DE102013104742A1 - Verdrahtungselement und Halbleitermodul mit demselben - Google Patents

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Abstract

Ein Halbleiterelement enthält einen ersten Schenkelabschnitt (271), einen zweiten Schenkelabschnitt (272), einen dritten Schenkelabschnitt (273), eine erste Verbindungswand (276) und eine zweite Verbindungswand (277). Der erste Schenkelabschnitt (271) ist elektrisch mit einem ersten leitfähigen Abschnitt verbunden. Der zweite Schenkelabschnitt (272) ist elektrisch mit einem zweiten leitfähigen Abschnitt verbunden. Der dritte Schenkelabschnitt (273) ist elektrisch mit einem dritten leitfähigen Abschnitt verbunden. Die erste Verbindungswand (276) verbindet den ersten Schenkelabschnitt (271) und den zweiten Schenkelabschnitt (272). Die zweite Verbindungswand (277) verbindet den zweiten Schenkelabschnitt (272) und den dritten Schenkelabschnitt (273). Der erste Schenkelabschnitt (271), der zweite Schenkelabschnitt (272) und der dritte Schenkelabschnitt (273) sind nicht linear angeordnet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Verdrahtungselement und ein Halbleitermodul mit demselben.
  • HINTERGRUND DER ERINDUNG
  • In einem Halbleitermodul sind für gewöhnlich ein Halbleiterelement und ein Leiterrahmen durch eine Verdrahtung, einen Clip, oder dergleichen, elektrisch miteinander verbunden. In der JP 2011-204886 A wird beispielsweise beschrieben, ein Halbleiterelement und einen Leiterrahmen miteinander durch einen Kupferclip zu verbinden.
  • Wenn z. B. drei Abschnitte unter Verwendung des Kupferclips, wie in der JP 2011-204886 A beschrieben, verbunden sind, sind zwei Clips erforderlich. Dadurch steigt die Anzahl der Komponenten an. Ferner sind die zwei Clips an vier Abschnitten mit einem leitfähigen Adhäsiv, wie zum Beispiel Lötzinn, verbunden. Somit wird normalerweise auch die Verbindungsfläche größer.
  • KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Verdrahtungselement zu schaffen, welches geeignet ist, die Anzahl an Komponenten zu reduzieren und eine Packdichte zu verbessern. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ein Halbleitermodul mit dem entsprechenden Verdrahtungselement zu schaffen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Verdrahtungselement einen ersten Schenkelabschnitt, einen zweiten Schenkelabschnitt, einen dritten Schenkelabschnitt, eine erste Verbindungswand und eine zweite Verbindungswand. Der erste Schenkelabschnitt ist mit einem ersten leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden. Der zweite Schenkelabschnitt ist mit einem zweiten leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden. Der dritte Schenkelabschnitt ist mit einem dritten leitfähigen Abschnitt elektrisch verbunden. Die erste Verbindungswand verbindet den ersten Schenkelabschnitt und den zweiten Schenkelabschnitt. Die zweite Verbindungswand verbindet den zweiten Schenkelabschnitt und den dritten Schenkelabschnitt. Ferner sind der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt nicht linear angeordnet.
  • Bei der vorstehend beschriebenen Konfiguration verbindet das Verdrahtungselement den ersten leitfähigen Abschnitt, den zweiten leitfähigen Abschnitt und den dritten leitfähigen Abschnitt elektrisch. D. h., der erste leitfähige Abschnitt, der zweite leitfähige Abschnitt und der dritte leitfähige Abschnitt sind durch das Verdrahtungselement, welches ein einzelnes Stück ist, elektrisch gekoppelt bzw. verbunden. Daher wird die Anzahl an Komponenten für die Verdrahtung reduziert. Außerdem wird die Anzahl der Verbindungsabschnitte reduziert. In einem Fall, in welchem das Verdrahtungselement bei einem Halbleitermodul vorgesehen wird, reduziert sich auch die Pack- bzw. Baudichte des Halbleitermoduls.
  • Ferner, da der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt nicht linear zueinander angeordnet sind, sind der Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten Schenkelabschnitt und dem ersten leitfähigen Abschnitt, der Verbindungsabschnitt zwischen dem zweiten Schenkelabschnitt und dem zweiten leitfähigen Abschnitt und der Verbindungsabschnitt zwischen dem dritten Schenkelabschnitt und dem dritten leitfähigen Abschnitt an Spitzen bzw. Eckpunkten eines Dreiecks angeordnet. In solch einem Fall ist es wahrscheinlich, dass, selbst wenn sich die Höhen des Verdrahtungselements und der leitfähigen Abschnitte aufgrund eines Herstellungsfehlers und dergleichen von vorgegebenen bzw. Soll-Höhen unterscheiden bzw. versetzt sind, sich das Verdrahtungselement in Richtung des Zentrums des Dreiecks neigt, das durch die drei Verbindungsabschnitte vorgesehen ist. Daher sind die drei leitfähigen Abschnitte vorteilhaft durch das einzelne Verdrahtungselement gekoppelt bzw. verbunden. Ferner ist es unwahrscheinlicher, dass das Verdrahtungselement abfällt, da das Verdrahtungselement mit den leitfähigen Abschnitten an drei Positionen verbunden ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorstehende und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen deutlicher ersichtlich, wobei in den Zeichnungen gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 ein Schaltungsdiagramm, das eine Schaltungsstruktur eines Halbleitermoduls gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
  • 2 ein Diagramm, das eine Draufsicht einer Innenstruktur des Halbleitermoduls gemäß der Ausführungsform darstellt;
  • 3 ein Diagramm, das eine Draufsicht eines Clips gemäß der Ausführungsform darstellt;
  • 4 ein Diagramm, das eine Seitenansicht des Clips darstellt, betrachtet entlang des Pfeils IV in 3;
  • 5 ein Schaltungsdiagramm zum Darstellen einer Schaltungsstruktur, die durch den Clip im Halbleitermodul gemäß der Ausführungsform vorgesehen wird;
  • 6A ein erläuterndes Diagramm, das eine Draufsicht des Clips in einem Fall darstellt, in welchem ein Herstellungsfehler erzeugt wird, gemäß der Ausführungsform;
  • 6B ein erläuterndes Diagramm gemäß der Ausführungsform, das eine Seitenansicht des Clips in einem Fall darstellt, in welchem der Herstellungsfehler vorliegt;
  • 6C ein erläuterndes Diagramm gemäß der Ausführungsform, das eine perspektivische Ansicht des Clips in einem Fall darstellt, in welchem der Herstellungsfehler vorliegt;
  • 7A ein erläuterndes Diagramm, das eine Draufsicht des Clips als ein Vergleichsbeispiel zur Ausführungsform in einem Fall darstellt, in welchem ein Herstellungsfehler vorliegt;
  • 7B ein erläuterndes Diagramm, das eine Seitenansicht des Clips als das Vergleichsbeispiel in dem Fall darstellt, in welchem der Herstellungsfehler vorliegt; und
  • 8 ein Diagramm, das eine Draufsicht eines Clips gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Beispielhafte Ausführungsformen eines Verdrahtungselements und eines Halbleitermoduls mit dem Verdrahtungselement werden hiernach mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. In den beispielhaften Ausführungsformen werden gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Ein Verdrahtungselement und ein Halbleitermodul gemäß einer Ausführungsform werden mit Bezug auf die 1 bis 6 beschrieben. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Halbleitermodul beispielsweise in einem Motortreiber bzw. einer Motorsteuerung vorgesehen. Zuerst wird, mit Bezug auf 1, eine Struktur des Motortreibers beschrieben, in welchem das Halbleitermodul der ersten Ausführungsform vorgesehen ist.
  • Der Motortreiber 1 enthält ein Halbleitermodul 10, einen Kondensator 53 und eine Steuereinheit 90. Der Motortreiber 1 konvertiert DC-Leistung einer Batterie 50 als Leistungsquelle in eine dreiphasige AC-Leistung und treibt einen Motor 80 als eine Last an. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist der Motor 80 beispielsweise ein dreiphasiger bürstenloser Motor.
  • Der Motortreiber 1 enthält eine Leistungsrelaiseinheit 55 und eine Invertereinheit 60. Die Leistungsrelaiseinheit 55 enthält zwei Leistungsrelais 56, 57. Die Leistungsrelais 56, 57 sind in Serie zueinander geschaltet bzw. verbunden. Die Leistungsrelais 56, 57 sind z. B. als Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) vorgesehen, welche ein Typ eines Feldeffekttransistors sind. In den Leistungsrelais 56, 57 wird elektrischer Strom zwischen der Source und dem Drain gemäß einem Gatepotential eingeschaltet und ausgeschaltet. Durch entsprechende Funktionen bzw. Betätigung der Leistungsrelais 56, 57 verbindet die Leistungsrelaiseinheit 55 die Batterie 50 und die Invertereinheit 60 und trennt sie entsprechend.
  • Das Leistungsrelais 56 ist vorgesehen, um elektrischen Strom in Richtung des Motors 80 im Falle einer Fehlfunktion, wie einer Verbindungstrennung oder eines Kurzschlusses, abzuschalten. Das Leistungsrelais 57 ist mit dem Leistungsrelais 56 derart verbunden, dass eine Richtung einer parasitischen Diode des Leistungsrelais 57 in entgegengesetzter Richtung einer parasitischen Diode des Leistungsrelais 56 ist. Daher beschränkt die Leistungsrelaiseinheit 55, dass elektrischer Strom in eine reversible bzw. rückwärtige Richtung fließt, wie z. B. vom Inverter 60 zur Batterie 50, falls die Batterie 50 oder der Kondensator 53 aus Versehen falsch herum angeschlossen ist.
  • Die Invertereinheit 60 enthält sechs Schaltelemente 61 bis 66, die eine Brückenschaltung ausbilden. Ähnlich den Leistungsrelais 56, 57 sind die Schaltelemente 61 bis 66 als Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) ausgebildet, welche vom Typ eines Feldeffekttransistors sind und in welchen elektrischer Strom zwischen der Source und dem Drain gemäß einem Gatepotential eingeschaltet und ausgeschaltet wird. Hiernach werden die Schaltelemente 61 bis 66 auch als FETs 61 bis 66 bezeichnet.
  • Die FETs 61, 62, 63 sind auf einer höheren Potentialseite der Brückenschaltung angeordnet und bilden einen oberen Zweig der Brückenschaltung. Die FETs 64, 65, 66 sind auf einer niedrigeren Potenzialseite der dritten Schaltung angeordnet und bilden einen unteren Zweig der Brückenschaltung. Die FETs 61, 62, 63 werden auch als FETs des oberen Zweigs bezeichnet und die FETs 64, 65, 66 werden auch als die FETs des unteren Zweigs bezeichnet.
  • Die Invertereinheit 60 enthält Motorrelais 67, 68, 69 als Lastrelais. Die Motorrelais 67, 68, 69 sind für die jeweiligen Phasen des Motors 80 vorgesehen. Jedes der Motorrelais 67, 68, 69 ist zwischen einem Verbindungspunkt des oberen Zweigs FET 61, 62, 63 und des unteren Zweigs FET 64, 65, 66 angeordnet, welche in der entsprechenden Phase sind, und einer Wicklung des Motors 80 in der entsprechenden Phase. Im Falle einer Fehlfunktion, wie einer Verbindungstrennung oder eines Kurzschlusses, schaltet jedes der Motorrelais 67, 68, 69 elektrischen Strom in Richtung des Motors 80 aus.
  • Ähnlich zu den Leistungsrelais 56, 57, 58 und den FETs 61 bis 66 sind die Motorrelais 67, 68, 69 als Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) vorgesehen, welche vom Typ eines Feldeffekttransistors sind und in welchen elektrischer Strom zwischen der Source und dem Drain gemäß einem Gatepotential eingeschaltet und ausgeschaltet wird.
  • Der FET 61 des oberen Zweigs, der FET 64 des unteren Zweigs und das Motorrelais 67 bilden eine U-Phasenschaltung 601 aus. Der FET 62 des oberen Zweigs, der FET 65 des unteren Zweigs und das Motorrelais 68 bilden eine V-Phasenschaltung 602 aus. Der FET 63 des oberen Zweigs, der FET 66 des unteren Zweigs und das Motorrelais 69 bilden eine W-Phasenschaltung 603 aus.
  • Mit Bezug auf die U-Phasenschaltung 601, ist der Drain des FET 61 mit einer Hochpotenzialleitung verbunden, die mit einer Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des FET 61 ist mit dem Drain des FET 64 verbunden.
  • Die Source des FET 64 ist durch einen Shunt-Widerstand 21 geerdet. Der Verbindungspunkt zwischen dem FET 61 und dem FET 64 ist mit einer U-Phasenwicklung des Motors 80 durch das Motorrelais 67 verbunden.
  • Bezüglich der V-Phasenschaltung 602 ist der Drain des FET 62 mit der Hochpotenzialleitung verbunden, die mit der Hochpotenzelektrode der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des FET 62 ist mit dem Drain des FET 65 verbunden. Die Source des FET 65 ist durch einen Shunt-Widerstand geerdet. Der Verbindungspunkt zwischen dem FET 62 und dem FET 65 ist mit einer V-Phasenwicklung des Motors 80 durch das Motorrelais 68 verbunden.
  • Bezüglich der W-Phasenschaltung 603 ist der Drain des FET 63 mit der Hochpotenzialleitung verbunden, die mit der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, und die Source des FET 63 ist mit dem Drain des FET 66 verbunden. Die Source des FET 66 ist über einen Shunt-Widerstand geerdet. Der Verbindungspunkt zwischen dem FET 63 und dem FET 66 ist mit einer W-Phasenwicklung des Motors 80 durch das Motorrelais 69 verbunden.
  • Jeder der Shunt-Widerstände 21, 22, 23 erfasst elektrischen Strom, der an der entsprechenden Phase des Motors 18 angelegt wird. Insbesondere erfasst der Shunt-Widerstand 21 elektrischen Strom, der an der U-Phasenwicklung angelegt wird. Der Shunt-Widerstand 22 erfasst elektrischen Strom, der an der V-Phasenwicklung angelegt wird. Der Shunt-Widerstand 23 erfasst elektrischen Strom, der an der W-Phasenwicklung angelegt wird.
  • Der Kondensator 53 ist zwischen der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 und der Invertereinheit 60 angeordnet. Der Kondensator 53 reduziert ein Rauschen, das von anderen Vorrichtungen übertragen wird, welche die Batterie 50 mit dem Motortreiber bzw. der Motorsteuerung 1 teilen. Der Kondensator 53 vermindert zudem, dass das Rauschen vom Motortreiber 1 zu anderen Vorrichtungen übertragen wird, die die Batterie 50 mit dem Motortreiber 1 teilen. Der Kondensator 53 ist z. B. als Aluminiumelektrolytkondensator vorgesehen.
  • Die Steuereinheit 90 enthält einen Vor-Treiber 91, eine Custom bzw. Maß-IC 92 und einen Mikrocomputer (MC) 94. Die Maß-IC 92 enthält einen Erfassungsspannungsverstärkungsteil (ERF SPAN VERST) 97 und dergleichen als Funktionsblock. Der Erfassungsspannungsverstärkungsteil 97 erfasst Spannungen an beiden Enden von jedem der Shunt-Widerstände 21, 22, 23 und verstärkt diese Spannungen. Ferner gibt der Erfassungsspannungsverstärkungsteil 97 die verstärkten Spannungen an den Mikrocomputer 94 aus.
  • Der Mikrocomputer 94 erfasst den elektrischen Strom, der am Motor 80 angelegt wird, basierend auf den Spannungen an beiden Enden der Shunt-Widerstände 21, 22, 23, welche vom Erfassungsspannungsverstärkungsteil 97 ausgegeben werden. Der Mikrocomputer 94 empfängt Signale, wie z. B. Signale, die einen Umdrehungswinkel des Motors 80 anzeigen. Der Mikrocomputer 94 treibt den Vor-Treiber 91 basierend auf den empfangenen Signalen an, wodurch die Invertereinheit 60 gesteuert wird.
  • Insbesondere ist ein Ausgangsanschluss des Vor-Treibers 91 mit dem Gate von jedem der FETs 61 bis 66 verbunden. Der Vor-Treiber 91 verändert eine Gatespannung, die an dem Gate des FET 61 bis 66 angelegt wird, um den FET 61 bis 66 einzuschalten und auszuschalten. Entsprechend verändert der Mikrocomputer 94 die Gatespannung, die an jedem der Leistungsrelais 56, 57 und den Motorrelais 67, 68, 69 angelegt wird, um die Relais 56, 57, 67, 68, 69 einzuschalten und auszuschalten.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Leistungsrelaiseinheit 55 und die Invertereinheit 60 in einem Halbleitermodul 10 integriert. Eine Struktur bzw. ein Aufbau des Halbleitermoduls 10 wird mit Bezug auf 2 beschrieben.
  • Wie in 2 dargestellt, enthält das Halbleitermodul 10 einen Leiterrahmen 30 aus einer Kupferplatte und einen geformten Teil 16, der den Leiterrahmen 30 aufnimmt. Das Halbleitermodul 10 weist eine im Wesentlichen flache Plattenform in der Gesamtstruktur auf. Der geformte Teil 16 ist mit Löchern 17, 18 ausgebildet. Das Halbleitermodul 10 ist z. B. an einem anderen Element fixiert, wie beispielsweise einem Kühlkörper, und zwar durch Fixierelemente, wie z. B. Schrauben, die in die Löcher 17, 18 eingebracht werden.
  • Der Leiterrahmen 30 weist Leistungsanschlüsse 31 bis 41, Steueranschlüsse 45 und Stege 301 bis 315 auf. Die Leistungsanschlüsse 31 bis 41 ragen von einer der Längsseiten des geformten Teils 16 (z. B. der Oberseite in 2) hervor. Die Steueranschlüsse 45 ragen von der anderen Längsseite des geformten Teils 16 (z. B. der unteren Seite in 2) hervor. Die Breiten der Leistungsanschlüsse 31 bis 41 sind relativ groß und beispielsweise größer als jene der Steueranschlüsse 45. Die Leistungsanschlüsse 31 bis 41 sind elektrisch mit den Wicklungen des Motors 80, der Batterie 50 und dergleichen verbunden. Die Steueranschlüsse 45 sind mit einem Steuersubstrat (nicht dargestellt) verbunden.
  • Das Leistungsrelais 56 der Leistungsrelaiseinheit 55 ist an dem Steg 301 montiert. Der Steg 301 ist mit dem Leistungsanschluss 31, der mit der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, integriert ausgestaltet. Das Leistungsrelais 56 ist am Steg 301 derart montiert, dass der Drain benachbart zum Steg 301 und die Source auf einer oberen Oberfläche entgegengesetzt zum Steg 301 ist. Der Drain des Leistungsrelais 56 ist mit dem Steg 301 verbunden.
  • Das Leistungsrelais 57, die FETs 61 bis 66 und die Motorrelais 67, 68, 69 sind an einem entsprechenden Steg derart montiert, dass die Source und der Drain mit dem entsprechenden Steg verbunden sind, und zwar auf eine ähnliche Weise wie bei dem Leistungsrelais 56.
  • Das Leistungsrelais 57 ist am Steg 302 vorgesehen bzw. montiert. Der Steg 302 ist mit den Leistungsanschlüssen 32, welche mit der Invertereinheit 60 verbunden sind, integriert vorgesehen.
  • Die Source des Leistungsrelais 56, die Source des Leistungsrelais 57 und der Steg 303 der mit dem Steueranschluss 45 integriert ist, sind durch einen Clip 26 verbunden. Die Struktur des Clips 26 wird später im Detail beschrieben.
  • Mit Bezug auf die U-Phasenschaltung 601 der Invertereinheit 60 ist der FET 61 am Steg 305 montiert. Der Steg 305 ist mit dem Leistungsanschluss 34, der mit der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, integriert vorgesehen. Der FET 64 ist am Steg 306 montiert, der mit dem Steueranschluss 54 integriert vorgesehen ist. Das Motorrelais 67 ist am Steg 304 montiert. Der Steg 304 ist mit dem Leistungsanschluss 33, der mit der U-Phasenwicklung des Motors 80 verbunden ist, integriert vorgesehen. Die Source des Motorrelais 67, die Source des FET 61 und der Steg 306, der mit dem Drain des FET 64 verbunden ist, sind durch den Clip 67 verbunden. Die Source des FET 64 ist mit dem Steg 313 durch den Shunt-Widerstand 21 verbunden. Der Steg 313 ist mit dem Leistungsanschluss 35 integriert vorgesehen, der mit der Masse verbunden ist.
  • Mit Bezug auf die V-Phasenschaltung 602 ist der FET 62 am Steg 308 montiert. Der Steg 308 ist mit dem Leistungsanschluss 38, der mit der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, integriert vorgesehen. Der FET 56 ist am Steg 309 montiert, der mit dem Steueranschluss 45 integriert vorgesehen ist. Das Motorrelais 68 ist am Steg 307 montiert. Der Steg 307 ist mit dem Leistungsanschluss 37, der mit der V-Phasenwicklung des Motors 80 verbunden ist, integriert vorgesehen. Die Source des Motorrelais 68, die Source des FET 62 und der Steg 309, mit welchem der Drain des FET 65 verbunden ist, sind durch einen Clip 28 verbunden. Die Source des FET 65 ist mit dem Steg 314 durch den Shunt-Widerstand 22 verbunden. Der Steg 314 ist mit dem Leistungsanschluss 36 integriert vorgesehen, der mit der Masse verbunden ist.
  • Mit Bezug auf die W-Phasenschaltung 603 ist der FET 63 am Steg 311 montiert. Der Steg 311 ist mit dem Leistungsanschluss 40, der mit der Hochpotenzialelektrode der Batterie 50 verbunden ist, integriert vorgesehen. Der FET 66 ist am Steg 312 montiert, der mit dem Steueranschluss 45 integriert vorgesehen ist. Das Motorrelais 69 ist am Steg 310 montiert. Der Steg 310 ist mit dem Leistungsanschluss 39, der mit der W-Phasenwicklung des Motors 80 verbunden ist, integriert vorgesehen. Die Source des Motorrelais 69, die Source des FET 63 und der Steg 312, mit welchem der Drain des FET 66 verbunden ist, sind durch einen Clip 29 verbunden. Die Source des FET 66 ist mit dem Steg 315 durch den Shunt-Widerstand 23 verbunden. Der Steg 315 ist mit dem Leistungsanschluss 41, der mit der Masse verbunden ist, integriert vorgesehen.
  • In der vorliegenden Ausführungsform werden die Clips 26 bis 29 als Verdrahtungselemente (Verbindungselemente) zum elektrischen Verwenden von Komponenten im Halbleitermodul 10 verwendet.
  • Die Clips 26 bis 29 bestehen aus einem leitfähigen Material wie Kupfer. Der Clip 26 bis 29 kann zur Verbesserung der Montagefähigkeit oder Langlebigkeit flach ausgestaltet bzw. geplättet werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht z. B. jeder des Clips 26 bis 29 aus einer gepressten flachen Kupferplatte. Wenn das elektrische Verbinden unter Verwendung der plattenförmigen Clips 26 bis 29 mit einem relativ großen Querschnittsbereich anstelle von Verbindungsdrähten bzw. Kabeln vorgesehen wird, kann der Verbindungswiderstand reduziert werden.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Leistungsrelais 56, 57 durch die MOSFETs vorgesehen, die größer als die FETs 61 bis 66 und die Motorrelais 67, 68, 69 sind. Daher ist die Breite des Clips 26 größer als die des Clips 27 bis 29, und zwar bezüglich der Größe der entsprechenden MOSFET, um den Verbindungswiderstand bzw. Schnittstellenwiderstand zu reduzieren.
  • Bei der Schaltung des Halbleitermoduls 10 weisen die Clips 26 bis 29 Verdrahtungsabschnitte/elektrische Verbindungsabschnitte auf, wie sie durch eine gestrichelte Linie in 5 dargestellt sind. Insbesondere sieht der Clip 27 einen Verdrahtungsabschnitt vor, der durch eine gestrichelte Linie L1 dargestellt ist, der Clip 28 sieht einen Verdrahtungsabschnitt vor, der durch eine gestrichelte Linie L2 dargestellt ist und der Clip 29 sieht einen Verdrahtungsabschnitt vor, der durch eine gestrichelte Linie L3 dargestellt ist. Außerdem sieht der Clip 26 einen Verdrahtungsabschnitt vor, der durch eine gestrichelte Linie L4 dargestellt ist.
  • Die Clips 26 bis 29 weisen eine im Wesentlichen ähnliche Form auf. Daher wird der Clip 27 hiernach beispielhaft im Detail mit Bezug auf die 3 und 4 beschrieben.
  • Mit Bezug auf die 3 und 4 enthält der Clip 27 einen ersten Schenkelabschnitt 271, einen zweiten Schenkelabschnitt 272, einen dritten Schenkelabschnitt 273, eine erste Verbindungswand 276 und eine zweite Verbindungswand 277. Der erste Schenkelabschnitt 271 ist an einem ersten Ende des Clips 27 bezüglich einer Längsrichtung des Clips 27 angeordnet (z. B. einer Hoch-Runter-Richtung in 3 und 4). Der dritte Schenkelabschnitt 273 ist an einem zweiten Ende des Clips 27 entgegengesetzt zum ersten Ende bzgl. der Längsrichtung des Clips 27 angeordnet. Der zweite Schenkelabschnitt 272 ist zwischen dem ersten Ende und dem zweiten Ende, wie z. B. an einem Mittelabschnitt des Clips 27 angeordnet.
  • Der Clip 27 ist derart angebracht, dass eine erste Bodenoberfläche 281 des ersten Schenkelabschnitts 271, eine zweite Bodenoberfläche 282 des zweiten Schenkelabschnitts 272 und eine dritte Bodenoberfläche 283 des dritten Schenkelabschnitts 273 in Richtung des Leiterrahmens 30 stehen. Die Bodenoberflächen 281, 282, 283 sind mit entsprechenden Abschnitten durch Lötzinn 290 (siehe z. B. 7B) oder dergleichen elektrisch verbunden. Insbesondere ist die erste Bodenoberfläche 281 mit der Source des Motorrelais 67 verbunden. Die zweite Bodenoberfläche 282 ist mit der Source des FET 61 verbunden. Die dritte Bodenoberfläche 283 ist mit dem Steg 306 verbunden. D. h., der Clip 27 weist die drei Schenkelabschnitte 271, 272, 273 auf, um drei Verbindungsabschnitte vorzusehen. Wenn der Clip 27 verwendet wird, können drei Abschnitte durch den Clip 27, welcher ein einzelnes Teil ist, elektrisch verbunden werden.
  • Die erste Bodenoberfläche 281 und die zweite Bodenoberfläche 282 sind von der dritten Bodenoberfläche 283 um eine Dicke T des Motorrelais 67 und des FET 61 in Richtung entfernt vom Leiterrahmen 30 versetzt. D. h., die erste Bodenoberfläche 281 und die zweite Bodenoberfläche 282 befinden sich auf einer Höhe, die sich von der dritten Bodenoberfläche 283 unterscheidet.
  • Die erste Verbindungswand 276 und die zweite Verbindungswand 277 sind entgegengesetzt der ersten, zweiten und dritten Bodenoberfläche 281, 282, 283 angeordnet. D. h., wenn der Clip 27 am Leiterrahmen 30 montiert ist, sind die erste Verbindungswand 276 und die zweite Verbindungswand 277 an Positionen angeordnet, die höher als der erste, zweite und dritte Schenkelabschnitt 271, 272, 273 sind, und zwar bezüglich einer Richtung rechtwinklig zu einer Oberfläche (z. B. einer imaginären Ebene), einschließlich dem Steg 306.
  • Wie in 3 dargestellt, sind der zweite Schenkelabschnitt 272, die zweite Verbindungswand 277 und der dritte Schenkelabschnitt 273 auf einer geraden Linie X angeordnet. Der erste Schenkelabschnitt 271 ist von der geraden Linie X, auf welcher der zweite Schenkelabschnitt 272, die zweite Verbindungswand 277 und der dritte Schenkelabschnitt 273 angeordnet sind, versetzt. D. h., der erste Schenkelabschnitt 271 ist nicht auf der geraden Linie X angeordnet. D. h., der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 sind nicht auf der geraden Linie X angeordnet. Somit sind der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 nicht auf lineare Weise angebracht. Dadurch formen ein erster Verbindungspunkt zwischen dem ersten Schenkelabschnitt 271 und dem Motorrelais 67, ein zweiter Verbindungspunkt zwischen dem zweiten Schenkelabschnitt 272 und dem FET 61 und ein dritter Verbindungspunkt zwischen dem dritten Schenkelabschnitt 273 und dem Steg 306 eine Dreiecksform. D. h., der erste Verbindungspunkt, der zweite Verbindungspunkt und der dritte Verbindungspunkt sind nicht an einer geraden Linie sondern an Eckpunkten eines Dreiecks angeordnet.
  • Die vorteilhaften Effekte, die durch den Clip 27 gemäß der vorstehend beschriebenen Konfiguration erzielt werden, werden hiernach mit Bezug auf die 6A, 6B, 6C, 7A und 7B beschrieben. In den 6A, 6B, 6C und 7A sind das Motorrelais 67, der FET 61 und der Steg 306 derart dargestellt, dass sie die gleiche Höhe aufweisen, d. h., auf derselben Ebene liegen. Gemäß der tatsächlichen Konfiguration sind das Motorrelais 67 und der FET 61 um die Dicke des MOSFET höher als der Steg 306. In den 6B und 6C ist der Lötzinn 290 zur Vereinfachung nicht dargestellt.
  • Der Clip 27 wird durch Pressen hergestellt. Daher können die Höhen des ersten Schenkelabschnitts 271, des zweiten Schenkelabschnitts 272 und des dritten Schenkelabschnitts 273 von ihren voreingestellten bzw. geplanten Höhen durch Herstellungsfehler oder dergleichen beim Pressen versetzt werden. Außerdem können die Höhen der Stege 301 bis 315 von deren voreingestellten Höhen versetzt bzw. unterschiedlich werden, wenn die Verdrahtungsmuster ausgebildet werden.
  • 7A und 7B zeigen Diagramme, die einen Clip 800 als Vergleichsbeispiel zum Clip 27 der vorliegenden Ausführungsform darstellen. Wie in 7A und 7B dargestellt, weist der Clip 800 einen ersten Schenkelabschnitt 801, einen zweiten Schenkelabschnitt 802 und einen dritten Schenkelabschnitt 803 auf. Der erste Schenkelabschnitt 801, der zweite Schenkelabschnitt 802 und der dritte Schenkelabschnitt 803 sind auf einer geraden Linie Y angeordnet.
  • 7B stellt einen Fall dar, in welchem der erste Schenkelabschnitt 801 um einen Abstand d2 in einer Richtung entfernt vom Motorrelais 67 auf Grund eines Herstellungsfehlers oder dergleichen beabstandet bzw. versetzt wird, und der Steg 304 um einen Abstand d3 in einer Richtung entfernt vom ersten Schenkelabschnitt 801 auf Grund des Herstellungsfehlers oder dergleichen versetzt wird. In solch einem Fall wird, aufgrund der Anhäufung der Fehler, eine Lücke d1 zwischen dem ersten Schenkelabschnitt 801 und dem Motorrelais 67 erzeugt. Die Ausmaße der Lücke d1 entsprechen der Summe aus dem Abstand d2 und dem Abstand d3.
  • In diesem Fall können, da der erste Schenkelabschnitt 801, der zweite Schenkelabschnitt 802 und der dritte Schenkelabschnitt 803 auf der geraden Linie Y angeordnet sind, der erste Schenkelabschnitt 801 und das Motorrelais 67 nicht miteinander verbunden werden. Insbesondere tritt in einem Fall, in welchem der erste Schenkelabschnitt 801, der zweite Schenkelabschnitt 802 und der dritte Schenkelabschnitt 803 bzgl. verschiedener Höhen ausgebildet sind, die Anhäufung der Herstellungsfehler, wie in 7B dargestellt, auf.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform sind der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 jedoch nicht linear angeordnet. D. h., das Zentrum bzw. die Mitte des ersten Schenkelabschnittes 271, das Zentrum des zweiten Schenkelabschnitts 272 und das Zentrum des dritten Schenkelabschnitts 273 sind nicht auf der geraden Linie X angeordnet und zumindest eines der Zentren ist von der geraden Linie X versetzt. Daher ist, wie in 6C dargestellt, der Clip 27 in Richtung des Zentrums des Dreiecks geneigt, das durch den ersten Verbindungspunkt zwischen dem ersten Schenkelabschnitt 271 und dem Motorrelais 67, dem zweiten Verbindungspunkt zwischen dem zweiten Schenkelabschnitt 272 und dem FET 61 und dem dritten Verbindungspunkt zwischen dem dritten Schenkelabschnitt 273 und dem Steg 306 ausgebildet wird. Daher ist es unwahrscheinlicher, dass eine Lücke in jedem der Verbindungsabschnitte erzeugt wird. Demnach kann der Clip 27 das Motorrelais 67, den FET 61 und den Steg 306 geeignet verbinden.
  • Der Clip 27 weist die drei Verbindungsabschnitte auf, die nicht linear angeordnet sind und die drei Verbindungsabschnitte bilden das Dreieck aus. Daher verbessert sich der Ausgleich bzw. die Balance des Clips 27. Dadurch ist es außerdem unwahrscheinlicher, dass der Clip 27 aufgrund eines Herstellungsprozesses abfällt, wie beispielsweise während eines Rückflusses. Insbesondere würde ein Clip mit einer kleinen bzw. geringen Breite während eines Herstellungsprozesses, wie bei einem Rückfluss, einfach abfallen. Bei der vorliegenden Ausführungsform fällt der Clip 27 jedoch nicht ab, da der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 nicht linear angeordnet sind. D. h., die Balance des Clips 27 verbessert sich, da der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 nicht linear angeordnet sind. Daher kann die Breite des Clips 27 reduziert werden, weshalb die Montagefläche des Clips 27 reduziert werden kann. Ähnliche vorteilhafte Effekte werden auch durch die Clips 26, 28, 29 erzielt.
  • Wie vorstehend beschrieben, enthält der Clip 27 den ersten Schenkelabschnitt 271, den zweiten Schenkelabschnitt 272, den dritten Schenkelabschnitt 273, die erste Verbindungswand 276 und die zweite Verbindungswand 277. Der erste Verbindungsabschnitt 271 ist elektrisch mit dem Motorrelais 67 verbunden. Der zweite Schenkelabschnitt 272 ist elektrisch mit dem FET 61 verbunden. Der dritte Schenkelabschnitt 273 ist elektrisch mit dem Steg 306 verbunden. Die erste Verbindungswand 276 verbindet den ersten Schenkelabschnitt 271 und den zweiten Schenkelabschnitt 272. Die zweite Verbindungswand 277 verbindet den zweiten Schenkelabschnitt 272 mit dem dritten Schenkelabschnitt 273. Ferner sind der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 nicht linear angeordnet.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Anzahl der Komponenten reduziert, da das Motorrelais 67, der FET 61 und der Steg 306 durch den einzelnen Clip 27 elektrisch verbunden sind. Im Vergleich zu einem Fall, in welchem drei Komponenten mittels zwei Clips verbunden werden, wird die Anzahl der Verbindungsteile reduziert. Daher kann die Pack- bzw. Baudichte des Halbleitermoduls 10 erhöht bzw. verbessert werden.
  • Da der erste Schenkelabschnitt 271, der zweite Schenkelabschnitt 272 und der dritte Schenkelabschnitt 273 nicht linear angeordnet sind, sind der zweite Verbindungsabschnitt zwischen dem zweiten Schenkelabschnitt 272 und dem FET 61 und der dritte Verbindungsabschnitt zwischen dem dritten Schenkelabschnitt 273 und dem Steg 306 an Eckpunkten des Dreiecks angeordnet. Daher ist, selbst wenn die Höhen des Clips 27, des Motorrelais 67, des FET 61 und des Stegs 206 aufgrund der Herstellungsfehler oder dergleichen von deren eigentlichen bzw. voreingestellten Höhen versetzt bzw. beabstandet sind, da der Clip 27 in Richtung des Zentrums des Dreiecks geneigt ist, das durch die ersten bis dritten Verbindungsabschnitte definiert ist, der Clip 27 geeignet mit den drei Verbindungsabschnitten verbunden. Da der Clip 27 die drei Verbindungsabschnitte aufweist, wird die Balance des Clips 27 verbessert. Dadurch ist es wiederum unwahrscheinlicher, dass der Clip 27 abfällt.
  • Das Halbleitermodul 10 enthält die Clips 26 bis 29, die Leistungsrelais 56, 57, die FETs 61 bis 66 und die Motorrelais 67, 68, 69. Die Leistungsrelais 56, 57, die FETs 61 bis 66 und die Motorrelais 67, 68, 69 sind am Leiterrahmen 30 montiert.
  • In der ersten Ausführungsform ist der erste Schenkelabschnitt 271 mit der Source des Motorrelais 67 als erster leitfähiger Abschnitt verbunden. Das Motorrelais 67 ist zwischen dem Verbindungspunkt zwischen dem oberen Zweig und dem unteren Zweig der dritten Schaltung und dem Motor 80 angeordnet und weist die Source auf seiner oberen Oberfläche auf. Der zweite Schenkelabschnitt 272 ist mit der Source des FET 61 als ein zweiter leitfähiger Abschnitt verbunden. Der FET 61 bildet den oberen Zweig der dritten Schaltung und weist die Source auf seiner oberen Oberfläche auf. Der dritte Schenkelabschnitt 273 ist mit dem Steg 306 des Leiterrahmens 30 als ein dritter leitfähiger Abschnitt verbunden. Der Steg 306 ist mit dem Drain des FETs 64 des unteren Zweigs verbunden. Der Steg 306 als der dritte leitfähige Abschnitt ist bei einer unterschiedlichen Höhe vom Motorrelais 67 als der erste leitfähige Abschnitt und dem FET 61 als der zweite leitfähige Abschnitt angeordnet.
  • Entsprechend ist der erste Schenkelabschnitt des Clips 26 mit der Source des Leistungsrelais 56 als der erste leitfähige Abschnitt verbunden. Das Leistungsrelais ist zwischen der Brückenschaltung und der Batterie 50 angeordnet und weist die Source auf seiner oberen Oberfläche auf. Der zweite Schenkelabschnitt des Clips 26 ist mit der Source des Leistungsrelais 57 als der zweite leitfähige Abschnitt verbunden. Das Leistungsrelais 57 ist zwischen der dritten Schaltung und der Batterie 50 angeordnet und weist die Source auf seiner oberen Oberfläche auf. Der dritte Schenkelabschnitt des Clips 26 ist mit dem Steg 303 als der dritte leitfähige Abschnitt verbunden. Der Steg 303 als der dritte leitfähige Abschnitt ist bei der unterschiedlichen Höhe von dem Leistungsrelais 56 als der erste leitfähige Abschnitt und dem Leistungsrelais 57 als der zweite leitfähige Abschnitt angeordnet.
  • Wie vorstehend beschrieben, sind in einem Fall, in welchem der erste leitfähige Abschnitt, der zweite leitfähige Abschnitt und der dritte leitfähige Abschnitt auf unterschiedlichen Höhen angebracht sind, selbst wenn die Höhen der Schenkelabschnitte der Clips 26, 27 oder der leitfähigen Abschnitte aufgrund der Herstellungsfehler oder dergleichen von ihren voreingestellten Höhen variieren, die leitfähigen Abschnitte geeignet durch den einzelnen Clip 26, 27 miteinander verbunden. Der Clip 28, 29 erzielt ebenso vergleichbare vorteilhafte Effekte.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform entsprechen die Clips 26 bis 29 den Verdrahtungselementen. Das Leistungsrelais 56 und die Motorrelais 67, 68, 69 sehen die ersten leitfähigen Abschnitte vor, die mit dem ersten Schenkelabschnitten verbunden sind. Das Leistungsrelais 57 und die FETs 61, 62, 63 sehen die zweiten leifähigen Abschnitte vor, die mit den zweiten Schenkelabschnitten verbunden sind. Die Stege 303, 306, 309, 312 sehen die dritten leitfähigen Abschnitte vor, die mit den dritten Schenkelabschnitten verbunden sind. Im Halbleitermodul 10 entsprechen die Leistungsrelais 56, 57, die FETs 61 bis 66 und die Motorrelais 67, 68, 69 den Halbleiterelementen. Ferner entsprechen die FETs 61 bis 66 den Schaltelementen und die Motorrelais 67, 68, 69 entsprechen den Lastrelais. Darüber hinaus entspricht der Motor 80 einer Last. Die Batterie 50 entspricht einer Leistungsquelle.
  • (Weitere Ausführungsformen)
    • (1) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind der erste Schenkelabschnitt, die erste Verbindungswand und der zweite Schenkelabschnitt des Verdrahtungselements auf der geraden Linie X angeordnet. Bei einer Modifikation kann das Verdrahtungselement eine andere Form aufweisen, solange der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt nicht linear angeordnet sind. Zum Beispiel, wie In 8 dargestellt, können die erste Verbindungswand 276 und die zweite Verbindungswand 277 bezüglich einer Längsrichtung des Verdrahtungselements geneigt sein. In diesem Fall entspricht die Längsrichtung des Verdrahtungselements der Rechts-und-links-Richtung in 8. Außerdem sind die vorteilhaften Effekte im Verdrahtungselement, das in 8 dargestellt ist, ähnlich denen der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen.
    • (2) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind der erste Schenkelabschnitt und der zweite Schenkelabschnitt mit den Halbleiterelementen verbunden und der dritte Schenkelabschnitt ist mit dem Steg des Leiterrahmens verbunden. Bei einer Modifikation kann der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt, oder der dritte Schenkelabschnitt mit dem Halbleiterelement verbunden sein. Bei einer weiteren Modifikation können der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt mit den Halbleiterelementen verbunden sein. Bei einer weiteren Modifikation können der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und/oder der dritte Schenkelabschnitt mit den Leiterrahmen verbunden sein. Bei einer noch weiteren Ausführungsform können der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt mit dem Leiterrahmen verbunden sein.
  • Ferner können der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt bei einer gleichen Höhe angeordnet sein und der erste Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten Schenkelabschnitt und dem ersten leitfähigen Abschnitt, der zweite Verbindungsabschnitt zwischen dem zweiten Schenkelabschnitt und dem zweiten leitfähigen Abschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt zwischen dem dritten Schenkelabschnitt und dritten leitfähigen Abschnitt können auf der gleichen Höhe angeordnet sein. Bei einer weiteren Modifikation können der erste Schenkelabschnitt, der zweite Schenkelabschnitt und der dritte Schenkelabschnitt bei verschiedenen Höhen vorgesehen sein.
    • (3) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform verbindet der Clip als Verdrahtungselement das Halbleiterelement und den Leiterrahmen. Bei einer Modifikation kann der Clip verwendet werden, um auch andere Komponenten, wie ein Substrat, anstelle des Leiterrahmens, und elektronische Komponenten, die nicht die Halbleiterelemente sind, zu verbinden.
  • In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ist das Halbleiterelement durch den MOSFET vorgesehen. Das Halbleiterelement kann jedoch auch eine beliebige andere Vorrichtung sein, wie beispielsweise ein isolierter Gate-Bipolar-Transistor (IGBT). Wenn das Halbleiterelement der IGBT ist, kann der erste leitfähige Abschnitt oder der zweite leitfähige Abschnitt durch einen Emitter des IGBT vorgesehen sein und der dritte leitfähige Abschnitt kann durch einen Leiterrahmen vorgesehen sein, der mit einem Kollektor bzw. Sammler verbunden ist.
    • (4) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird der Clip durch Pressen hergestellt. Der Clip kann jedoch auch durch ein anderes Verfahren hergestellt werden.
    • (5) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform werden vier Clips 26 bis 29 als die Verdrahtungselemente in dem einzelnen Halbleitermodul 10 verwendet. Bei einer Modifikation muss das Halbleitermodul 10 nicht auf ein spezifisches beschränkt sein und kann eine andere Konfiguration aufweisen, solange zumindest ein Verdrahtungselement verwendet wird. Das vorstehend beschriebene Verdrahtungselement kann für eine beliebige Vorrichtung verwendet werden, die nicht das Halbleitermodul ist.
    • (6) In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist das Halbleitermodul im Motortreiber bzw. der Motorsteuerung vorgesehen. Das Halbleitermodul kann jedoch auch in einer anderen Vorrichtung verwendet werden.
    • (7) Die Konfiguration jeder Phasenschaltung der Invertereinheit, die Anordnung der Leistungsrelaiseinheit, das Layout bzw. die Form des Leiterrahmens sind nicht auf die vorstehenden beschränkt, sondern können auf verschiedene Arten modifiziert werden.
  • Während nur bestimmte beispielhafte Ausführungsformen ausgewählt wurden, um die vorliegende Offenbarung darzustellen, ist es für den Fachmann klar, dass, ausgehend von der vorliegenden Offenbarung, verschiedene Veränderungen und Modifikationen erstellt werden können, ohne dabei vom Umfang der Offenbarung, die durch die zugehörigen Ansprüche definiert ist, abzuweichen. Ferner ist die vorstehende Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung ausschließlich für illustrative Zwecke vorgesehen und soll die Offenbarung, wie sie durch die beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente definiert ist, nicht beschränken.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2011-204886 A [0002, 0003]

Claims (8)

  1. Verdrahtungselement, aufweisend: einen ersten Schenkelabschnitt (271), der elektrisch mit einem ersten leitfähigen Abschnitt verbunden ist; einen zweiten Schenkelabschnitt (272), der elektrisch mit einem zweiten leitfähigen Abschnitt verbunden ist; einen dritten Schenkelabschnitt (273), der elektrisch mit einem dritten leitfähigen Abschnitt verbunden ist; eine erste Verbindungswand (276), die den ersten Schenkelabschnitt (273) und den zweiten Schenkelabschnitt (272) verbindet; und eine zweite Verbindungswand (277), die den zweiten Schenkelabschnitt (277) und den dritten Schenkelabschnitt (273) verbindet, wobei der erste Schenkelabschnitt (271), der zweite Schenkelabschnitt (272) und der dritte Schenkelabschnitt (273) nicht linear angeordnet sind.
  2. Verdrahtungselement nach Anspruch 1, wobei der erste Schenkelabschnitt (271) einen ersten Verbindungsabschnitt mit dem ersten leitfähigen Abschnitt definiert, der zweite Schenkelabschnitt (272) einen zweiten Verbindungsabschnitt mit dem zweiten leitfähigen Abschnitt definiert, der dritte Schenkelabschnitt (273) einen dritten Verbindungsabschnitt mit dem dritten leitfähigen Abschnitt definiert, und zumindest einer von dem ersten Verbindungsabschnitt, dem zweiten Verbindungsabschnitt und dem dritten Verbindungsabschnitt eine Höhe aufweist, die sich von der eines anderen unterscheidet.
  3. Verdrahtungselement nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Schenkelabschnitt (271), der zweite Schenkelabschnitt (272), der dritte Schenkelabschnitt (273), die erste Verbindungswand (276) und die zweite Verbindungswand (277) mittels als einzelnes Stück vorgesehen sind, das aus einem leitfähigen Material besteht.
  4. Halbleitermodul, aufweisend: das Verdrahtungselement (26, 27, 28, 29) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3; einen Leiterrahmen (30, 303, 306, 309, 312); und ein erstes Halbleiterelement und ein zweites Halbleiterelement, die auf dem Leiterrahmen (30, 303, 306, 309, 312) angeordnet sind, wobei der erste leitfähige Abschnitt durch das erste Halbleiterelement vorgesehen ist, der zweite leitfähige Abschnitt durch das zweite Halbleiterelement vorgesehen ist, und der dritte leitfähige Abschnitt durch den Leiterrahmen (30, 303, 306, 309, 312) vorgesehen ist.
  5. Halbleitermodul nach Anspruch 4, wobei das erste Halbleiterelement eines von einem Schaltelement (61, 62, 63) eines oberen Zweigs, das einen oberen Zweig einer Brückenschaltung bildet, von einem Schaltelement (64, 65, 66) eines unteren Zweigs, das einen unteren Zweig der Brückenschaltung ausbildet und einem Lastrelais (67, 68, 69), das zwischen einer Last (80) und einem Verbindungspunkt zwischen dem oberen Zweig und dem unteren Zweig angeordnet ist, ist, und das zweite Halbleiterelement ein anderes von dem Schaltelement (61, 62, 63) des oberen Zweigs, dem Schaltelement (64, 65, 66) des unteren Zweigs und dem Lastrelais (67, 68, 69) ist.
  6. Halbleitermodul nach Anspruch 5, wobei der erste leitfähige Abschnitt durch eine Source des Lastrelais (67, 68, 69) vorgesehen ist, der zweite leitfähige Abschnitt durch eine Source des Schaltelements (61, 62, 63) des oberen Zweigs vorgesehen ist, und der Leiterrahmen (306, 309, 312), welcher den dritten leitfähigen Abschnitt vorsieht, mit einem Drain des Schaltelements (64, 65, 66) des unteren Zweigs verbunden ist.
  7. Halbleitermodul nach Anspruch 4, wobei zumindest eines von dem ersten Halbleiterelement und dem zweiten Halbleiterelement ein Leistungsrelais (56, 57) ist, das zwischen einer Brückenschaltung und einer Leistungsquelle (50) angeordnet ist.
  8. Halbleitermodul nach Anspruch 4, wobei das erste Halbleiterelement ein erstes Leistungsrelais (56) ist, das zwischen einer Brückenschaltung und einer Leistungsquelle (50) angeordnet ist, und der erste leitfähige Abschnitt durch eine Source des ersten Leistungsrelais (56) vorgesehen ist, und das zweite Halbleiterelement ein zweites Leistungsrelais (57) ist, das zwischen der Brückenschaltung und der Leistungsquelle (50) angeordnet ist, und der zweite leitfähige Abschnitt durch eine Source des zweiten Leistungsrelais (57) vorgesehen ist.
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