DE112012002979B4 - Saw-Filter mit ebener Barriereschicht und Herstellungsverfahren - Google Patents
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Abstract
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein Filter für Oberflächen-Schallwellen (Surface Acoustic Waves, SAW) und insbesondere SAW-Filtereinheiten und ein Verfahren zur Herstellung derselben, welche eine ebene Barriereschicht umfassen.
- HINTERGRUND
- Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filter werden aufgrund der kleinen Chipgröße und des niedrigen Einfügungsverlusts oft für eine Hochfrequenz(HF)-Filterung in Einheiten wie drahtlosen Kommunikationssystemen verwendet. Die Leistung eines SAW-Filters hängt von den Eigenschaften der SAW ab, die sich in einem piezoelektrischen Substrat fortpflanzen. SAW-Filter mit niedrigen Temperaturkoeffizienten der Frequenz (Temperature Coefficients of Frequency, TCF) führen zu einer größeren Temperaturunabhängigkeit bei Frequenzen in der Nähe der Mitte des Durchlassbereichs der Einheit.
- SAW-Filter mit vergrabenem Metall sind verwendet worden und haben eine hohe elektromagnetische Kopplung (hohe Bandbreite) gezeigt, können aber keinen zufriedenstellenden TCF bereitstellen. Andere Herausforderungen bei SAW-Filtern mit vergrabenem Metall sind z.B. eine Beschädigung des piezoelektrischen Substrats während Polier- oder Ätzschritten der Herstellung und die Schwierigkeit des Steuerns der Dicke vergrabener Elektroden, welche wiederum die durch den SAW-Filter gesendete Signalfrequenz beeinflusst.
- Die
US 2006 / 0 290 233 A1 - Die
DE 102 16 559 A1 betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Leistungs-SAW Bauelementen mit einem neuartigen Metallisierungssystem auf der Basis von Kupferdünnschichten. Für diese Kupfer SAW-Technologie sind dünne Barriereschichten zur Verhinderung einer Interdiffusion von Stoff erforderlich, insbesondere gegen Sauerstoff und Kupferdiffusion. DieDE 102 16 559 A1 betrifft ferner ein Akustisches Oberflächenwellen-Bauelement mit Streifenstrukturen aus einem Dünnschicht-Metallisierungssystem als Fingerelektroden, bei denen mindestens die Streifenstrukturen teilweise oder vollständig mit einer Dünnschicht auf der Basis von Ta und Si ummantelt sind. - Die
WO 2011 / 018 913 A1 - KURZDARSTELLUNG
- Eine erste Ausführungsform der Offenbarung stellt einen Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filter bereit, aufweisend: ein piezoelektrisches Substrat; eine ebene Barriereschicht, die über dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist; und mindestens einen Metallleiter, der in mindestens einem Graben in der ebenen Barriereschicht angeordnet ist, wobei jeder der mindestens einen Metallleiter ferner einen gestapelten Leiter in Damaszener-Konfiguration aufweist, umfassend: eine Diffusionsbarriereschicht, welche über dem mindestens einen Metallleiter angeordnet ist; und eine Al-Schicht, welche über der Diffusionsbarriereschicht angeordnet ist, wobei der Metallleiter, die Diffusionsbarriereschicht und die Al-Schicht selbstausrichtend sind, und wobei der mindestens eine Metallleiter Cu aufweist und in dem piezoelektrischen Substrat und der ebenen Barriereschicht vergraben ist..
- Eine zweite Ausführungsform der Offenbarung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filters bereit, wobei das Verfahren aufweist: Abscheiden einer ebenen Barriereschicht auf einem piezoelektrischen Substrat; Strukturieren der ebenen Barriereschicht, um mindestens einen Graben zu bilden; Abscheiden einer Metallschicht über der ebenen Barriereschicht und Polieren der Metallschicht, um mindestens einen Metallleiter zu bilden, wobei die Metallschicht Cu aufweist, und wobei das Verfahren ferner aufweist: Abscheiden einer Diffusionsbarriereschicht über der Metallschicht nach dem Abscheiden der Metallschicht über der ebenen Barriereschicht; Polieren der Diffusionsbarriereschicht und der Metallschicht, um mindestens eine Aussparung zu bilden; Abscheiden von Al in der mindestens einen Aussparung; und Polieren des Al, um mindestens einen selbstausrichtenden gestapelten Metallleiter nach Damaszenerart zu bilden.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die ebene Barriereschicht SiO2 auf.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das piezoelektrische Substrat LiNbO3 auf.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Diffusionsbarriereschicht eines aus TaN/Ta, TaSiN/Ta, WN/Ta und WN/Ru auf.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der SAW-Filter eine SiO2-Schicht auf, die über dem mindestens einen Metallleiter und der ebenen Barriereschicht angeordnet ist.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Verfahren das Abscheiden einer SiO2-Schicht über der ebenen Barriereschicht und dem mindestens einen Metallleiter auf.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform fasst das Polieren das Polieren der Diffusionsbarriereschicht um.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Verfahren das Entfernen der ebenen Barriereschicht von dem piezoelektrischen Substrat auf.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine Dicke des Al durch eine Menge abgeschiedenen Metalls gesteuert.
- Diese und andere Erscheinungsformen, Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlich, welche, wenn sie in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gesehen wird, Ausführungsformen der Erfindung offenbart, wobei überall in den Zeichnungen gleiche Teile durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet sind.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die obigen und andere Erscheinungsformen, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch Lesen der folgenden spezifischeren Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen besser verständlich.
-
1 bis4 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur und eine Verfahren zur Herstellung derselben. -
5 bis8 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur mit einer Diffusionsbarriere und eine Verfahren zur Herstellung derselben. -
9 bis12 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur, die eine Deckschicht umfasst, und eine Verfahren zur Herstellung derselben. -
13 bis16 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur mit gestapelten Elektroden und eine Verfahren zur Herstellung derselben. -
17 bis20 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur mit gestapelten Elektroden und einer Diffusionsbarriere und eine Verfahren zur Herstellung derselben. -
21 bis25 zeigen eine beispielhafte SAW-Filterstruktur mit selbstausrichtenden gestapelten Elektroden und eine Verfahren zur Herstellung derselben. - Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Die Zeichnungen sind lediglich schematische Darstellungen, die nicht spezielle Parameter der Erfindung abbilden sollen. Die Zeichnungen sollen nur typische Ausführungsformen der Erfindung abbilden und sollten deswegen nicht als den Umfang der Erfindung beschränkend angesehen werden. In den Zeichnungen repräsentiert eine gleiche Nummerierung gleiche Elemente.
- DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Wie oben angegeben, zeigen
1 bis25 verschiedene SAW-Filter100 und Verfahren zur Herstellung derselben. - Bezug nehmend auf die Zeichnungen, zeigen
1 bis4 ein für die Erfindung irrelevantes beispielhaftes SAW-Filter100 und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Wie in1 dargestellt, wird ein piezoelektrisches Substrat110 bereitgestellt, welches neben anderen piezoelektrischen Substraten Lithiumniobat (LiNbO3) aufweisen kann. Über dem piezoelektrischen Substrat110 wird eine ebene Barriereschicht120 bereitgestellt. In verschiedenen Ausführungsformen kann es sich bei der ebenen Barriereschicht120 um SiO2 handeln, und sie kann eine Dicke von etwa 100 nm aufweisen. Die ebene Barriereschicht120 kann z.B. durch Lithographie und Ätzen strukturiert werden, um mindestens einen Graben125 in der ebenen Barriereschicht120 zu bilden. - Wie in
2 dargestellt, wird über der ebenen Barriereschicht120 und dem piezoelektrischen Substrat110 eine Metallschicht130 abgeschieden. In einer Ausführungsform kann es sich bei der Metallschicht um Kupfer (Cu) handeln und sie kann z.B. durch physikalische Abscheidung aus der Gasphase (Physical Vapor Deposition, PVD) abgeschieden werden. In3 kann die Metallschicht130 z.B. durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) poliert werden, um mindestens einen Metallleiter132 zu bilden. Während des Polierens wirkt die Barriereschicht120 als Polierstopp, welcher das piezoelektrische Substrat110 schützt. In4 kann über der ebenen Barriereschicht120 und dem Metallleiter130 eine SiO2-Schicht135 abgeschieden werden. -
5 bis8 zeigen ein für die Erfindung irrelevantes beispielhaftes SAW-Filter100 . Wie in5 dargestellt, wird eine ebene Barriereschicht120 über einem piezoelektrischen Substrat110 abgeschieden und strukturiert, um Gräben125 zu bilden, wie in Bezug auf1 beschrieben. Wie in6 dargestellt, wird über der ebenen Barriereschicht120 und dem piezoelektrischen Substrat110 eine Auskleidung oder Diffusionsbarriereschicht140 abgeschieden, z.B. durch PVD. Bei der Zusammensetzung der Diffusionsbarriereschicht140 kann es sich um eines aus TaN/Ta, TaSiN/Ta, WN/Ta, WN/Ru oder eine andere Zusammensetzung handeln. Wie in6 dargestellt, kann über der Diffusionsbarriereschicht140 eine Metallschicht130 abgeschieden werden. In7 können die Diffusionsbarriereschicht140 und die Metallschicht130 poliert werden, z.B. durch CMP, um mindestens einen Metallleiter132 zu bilden, der durch die Diffusionsbarriereschicht140 ausgekleidet ist. Die Diffusionsbarriereschicht140 kleidet sowohl eine horizontale Fläche141 unterhalb des Metallleiters132 als auch vertikale Flächen144 ,146 des Metallleiters132 aus, wie in7 dargestellt. In8 kann eine SiO2-Schicht135 über der ebenen Barriereschicht120 , dem Metallleiter132 und der Diffusionsbarriereschicht140 abgeschieden werden. -
9 bis12 zeigen ein für die Erfindung irrelevantes beispielhaftes SAW-Filter100 . Wie in9 dargestellt, wird eine ebene Barriereschicht120 über einem piezoelektrischen Substrat110 abgeschieden und strukturiert, um Gräben125 zu bilden, wie vorstehend beschrieben. Bei der ebenen Barriereschicht120 kann es sich um SiO2 handeln, und sie kann eine Dicke von etwa 200 nm aufweisen. Über der ebenen Barriereschicht120 und dem piezoelektrischen Substrat110 wird eine Metallschicht130 abgeschieden, z.B. durch PVD. Anschließend kann über der Metallschicht130 durch PVD oder plasmaunterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) eine Deckschicht150 abgeschieden werden, bei welcher es sich z.B. um SiN handeln kann. Wie in10 dargestellt, können die Metallschicht130 und die Deckschicht150 poliert werden, z.B. durch CMP, wobei die ebene Barriereschicht120 als Polierstopp genutzt wird. - In einer Ausführungsform kann die Metallschicht
130 derart abgeschieden werden, dass eine Dicke133 der Metallschicht130 geringer ist als eine Tiefe134 des Grabens125 , d.h. dass die Metallschicht130 nicht die volle Tiefe134 des Grabens125 ausfüllt. In einer weiteren Ausführungsform können die Metallschicht130 und die Deckschicht150 derart abgeschieden werden, dass eine gemeinsame Dicke136 der Metallschicht130 und der Deckschicht150 ebenfalls geringer als die Tiefe134 des Grabens125 sein kann, d.h. dass die Metallschicht130 und die Deckschicht150 zusammen nicht den Graben125 bis zur Tiefe134 füllen, wie in10 dargestellt. In solchen Ausführungsformen kann die Dicke133 der Metallschicht130 und deswegen des Metallleiters132 , welcher in10 bis12 ausgespart ist, durch Einstellen der Abscheidung der Metallschicht130 statt wie in den Ausführungsformen der3 und7 durch Polieren gesteuert werden. - In der Ausführungsform, die in
11 dargestellt ist, kann die Deckschicht150 durch Ätzen entfernt werden, obwohl sie in anderen Ausführungsformen möglicherweise nicht entfernt wird. Wie in12 dargestellt, kann die SiO2-Schicht135 über der ebenen Barriereschicht120 , dem Metallleiter132 und, falls vorhanden, der (in12 nicht dargestellten) Deckschicht150 abgeschieden werden. -
13 bis16 zeigen ein für dir Erfindung irrelevantes beispielhaftes SAW-Filter100 . Wie in13 dargestellt, wird eine ebene Barriereschicht120 über einem piezoelektrischen Substrat110 abgeschieden und strukturiert, um Gräben125 zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann es sich bei der ebenen Barriereschicht120 um SiO2 handeln. Durch Abscheiden von Metall, welches Kupfer sein kann, über der Filterstruktur100 und Polieren des Metalls unter Nutzung der ebenen Barriereschicht120 als Polierstopp werden Metallleiter132 gebildet. Die Metallleiter132 werden so in dem piezoelektrischen Substrat110 und der ebenen Barriereschicht120 vergraben, wie in13 dargestellt. - Wie in
14 dargestellt, wird über den Metallleitern132 eine Diffusionsbarriereschicht140 abgeschieden. Bei der Diffusionsbarriereschicht140 kann es sich z.B. um Tantalnitrid (TaN) handeln. Anschließend wird über der Diffusionsbarriereschicht140 eine zweite Metallschicht160 abgeschieden, bei welcher es sich um Aluminium (Al) handeln kann. Die zweite Metallschicht160 wird dann z.B. durch reaktives Ionenätzen unter Nutzung der ebenen Barriereschicht120 als Ätzstopp, um das piezoelektrische Substrat110 zu schützen, geätzt. Die zweite Metallschicht160 kann derart selbstausrichtend sein, dass sie im Wesentlichen horizontal mit der Diffusionsbarriereschicht140 in Ausrichtung gebracht ist, wie in14 bis16 dargestellt. In15 kann die ebene Barriereschicht120 dann durch Ätzen entfernt werden, obwohl sie in anderen Ausführungsformen auch an ihrem Platz bleiben kann. Gemeinsam bilden der Metallleiter132 , die Diffusionsbarriereschicht140 und die zweite Metallschicht160 eine gestapelte Metallelektrode170 , welche für eine hohe Bandbreite/elektromagnetische Kopplung und einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz von etwa 0,1 sorgen kann. In16 kann über dem piezoelektrischen Substrat110 , der ebenen Barriereschicht120 , falls vorhanden, und der gestapelten Metallelektrode170 eine SiO2-Schicht135 abgeschieden werden. -
17 bis20 zeigen ein weiteres SAW-Filter. Wie in17 dargestellt, wird eine ebene Barriereschicht120 über einem piezoelektrischen Substrat110 abgeschieden und strukturiert, um Gräben125 zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann es sich bei der ebenen Barriereschicht120 um SiO2 handeln. Durch Abscheiden von Metall, welches Kupfer sein kann, über der Filterstruktur100 und Polieren des Metalls unter Nutzung der ebenen Barriereschicht120 als Polierstopp, um das piezoelektrische Substrat110 zu schützen, werden Metallleiter132 gebildet. Die Metallleiter132 werden so in dem piezoelektrischen Substrat110 und der ebenen Barriereschicht120 vergraben, wie in17 dargestellt. Über den Metallleitern132 wird in einem selbstausrichtenden Verfahren eine Diffusionsbarriereschicht142 derart abgeschieden, dass der Metallleiter132 und die Diffusionsbarriereschicht142 im Wesentlichen horizontal in Ausrichtung gebracht sind. Bei der Diffusionsbarriere142 kann es sich z.B. um Kobaltwolframphosphat (CoWP) handeln. - Wie in
18 dargestellt, wird anschließend über der Diffusionsbarriereschicht142 eine zweite Metallschicht160 abgeschieden, bei welcher es sich um Aluminium (Al) handeln kann. Die zweite Metallschicht160 wird dann z.B. durch reaktives Ionenätzen unter Nutzung der ebenen Barriereschicht120 als Ätzstopp geätzt. In19 kann die ebene Barriereschicht120 dann durch Ätzen entfernt werden, obwohl sie in anderen Ausführungsformen auch an ihrem Platz bleiben kann. Gemeinsam bilden der Metallleiter132 , die Diffusionsbarriere142 und die zweite Metallschicht160 eine gestapelte Metallelektrode170 , welche für eine hohe Bandbreite/elektromagnetische Kopplung und einen Temperaturkoeffizienten der Frequenz von etwa 0,1 sorgen kann. In der in20 abgebildeten Ausführungsform kann über dem piezoelektrischen Substrat110 , der ebenen Barriereschicht120 , falls vorhanden, und der gestapelten Metallelektrode170 eine SiO2-Schicht135 abgeschieden werden. -
21 bis24 zeigen ein weiteres SAW-Filters, welche gestapelte Metallelektroden nach Damaszenerart umfasst. Wie in21 dargestellt, wird über einem piezoelektrischen Substrat110 eine ebene Barriereschicht120 abgeschieden, bei welcher es sich um SiO2 handeln kann, und Gräben125 werden strukturiert, wie oben beschrieben. Anschließend wird über der ebenen Barriereschicht120 und den Gräben125 z.B. durch PVD eine Metallschicht130 abgeschieden, gefolgt vom Abscheiden einer Diffusionsbarriereschicht140 , bei welcher es sich z.B. um TaN handeln kann. Der SAW-Filter100 wird anschließend poliert, wie in22 dargestellt, was zu Metallleitern132 führt, welche eine Metallauskleidung sowohl der horizontalen151 als auch der vertikalen164 ,166 Flächen des Grabens125 und eine Diffusionsbarriere-Auskleidung sowohl der horizontalen als auch der vertikalen Flächen des Metallleiters132 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann ein aussparendes Ätzen der Metallschicht130 durchgeführt werden, um ausgesparte Leiter132 zu bilden. - Wie in
23 dargestellt, kann dann eine zweite Metallschicht160 , bei welcher es sich um Aluminium (Al) handeln kann, abgeschieden und poliert werden, wodurch selbstausrichtende gestapelte Metallelektroden170 gebildet werden, die eine Damaszener-Konfiguration aufweisen. In einer Ausführungsform kann die zweite Metallschicht160 zu einer Dicke größer oder gleich einer Tiefe175 des ausgekleideten Grabens126 abgeschieden werden. In einer solchen Ausführungsform kann die Konfiguration der23 durch Polieren der zweiten Metallschicht160 bis zu der gewünschten Tiefe erreicht werden. In einer anderen Ausführungsform, dargestellt in24 , kann die zweite Metallschicht160 derart abgeschieden werden, dass eine gemeinsame Dicke des Metallleiters132 , der Diffusionsbarriereschicht140 und der zweiten Metallschicht160 kleiner oder gleich einer Tiefe des Grabens125 ist, wie in24 gezeigt. Somit kann die Dicke der zweiten Metallschicht160 und deswegen des gestapelten Metalls170 durch Einstellen der Abscheidung der zweiten Metallschicht160 statt durch Polieren gesteuert werden und kann in einigen Ausführungsformen weiter ausgespart werden, wie in24 dargestellt. In einigen Ausführungsformen kann die ebene Barriereschicht120 entfernt werden, wie in25 dargestellt. - Die Beschreibungen der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dienen Zwecken der Veranschaulichung, sollen aber nicht erschöpfend oder auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt sein. Viele Modifikationen und Variationen werden dem Fachmann ersichtlich sein, ohne vom Umfang und von der Idee der beschriebenen Ausführungsformen abzuweichen. Die hierin verwendete Terminologie wurde so gewählt, dass die Prinzipien der Ausführungsformen, die praktische Anwendung oder die technische Verbesserung gegenüber den auf dem Markt befindlichen Technologien bestmöglich erläutert werden können oder anderen Fachleuten ermöglicht wird, die hierin offenbarten Ausführungsformen zu verstehen.
Claims (11)
- Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filter (
100 ), aufweisend: ein piezoelektrisches Substrat (110 ); eine ebene Barriereschicht (120 ), welche über dem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist; und mindestens einen Metallleiter (132 ), welcher in mindestens einem Graben (125 ) in der ebenen Barriereschicht angeordnet ist, wobei jeder der mindestens einen Metallleiter ferner einen gestapelten Leiter in Damaszener-Konfiguration aufweist, umfassend: eine Diffusionsbarriereschicht (142 ), welche über dem mindestens einen Metallleiter angeordnet ist; und eine Al-Schicht (160 ), welche über der Diffusionsbarriereschicht angeordnet ist, wobei der Metallleiter, die Diffusionsbarriereschicht und die Al-Schicht selbstausrichtend sind, und wobei der mindestens eine Metallleiter Cu aufweist und in dem piezoelektrischen Substrat und der ebenen Barriereschicht vergraben ist. - SAW-Filter nach Anspruch 1, wobei die ebene Barriereschicht SiO2 aufweist.
- SAW-Filter nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das piezoelektrische Substrat LiNbO3 aufweist.
- SAW-Filter nach nach einem der vorangehenden Ansprüche, welcher ferner eine SiO2-Schicht (
135 ) aufweist, die über dem mindestens einen Metallleiter und der ebenen Barriereschicht angeordnet ist. - SAW-Filter nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Diffusionsbarriereschicht eines aus TaN/Ta, TaSiN/Ta, WN/Ta und WN/Ru aufweist.
- Verfahren zur Herstellung eines Oberflächen-Schallwellen(SAW)-Filters (
100 ), das Verfahren aufweisend: Abscheiden einer ebenen Barriereschicht (120 ) auf einem piezoelektrischen Substrat (110 ); Strukturieren der ebenen Barriereschicht, um mindestens einen Graben (125 ) zu bilden; Abscheiden einer Metallschicht (130 ) über der ebenen Barriereschicht; und Polieren der Metallschicht, um mindestens einen Metallleiter (132 ) zu bilden, wobei wobei die Metallschicht Cu aufweist, und wobei das Verfahren ferner aufweist: Abscheiden einer Diffusionsbarriereschicht (140 ) über der Metallschicht nach dem Abscheiden der Metallschicht über der ebenen Barriereschicht; Polieren der Diffusionsbarriereschicht und der Metallschicht, um mindestens eine Aussparung (126 ) zu bilden; Abscheiden von Al (160 ) in der mindestens einen Aussparung; und Polieren des Al, um mindestens einen selbstausrichtenden gestapelten Metallleiter nach Damaszenerart zu bilden. - Verfahren nach Anspruch 6, ferner aufweisend Abscheiden einer SiO2-Schicht (
135 ) über der ebenen Barriereschicht und dem mindestens einen Metallleiter. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 7 oder 6, wobei die Diffusionsbarriereschicht eines aus TaN/Ta, TaSiN/Ta, WN/Ta und WN/Ru aufweist, und wobei das Polieren ferner das Polieren der Diffusionsbarriereschicht umfasst.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6–8, ferner aufweisend Entfernen der ebenen Barriereschicht von dem piezoelektrischen Substrat.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6–9, wobei eine Dicke des Al durch eine Menge abgeschiedenen Metalls gesteuert wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6–10, wobei die ebene Barriereschicht SiO2 aufweist.
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