschaltelement) verbunden.
  • Als Nächstes wird vor der Beschreibung einer Wirkung der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform, die wie vorstehend beschrieben ausgelegt ist, eine dazu ähnliche Leistungshalbleitervorrichtung (nachfolgend als „ähnliche Halbleitervorrichtung“ bezeichnet) beschrieben.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anordnung der ähnlichen Halbleitervorrichtung zeigt. Wie in 4 gezeigt, ist in der ähnlichen Halbleitervorrichtung eine gedruckte Platine 6 in einem Bereich, der durch die gestrichelte Linie umgeben wird, geöffnet. Deshalb umgibt eine Signalleitung 8 in der ähnlichen Halbleitervorrichtung mit Bezug auf Überstandabschnitte einer Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen 4 und Überstandabschnitte einer Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen 5 einen gesamten Umfang aller Überstandabschnitte nicht, sodass sich die ähnliche Vorrichtung diesbezüglich von der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform unterscheidet.
  • Als Nächstes werden mit Bezug auf die Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform und der ähnlichen Halbleitervorrichtung Wellenformen von Signalen unmittelbar nach einem Abschalt-Schalten untersucht. 5 ist ein Diagramm, das eine Wellenform jedes Signals der ähnlichen Halbleitervorrichtung zeigt, und 6 ist ein Diagramm, das eine Wellenform jedes Signals der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform zeigt.
  • <Wirkung>
  • Wie aus den in 5 und 6 gezeigten Ergebnissen zu sehen ist, schwingt in der ähnlichen Halbleitervorrichtung eine Wellenform eines Gate-Signals, während in der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform eine Schwingung einer Wellenform eines Gate-Signals unterdrückt werden kann. Entsprechend kann gemäß der vorliegenden ersten Ausführungsform eine hoch zuverlässige Leistungshalbleitervorrichtung realisiert werden.
  • Insbesondere ist diese Wirkung gültig, weil ein Risiko besteht, dass ein solches Schwingungsphänomen in einer Vorrichtung auftritt, die durch einen Halbleiter mit breiter Bandlücke wie SiC oder dergleichen geformt ist.
  • Zusätzlich kann in der vorliegenden ersten Ausführungsform, da die Signalleitung 8 (die Gate-Signalleitung 8a und die Emitter-Signalleitung 8b) auf der gedruckten Platine 6 verdrahtet ist, die Signalleitung 8 einfach ausgebildet (verdrahtet) werden.
  • <Modifiziertes Beispiel>
  • In der ersten Ausführungsform weist die Signalleitung 8, die einen gesamten Umfang der Überstandabschnitte der Kollektor-Hauptanschlüsse 4 und des Emitter-Hauptanschlusses 5 umgibt, sowohl die Gate-Signalleitung 8a als auch die Emitter-Signalleitung 8b auf. Nicht erfindungsgemäß kann die Signalleitung 8 eine von der Gate-Signalleitung 8a und der Emitter-Signalleitung 8b aufweisen. 7 zeigt eine nicht erfindungsgemäße Anordnung, in welcher die Signalleitung 8 die Gate-Signalleitung 8a aufweist, ohne die Emitter-Signalleitung 8b aufzuweisen.
  • Im Hinblick auf ein Erhöhen einer Wirkung eines Unterdrückens einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform wie in der ersten Ausführungsform weist die Signalleitung 8 jedoch erfindungsgemäß sowohl die Gate-Signalleitung 8a als auch die Emitter-Signalleitung 8b auf.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 8 ist eine perspektivische Schnittansicht, die schematisch einen Teil einer Anordnung einer Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In der Leistungshalbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden zweiten Ausführungsform werden die gleichen oder ähnliche Komponenten wie die vorstehend beschriebenen durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und eine Beschreibung wird hauptsächlich von unterschiedlichen Teilen gegeben.
  • Wie in 8 gezeigt, wird in der vorliegenden zweiten Ausführungsform eine Emitter-Signalleitung 8b durch ein massives Muster als ein Massepotential auf einer gedruckten Platine ausgebildet (im Wesentlichen ein Loch von einer der Hauptoberflächen der gedruckten Platine 6 bedeckend). Dies ermöglicht eine Unterdrückung eines Einflusses einer elektromagnetischen Induktion, die durch einen durch einen Kollektor-Hauptanschluss 4 und einen Emitter-Hauptanschluss 5 fließenden Hauptstrom ausgeübt wird, auf der Signalleitung 8 mittels eines Abschirmeffekts der Emitter-Signalleitung 8b. Als eine Folge kann die Wirkung eines Unterdrückens einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform erhöht werden. Da eine Gate-Signalleitung 8a in der vorliegenden zweiten Ausführungsform außerdem durch ein massives Muster gebildet wird, kann zusätzlich die Wirkung eines Unterdrückens einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform ähnlich erhöht werden.
  • Weiter sind in der vorliegenden zweiten Ausführungsform die Gate-Signalleitung 8a und die Emitter-Signalleitung 8b aus flachen Platten parallel zueinander gebildet und schließen die gedruckte Platine 6 von oben und unten ein, sodass eine parallele flache Plattenstruktur (Mehrlagenverdrahtungsstruktur) gebildet wird. Dies ermöglicht eine Reduzierung einer Induktivität der Signalleitung 8, sodass der Einfluss einer elektromagnetischen Induktion, die durch einen durch den Kollektor-Hauptanschluss 4 und den Emitter-Hauptanschluss 5 fließenden Hauptstrom ausgeübt wird, auf der Signalleitung 8 unterdrückt werden kann. Als eine Folge kann die Wirkung eines Unterdrückens einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform weiter erhöht werden.
  • <Modifikationsbeispiele>
  • In der zweiten Ausführungsform ist sowohl die Gate-Signalleitung 8a als auch die Emitter-Signalleitung 8b durch ein massives Muster gebildet. Die Anordnung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und eine von der Gate-Signalleitung 8a und der Emitter-Signalleitung 8b kann aus einem massiven Muster gebildet sein und die andere kann nicht aus einem massiven Muster gebildet sein.
  • Auch mit einer solchen Anordnung des vorliegenden Modifikationsbeispiels kann die Wirkung der zweiten Ausführungsform zu einem gewissen Grad erhalten werden. Im Hinblick auf ein Erhöhen der Wirkung eines Unterdrückens einer Schwingung einer Gate-Signalwellenform wie in der zweiten Ausführungsform ist jedoch bevorzugt sowohl die Gate-Signalleitung 8a als auch die Emitter-Signalleitung 8b durch ein massives Muster gebildet.
  • Zusätzlich wird angenommen, dass eine vergleichsweise hohe Spannung an einen Kollektor-Hauptanschluss 4 angelegt wird, verglichen mit der anderen Komponente. In dieser Hinsicht kann der Kollektor-Hauptanschluss 4 mit einem Harz überzogen sein, das isolierende Eigenschaften aufweist. Mit einer solchen Anordnung kann, da ein Abstand (eine Lücke) zwischen der Signalleitung 8 und dem Kollektor-Hauptanschluss 4 reduziert werden kann (z.B. auf weniger als 3,0mm), während eine Spannungsfestigkeit der Leistungshalbleitervorrichtung aufrechterhalten wird, eine Größenreduzierung der Vorrichtung realisiert werden.
  • Die jeweiligen Ausführungsformen und Modifikationsbeispiele können kombiniert werden oder die jeweiligen Ausführungsformen und Modifikationsbeispiele können geeignet modifiziert oder weggelassen werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 2g
    Leistungshalbleiter-Chip
    4
    Kollektor-Hauptanschluss
    5
    Emitter-Hauptanschluss
    6
    gedruckte Platine
    8
    Signalleitung
    8a
    Gate-Signalleitung
    8b
    Emitter-Signalleitung

Claims (5)

  1. Leistungshalbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleiterschaltelement (2g); eine Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen (4) und eine Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen (5), die jeweils elektrisch mit dem Halbleiterschaltelement verbunden sind und Überstandabschnitte aufweisen, welche von einer Anordnungsoberfläche des Halbleiterschaltelements vorstehen; eine gedruckte Platine (6), die über der Anordnungsoberfläche angeordnet ist; und eine auf der gedruckten Platine verdrahtete Signalleitung (8), welche eine Gate-Signalleitung (8a) und eine Emitter-Signalleitung (8b) aufweist, die elektrisch mit dem Halbleiterschaltelement (2g) verbunden sind, wobei die Gate-Signalleitung (8a) und die Emitter-Signalleitung (8b) mit Bezug auf die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Kollektor-Hauptanschlüssen und die Überstandabschnitte der Mehrzahl von Emitter-Hauptanschlüssen einen gesamten Umfang aller Überstandabschnitte umgeben und in einer Draufsicht mit einem Abstand davon angeordnet sind.
  2. Leistungshalbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Gate-Signalleitung (8a) und die Emitter-Signalleitung (8b) aus flachen Platten parallel zueinander ausgebildet sind.
  3. Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der Kollektor-Hauptanschluss (4) mit einem Harz überzogen ist, das isolierende Eigenschaften aufweist.
  4. Leistungshalbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei mindestens eine von der Gate-Signalleitung (8a) und der Emitter-Signalleitung (8b) auf der gedruckten Platine durch ein massives Muster ausgebildet ist.
  5. Leistungshalbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei, das Halbleiterschaltelement (2g) in einem Halbleiter-Chip enthalten ist, der auf einem Halbleitermodul angeordnet und durch einen Halbleiter mit breiter Bandlücke geformt ist.
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