DE112012006472B4

DE112012006472B4 - Mindestens teilweises Isolieren von lokaler Zeilen- oder Spaltenschaltung von Speicherzellen vor dem Erzeugen einer Spannungsdifferenz zum Ermöglichen des Auslesens der Zelle

Info

Publication number: DE112012006472B4
Application number: DE112012006472.0T
Authority: DE
Inventors: Doyle Rivers; Prashant S. Damle; Raymond W. Zeng
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2012-06-06
Filing date: 2012-06-06
Publication date: 2019-10-31
Anticipated expiration: 2032-06-07
Also published as: US20140016406A1; WO2013184111A1; US9030906B2; DE112012006472T5

Abstract

Vorrichtung, umfassend:
eine lokale Zeilenschaltung (206), die lokal zu einer Speicherzelle (204) einer Speichereinheit ist;
eine lokale Spaltenschaltung (208), die lokal zu der Speicherzelle ist;
wobei eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von mindestens einem übrigen Teil der Speichereinheit während des Erzeugens einer Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) elektrisch isoliert werden muss, damit ermöglicht wird, dass die Speicherzelle während einer Auslesung der Speicherzelle ausgelesen wird, wobei die Auslesung nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz erfolgt,
wobei die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) die lokale Spaltenschaltung ist; und
der mindestens eine übrige Teil der Speichereinheit eine globale Spaltenschaltung (212) und eine Decodierschaltung der Speichereinheit umfasst; und
während der Auslesung der Speicherzelle (204) die lokale Spaltenschaltung (208) mit der globalen Spaltenschaltung (212) und der Decodierschaltung elektrisch gekoppelt sein muss; wobei die Speicherzelle (204) eine Phasenwechsel-Speicherzelle (205) ist; und wenn die Speicherzelle (204) in einem gesetzten Zustand ist:
vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes sein muss;
nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes einnehmen muss und danach die Speicherzelle in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren muss; und
während der Auslesung die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; wobei das Zurückkehren in den verhältnismäßig hohen Widerstand durch ein Zurückschnappen der Spannung der Zelle erfolgt während die lokale Spaltenschaltung (208) von der globalen Spaltenschaltung (212) entkoppelt ist.

Description

Technisches Gebiet
Diese Offenbarung betrifft das mindestens teilweise Isolieren einer lokalen Zeilen- oder Spaltenschaltung einer Speicherzelle vor dem Erzeugen einer Spannungsdifferenz, damit das Auslesen der Zelle ermöglicht wird.
Hintergrund
Bei einer Leseoperation in einer Kreuzungspunkt-Speicherarchitektur (engl. cross-point memory architecture) wird eine Spannungsdifferenz zwischen einer Zeile und einer Spalte einer Speicherzelle in dem Speicher angelegt. Der logische Zustand der Zelle wird anschließend durch Messen einer Vorspannung und Bestimmen, ob die Vorspannung eine Zellen-Schwellenspannung übersteigt, bestimmt.
Während dieser herkömmlichen Leseoperation ist es möglich, dass eine verhältnismäßig große kapazitive Entladung durch den Speicher erfolgt, die fähig ist, den logischen Zustand der Zelle zu stören (z.B. unlesbar zu machen) und/oder die Anzahl von Leseoperationen, die an der Zelle durchgeführt werden können, bevor die Daten der Zelle erneut geschrieben werden müssen, erheblich zu verringern. Es versteht sich, dass dies die Leistungsfähigkeit des Speichers erheblich herabsetzen kann und/oder die Komplexität der Operationen und/oder der Schaltungen, die am Verwalten des Speichers beteiligt sind, erhöhen kann.
Figurenliste
Merkmale und Vorteile von Ausführungsformen werden mit der folgenden ausführlichen Beschreibung und Bezugnahme auf die Zeichnungen deutlich, in denen gleiche Bezugsnummern gleiche Teile darstellen und wobei:

1 eine System-Ausführungsform veranschaulicht.
2 Merkmale in einer Ausführungsform veranschaulicht.
3 Merkmale in einer Ausführungsform veranschaulicht.
4 Operationen in einer Ausführungsform veranschaulicht.

Ausführliche Beschreibung
1 veranschaulicht ein System 100, das eine Speichereinheit 102 umfassen kann. In dieser Ausführungsform kann die Speichereinheit 102 eine austauschbare Speichereinheit sein, umfassen oder davon umfasst sein, die fähig sein kann, mittels einer oder mehrerer Schnittstellen 113 des Host 111 mindestens teilweise mit einem Host 111 austauschbar gekoppelt (z.B. elektrisch und/oder mechanisch) zu sein. Beispielsweise können in dieser Ausführungsform die austauschbare Speichereinheit 102 und/oder die Schnittstelle 113 mit Universal Serial Bus Specification Revision 2.0, veröffentlicht am 27. April 2000, Copyright 2000, Compaq Computer Corporation et al. und/oder Universal Serial Bus 3.0 Specification, Revision 1.0, veröffentlicht am 12. November 2008, Hewlett-Packard Company et al. (im Folgenden insgesamt und/oder einzeln als „USB-Protokoll“ bezeichnet) kompatibel sein. So kann die austauschbare Speichereinheit 102 beispielsweise eine oder mehrere nicht gezeigte, mit dem USB-Protokoll kompatible Schnittstellen umfassen, die fähig sein können, elektrisch und mechanisch (z.B. physisch) mit einer oder mehreren Schnittstellen 113 gepaart zu werden. Wenn die austauschbare Speichereinheit 102 (und/oder andere Komponenten davon) so elektrisch und physisch gepaart ist, kann sie fähig sein, Daten und/oder einen oder mehrere Befehle mit dem Host 111 (und/oder einer oder mehreren Komponenten davon) über eine oder mehrere Schnittstellen 113 gemäß dem USB-Protokoll auszutauschen. So können in dieser Ausführungsform die austauschbare Speichereinheit 102, eine oder mehrere Schnittstellen 113 und/oder der Host 111 mit dem USB-Protokoll kompatible Einheiten sein oder umfassen.
Alternativ oder zusätzlich kann, ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen, die austauschbare Speichereinheit 102 eine Secure-Digital-(SD)-Speichereinheit sein oder umfassen, und/oder eine oder mehrere Schnittstellen 113 können fähig sein, solch eine SD-Speichereinheit mit dem Host 111 zu verbinden (z.B. elektrisch, mechanisch und/oder drahtlos), um so den Austausch von Daten- und/oder Befehlen zwischen dem Host 111 und der Einheit 102 über eine oder mehrere Schnittstellen 113 zu ermöglichen. Beispielsweise können die Speichereinheit 102 und/oder eine oder mehrere Schnittstellen 113 eine oder mehrere SD-Speicherspezifikationen, veröffentlicht von der SD Association, San Ramon, Kalifornien, wie beispielsweise Part I Physical Layer Simplified Specification Version 3.01, freigegeben am 18. Mai 2010, und/oder andere verwandte und/oder zusätzliche derartige Spezifikationen mindestens teilweise erfüllen und/oder damit kompatibel sein.
Ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen, kann die Speichereinheit 102 beispielsweise von einem oder mehreren anderen Typen von austauschbaren Speichereinheiten sein oder solche umfassen. Ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen, braucht die Speichereinheit 102 zusätzlich oder alternativ keine austauschbare Speichereinheit zu sein oder zu umfassen, sondern kann stattdessen eine Speichereinheit mit integrierter Schaltung umfassen (oder davon umfasst sein), die dazu vorgesehen ist, dauerhaft in und/oder mit dem Host 111 gekoppelt zu sein, wie beispielsweise einem nicht gezeigten System und/oder Hauptplatinenspeicher des Host 111, auf das von einem oder mehreren (nicht gezeigten) Hostprozessoren und/oder Chips mit Chip-Satz aus integrierten Schaltungen mindestens teilweise darauf zugegriffen werden und/oder davon gesteuert werden soll. Ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen, kann die Speichereinheit 102 zusätzlich oder alternativ von einem oder mehreren anderen Typen von Speichereinheiten sein oder solche umfassen.
In dieser Ausführungsform kann die Speichereinheit 102 den Kreuzungspunktspeicher 109 umfassen. In dieser Ausführungsform kann der Kreuzungspunktspeicher eine oder mehrere Speicherzellen umfassen, auf die mindestens teilweise auf Grundlage von Signalen zugegriffen werden kann, die über mindestens zwei Leiterbahnen und/oder Terminale, wie beispielsweise Zeilen- und Spalten-Signalbahnen, und/oder Bit- und Wortleitungen zugeführt werden. In dieser Ausführungsform kann ein Speicher oder eine Speicherzelle eine Funktionseinheit sein oder umfassen, die fähig ist, mindestens zeitweise mindestens ein Datum zu speichern. In dieser Ausführungsform kann ein Zugriff das Lesen und/oder das Schreiben mindestens eines Datums umfassen.
Der Speicher 109 und/oder die Speichereinheit 102 können ein oder mehrere Speicherzellenfelder 105 und/oder die Schaltung 103 umfassen. Ein oder mehrere Felder 105 können einen oder mehrere (und in dieser Ausführungsform ein Mehrzahl von) Speicherzellen 107 umfassen. In dieser Ausführungsform kann die Schaltung 103 mit einem oder mehreren Feldern 105 gekoppelt sein und kann ein Speicherfeld und/oder eine Schaltung für Speicherzellenauswahl, -dekodierung, -steuerung, -zeitsteuerung, -antrieb und/oder verwandte Schaltung sein oder umfassen. Die Schaltung 103 kann fähig sein, mindestens teilweise Lese-, Schreib- und/oder andere Operationen zu implementieren und/oder zu steuern, die auf mindestens teilweise ein oder mehrere Felder 105 und/oder Zellen 107 angewandt und/oder darin einbezogen werden können, um so selektiv Daten auszuwählen, die in die ein oder mehrere Felder 105 und/oder Zellen 107 geschrieben oder daraus ausgelesen werden sollen.
In dieser Ausführungsform können die Ausdrücke „Hostcomputer“, „Host“, „Server“, „Client“, „Netzwerkknoten“ und „Knoten“ untereinander austauschbar verwendet werden und können beispielsweise ohne Einschränkung eine oder mehrere Endstationen, mobile Internetgeräte, Smartphones, Mediengeräte, Eingabe-Ausgabe-(E/A)-Geräte, Tablet-Computer, Apparate, Zwischenstationen, Netzwerkschnittstellen, Clients, Servers und/oder Teile davon bedeuten. In dieser Ausführungsform können Daten und Informationen untereinander austauschbar benutzt sein und können mindestens teilweise als ein oder mehrere boolesche und/oder logische Ebenen und/oder Zustände, wie z.B. ein oder mehrere Bits, sein, umfassen, codieren und/oder codiert sein. Solche Daten können uneingeschränkt einen oder mehrere Befehle (beispielsweise eine oder mehrere Programmanweisungen) umfassen und/oder ein oder mehrere solcher Befehle können Daten und/oder Informationen sein oder umfassen. Auch kann in dieser Ausführungsform eine Anweisung Daten und/oder einen oder mehrere Befehle beinhalten.
In dieser Ausführungsform kann „Schaltung“ beispielsweise eine Analogschaltung, Digitalschaltung, verdrahtete Schaltung, programmierbare Schaltung, Koprozessor-Schaltung, Zustandsmaschinen-Schaltung und/oder Speicher, einzeln oder in beliebiger Kombination, umfassen, die Programmanweisungen umfassen kann, die durch eine programmierbare Schaltung ausgeführt werden können. Außerdem kann in dieser Ausführungsform ein Prozessor, Host-Prozessor, Hauptprozessor (CPU), Prozessorkern, Kern und Controller jeweils entsprechende Schaltung umfassen, die fähig ist, mindestens teilweise eine oder mehrere arithmetische und/oder logische Operationen durchzuführen und/oder mindestens teilweise eine oder mehrere Anweisungen auszuführen.
In dieser Ausführungsform kann jede der Speicherzellen 107 eine identische jeweilige Bauweise und/oder Operation aufweisen. Beispielsweise kann jede der Speicherzellen 107 jeweiliges strukturelles Phasenwechselmaterial (phase-change material, PCM) umfassen, das zwischen einem jeweiligen Paar von Zeilen- und Spalten-Signalbahnen gekoppelt sein kann. Das jeweilige PCM in einer jeweiligen Speicherzelle kann entsprechend und/oder basierend auf mindestens teilweise seinem jeweiligen spezifischen elektrischen Widerstand mindestens ein Datum für die jeweilige Speicherzelle speichern. Beispielsweise kann in dieser Ausführungsform das jeweilige PCM mindestens teilweise Kristallglas, Chalkogenid und/oder anderes Material sein oder umfassen, das einen reversiblen, nichtflüchtigen Strukturphasenwechsel von einer verhältnismäßig amorphen Phase zu einer verhältnismäßig kristallinen Phase aufweist, wobei seine verhältnismäßig kristalline Phase einen verhältnismäßig niedrigeren elektrischen Widerstand aufweisen kann und die verhältnismäßig amorphe Phase einen verhältnismäßig höheren elektrischen Widerstand aufweisen kann. Mindestens ein Datum kann in das jeweilige PCM geschrieben werden, indem eine Spannungsdifferenz über und/oder Strom zu einem Widerstand innerhalb der jeweiligen Zelle erzeugt wird, die/der ausreichend sind/ist, um das jeweilige PCM auf ein Maß zu erhitzen, das einen geeigneten Phasenwechsel bewirkt. Danach kann das so geschriebene Datum aus dem jeweiligen PCM ausgelesen werden, indem eine verhältnismäßig niedrigere Spannungsdifferenz und/oder Strom (z.B. im Verhältnis zu demjenigen, der in dem Phasenwechsel resultierte) erzeugt wid, die/der ausreichend sind/ist, um zu ermöglichen, dass die Widerstandskennzeichen des jeweilige PCM gemessen werden, ohne in dem PCM einen Phasenwechsel zu bewirken, der in einem Wechsel des vorher geschriebenen logischen Zustandes des jeweiligen PCM resultiert.
Unter Bezugnahme auf 2 werden nun beispielsweise die jeweilige Bauweise und Operation einer jeweiligen Speicherzelle 204 beschrieben, die von den Speicherzellen 107 umfasst sein kann. Zwecks einer deutlichen Veranschaulichung sind bestimmte der Steuer-, Auswahl- und/oder verwandten Schaltungen der Zelle 204 in 2 nicht gezeigt, sollten aber trotzdem als vorhanden aufgefasst werden. Die Speicherzelle 204 kann die lokale (z.B. lokal zu und/oder direkt von der jeweiligen Speicherzelle 204 umfasst) Zeilenschaltung 206 und die lokale Spaltenschaltung 208 umfassen. Die lokale Spaltenschaltung 208 kann mit der globalen Spalten- und Decodierschaltung 212 gekoppelt sein. Die lokale Zeilenschaltung 206 kann über die Schalterschaltung 220 mit der Abtast- und/oder Detektorschaltung 225 und/oder der globalen Zeilen- und Decodierschaltung 210 gekoppelt sein. In dieser Ausführungsform kann die Schalterschaltung 220 transistorbasierte Schalter (nicht gezeigt) umfassen, die (z.B. durch Schaltung 103) selektiv gesteuert werden können, um gemäß den jeweiligen Zuständen der Schalter die lokale Zeilenschaltung 206 mit der Schaltung 225 und/oder der Schaltung 210 steuerbar zu koppeln oder zu entkoppeln. Beispielsweise können die Schalter in der Schalterschaltung 220 in Abhängigkeit mindestens teilweise von den Steuersignalen, die der Schalterschaltung 220 von der Schaltung 103 zugeführt werden, hergestellt sein, um jeweilige Zustände einzunehmen, was darin resultieren kann, dass die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise mit einem oder beiden von der Schaltung 225 und/oder Schaltung 210 elektrisch gekoppelt oder umgekehrt davon elektrisch isoliert wird. In dieser Ausführungsform kann die globale Spaltenschaltung 212 beispielsweise ein oder mehrere Teile (z.B. Decodier- und/oder andere Schaltungen) der Schaltung 103, des Feldes 105 und/oder des Speichers 109 sein oder umfassen, die mit der jeweiligen (nicht gezeigten) lokalen Spaltenschaltung in einer oder mehreren Speicherzellen, die andere als die Zelle 204 sind, assoziiert und/oder gekoppelt sein können. Analog kann die globale Zeilenschaltung 210 beispielsweise ein oder mehrere Teile (z.B. Decodier- und/oder andere Schaltungen) der Schaltung 103, des Feldes 105 und/oder des Speichers 109 sein oder umfassen, die mit der jeweiligen (nicht gezeigten) lokalen Zeilenschaltung in einer oder mehreren Speicherzellen, die andere als die Zelle 204 sind, assoziiert und/oder gekoppelt sein können. Zu Zwecken dieses Beispiels darf die jeweilige Spannungstreiberschaltung, die von der Schaltung 103 umfasst sein kann, die die Spannungen der lokalen Spaltenschaltung 208 und/oder der lokalen Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise treiben kann, nicht als mindestens teilweise von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der globalen Zeilenschaltung 210 umfasst aufgefasst werden. Natürlich sind die obenstehenden lediglich Beispiele, und die bestimmte jeweilige Schaltung, die von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der globalen Spaltenschaltung 208 umfasst sein kann, kann variieren, ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen.
Die Zelle 204 kann eine Phasenwechsel-Speicherzelle sein, die das jeweilige PCM 205 umfassen kann, das mit der lokalen Spaltenschaltung 208 gekoppelt sein kann. Das PCM 205 kann über das resistive Element 207 auch mit der lokalen Zeilenschaltung 206 gekoppelt sein. Wie bereits erörtert, kann das resistive Element 207 benutzt werden, um das PCM 205 ausreichend zu erhitzen, um einen Phasenwechsel zu bewirken, der mindestens ein Datum in das PCM 205 und/oder die Zelle 204 schreibt.
Falls eine Abtastoperation über die lokale Spaltenschaltung 208 anstatt über die lokale Zeilenschaltung 206 durchgeführt werden soll, braucht alternativ, ohne von dieser Ausführungsform abzuweichen, wie in 3 gezeigt, die lokale Zeilenschaltung 206 nicht über die Schalterschaltung 225 mit der globalen Zeilenschaltung 210 und der Abtast- und Detektorschaltung 220 gekoppelt zu werden. Stattdessen kann die lokale Spaltenschaltung 208 über die Schalterschaltung 225 mit der globalen Spaltenschaltung 212 und der Abtast- und Detektorschaltung 225 gekoppelt werden. In der Alternative, die in 3 gezeigt ist, können die Schalter in der Schalterschaltung 220 in Abhängigkeit mindestens teilweise von den Steuersignalen, die der Schalterschaltung 220 von der Schaltung 103 zugeführt werden, hergestellt sein, um jeweilige Zustände einzunehmen, was darin resultieren kann, dass die lokale Spaltenschaltung 206 mindestens teilweise mit einem oder beiden von der Schaltung 225 und/oder der Schaltung 210 elektrisch gekoppelt oder umgekehrt davon elektrisch isoliert wird. In der Alternative von 3 kann die lokale Zeilenschaltung 206 mit der globalen Zeilenschaltung 210 gekoppelt werden.
Unter besonderer Bezugnahme nun auf 2 und 4 werden die Operationen 400 (siehe 4) beschrieben, die ausgeführt werden und/oder in eine Ausführungsform einbezogen sein können, um aus der Zelle 204 mindestens ein Datum auszulesen, das in dem PCM 205 und/oder der Zelle 204 gespeichert sein kann. Die Operationen 400, die hierin beschrieben sind, können mindestens teilweise durch und/oder infolge Steuer- und/oder anderen Signalen implementiert werden, die mindestens teilweise von der Schaltung 103 erzeugt und/oder zugeführt werden. Zu Anfang (z.B. vor und/oder gleichzeitig mit dem Beginn der Operationen 400) kann die Schalterschaltung 220 die Abtastschaltung 225 und die globale Zeilenschaltung 210 mit der lokalen Zeilenschaltung 206 koppeln. Die Operationen 400 können mit dem Auswählen der Zelle 204 für die Leseoperation (siehe Operation 402) beginnen. In dieser Ausführungsform kann die Operation 402 das Aktivieren der Decodierbahnen, die mit der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 der Zelle 204 assoziiert sind, umfassen. Danach kann die lokale Zeilenschaltung 206 ein lesebezogenes Vorladen durchlaufen, das darin resultieren kann, dass eine Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 erzeugt wird (siehe Operation 404). Diese Spannungsdifferenz kann derart sein, dass die Spannungsamplitude Vpc der lokalen Zeilenschaltung 206 im Verhältnis zu der lokalen Spaltenschaltung 208 kleiner als eine vorbestimmte Schwellenspannung Vt sein kann (d.h. Vpc < Vt). Diese Schwellenspannung Vt kann eine Detektionsvorspannung sein, die ausreichend ist, um zu ermöglichen, dass die Speicherzelle 204 während einer Auslesung der Speicherzelle 204 ausgelesen wird (z.B. die ausreichend ist, um zu ermöglichen, dass die Widerstandseigenschaften des PCM 205 abgetastet, gemessen und/oder detektiert werden), während sie unter der Mindestspannungsdifferenz ist, die darin resultieren würde, dass der Widerstand 207 das PCM 205 auf ein Maß erhitzt, das in einem Phasenwechsel resultieren würde, der den logischen Zustand ändern würde, der vorher in das PCM 205 geschrieben wurde.
Nachdem die Operation 404 durchgeführt ist, kann als Teil der Operation 406 die Schalterschaltung 220 die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von einem oder mehreren übrigen Teilen (z.B. anderen als der lokalen Zeilenschaltung 206) der Speichereinheit 102, wie beispielsweise der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225, entkoppeln. Dies kann darin resultieren, dass die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Detektorschaltung 225 elektrisch isoliert wird und/oder ist und/oder im Verhältnis zu diesen schwebt (z.B. hinsichtlich der Spannung). Auch kann als Teil der Operation 406 die Spannungstreiberschaltung der Schaltung 103 mindestens teilweise von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 entkoppelt und/oder elektrisch isoliert werden. Mindestens teilweise infolge der Operation 406 kann die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von der elektrischen Kapazität (C und/oder andere elektrische Eigenschaften und/oder Kennzeichen) 260 isoliert und/oder mit der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 assoziiert werden und/oder sein.
Nachdem die Operation 406 durchgeführt ist und während die lokale Zeilenschaltung 206 gleichzeitig mindestens teilweise von der Kapazität 260, der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 elektrisch isoliert ist, kann das Spannungs-Bias der lokalen Spaltenschaltung 208 erhöht (z.B. allmählich gesteigert) werden, bis die Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 erzeugt ist. So wird in dieser Ausführungsform die Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 während mindestens teilweise des Zeitraumes erzeugt, in dem die lokale Zeilenschaltung 206 von der Kapazität 260, der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 255 mindestens teilweise elektrisch isoliert ist.
Im Anschluss an das Erzeugen (als Teil der Operation 408) der Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 kann die Schalterschaltung 220 die globale Zeilenschaltung 210 und/oder die Abtast- und Detektorschaltung 225 mit der lokalen Zeilenschaltung 206 (als Teil der Operation 410) wieder koppeln. Nachdem solch ein Wiederkoppeln durchgeführt ist und während die lokale Zeilenschaltung 206 mit der globalen Zeilenschaltung 210 und der Abtast- und Detektorschaltung 225 gekoppelt ist, kann eine Auslesung des mindestens einen Datums, das vorher in die Speicherzelle 204 und/oder das PCM 205 geschrieben wurde, durchgeführt werden, wie durch die Operation 412 veranschaulicht. Diese Auslesung kann mindestens teilweise durch die Schaltung 225 und/oder die Schaltung 103 unter Bestimmen von mindestens teilweise einer oder mehrerer resistiver Eigenschaften und/oder Kennzeichen des PCM 205 erfolgen, die mindestens teilweise von der Spannung und/oder dem Strom wiedergegeben werden und/oder davon ableitbar sein können, die von der Schaltung 225 detektiert werden können.
Wenn beispielsweise das PCM 205 und/oder die Zelle 204 vor dem Beginn der Operationen 400 einen gesetzten Zustand (z.B. logische 0) aufweisen, dann kann das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein (z.B. im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes). Jedoch kann das Erzeugen der Spannungsdifferenz Vt in der Operation 408, während die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtastschaltung 225 isoliert ist, ausreichend sein, um darin zu resultieren, dass das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes übergehen. Dies kann mindestens teilweise darin resultieren, dass sich die lokale Zeilenschaltung 206 ausreichend lädt, um sich an die Vorspannung der lokalen Spaltenschaltung 208 anzunähern.
Danach, jedoch vor dem Durchführen der Operation 410, kann die Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 unter die Rückschnapp-Haltespannung (engl. snap-back holding voltage) des PCM 205 und/oder der Zelle 204 sinken. So kann das Zurückschnappen der Spannung (engl. voltage-snap back) der Zelle 204 und/oder von PCM 205 erfolgen, während und/oder in dem Zeitraum, in dem die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Schaltung 225 entkoppelt (und daher isoliert) ist. Dies kann darin resultieren, mindestens teilweise, dass das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren.
Sind das PCM 205 und/oder die Zellen 204 wieder in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes, kann die Operation 410 durchgeführt werden. Die Zelle 204 und/oder das PCM 205 können anschließend (als Teil der Operation 412) ausgelesen werden, während das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sind und während die globale Zeilenschaltung 210 und die Abtastschaltung 225 mit der lokalen Zeilenschaltung 206 gekoppelt sind. Folglich kann die Ladungsaufteilung auf die lokale Zeilenschaltung 206, die globale Zeilenschaltung 210 und die Abtastschaltung 225 darin resultieren, dass von der Abtastschaltung 225 und/oder der Schaltung 103 Stromfluss und/oder Spannungsverschiebung detektiert werden, was den Zustand hohen Widerstandes anzeigen kann, der dem gesetzten Zustand entspricht.
Im Gegensatz dazu kann, falls das PCM 205 und/oder die Zelle 204 vor dem Beginn der Operationen 400 einen rückgesetzten Zustand (z.B. logische 1) aufweisen, dann das Erzeugen der Spannungsdifferenz Vt in der Operation 408, während die lokale Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise von der globalen Zeilenschaltung 210 und/oder der Abtastschaltung 225 isoliert ist, möglicherweise nicht ausreichend sein, um in dem Übergehen des Widerstandszustandes des PCM 205 und/oder der Zelle 204 (z.B. von verhältnismäßig hoch zu verhältnismäßig niedrig) zu resultieren. Demgemäß kann die lokale Zeilenschaltung 206 auf der Vorladespannung (engl. pre-charge voltage) Vpc bleiben, und wenn die Zelle 204 und/oder das PCM 205 als Teil der Operation 412 ausgelesen werden, können die lokale Zeilenschaltung 206, die globale Zeilenschaltung 210 und die Abtastschaltung 225 alle bei oder nahe dem Äquipotenzial sein. Demgemäß kann während der Operation 412 verhältnismäßig wenig oder kein Stromfluss und/oder Spannungsverschiebung detektiert werden. Dies kann anzeigen, dass die Zelle 204 und/oder das PCM 205 im rückgesetzten Zustand sind.
Wenn die Speicherzelle 204 alternativ die Bauweise aufweist, die in 3 veranschaulicht ist, dann können die obigen Operationen 400 wie folgt durchgeführt werden. Zu Anfang (z.B. vor und/oder gleichzeitig mit dem Beginn der Operationen 400) kann die Schalterschaltung 220 die Abtastschaltung 225 und die globale Spaltenschaltung 212 mit der lokalen Spaltenschaltung 208 koppeln. Die Operationen 400 können mit dem Auswählen der Zelle 204 für die Leseoperation (siehe Operation 402) beginnen. In dieser Ausführungsform kann die Operation 402 das Aktivieren der Decodierbahnen, die mit der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Zeilenschaltung 206 der Zelle 204 assoziiert sind, umfassen. Danach kann die lokale Spaltenschaltung 208 ein lesebezogenes Vorladen durchlaufen, das darin resultieren kann, dass eine Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Spaltenschaltung 206 erzeugt wird (siehe Operation 404). Diese Vorladungsspannungsdifferenz kann die Amplitude Vpc aufweisen.
Nachdem die Operation 404 durchgeführt ist, kann als Teil der Operation 406 die Schalterschaltung 220 die lokale Spaltenschaltung 208 von einem oder mehreren übrigen Teilen (z.B. anderen als der lokalen Spaltenschaltung 208) der Speichereinheit 102, wie beispielsweise der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225, mindestens teilweise entkoppeln. Dies kann darin resultieren, dass die lokale Spaltenschaltung 208 von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Detektorschaltung 225 mindestens teilweise elektrisch isoliert wird und/oder ist und/oder im Verhältnis zu diesen (z.B. hinsichtlich der Spannung) schwebt. Auch kann als Teil der Operation 406 die Spannungstreiberschaltung der Schaltung 103 von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 entkoppelt und/oder mindestens teilweise elektrisch isoliert werden. Mindestens teilweise infolge der Operation 406 kann die lokale Spaltenschaltung 208 von der elektrischen Kapazität (C und/oder anderen elektrischen Eigenschaften und/oder Kennzeichen) 270 mindestens teilweise isoliert und/oder mit der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 assoziiert werden und/oder sein.
Nachdem die Operation 406 durchgeführt ist und während die lokale Spaltenschaltung 208 gleichzeitig von der Kapazität 270, der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 mindestens teilweise elektrisch isoliert ist, kann das Spannungs-Bias der lokalen Zeilenschaltung 206 erhöht (z.B. allmählich gesteigert) werden, bis die Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Zeilenschaltung 206 erzeugt ist. So wird in dieser Ausführungsform die Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Zeilenschaltung 206 mindestens teilweise während des Zeitraumes erzeugt, in dem die lokale Spaltenschaltung 208 von der Kapazität 270, der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtast- und Detektorschaltung 225 mindestens teilweise elektrisch isoliert ist.
Im Anschluss an das Erzeugen (als Teil der Operation 408) der Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Zeilenschaltung 206 kann die Schalterschaltung 220 die globale Spaltenschaltung 212 und/oder die Abtast- und Detektorschaltung 225 mit der lokalen Spaltenschaltung 208 (als Teil der Operation 410) wieder koppeln. Nachdem solch ein Wiederkoppeln durchgeführt ist und während die lokale Spaltenschaltung 208 mit der globalen Spaltenschaltung 212 und der Abtast- und Detektorschaltung 225 gekoppelt ist, kann eine Auslesung des mindestens einen Datums, das vorher in die Speicherzelle 204 und/oder das PCM 205 geschrieben wurde, durchgeführt werden, wie von der Operation 412 veranschaulicht. Diese Auslesung kann mindestens teilweise durch die Schaltung 225 und/oder die Schaltung 103 unter Bestimmen von mindestens teilweise einer oder mehrerer resistiver Eigenschaften und/oder Kennzeichen des PCM 205 erfolgen, die mindestens teilweise von der Spannung und/oder dem Strom wiedergegeben werden und/oder davon ableitbar sein können, die von der Schaltung 225 detektiert werden können.
Wenn beispielsweise das PCM 205 und/oder die Zelle 204 vor dem Beginn der Operationen 400 einen gesetzten Zustand (z.B. logische 0) aufweisen, dann kann das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein (z.B. im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes). Jedoch kann das Erzeugen der Spannungsdifferenz Vt in der Operation 408, während die lokale Spaltenschaltung 208 von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtastschaltung 225 mindestens teilweise isoliert ist, ausreichend sein, um darin zu resultieren, dass das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes übergehen. Dies kann mindestens teilweise darin resultieren, dass sich die lokale Spaltenschaltung 208 ausreichend lädt, um sich an die Vorspannung der lokalen Zeilenschaltung 206 anzunähern.
Danach, jedoch vor dem Durchführen der Operation 410, kann die Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Spaltenschaltung 208 und der lokalen Zeilenschaltung 206 unter die Rückschnapp-Haltespannung des PCM 205 und/oder der Zelle 204 sinken. So kann das Zurückschnappen der Spannung der Zelle 204 und/oder des PCM 205 erfolgen, während und/oder in dem Zeitraum, in dem die lokale Spaltenschaltung 208 von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Schaltung 225 mindestens teilweise entkoppelt (und daher isoliert) ist. Dies kann darin resultieren, mindestens teilweise, dass das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren.
Sind das PCM 205 und/oder die Zellen 204 wieder in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes, kann die Operation 410 durchgeführt werden. Die Zelle 204 und/oder das PCM 205 können anschließend (als Teil der Operation 412) ausgelesen werden, während das PCM 205 und/oder die Zelle 204 in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sind/ist und während die globale Spaltenschaltung 212 und die Abtastschaltung 225 mit der lokalen Spaltenschaltung 208 gekoppelt sind. Folglich kann die Ladungsaufteilung auf die lokale Spaltenschaltung 208, die globale Spaltenschaltung 212 und die Abtastschaltung 225 darin resultieren, dass von der Abtastschaltung 225 und/oder der Schaltung 103 Stromfluss und/oder Spannungsverschiebung detektiert werden/wird, was den Zustand hohen Widerstandes anzeigen kann, der dem gesetzten Zustand entspricht.
Im Gegensatz dazu kann, falls das PCM 205 und/oder die Zelle 204 vor dem Beginn der Operationen 400 einen rückgesetzten Zustand (z.B. logische 1) aufweisen, dann das Erzeugen der Spannungsdifferenz Vt in der Operation 408, während die lokale Spaltenschaltung 208 von der globalen Spaltenschaltung 212 und/oder der Abtastschaltung 225 mindestens teilweise isoliert ist, möglicherweise nicht ausreichend sein, um in dem Übergehen des Widerstandszustandes des PCM 205 und/oder der Zelle 204 (z.B. von verhältnismäßig hoch zu verhältnismäßig niedrig) zu resultieren. Demgemäß kann die lokale Spaltenschaltung 208 auf der Vorladespannung Vpc bleiben, und wenn die Zelle 204 und/oder das PCM 205 als Teil der Operation 412 ausgelesen werden, können die lokale Spaltenschaltung 208, die globale Spaltenschaltung 212 und die Abtastschaltung 225 alle bei oder nahe dem Äquipotenzial sein. Demgemäß kann während der Operation 412 verhältnismäßig wenig oder kein Stromfluss und/oder Spannungsverschiebung detektiert werden. Dies kann anzeigen, dass die Zelle 204 und/oder das PCM 205 im rückgesetzten Zustand sind.
So kann eine Ausführungsform die lokale Zeilenschaltung 206, die lokal zu einer Speicherzelle 204 einer Speichereinheit 102 sein kann, und die lokale Spaltenschaltung 208 umfassen, der lokal zu der Speicherzelle 204 sein kann. In dieser Ausführungsform kann die lokale Zeilenschaltung 206 oder die lokale Spaltenschaltung 208 hergestellt sein, um mindestens teilweise von mindestens einem übrigen Teil (z.B. der Abtastschaltung 225 und der globalen Zeilenschaltung 210 oder der globalen Spaltenschaltung 212) der Speichereinheit 102 während mindestens teilweise des Erzeugens einer Spannungsdifferenz Vt zwischen der lokalen Zeilenschaltung 206 und der lokalen Spaltenschaltung 208 elektrisch isoliert zu werden, damit ermöglicht wird, dass die Speicherzelle 204 während einer Auslesung der Speicherzelle 204 ausgelesen wird. Die Auslesung kann nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz Vt erfolgen.
In dieser Ausführungsform kann vorteilhaft entweder die lokale Zeilenschaltung oder die lokale Spaltenschaltung von (z.B. der Kapazität der) der globalen Zeilenschaltung bzw. der globalen Spaltenschaltung (und/oder zusätzlicher Schaltung) während eines Zurückschnappens der Spannung der Zelle und/oder während des Erzeugens der Spannungsdifferenz Vt vor dem Auslesen der Zelle isoliert werden. Dies kann in dieser Ausführungsform vorteilhaft die Menge an kapazitiver Entladung reduzieren, die während der Auslesung der Zelle erfolgen kann. Dies kann in dieser Ausführungsform vorteilhaft den Grad reduzieren, zu dem der logische Zustand der Zelle während solcher Ausleseoperationen gestört werden kann, und/oder die Anzahl von Ausleseoperationen erhöhen, die an der Zelle durchführbar sind, bevor die Daten der Zelle erneut geschrieben werden sollten. In dieser Ausführungsform kann dies weiter vorteilhaft ermöglichen, dass die Leistungsfähigkeit des Speichers verbessert wird, ohne die Komplexität der Operationen und/oder Schaltungen, die am Verwalten des Speichers beteiligt sind, wesentlich zu erhöhen.
Andere Modifikationen sind ebenfalls möglich. Beispielsweise können Speicherzellen und/oder Speichereinheiten gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen in einer oder mehreren Einheiten, wie z.B. einer oder mehreren mehrschichtigen und/oder integrierten PCM-Zellenfeldern und/oder einer oder mehreren Phasenwechselspeicher- und -schalter-(PCMS)-Anordnungen (z.B. in denen ein oder mehrere PCM-Elemente mit einem oder mehreren ovonischen Schwellenschaltern kombiniert sein können), benutzt werden und/oder davon umfasst sein. Zusätzlich oder alternativ können eine oder mehrere solcher Einheiten zum Vorteil benutzt werden, um dynamische Direktzugriffsspeicher und/oder andere Typen von Speichereinheiten zur Benutzung in (z.B. Host-) Systemspeichern, Halbleiterspeichern, Flash-Speichern und/oder tragbaren Computergeräten (z.B. Personal Data Assistants, Smartphones, Mobiltelefonen, Laptops, Netbooks und/oder anderen Geräten) zu ersetzen. Dementsprechend sollte diese Ausführungsform im weitesten Sinne als alle diese Alternativen, Modifikationen, Abwandlungen umgreifend angesehen werden.

Claims

Vorrichtung, umfassend: eine lokale Zeilenschaltung (206), die lokal zu einer Speicherzelle (204) einer Speichereinheit ist; eine lokale Spaltenschaltung (208), die lokal zu der Speicherzelle ist; wobei eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von mindestens einem übrigen Teil der Speichereinheit während des Erzeugens einer Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) elektrisch isoliert werden muss, damit ermöglicht wird, dass die Speicherzelle während einer Auslesung der Speicherzelle ausgelesen wird, wobei die Auslesung nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz erfolgt, wobei die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) die lokale Spaltenschaltung ist; und der mindestens eine übrige Teil der Speichereinheit eine globale Spaltenschaltung (212) und eine Decodierschaltung der Speichereinheit umfasst; und während der Auslesung der Speicherzelle (204) die lokale Spaltenschaltung (208) mit der globalen Spaltenschaltung (212) und der Decodierschaltung elektrisch gekoppelt sein muss; wobei die Speicherzelle (204) eine Phasenwechsel-Speicherzelle (205) ist; und wenn die Speicherzelle (204) in einem gesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes sein muss; nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes einnehmen muss und danach die Speicherzelle in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren muss; und während der Auslesung die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; wobei das Zurückkehren in den verhältnismäßig hohen Widerstand durch ein Zurückschnappen der Spannung der Zelle erfolgt während die lokale Spaltenschaltung (208) von der globalen Spaltenschaltung (212) entkoppelt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: vor dem elektrischen Isolieren der einen von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil der Speichereinheit die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) eine Spannungsamplitude im Verhältnis zu der anderen von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) aufweisen muss, die kleiner als die Spannungsdifferenz ist; und gleichzeitig mit dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch isoliert sein muss, derart, dass die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von Kapazität von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch isoliert sein muss.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: während des Zurückschnappens der Spannung der Speicherzelle (204) die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch entkoppelt sein muss.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: wenn die Speicherzelle (204) in einem rückgesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; und nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes verbleiben muss.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: die Speichereinheit von einer austauschbaren Speichereinheit umfasst ist, die fähig ist, mittels einer Schnittstelle eines Host austauschbar mit dem Host gekoppelt zu werden.
Verfahren (400), umfassend: elektrisches Isolieren einer von einer lokalen Zeilenschaltung (206) und einer lokalen Spaltenschaltung (208) von mindestens einem übrigen Teil einer Speichereinheit während des Erzeugens einer Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208), wobei die lokale Zeilenschaltung (206) und die lokale Spaltenschaltung (208) lokal zu einer Speicherzelle (204) der Speichereinheit sind, wobei die Spannungsdifferenz dazu da ist, um zu ermöglichen, dass die Speicherzelle (204) während einer Auslesung der Speicherzelle ausgelesen wird, wobei die Auslesung nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz erfolgt; wobei die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) die lokale Spaltenschaltung (208) ist; und der mindestens eine übrige Teil der Speichereinheit eine globale Spaltenschaltung und eine Decodierschaltung der Speichereinheit umfasst; und während der Auslesung der Speicherzelle (204) die lokale Spaltenschaltung (208) mit der globalen Spaltenschaltung (212) und der Decodierschaltung elektrisch gekoppelt sein muss; . wobei die Speicherzelle (204) eine Phasenwechsel-Speicherzelle (205) ist; und wenn die Speicherzelle (204) in einem gesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes sein muss; nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes einnehmen muss und danach die Speicherzelle in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren muss; und während der Auslesung die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; wobei das Zurückkehren in den verhältnismäßig hohen Widerstand durch ein Zurückschnappen der Spannung der Zelle (204) erfolgt während die lokale Spaltenschaltung (208) von der globalen Spaltenschaltung (212) entkoppelt ist.
Verfahren (400) nach Anspruch 6, wobei: vor dem elektrischen Isolieren der einen von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil der Speichereinheit die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) eine Spannungsamplitude im Verhältnis zu der anderen von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) aufweisen muss, die kleiner als die Spannungsdifferenz ist; und gleichzeitig mit dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch isoliert sein muss, derart, dass die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von Kapazität von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch isoliert sein muss.
Verfahren (400) nach Anspruch 6, wobei: während des Zurückschnappens der Spannung der Speicherzelle (204) die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch entkoppelt sein muss.
Verfahren (400) nach Anspruch 6, wobei: wenn die Speicherzelle (204) in einem rückgesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; und nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes verbleiben muss.
Verfahren (400) nach Anspruch 6, wobei: die Speichereinheit von einer austauschbaren Speichereinheit umfasst ist, die fähig ist, mittels einer Schnittstelle eines Host austauschbar mit dem Host gekoppelt zu werden.
Vorrichtung, umfassend: eine lokale Zeilenschaltung (206), die lokal zu einer Speicherzelle (204) einer Speichereinheit ist; eine lokale Spaltenschaltung (208), die lokal zu der Speicherzelle (204) ist; eine globale Zeilenschaltung (210), eine globale Spaltenschaltung (212) und Abtastschaltung der Speichereinheit; wobei eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von einer der ersten Schaltung und der zweiten Schaltung während des Erzeugens einer Spannungsdifferenz zwischen der lokalen Zeilenschaltung und der lokalen Spaltenschaltung elektrisch isoliert sein muss, damit ermöglicht wird, dass die Speicherzelle (204) während einer Auslesung der Speicherzelle (204) ausgelesen wird, wobei die Auslesung nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz erfolgt, wobei die erste Schaltung die globale Zeilenschaltung (210) und Abtastschaltung umfasst, die zweite Schaltung die globale Spaltenschaltung (212) und die Abtastschaltung umfasst; wobei die Speicherzelle (204) eine Phasenwechsel-Speicherzelle (205) ist; und wenn die Speicherzelle (204) in einem gesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in einem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes im Verhältnis zu einem Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes sein muss; nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) den Zustand verhältnismäßig niedrigen Widerstandes einnehmen muss und danach die Speicherzelle in den Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes zurückkehren muss; und während der Auslesung die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; wobei das Zurückkehren in den verhältnismäßig hohen Widerstand durch ein Zurückschnappen der Spannung der Zelle erfolgt während die lokale Spaltenschaltung (208) von der globalen Spaltenschaltung (212) entkoppelt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei während des Zurückschnappens der Spannung der Speicherzelle (204) die eine von der lokalen Zeilenschaltung (206) und der lokalen Spaltenschaltung (208) von dem mindestens einen übrigen Teil elektrisch entkoppelt sein muss.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei wenn die Speicherzelle (204) in einem rückgesetzten Zustand ist: vor dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes sein muss; und nach dem Erzeugen der Spannungsdifferenz die Speicherzelle (204) in dem Zustand verhältnismäßig hohen Widerstandes verbleiben muss.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei: die Speichereinheit einen Kreuzungspunktspeicher umfasst, der von einer austauschbaren Speichereinheit umfasst ist, die fähig ist, mittels einer Schnittstelle eines Host austauschbar mit dem Host gekoppelt zu werden.