DE112011102315T5

DE112011102315T5 - Verfahren der Massenspektrometrie und Einrichtung für seine Ausführung

Info

Publication number: DE112011102315T5
Application number: DE112011102315T
Authority: DE
Inventors: Aldan Asanovich Sapargaliyev; Yerbol Asanovich Sapargaliyev
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2010-07-09
Filing date: 2011-07-08
Publication date: 2013-06-20
Also published as: CA2804968A1; GB201301182D0; WO2012005561A2; JP2013532366A; EP2615622A2; GB2495667A8; WO2012005561A3; EP2615622A4; US20130161508A1; GB2495667A; US8598516B2

Abstract

Die Erfindung gehört zu der elektronischen analytischen Technik für die Bestimmung der Zusammensetzung und der Struktur von Substanzen, u. a. im Bereich der Analysatoren, die mindestens einen Massenspektometer (MS – Mass Spektrometer) einschließen, und kann in Medizin, in Biologie, Gas- und Ölindustrie, in Metallurgie, Energetik, Geochemie, Hydrologie, Ökologie gebraucht werden. Das technische Ergebnis ist die Vergrößerung der Auflösbarkeit von MS, der Empfindlichkeit, der Genauigkeit und der Geschwindigkeit der Änderung der Zusammensetzung und der Struktur von Substanzen, bei der gleichzeitigen Erweiterung der Funktionalmöglichkeiten, bei der Verminderung der geometrischen Abmessungen und des Gewichtes der Substanzanalysatoren. In der Art und Weise der Massenspektometrie werden die Formierung des Ionenstroms und seine Steuerung mit der einflutigen außeraxialen Methode; mit der parallel-mehrflutigen Methode; mit der Methode der Anwendung des dreidimensionalen Feldes mit der mittleren Meridianoberfläche vollzogen, einschließlich von der widerspiegelnden dreidimensionalen Art und der widerspiegelnden zweizonigen Art oder mit der Methode der Massive der Mehrwiderspiegelung. Es sind die Varianten der Vorrichtungen für die Realisierung der Weise erarbeitet worden. Es sind prinzipielle ionen-optische Schemas vorgestellt worden, die erlauben, die MS verschiedener Arten mit wenigeren Materialaufwendigkeit und geometrischen Abmessungen zu schaffen.

Description

Die Erfindung kann zum Beispiel in der Medizin, Biologie, in der Gas- und Ölwirtschaft, in der Metallurgie, Energiewirtschaft, Geochemie, Hydrologie, Nahrungsmittelindustrie, für die Kontrolle der Doping- und Betäubungsmittel verwendet werden.
In den Materialien dieser Erfindung sind neue Begriffe und Termini eingeführt, die hauptsächlich im Laufe der Fassung der Patentansprüche und der Beschreibung der Erfindungsanmeldung erläutert sind. Manche davon, verbunden hauptsächlich mit den neuen Gegenständen, die in dieser Erfindung zum ersten Mal vorgelegt sind, fordern eine ergänzende Erläuterung, die hier angegeben ist, für ihre eindeutige Interpretation.
Die P-Baueinheit heißt die IO-Baueinheit, die mit der Versorgung der Bildung einer zweidimensionalen (gebildet durch die parallele Bewegung der Bildungsgerade) geometrischen Mitteloberfläche (M-Oberfläche) der IO-Baueinheit ausgeführt ist. Im allgemeinen Fall kann die P-Baueinheit als unebene zweidimensionale Mitteloberfläche ausgeführt werden. Die besonderen Fälle der P-Baueinheiten sind ihre Arten, wenn sie geometrische Mittelebenen und übereinanderliegende Spiegelebene des elektrischen Feldes und/oder die Antisymmetrie des magnetischen Feldes gleichzeitig besitzen.
Die P-Baueinheiten zerfallen in kartesische und zweidimensionale sowie dreidimensionale Baueinheiten. Alle P-Baueinheiten, abgesehen von ihrer gleichartigen oder ungleichartigen Höhe der kartesischen und zweidimensionalen (abhängig nur von zwei Koordinatenachsen im kartesischen Koordinatensystem) Typen, gehören zu den dreidimensionalen P-Baueinheiten. Die kartesischen und zweidimensionalen P-Baueinheiten zerfallen in die flächenhaften und zweidimensionalen (mit geometrischen Mittelebenen) und die oberflächlichen und zweidimensionalen (M-Oberfläche ist durch die parallele Bewegung der Bildungsgerade in der gekrümmten Linie entweder in der gebrochenen Gerade oder in der gekrümmten und gebrochenen Linie gebildet).
Einige Beispiele der P-Baueinheiten: zylindrische Kondensatoren, IO-Baueinheiten mit einer asymmetrisch-ungleichartigen Höhe und den parallelen Frontalrändern der Anordnung der kartesischen und zweidimensionalen Elektroden, Flachkondensator, IO-Baueinheiten mit der asymmetrisch-horizontalen Ausrichtung der Elektroden und dabei mit einer symmetrisch-ungleichartigen Höhe oder einer gleichartigen Höhe der Anordnung der Elektroden, magnetische IO-Sektorbaueinheiten, IO-Kegelbaueinheiten (von einem keilförmigen Typ, von einem kegelförmigen Typ).
Die Eingangs- und Ausgangsmittelebenen der P-Baueinheit heißen die Verlängerung ihrer M-Oberflächen außerhalb des Feldes beim Ausgang und Eingang entsprechend.
Die in einer von den Richtungen verlängerten IO-Baueinheiten heißen die verlängerten IO-Baueinheiten. Die verlängerten IO-Baueinheiten sind für die gleichzeitige und aufeinanderfolgende Einwirkung auf den Eintrakt- oder Mehrtraktionenstrom auf den verschiedenen Abschnitten der verlängten IO-Baueinheit bestimmt.
Jedes IO-System/Untersystem, das mit dem Ionenstrom dreimal oder mehr zusammenwirkt, zum Beispiel einheitliche Mehrreflektoren, IO-Systeme/Untersysteme, bestehend aus drei und mehr IO-Baueinheiten, können auf dem Grund der Projektion auf zwei oder drei gegenseitig senkrechte Charakteristikenebenen – Auflagerebene und Schrittebene oder Längsschrittebene und Querschrittebene – beschrieben werden.
In den IO-Schrittsystemen/Untersystemen ist die Auflagerebene eine Ebene senkrecht zu den Linienachsen seiner Komponenten der verlängerten P-Baueinheiten, die parallel zu einander liegen.
In den IO-Flachsystemen/Untersystemen kann mindestenst Dreiviertel des Teiles (Lagerteiles) der Komponente auf einer Ebene angeordnet werden – ihrer Standebene. Die Auflagerebene des IO-Flachsystems ist eine Ebene, die zum Ionenstrom zwischen drei oder mehr Abschnitten der gekoppelten (der Ionenstrom geht aus einem in den anderen über) IO-Auflagerbaueinheiten des IO-Systems parallel ist, und die den kleinsten Winkel zu der Standebene des IO-Systems hat.
Die Schrittebene des IO-Systems/der Untersysteme ist eine Ebene, die zu seiner Auflagerebene senkrecht ist.
Die IO-Systeme zerfallen in zweidimensionale und dreidimensionale Systeme. Die IO-Systeme, die mit der Sicherstellung der Ionenbewegungen hauptsächlich ungefähr auf einer oder neben einer Ebene ausgeführt sind, gehören zu zweidimensionalen (zum Beispiel, IO-Flachsysteme und P-Mehrreflektoren des geradlinigen Reflexionstyps), und die anderen IO-Systeme gehören zu den dreidimensionalen Systemen.
Das IO-Flachsystem/Untersystem (zum Beispiel, flacher P-Mehrreflektor oder Flachuntersystem der Steuerung) heißt ein nichtgeschlossenes System (von einer nichtgeschlossenen Art), wenn es mit der Sicherstellung der Anordnung außerhalb der Auflagerebene des IO-Systems/Untersystems sowie der fallenden und ausgehenden Flugbahnäste der Ionen ausgeführt ist. Die IO-Systeme/Untersysteme von einer nichtgeschlossenen Art heißen Einebenesysteme vorausgesetzt, dass die fallenden und ausgehenden Flugbahnäste der Ionen in einer Ebene liegen. Jede andere IO-Systeme/Untersysteme von einer nichtgeschlossenen Art, die die obengenannten Bedingungen nicht entsprechen, heißen Verschiedenebenesysteme.
Das IO-System/Untersystem von einer nichtgeschlossenen Art heißt einen Eingang-Ausgang von einer projektionsparallelen und symmetrisch-verschiedenflächigen Art, wenn es mit der Sicherstellung der Anordnung der fallenden und ausgehenden Flugbahnäste eines Ions in einer Ebene oder in verschiedenen Ebenen ausgeführt ist, die eines der Teilen der Typenlinie des IO-Systems/Untersystems enthalten, und die zur Lagerebene senkrecht sind.
In dem mehrbaueinheitlichen IO-Reflexionssystem, zum Beispiel, im Untersystem der Steuerung (Untersystem der Widerspiegelung oder der Widerspiegelung und Brechung) oder im P-Mehrreflektor heißen die dazu gehörenden IO-Baueinheiten der Widerspiegelung, die für die Aufnahme des außerhalb des IO-Systems eingehenden Ionenstroms und für die Ausgabe des Ionenstroms aus dem IO-System entsprechend bestimmt sind, die erste (oder Empfangs-)IO-Baueinheit der Widerspiegelung und die letzte (oder Ausgangs-)IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die übrigen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung des IO-Systems im Großen und Ganzen heißen die mittleren Baueinheiten, oder jede IO-Baueinheit der Widerspiegelung nennt man nach der Nummerierung im Laufe des Ionenstroms. Zum Beispiel, im doppelschleifenförmigen und reflektierenden Typ des P-Mehrreflektors mit vier IO-Baueinheiten der Widerspiegelung als die zweite Baueinheit bezeichnet man die IO-Baueinheit der Widerspiegelung, die im einen diagonalen Teil der Typenlinie mit IO-Empfangsbaueinheit der Widerspiegelung angeordnet ist. Und als die dritte Baueinheit bezeichnet man die IO-Baueinheit der Widerspiegelung, die im einen diagonalen Teil der Typenlinie mit IO-Ausgangsbaueinheit der Widerspiegelung angeordnet ist.
Im Großen und Ganzen sind die Varianten der Massenspektrometrie und des Massenspektrometers (MS) bekannt. Das Verfahren der Massenspektrometrie sieht im Großen und Ganzen voraus:

a) Ionisierung der Probe eines Analytes in der Quellenionenblockeinheit und die Ausgabe daraus eines Ionenstroms (der Ionen), Bildung und Steuerung der Bewegung des Ionenstroms, einschließlich seiner Dispergierung nach Ionenmassen (Massendispergierung nach dem Wert des Masse-zu-Ladung-Verhältnisses m/z) mittels der statischen oder variablen Komponenten der magnetischen und/oder elektrischen Felder, gebildet von einer Gruppe der ionenleitenden Blockeinheiten, die die ionenleitenden IB-Kanäle mit Grenzoberflächen und mit dem kanalspezifischen IO-Untersystem (IO-Baueinheiten) einschließen, jeder darunter ist ein Teil des MS-Kanals mit dem IO-System (aufeinanderfolgend verbundene ionenleitende IB-Kanäle und IB-Quellenionenkanal der Quellenionenblockeinheit), wobei das kanalspezifische IO-Untersystem jedes ionenleitenden IB-Kanals entweder als ein oder mehr Untersysteme der Steuerung ausgeführt ist, oder mit der krummen Hauptachse in der radialräumlichen dispersiven Ansicht ausgeführt ist, oder in der mehrreflektierenden Ansicht ausgeführt ist;
b) Registrierung der Ionen mittels einer oder mehr Detektorabteilungen des Detektorsystems;
c) Kontrolle und Steuerung der Arbeit aller Blockeinheiten des Massenspektrometers sowie die Informationsverarbeitung mittels des Kontrollercomputersystems.

Für die Ausführung des Verfahrens der Massenspektrometrie enthält der Massenspektrometer (MS) in Großen und Ganzen:

a) MS-Blockeinheiten: Quellenionenblockeinheit; Gruppe der ionenleitenden Blockeinheiten, die das Kopplungsblockeinheitsglied sowie die Analysatorendispergierungsblockeinheit einschließt, dabei schließen die Blockeinheiten die IB-Kanäle mit Grenzoberflächen und mit dem kanalspezifischen IO-Untersystem (IO-Baueinheiten) ein, wobei jeder IB-Kanal entsprechend seiner Blockeinheit ein Teil des MS-Kanal mit IO-System (ionenleitende IB-Kanäle der ionenleitenden Blockeinheiten zusammen mit dem IB-Quellenionenkanal der Quellenionenblockeinheit) ist. Das kanalspezifische IO-Untersystem (IO-Baueinheiten) ist entweder als ein oder mehr IO-Untersysteme der Steuerung oder mit der krummen Hauptachse in der radialräumlichen dispersiven Ansicht oder in der mehrreflektierenden Ansicht ausgeführt;
b) Detektorsystem;
c) Kontrollercomputersystem.

Dabei dient jeder IB-Kanal für die Bildung und Steuerung der Bewegung des kanalspezifischen Ionenstroms und schließt das kanalspezifische IO-Untersystem mit einer oder mehr IO-Baueinheiten ein, jede davon enthält zwei oder mehr Elektroden sowie eine oder mehr Grenzoberflächen, die die Oberflächen des Ausganges oder die Oberflächen des Einganges und Ausganges für den kanalspezifischen Ionenstrom sind.
Der Quellenionentyp des IB-Kanals (IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit oder IB-Quellenionenkanal) schließt die Oberfläche des Ausganges ein, der vorwiegend mit der Grenzelektrode des IB-Quellenionenkanals übereinstimmt. Der ionenleitende Typ des IB-Kanals (IB-Kanal der ionenleitenden Blockeinheit oder der ionenleitende IB-Kanal) enthält die Grenzoberflächen und das kanalspezifische IO-Untersystem (IO-Baueinheiten), die entweder als ein oder mehr Untersysteme der Steuerung, oder mit der krummen Hauptachse in der radialräumlichen dispersiven Ansicht oder in der mehrreflektierenden Ansicht ausgeführt ist.
Die Varianten der Bildung des Kopplungsblockeinheitsgliedes in dem MS sind sehr verschiedenartig und hängen von dem Kreis der Aufgaben von einer bestimmten Art ab, für deren Lösung das MS entwickelt wurde. Je nach der quantitativen Zusammensetzung der Blockeinheiten des Kopplungsblockeinheitsgliedes kann das MS in einer Form von Gruppenbildungsstufen des MS qualifiziert werden: der erweiterte Mehrblock-MS, Mehrblock-MS, MS von einer mittleren Gruppenbildungsstufe, Mittelblock-MS und Geringblock-MS.
Zu den Geringblock-MS gehören die für die einstufige Massenspektrometrie bestimmten MS. Dabei besteht das Kopplungsblockeinheitsglied des MS aus der minimalen Zusammensetzung – aus der vorausbildenden Blockeinheit und der distributiv-beschleunigenden Blockeinheit. Das Kopplungsblockeinheitsglied von einer mittleren Gruppenbildungsstufe des MS besteht aus der vorausbildenden Blockeinheit, der distributiv-beschleunigenden Blockeinheit und der Blockeinheit der Zelle für Verfeinerung oder der Blockeinheit der Ionenentnahme. Das Kopplungsblockeinheitsglied besteht aus der vorausbildenden Blockeinheit, der distributiv-beschleunigenden Blockeinheit, der Blockeinheit der Zelle für Verfeinerung und der Blockeinheit der Ionenentnahme. Das Kopplungsblockeinheitsglied des erweiterten Mehrblock-MS besteht aus der vorausbildenden Blockeinheit, der distributiv-beschleunigenden Blockeinheit, der Blockeinheit der Zelle für Verfeinerung, der Blockeinheit der Ionenentnahme und der Blockeinheit der ergänzenden Ionenakkumulierung. Die MS von einer mittleren Gruppenbildungsstufe mit der Blockeinheit der Zelle für Verfeinerung, Mehrblock- und erweiterte Mehrblock-MS ermöglichen die Durchführung der strukturellen Analyse der Moleküle auf Grund der mehrstufigen Massenspektrometrie, zum Beispiel, der Tandemmassenspektrometrie (MS/MS) oder die Durchführung der Massenspektrometrie mit der mehrzyklischen Ionenakkumulierung von einem bestimmten Massenbereich (MS〈n〉).
Alle bekannten MS außer ihrer parallel-mehrpfadigen Quadrupolarten sind einpfadig und kanalspezifisch-einpfadig und sind mit der Sicherstellung der gleichzeitigen Analyse nur eines axialen Traktionenstromes ausgeführt.
Die bekannten parallel-mehrpfadigen MS (die in einem Vakuumumfang mehr als einen Kanal enthalten), die als parallele MS bezeichnet werden, sind als einstufige und quadrupole MS ausgeführt. In der Patentschrift der USA ( US-Patentschrift 7,381,947 , veröffentlicht am 3. Juni 2008) ist der einstufige quadrupole MS beschrieben, der N einschließt, wobei N eine Ganzzahl größer als 1 ist, ein Kanal, der aus den folgenden besteht: der Quellenionenblockeinheit, die N der IB-Quellenionenkanäle einschließt, jeder darunter schließt eine Ionenquelle ein; dem Kopplungsblockeinheitsglied, das die vorausbildende Blockeinheit und die distributiv-beschleunigende Blockeinheit einschließt, jede darunter enthält N der IB-Kanäle; der Analysatorendispergierungsblockeinheit, die N der IB-Analysatorendispergierungskanäle enthält; dem Detektorsystem, das N der Ionendetektoren enthält; dem Kontrollercomputersystem. Dabei schließt die Analysatorendispergierungsblockeinheit N von einem verbundenen Typ (die gemeine Kanal-Kanal-Elektroden haben) der IB-Quadrupol-Kanäle ein, jeder darunter ist einpfadig (einflutig).
Dieser Analog wie alle bekannten einzelnen einstufigen MS mit der quadrupolen Ionenattrappe besitzt eine niedrige Genauigkeit der Massenmessung < 20 ppm. Er hat eine relativ mittlere Auflösung – mehrere Zehntausende.
Der Hauptmangel des Analogen ist ein niedriger Wert des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses. Außerdem gehört der Analog zu den Geringblock-MS und ermöglicht die Durchführung der strukturellen Analysen nicht.
Das bekannte Verfahren der Massenspektrometrie und der MS, die in der Erfindung von A. Makarov (Pub.-Nr. US 2009/0166528 A1 , veröffentlicht am 2. Juli 2009) beschrieben sind, sind der ähnlichste Analog (Prototyp) der von uns vorgeschlagenen Erfindung. Das Kopplungsblockeinheitsglied des MS-Prototyps schließt die vorausbildende Blockeinheit, die distributiv-beschleunigende Blockeinheit, die Zelle für Verfeinerung, die Blockeinheit der Ionenentnahme ein. In einigen Varianten schließt der MS auch die Blockeinheit der ergänzenden Ionenakkumulierung ein. Jede Blockeinheit des MS schließt einen IB-Kanal ein. In verschiedenen Varianten schließt der MS, abgesehen von der Art des IB-Analysatorendispergierungskanals, verschiedene Anzahl der Detektorabteilungen und Ausgänge dazu ein.
Als IB-Analysatorendispergierungskanal verwendet man hauptsächlich das Orbitrap. Aber in der Erfindung werden auch die anderen Varianten der Ausführung des IB-Analysatorendispergierungskanals, zum Beispiel in der mehrreflektierenden Aussicht, vorgeschlagen. Dieser Analog (Prototyp) hat eine hohe Genauigkeit der Massenmessung < 2 ppm (bei der Innenkalibrierung). Er hat die Auflösung über dem Durchschnitt, ungefähr 100000. Der Preis dieser Einrichtung beträgt einige Millionen US-Dollar.
Der Hauptmangel des Prototyps ist ein niedriger Wert des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses (hohe Selbstkosten). Darin sind keine Varianten des MS für die Sicherstellung der flexiblen Konfigurationsänderung unter die lösende Aufgabe durch die Änderung der Gruppenbildungsstufe des Kopplungsblockeinheitsgliedes vorgesehen, sowie sind keine Abarten der elektrischen (magnetlosen) IB-Laufzeitkanäle und ihre Charakteristiken behandelt, die in Bezug auf die Steigerung des Wertes des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses aussichtsreich sind.
Der Wert des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses sowie die Möglichkeiten des MS werden hauptsächlich von der Gruppenbildungsstufe des MS sowie von den funktionellen Betriebscharakteristiken und den Selbstkosten bestimmt, die für solch eine Blockgruppe der IB-Kanäle (insbesondere des Auflösungsvermögens des IB-Analysatorendispergierungskanals und des IB-Kanals der Ionenentnahme bei seinem Beisein) gewählt sind.
In dem MS mit verschiedenen Gruppenbildungsstufen verwendet man oft die elektrischen (magnetlose statische Felder oder elektrische Felder mit variablen Komponenten) IB-Kanäle mit verschiedenen Auflösungsstufen (nach dem Wert des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses, bei ihrer Funktionierung als IB-Kanal der Ionenentnahme und IB-Massenalysatorendispergierungskanal). Der magnetlose/elektrische IB-Kanal unterscheidet sich von dem IB-Kanal der anderen Arten (zum Beispiel, durch die Doppelbündelung, die Ionenzyklotronenresonanz, die sektormagnetische Fourier-Analisatoren u. a. m), durch das kleine geometrische Außenmaß, die Masse und die Energieintensität, Einfachheit und Sicherheit der Konstruktion sowie durch den relativ kleinen Preis. Zum Beispiel, der magnetlose Laufzeit-MS (TOF MS), der auf Grund des elektrischen IB-Laufzeitkanals geschaffen wurde, sticht unter den MS der anderen Type durch den unbegrenzten Massenbereich (bis zu den Zehnmillionen der Atommasse), durch die hohe Geschwindigkeit der Analyse ab. Solche Betriebscharakteristiken des TOF MS ermöglichen die Durchführungen der Analyse, die für die anderen Arten der Massenspektrometer unzugänglich sind, zum Beispiel, der nach der Zeit verändernden Prozesse oder organischen Stoffe, die eine Mischung von einer großen Zahl der individuellen Verbindungen (zum Beispiel, Erdöl).
Zurzeit können die bekannten elektrischen TOF IB-Kanäle, die in dem MS verwendet werden, in vier Hauptstufen der Auflösung geteilt werden. Zu der ersten Auflösungsstufe gehören die linearen TOF IB-Radiofrequenzkanäle (des Wechselfeldes) sowie die elektrostatischen TOF IB-Kanäle mit der geraden Hauptaufnahmeachse (des statischen Feldes). Zu der zweiten Auflösungsstufe gehören die TOF IB-Kanäle von einer Reflektronart (mit der geraden Hauptaufnahmeachse und einzurückstrahlend). Zu der dritten Auflösungsstufe gehören die TOF IB-Kanäle (die das Untersystem der Widerspiegelung mit einer krummen Achse von der ein-, zwei- und dreizurückstrahlenden Art oder das Untersystem der Widerspiegelung und Brechung einschließen) mit der krummen Hauptachse einer zurückstrahlenden Art, mit den Vektoren des Eingangs- und Ausgangs-Traktionenstromes, die räumlich voneinander verbreitet sind. Zu der vierten Auflösungsstufe gehören die TOF IB-Kanäle einer mehrzurückstrahlenden Art (fünf- oder mehrzurückstrahlend).
Bekannt sind die linearen TOF IB-Radiofrequenzkanäle (des Wechselfeldes) sowie die elektrostatischen TOF IB-Kanäle mit der geraden Hauptaufnahmeachse (des statischen Feldes), die in verschiedene lineare TOF MS (s-TOF MS) – AXIMA-LNR [www.analyt.ru] und MCX-4 [www.niivt.ru] und in den RU 2367053 beschriebenen MS eingeschlossen sind. In den linearen IB-Radiofrequenzkanälen (zum Beispiel, RU 2367053 ) die Achse entlang zwischen der Quelle und dem Detektor der Ionen sind die Flachelektroden angeordnet, die die periodischen zweidimensionalen linearen Hochfrequenzfelder schaffen. Die Hochfrequenzfelder vergrößern die Bahn und die Zeit der Ionenbewegung in dem TOF MS, was die Verbesserung seiner Ionendispersion nach Massen (d. h. Auflösung des MS) im Vergleich zu den elektrostatischen IB-Kanälen mit der geraden Hauptaufnahmeachse (des statischen Feldes) ermöglicht.
Die linearen TOF IB-Kanäle im TOF MS sichern nur die Auflösung einer niedrigen Stufe (die Auflösung beträgt einige Hunderte), aber zugleich sind sie raumsparend, betriebsgerecht, geringenergieintensiv, haben niedrige Selbstkosten.
Bekannt sind die TOF IB-Kanäle einer Reflektronart (zum Beispiel, Patentschrift der Russischen Föderation Nr. 2103 763 C , veröffentlicht am 21.01.1998; US-Patentanschrift 4,694,168 , veröffentlicht am 15.09.1987), die in die TOF MS (sR-TOF MS) einer Reflektronart eingeschlossen sind, in denen der Bereich aller funktionellen Prozesse des Ionenstroms die gerade Hauptachse des TOF MS umfasst. Die Widerspiegelung des Ionenpackets wird für die Steigerung des Auflösungsvermögens auf Grund der Laufzeitbündelung des Ionenpakets nach der Energie seiner Ionen verwendet. Dabei für die Widerspiegelung der Ionenpakete, wie in allen bekannten Patentschriften und herstellten Apparate, die den sR-TOF MS vorstellen, verwendet man die gleichartigen elektrischen Felder, die mit ein oder mehr engmaschigen Drahtgittern eingezäunt sind. Das Verfahren der einzurückstrahlenden Massenspektrometrie mit einer geraden Hauptaufnahmeachse auf Grund der Reflektronart des IB-Kanals besteht in der Richtung, ausgestoßen von der Quelle, der Ionenpakete in ein Feld oder in mehr elektrische Felder, eingezäunt mit Gittern, unter dem rechten Winkel zu den Flächen seiner Gitter, in den Widerspiegelungen der Ionenpakete in diesen elektrischen Feldern sowie in der folgenden Registrierung der Ionenpakete. Dabei auf dem Weg von der Quelle zum Detektor müssen die Ionenpakete durch jedes Gitter zweimal gehen, das für die Schaffung der elektrischen Felder notwendig ist, die als gleichartig gelten.
Die IB-Kanäle einer Reflektronart in den sR-TOF MS sichern die Auflösung einer niedrigen Stufe (die Auflösung beträgt einige Tausende), aber zugleich sind sie raumsparend, betriebsgerecht, haben relativ niedrige Selbstkosten.
Der Hauptmangel der sR-TOF MS ist eine relativ niedrige Auflösung, verbunden damit, dass die Gitter mit den kleinen Zellen, angeordnet im Bereich der Ionenbewegung, zu einer Reihe der Negativa für die Betriebscharakteristiken des IB-Kanals einer Reflektronart, insbesondere, zu der Ionenverzettelung auf Gittern und der unkontrollierbaren ergänzenden Streuung der Ionenenergie und als Folge zu der Senkung der Auflösung des IB-Kanals führen.
Bekannt sind die TOF MS (cR-TOF MS) mit der krummen Hauptachse einer zurückstrahlenden Art (zum Beispiel, US Patentschrift Nr. 6 621 073, B1 , veröffentlicht am 16.09.2003; US, 2008/0272287 A1 , veröffentlicht am 06.11.2008), die die IB-Kanäle mit den räumlich voneinander verbreiteten Achsen des Ionenstroms (für die räumlich verbreitete Quelle und den räumlich verbreiteten Detektor) enthalten.
Das Verfahren der angeführten Patentschriften besteht in der Ausführung des IB-Kanals mit den zurückstrahlenden, von ein bis drei, elektrischen Feldern und in der Richtung, ausgestoßen von der Quelle der Ionenpakete in diese zurückstrahlenden elektrischen Felder unter spitzen Winkeln in Bezug auf die Kraftvektoren der Felder, mit der Widerspiegelung der Ionenpakete in den elektrischen Feldern und der folgenden Registrierung der Ionenpakete.
In der US-Patentschrift Nr. 6 621 073, B1 und US, 2008/0272287 A1 sind die IB-Kanäle mit den gleichartigen elektrostatischen zurückstrahlenden Feldern ausgeführt, eingezäunt mit einem Gitter oder mehr mit kleinen Zellen, gespannt auf die Schlitzmembranen. Dabei in US, 2008/0272287 A1 sind die Masse der Schlitze der Membranen und des Detektors im Blick auf jenen Faktor ausgeführt, dass das widerspiegelte Ionenpaket eine größere Breite als seine Breite beim Fall hat, was mit dem Unterschied der Ionenenergie im Paket verbunden ist.
Bekannt sind die einzurückstrahlenden und dreizurückstrahlenden Varianten des IB-Kanals, verwendet in dem cR-TOF MS ( US-Patentschrift Nr. 6,717,132 B2 , veröffentlicht im April 2004), in der die zurückstrahlenden Felder der abflußlosen Schlitzmembranen für die Widerspiegelung von ein Mal bis drei Male vorgeschlagen sind. Dabei vermutet der Verfasser, dass das Feld der Schlitzmembranen im Bereich des Durchflusses der Ionenströme kartesisch-zweidimensional (in der waagerechten Richtung gibt es keine wirkenden Kräfte auf Ionen) ist.
Der Hauptmangel des IB-Kanals mit dem kartesischen und zweidimensionalen Feld ist das Fehlen der Bündelung in der Richtung parallel zu der Mittelebene des Schlitzes, was zur Ionenstreuung und zur Senkung des Auflösungsvermögens der cR-TOF MS führt, ausgeführt mit solch einem IB-Kanal.
Die bekannten cR-TOF MS haben einen Auflösungsbereich abhängig von der Konstruktion, von einigen Tausenden bis einige Zehntausende, ihre Durchschnittsempfindlichkeit beträgt 10^–4.
Bekannt sind die IB-Kanäle mit einer krummen Hauptachse in der radialräumlichen Ansicht mit einem zweidimensionalen elektrischen und/oder magnetischen Feldern in der angewählten Koordinatensystemen, zum Beispiel, keilförmige oder kegelförmige (Werke von Spivak-Lavrov I. F. et al.). Bekannt sind die IB-Kanäle mit einer krummen Hauptachse in der radial räumlichen dispersiven Ansicht mit den kartesischen und zweidimensionalen elektrischen und magnetischen (Prismen-)Feldern (Werke von Kelman V. M., Jakuschev E. M. et al.). Der Hauptmangel solcher IB-Kanäle ist ein niedriger Wert des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses.
Bekannt ist das MS einer mehrzurückstrahlenden Art mit dem IB-Kanal, welches das kanalspezifische IO-Untersystem enthält, ausgeführt in einem linearzurückstrahlenden Einzeltyp einer mehrzurückstrahlenden Art (oMR-TOF MS), und welchees den P-Mehrreflektor (Erfinderzertifikat SU 1725289 A1 vom 07.04.1992, Blatt Nr. 13) einer Schrittart mit der engen Form einschließt. Der P-Mehrreflektor einer Schrittart mit der engen Form ist mit der Sicherstellung der Ionenbewegung auf den Bahnen ausgeführt, deren Projektionen auf die Auflagerebene des P-Mehrreflektors, ungefähr eine Form des geraden Abschnittes haben und zwei verlängerte P-Einzonenbaueinheiten der Widerspiegelung des kartesischen und zweidimensionalen Typs einschließen, angeordnet gegen einander bei der Antiparallelität ihrer axialen Vektoren, die in einer Ebene liegen (in der M-Ebene des P-Mehrreflektors), auch bei der Parallelität ihrer axialen Linien zwischen einander und dem Senkrechtstehen zur Auflagerebene des P-Mehrreflektors. Die Ionen erleben die vielfachen Widerspiegelungen zwischen den verlängerten P-Einzonenbaueinheiten eines kartesischen und zweidimensionalen Typs, bei der langsamen Drift zum Detektor in der sogenannten Richtung der Verschiebung in der Richtung der Linienachsen der verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung, die in der Längsschrittebene des P-Mehrreflektors liegt. Die Nummer der Zyklen und die Auflösung sind korrigiert, verändernd den Ioneninjektionswinkel.
In der Beschreibung dieses Erfinderzertifikates wurden die theoretischen Grundlagen dargelegt, die für die Analyse und Berechnung der Charakteristiken der MR-TOF MS erforderlich sind.
Die Mängel des angegebenen cR-TOF MS und seines Betriebsverfahrens sind das Fehlen der Bündelung in der Richtung der parallelen Längsschrittebene des P-Mehrreflektors. Bei dem Ionendurchgang der bestimmten Wegstrecke zerstreut sich der Ionenstrom in der Richtung der parallelen Längsschrittebene des P-Mehrreflektors auf solche Weise, dass die Aufnahme des Massenspektrums auf dem Detektor den Sinn verlieren kann.
In der Patentschrift der USA ( US-Patentschrift Nr. 7,385,187 B2 ; 10. Juni 2008), in der Entwicklung der Idee des Erfinderzertifikates SU 1725289 A1 , vom 07.04.1992, Blatt Nr. 13, in dem IB-Kanal zwischen zwei verlängten P-Einzonenbaueinheiten der Widerspiegelung eines kartesischen und zweidimensionalen Typs sind die elektrostatischen Linsen periodisch angeordnet. Die elektrostatischen Linsen ermöglichten die Steuerung der Ionenpakete in der Richtung der Linienachsen (in der Längsschrittebene) der verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung. Solch ein Analysator ermöglicht das Langzeithalten der Ionenströme auf einer großen Feldlänge, dadurch erhöht es die TOF-Dispersion der Ionen nach Massen, gleichzeitig sichert es niedrige räumliche und zeitliche Abweichungen und dadurch erreicht ein hohes Auflösungsverhalten.
In der US-Patentschrift Nr. 7,385,187 B2 ist auch das Prinzip der parallelen Tandemlaufzeitanalyse im Betrieb „der angelegten Zeiten” vorgeschlagen, das die Leistungserhöhung der Analyse der komplizierten Mischungen von Biopolymeren ermöglicht.
In den experimentellen Untersuchungen des oMR-TOF MS (A. Verentschikova, Autoreferat der Dissertation zur Bewerbung des Doktorgrades der physikalisch-mathematischen Wissenschaften, Sankt-Petersburg, 2006), vorgeschlagen in der US-Patentschrift Nr. 7,385,187 B2 , wurde das hohe Auflösungsvermögen des Analysators demonstriert, das 200000 übersteigt.
In der US-Patentschrift 2010/008386 A1 , veröffentlicht am 11. Januar 2010 (21.01.2010), zur Entwicklung der Idee sind die in die US-Patentschrift Nr. 7,385,187 B2 ; 10. Juni 2008 angelegten verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung in dem IB-Kanal eines linearzurückstrahlenden Einzeltyps einer mehrzurückstrahlenden Art mit der Sicherstellung der periodischen Modulation des elektrostatischen Feldes entlang die Verbreitungsrichtung des Ionenstromes zum Zweck der periodischen räumlichen Bündelung der Ionenpakete entlang die Längsschrittrichtung der Verbreitung des Ionenstromes ausgeführt. Ergänzend zu dieser periodischen Modulation des elektrostatischen Feldes sind die Einschlüsse, mindestens einer isochronen krummen Trennungsfläche zwischen der Quelle und dem Empfänger im MS vorgesehen.
Eines der erheblichen Mängel der bekannten oMR-TOF MS ist gerade, dass man für das Erreichen einer hohen Auflösung den mehrgeradezyklischen Betrieb beim IB-Kanal mit dem kanalspezifischen IO-Untersystem einsetzen muss, das im Einzeltyp einer mehrzurückstrahlenden Art ausgeführt ist. Dabei in diesen IB-Kanälen schneiden sich die Wege des verlängerten Ionenstromes vielmals über, was zur Coulomb-Streuung der Ionen und der Minderung der Empfindlichkeit und des Auflösungsvermögens des oMR-TOF MS führt; leichtere Ionen können schwerere Ionen um einen oder mehrere Kreise (um einen oder mehrere Zyklen) überholen, was zur Mehrdeutigkeit des erhaltenen Massenspektrums führt; die verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung mit einer isochronen krummen Oberfläche werden in Ergänzung zur periodischen Modulation des elektrostatischen Feldes verwendet, obwohl jede davon vereinzelt verwendet werden kann. Die Hauptaufgabe dieser Erfindung ist die Vorlage des Verfahrens der Massenspektrometrie sowie der Einrichtung für seine Ausführung auf Grund der effektiven Steuerung des Ionenstromes im MS zum Zweck der Steigerung des Wertes des Auflösung-Selbstkosten-Verhältnisses – des Wertes der Auflösung/Selbstkosten der verschiedenen MS. Dabei umfassen die Varianten des Verfahrens der Massenspektrometrie und der Einrichtung für ihre Ausführung alle Stufen der Gruppenbildung und der Auflösungsstufen der MS.
Ergänzend ermöglicht die Erfindung die Steigerung der Empfindlichkeit, Genauigkeit und Geschwindigkeit der Messung der Zusammensetzung und Struktur der Stoffe bei der gleichzeitigen Erweiterung der funktionellen Möglichkeiten, der Minderung der geometrischen Außenmaße der Analysatoren. Noch eine in der vorgeschlagenen Erfindung ergänzend gelöste Aufgabe ist die Erweiterung des Arsenales der Massenspektrometrie.
Das angemeldete Verfahren und die Einrichtung für seine Ausführung entsprechen den Kriterien der Erfindung, weil keine ähnlichen Entscheidungen zum Anmeldungstag festgestellt wurden. Das Verfahren und die Einrichtung für seine Ausführung haben eine Reihe der bedeutenden Unterschiede von den bekannten Verfahren und Einrichtungen für ihre Ausführung. Das vorgelegte Verfahren und die Einrichtung für seine Ausführung können auf Grund der bestehenden Einrichtung durch die Verwendung der in der Industrie erschlossenen Werkstoffe, Zulieferteile und Technologien realisiert werden.
Das vorgelegte Verfahren der Massenspektrometrie wird durch das folgende ausgeführt:

a) Ionisierung von Probe des Analyts in der Quellenionenblockeinheit und Ableitung von dem des Ionenstroms (Ionen), Bildung und Steuerung Ionenstromsbewegung, einschließlich dessen Dispergierung nach Ionenmassen (Massendispergierung nach der Größe deren Masse-Ladung-Verhältnisses m/z) mit Hilfe von statischen und Wechselkomponenten Magnet- bzw. Elektrischer Felder, gebildet durch die Gruppe ionenleitender Blockeinheiten, unter anderem die ionenleitenden IB-Kanäle mit Begrenzungsflächen und dem kanalspezifischcn IO-Untersystem (IO-Baueinheiten), jede von denen ein Teil des MS-Kanals mit dem IO-Untersystem (die nacheinander geschalteten IB-Kanäle und der IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit) ist, wobei jedes kanalspezifische Untesrsystem jedes ionenleitenden IB-Kanals in Form von einem oder mehreren Steuerungsuntersystemen ausgeführt ist oder mit einer schiefen Hauptachse in radialräumlicher dispergierender Form oder in mehrzurückspiegelnder Form ausgeführt ist;
b) Ionenenerfassung mit Hilfe von einem oder mehreren Abteilungen des Detektorsystems;
c) Kontrolle und Arbeitssteuerung aller Blockeinheiten des Massenspektrometers sowie die Durchführung des Informationsauswertungsverfahrens wird mit Hilfe von dem Kontrollerkomputersystem ausgeführt.

Der Hauptunterschied der angebotenen Technik von der bekannten Technik besteht darin, dass die Bildung des Ionenstroms und dessen Regulierung mittels der Nutzung mindestens einer der folgenden Handlungen gemacht wird, gewählt aus der Reihe, welche einschließt:

a) Die parallele Massenspektrometrie im MS-Kanal von zwei oder mehr Traktionenströmen (Mehrtraktionenstrom durch ein Kanal, einschließlich seiner Verbindungen mit Mehrkopplungsschnittflächen) oder die Massenspektrometrie eines ausseraxilen Traktionenstroms (ausseraxiler Eintraktionenstrom, einschließlich seiner Arten mit Zweikopplungsschnittflächen);
b) Mehrwiederspiegelung des Ionenstroms mit Anwendung des elektrischen (ohne Magnet) kanalspezifishen IO Untersystems mehwiederspielieger Art, bestehend aus einem oder mehreren Anteilen aus der Gruppe seiner Arten. Diese Anteile enthalten die verlängerten dreidimensionalen P-Baueinheiten von Wiederspiegelung, unter anderem mit zweidimensionaler Reflexionszone; auch enthalten sie P-Multireflektoren von flacher Art;
c) Brechung bzw. Rückspiegelung des Ionenstroms mit Anwendung des elektrischen (ohne Magnet) kanalspezifischen IO Untersystems, ausgeführt in Art des Steuerungsuntersystems, die ein oder mehr IO Baueinheiten enthält, die mit der Gewährleistung der Auswahlmöglichkeit der gegebenen räumlichen Orientierung der IO-Einheit in Bezug auf die anderen IO-Einheiten (bei ihren Vorhandensein) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des in ihn kommenden Ionenstromes ausgeführt sind, und/oder sie aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.

Die anderen Unterschiede des vorgeschlagenen Verfahrens vom bekannten Verfahren bestehen darin, dass es:

– dadurch gekennzeichnet ist, dass es einkanalige oder mehrkanalige Massenspektrometrie durchführt. Dabei leitet jeder MS Kanal den Ionenstrom (den Kanalionenstrom) bestehend aus einem oder mehreren Traktionenströmen (kanal-eintrakte oder kanal mehrtrakte), wobei jeder Traktionenstrom vorwiegend durch einen einzelnen Detektor das Detektorsystems gleichgerichtet wird.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Traktionenströme, die von verschiedenen Objekten/Vorgängen erzielt sind, zu ionenleitenden Blockeinheiten durch verschiedene Austrittsluken der Blockeinheit angegeben werden.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Traktionenströme, die aus allen oder einigen Austrittsluken kommen, unabhängig von einander oder von vorübergehender korrelativer Abhängigkeit angegeben werden (z. B. gleichzeitig oder der Reihe nach durch angegebene Zeitabstände).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Größen der Massendispersion des Ionenstroms sowie dessen Dispersion nach der Energie reguliert werden. Dabei wird zusammen mit der Massenspektrometrie die Energiespektrometrie durchgeführt oder wird die Massenspektrometrie des Ionenstroms nach den angegebenen Breiten des Energiespektrums durchgeführt.
– dadurch gekennzeichnet ist, das es einzyklischer oder mehrzyklischer Ionendurchlauf durch ein oder mehr ionenleitende IB-Kanäle durchgeführt wird.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Massenspektrometrie durch Anwendung eines Betriebs der gewählten aus den Anteilen Reihe durchgeführt. Diese Reihe enthält: einstufige Form, MS/MS-Typ, MS(n)-Typ.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass radialräumliche Fokussierung des Ionenstroms auf oder neben dem Spürgerät nach einer oder zwei radialräumlicher Richtungen durchgeführt wird.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass radialräumliche Fokussierung des Ionenstroms nach der Richtung dessen Bewegung vorwiegend durch regulierbare Brummspannung durchgeführt wird.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Flugzeitsmassenspektrometrie vom MS(n)-Typ oder vom MS/MS-Typ anhand des Verfahrens der angelegten Zeit durchgeführt wird.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass auf oder neben dem Spürgerät die energetische Flugzeitsbündelung (nach energetischer Zerstreuung) des Traktionenstroms durchgeführt wird, der in Form von Ionenbündeln vertretet ist.

Für die Verwirklichung des angebotenen Verfahrens der Massenspektrometrie wurde das Untersystem der Steuerung des Stroms der geladenen Teilchen (einschließlich Ionenströme), das eine oder mehrere elektrischen (magnetlosen) IO-Baueinheiten enthält, die je zwei oder mehrere Elektroden einschließen, das aus der Reihe ausgewählt ist, die seine Funktionalarten einschließt:

(a) das Untersystem der Brechung, das aus einer oder mehreren IO-Baueinheiten der Brechung besteht;
(b) das Widerspiegelungsuntersystem, bestehend aus n lokalen IO Widerspiegelungsbaueiheiten, wobei n eine Ganzzahl ist und n ≤ 3, oder von einem oder zwei n-lokalen P-Widerspiegelungsbaueinheiten und verlängerter IO Widerspiegelungsbaueinheit ein;
(c) das Untersystem der Widerspiegelung-Brechung, (das gemischte Untersystem der Brechung und der Widerspiegelung), das die Arten (a) und (b) einschließt;
(d) das multifunktionale Untersystem, das eine der Arten der erwähnten Steuerungssysteme (a), (b) und (c), in dem mindestens eine der IO-Baueinheiten multifunktional ist und mit Versorgung der Möglichkeit der Wahl von mindestens zwei Mitgliedern aus der Reihe ausgeführt ist, das die folgenden Arbeitsweisen einschließt: brechen, widerspiegelnd und feldlos.

Der Hauptunterschied des angebotenen Steuerungsuntersystems von den bekannten Steuerungsuntersystemen besteht darin, dass es eine oder mehrere IO-Baueinheiten, die mit Versorgung der Möglichkeit der Wahl der eingestellten räumlichen Orientierung der IO-Baueinheit in Bezug auf die anderen IO-Baueinheiten (gegebenenfalls) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des darin eingehenden Ionenstroms ausgeführt ist, und/oder die aus den Mitgliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P-Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.
Andere Unterschiede des angebotenen Steuerungsuntersystems von den bekannten Steuerungsuntersystemen bestehen darin, dass es:

– dadurch gekennzeichnet ist, dass jede lokale IO Baueinheit (der lokalen Art) die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Markmalen zu wählen. Dabei kann nach funktionalen Merkmalen jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten, unter anderem monozonale, vertikale zweizonale lokale IO Widerspiegelungsbaueinheiten; lokale multifunktionale IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen. Nach den konstruktiven Merkmalen kann jede lokale Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) Die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichhteinheiheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe Zylinderkondensatoren); (b) die lokalen dreidimensionalen (einschließlich zweisymmetrische): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenformigen; die periodisch tansbiegeförmig-gemischnten, die periodisch gekreuzt-gemischten, die periodisch kastenförmig-gemsichten, die periodisch verschieden-gemischten.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass jede verlängerte IO Baueinheit als vollverlängert und massivverlängert ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Merkmalen zu wählen. Dabei kann nach funktionalen Merkmalen jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten, unter anderem monozonale, vertikale zweizonale lokale IO Widerspiegelungsbaueinheiten; lokale multifunktionale IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen. Nach den konstruktiven Merkmalen kann jede lokale Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) Die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich Zylinderkondensatoren); (b) Die lokalen dreidimensionalen Type (einschließlich der zweisymmetrischen Type).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei der zweisymmetrischen IO Baueinheit, die Elektrodenarbeitsflächen der IO Baueinheit vorzugsweise flach oder gewölbt ausgeführt sind, unter anderen in Form von einem Paar der gleichen Flachflächen. Dabei werden die abgrenzenden zu einander zugewandten frontalen Linien mindestens eines Paars Elektroden durch die Kurven zweiten Grades umgeschrieben.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dessen achsensymmetrischen IO Baueinheit vorzugsweise die Elektrodenarbeitsfläche aus der Reihe gewählt sind, die das Folgende einschließt: die Zylinderfächen; die Fläche in Art von Konussegmenten; die Drehungsflächen, gebildet durch Drehung rund direkte Achsen, wobei vorzugsweise ist dass für den Durchlauf des Ionenstroms eine oder mehrere Elektroden mit einem oder mehreren Löchern in jedem von ihnen ausgeführt wäre.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen Arbeitsflächen der Membranen-Elektroden als flach und gewölbt ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen Fläche der Außenelektrode der IO Baueinheit seitens der Ionenwiderspiegelung senkrecht zu der Achse (die Elektrode-Begrenzer) oder zu der Spiegelebene der angrenzenden an ihm Elektrode liegt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das die P-Baueinheit einschließt, dabei ist das mit der Funktion Ionenbewegung ungefähr neben der M-Fläche der P-Baueinheit ausgeführt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass seine P-Baueinheit zum Typ der P-Wiederspiegelungbaueinheit oder zum Typ der multifunktionaler P-Einheit gehört, dabei enthält das Steuerungsuntersystem zusätzlich mindestens eine IO Brechungsbaueinheit, vorwiegend in Form der P-Baueinheit, wobei die Eingang- und Ausgangsmittelflächen dieser zwei P-Baueinheiten ungefähr zusammengesetzt sind und parallel zueinander liegen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das die P-Baueinheit umfasst und dabei besitzt die Ionenbewegungmöglichkeit ungefähr neben der lateral-aufrechten Fläche der P-Baueinheit.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass seine P-Baueinheit zum Typ der P-Wiederspiegelungsbaueinheit oder zur multifunktionalen P-Baueinheit gehört und dabei das System zusätzlich mindestens eine IO Brechungsbaueinheit umfasst, vorwiegend in Form der P-Einheit.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die lateral-aufrechten Flächen dessen zwei P-Baueinheiten ungefähr zusammengesetzt sind oder parallel zueinander liegen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das zwei Baueinheiten besitzt, deren Winkel β₍₂₎₁ zwischen Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn von dem Vektor der „Begleitung-1” n →₍₁₂₎ (der Einzelvektor, der von der zweiten IO Baueinheit zur dritten IO Baueinheit gerichtet ist und aufgestellt auf der Linie, der annähernd die effektiven Einwirkstellen von Widerspiegelung und Brechung des Traktionenstroms der ertsen IO Baueinheit und zweiten IO Baueinheiten zusammensetzt) zum Einzelachsenvektor n →₁ der ersten IO Baueinheit, im Rahmen 0 ≺ β₍₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt ist und der Winkel β₍₁₂₎₂ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn von dem Vektor n →₍₁₂₎ zum Einzelachsenvektor n →₂ der zweiten IO Baueinheit, ist im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die zwei Baueinheiten besitzt, deren Winkel β₍₁₂₎₁ ist im Rahmen 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt und der Winkel β₍₁₂₎₂ ist im Rahmen π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π begrenzt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, das der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₂ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor der „Ableitung-2” n →₍₂₃₎ (der Einzelvektor, der von der zweiten IO Baueinheit zur drittem IO Baueinheit gerichtet ist und der annähernd die effektiven Einwirkstellen von Widerspiegelung und Brechung zusammensetzt) zur Einzelnachsenvektor n →₂, im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₃ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor n →₍₂₃₎ zum Einzelnachsenvektor n →₃ der dritten IO Baueinheit, im Rahmen π ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ 3π / 2 begrenzt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₂ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₃ im Rahmen π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π begrenzt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₂ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₃ im Rahmen π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π begrenzt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (Ionenstromlinie) in verschiedenen Flächen in Feld und nach dem Feldausgang des Steuerungsuntersystems aufzustellen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das die Möglichkeit besitzt der gemittelte Vektor des Traktionenstroms auf einer Ebene aufzustellen, unter anderem parallel zu deren Aufstellung bis zum Feldeingang nach dem Feldausgang.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das als waagerecht-flugbahnfest ausgeführt ist und ausgeführt ist mit der Möglichkeit des gemittelten Vektors des Traktionenstroms durch und neben der M-Fläche der P-Baueinheiten.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Eingang- und Ausgangsmithellflächen der P-Baueinheiten vorwiegend zusammengesetzt sind und sind parallel zwischen einander aufgestellt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das zwei P-Baueinheiten besitzt, deren Eingang- und Ausgangsflächen unter dem Winkel ϖ_☐ kreuzen sich. Außerdem besitzt dieses System die Möglichkeit annähernd die Schnittlinien mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den P-Baueinheiten zusammenzusetzen, dabei ist der Winkel ϖ_☐ im Rahmen 0 ≺ ϖ_☐ ≺ π / 2 begrenzt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das in Form des Widerspiegelungssystems ausgeführt ist, dabei die Projektionen ϑ ' / ☐1y und ϑ ' / ☐2y die den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Fundamentebene (die mit der Koordinatenebene yz zusammengesetzt ist) und die Projektionen ϑ ' / ☐1x und ϑ ' / ☐2x , den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Längsebene (die mit der Koordinatenebene xz zusammengesetzt ist) unter der Bedingung ϑ ' / ☐1 = ϑ ' / ☐2, werden entsprechend den Formeln
wo ϑ ' / ☐1 – der Widerspiegelungseinfallwinkel der anderen P-Baueinheit.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das in Form des Widerspiegelungsuntersystems oder multifunktionalen Untersystems ausgeführt ist, dabei das zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungsbaueinheiten einschließt, vorwiegend das einschließt die IO Einzellinsenbaueinheiten.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem mindestens eine der IO Baueinheiten zum Typ der P-Baueinheit gehört, deren Eingang und Ausgangsmittelflächen annähernd zusammengesetzt sind oder sind parallel zur Eingangs bzw. Ausgangsmittelspiegelflächen einer oder zwei damit grenzenden P-Widerspiegelungseinheiten aufgestellt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das als aufrecht-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (Ionenleitbahn) durch und neben der aufrecht-flugbahnfesten Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem die aufrecht-flugbahnfesten Flächen der P-Baueinheiten annähernd zusammengesetzt sind oder sind parallel zu zwischen einander aufgestellt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das zwei P-Baueinheiten einschließt, die aufrecht-flugbahnfesten Flächen besitzt, die sich unter dem Winkel ϖ_⊥ kreuzen und mit der Möglichkeit ausgeführt ist, annähernd die Linien deren Überquerung mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms in der Mitte des Abstands zwischen den P-Baueinheiten zusammenzusetzen, wobei der Winkel ϖ_⊥ im Rahmen 0 ≺ ϖ_⊥ ≺ π / 2 begrenzt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das in Form des Widerspiegelungssystems ausgeführt ist, dabei die Projektionen ϑ ' / ☐1y und ϑ ' / ☐2y die den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Fundamentebene (die mit der Koordinatenebene yz zusammengesetzt ist) und die Projektionen ϑ ' / ☐1x und ϑ ' / ☐2x , den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Längsebene (die mit der Koordinatenebene xz zusammengesetzt ist) unter der Bedingung ϑ ' / ☐1 = ϑ ' / ☐2, werden entsprechend den Formeln
wo ϑ ' / ☐1 – der Widerspiegelungseinfallwinkel der einen P-Baueinheit, – der Widerspiegelungseinfallwinkel der anderen P-Einheit.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das in Form des Widerspiegelungsuntersystems oder multifunktionalen Untersystems ausgeführt ist, dabei schließt das zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungsbaueinheiten ein, vorwiegend schließt das die IO Einzellinsenbaueinheiten ein.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem mindestens eine der IO Einheiten zum Typ der P-Einheit gehört, deren Eingang und Ausgangsmittelflächen annähernd zusammengesetzt sind oder parallel zur Eingangs bzw. Ausgangsmittelspiegelflächen einer oder zwei damit grenzenden P-Widerspiegelungseinheiten aufgestellt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das als der Eingang-Ausgang der mehrflächigen Form ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das vorwiegend mit dem Eingang-Ausgang der symmetrisch-mehrflächigen Form ausgeführt ist, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das in der einflächigen zweizurückstrahlenden Form oder in der einzurückstrahlenden einflächigen Form ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das mit dem antiparalellen Eingang-Ausgang ausgeführt ist und vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das mit dem unter dem Winkel konvergenten (schiefwinkeligen) Eingang-Ausgang ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das mindestens eine Membrane-Elektrode mit einem Loch besitzt, dabei ist die Form des Loches aus der Reihe gewählt, die kreisförmigen, ovalen, viereckigen Formen sowie die abgerundete Form und viele anderen Formen einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das Loch deren Membrane-Elektrode die Möglichkeit besitzt, dass dieses Loch sich mit dessen Mittelfläche und der Mittellinie des Steuerungsuntersystems kreuzen könnte. Dabei besitzt mindestens eine Membrane-Elektrode die Möglichkeit die Größe und Form deren Loch zum Wechsel der Kenndaten des Steuerungsuntersystems manuell bzw. elektronisch zu regeln.

Für die Verwirklichung des angebotenen Verfahrens der Massenspektrometrie wurde der P-Mehrreflektor für die Steuerung des Ionenstroms, der mit Versorgung der Möglichkeit von über vier Widerspiegelungen des Ionenstroms im Feld ausgeführt ist, vorwiegend in dem elektrischen Feld.
Der Hauptunterschied des angebotenen P-Mehrreflektors von den bekannten P-Mehrreflektors besteht darin, dass er in der Schrittart mit der engen Form ausgeführt ist, oder in der flachen Art oder der breiten Form, wobei der P-Mehrreflektor mit der engen Form (der flachen oder Schrittart) aus den Mitgliedern der Reihe ausgewählt ist, die seine Typen einschließt, geradlinig widerspiegelnd, einschleifenartig widerspiegelnd, bogenartig widerspiegelnd, zweischleifenartig widerspiegelnd, und der P-Mehrreflektor mit der breiten Form der flachen Art ist aus den Mitgliedern der Reihe aus gewählt, die die krummlinige Gattung zweiter Ordnung und die n-flächige Gattung einschließt.
Andere Unterschiede des angebotenen P-Mehrreflektors von den bekannten P-Mehrreflektors bestehen darin, dass er:

– dadurch gekennzeichnet ist, dass jede lokale IO Baueinheit (der lokalen Art) die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Merkmalen zu wählen. Dabei kann nach funktionalen Merkmalen jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: die lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); der lokale IO Spiegel oder die IO Widerspiegelungsbaueinheiten, unter anderem die monozonalen, vertikalen zweizonalen lokalen IO Widerspiegelungsbaueinheiten; die lokalen (jedes Paar der Widerspiegelungsbaueinheiten besitzt eine oder mehrere gemeine Elektroden), multifunktionalen IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen gewählt aus der Reihe die Brechung, Widerspiegelung und feldloses Betrieb einschliesst, wobei jede lokale IO Baueinheit nach den konstruktiven Merkmalen kann jede lokale Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) Die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nicheinheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Zylinderkondensatoren); (b) Die lokalen dreidimensionalen Type (einschließlich der zweisymmetrischen Type): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenförmigen; die periodisch tansbiegeförmig-gemischnten, die periodisch gekreuzt-gemischten, die periodisch kastenförmig-gemsichten, die periodisch verschieden-gemischten;
– dadurch gekennzeichnet ist, dass jede lokale IO Baueinheit mit der Möglichkeit sie nach funktionalen und konstruktiven Markmalen zu wählen. Dabei kann nach funktionalen Merkmalen jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: die lokalen Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); der lokale IO Spiegel (einschließlich zweidimensionaler Widerspiegelungszone) unter anderem monozonale, vertikale zweizonale und horizontal-zweizonale verlängerte oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten (einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion), unter anderem die monozonalen, vertikalen zweizonalen lokalen IO Widerspiegelungsbaueinheiten; die lokalen multifunktionalen IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen gewählt aus der Reihe, die Brechung, Wiederspiegelung und feldloses Betrieb einschließt, wobei jede lokale Baueinheit aus der Reihe gewählt sein kann jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nicheinheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Zylinderkondensatoren); (b) die lokalen dreidimensionalen Type (einschließlich der zweisymmetrischen Type): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenförmigen; die periodisch tansbiegeförmig-gemischnten; die periodisch gekreuzt-gemischten; die periodisch kastenförmig-gemsichten; die periodisch verschieden-gemischten.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als der Eihneitstyp des zweiten Grad der geschweiften Bauart ausgeführt ist und schließt eine Elektrodengruppe ein. Dabei werden die angrenzenden zu einander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die Kurven des zweiten Grad und deren Teile umgeschrieben, wobei mindestens eine von den Elektroden vorzugsweise mit einem oder mehreren Löcher für den Eingang und Ausgang Ionenströme durchgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als der Sektoreinheitstyp des zweiten Grad der geschweiften Bauart ausgeführt ist und schließt eine Elektrodengruppe ein. Dabei werden die angrenzenden zueinander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die Teile (Sektoren) der Kurven des zweiten Grad umgeschrieben, wobei wird der Sektorenöffnungswinkel γ_l (der Winkel zwischen den zwei Halbmessern der abwesenden Teile) vorzugsweise durch die Ungleichheit γ_l < 3d / r bestimmt, wo d und r dementsprechend der Mittelabstand zwischen den Elektrodenbelegungen (die Mittelgröße) und Außenhalbmesser der Innenelektrode sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass Type des zweiten Grad der geschweiften Bauart als monozonal und vertikal-bizonal, vorzugsweise, dreidimensional ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in seinen Typen des zweiten Grad der geschweiften Bauart der Abstand von dessen geometrischer Plattenmitte bis zum nächsten Elektrodenabstand beträchtlich den Mittelabstand zwischen den Elektrodenbelegungen übergreift.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als der Einheitstyp der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und schließt eine Elektrodengruppe ein, dabei werden die angrenzenden zu einander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die laufenden Linien umgeschrieben, jede von denen n-gleichwinkeliges regelmäßiges Viereck formt, und jede Elektrode besteht aus n-Sektoren, wobei jede Elektrodengruppe des Widersiegelungsuntersystems vorzugsweise mit einem oder mehreren Löcher für den Eingang und Ausgang Ionenströme durchgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass der als j/n-Sektoreinheitstyp der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und die j winkel-sektoralen Teile (der Sektoren) des Einheitstyps der n-winkeligen Bauart des P-Mehrreflektor einschließt, vorzugsweise die n – 1 Flächen einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als der verschiedenwinkelige Typ der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und schließt die Gruppe der n-lokalen P-Widerspiegelungsbaueinheiten ein, die als eine lokale P-Baueinheit auf jede Fläche (Sektrorgruppe der P-Widerspiegelungsbaueinheiten) des n-winkeligen Vieleckes aufgestellt sind, dabei schließt er vorwiegend die P-Widerspiegelungsbaueinheiten, gewählt aus der Reihe, die deren Type einschließt, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als der j/n-sektoral/verschiedenwinkelige Typ der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und schließt j des granosektoralen Teils (der Sektoren) der verschiedenwinkeligen Art des n-winkeligen Bauart des P-Mehrreflektors ein und schließt vorzugsweise die n – 1 Flächen ein, dabei schließt er vorwiegend die P-Widerspiegelungsbaueinheiten ein, gewählt aus der Reihe, die deren Type einschließt, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dessen Typen der n-winkeligen Bauart die Flächenzahl aufgrund der Gleichheit n ≈ 2πR / 3d gewählt wird, dabei ist n – die Flächenzahl (vorzugsweise n – die ungerade Ganzzahl und n ≥ 5), d – der Mittelabstand zwischen den Elektrodebelegungen (die Spaltenbreite), R – der Abstand von der Plattenmitte des P-Mehrreflektors bis zu, Elektrodenabstand.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen flache Arten die Möglichkeit besitzen die widergespiegelten Bewegungskurven zu auftragen außerhalb des Feldes des P-Mehrreflektors in der Projektion auf dessen Fundamentebene annährend wie die widergespiegelten von der einheitlichen effektiven Fläche mit dem Schnitt, umgeschrieben durch die Kurve des zweiten Grads.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen flache Arten als einzonal oder zweizonal ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dessen enger Form (flacher Art oder Gangart) er vorzugsweise die P-Widerspiegelungsbaueinheiten einschließt, gewählt aus der Reihe, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist gemäß der vorliegenden Erfindung. Dabei besitzt jeder Typ des P-Mehrreflektors die Möglichkeit Ionen durch die Typenlinie zu bewegen und entsprechend den Anforderungen zu den Eingang- und Ausgangsströmen bei Widerspiegelung von jeder P-Widerspiegelungsbaueinheit ist das Verhältnis der Breite (der Längenabmessung) L_Q des P-Mehrreflektors zu dessen Stärke (zur Querabmessung) in der Projektion auf dessen Fundamentebene im Rahmen
begrenzt; zwischen den P-Widerspiegelungsbaueinheiten, in der Fläche der Mitte dessen Länge ist der feldlose Raum herausgebildet ist (feldloser Raum).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dessen geradlinig-widerspiegelndem Typ schließt er zwei einzonale P-Widerspiegelungsbaueinheiten ein, aufgestellt gegen einander bei der Parallelität deren Achsenvektoren, die in der gleichen Fläche liegen (in der Mittelfläche des P-Mehrreflektors), und der P-Mehrreflektor besitzt die Möglichkeit Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf die Fundamentebene des P-Mehrreflektors besitzt annähernd die Form gerader Strecke.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als schleifenartig-widerspiegelnd ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf dessen Fundamentebene besitzt Linienform annähernd der schleifenartigen Form und dabei schließt er vorzugsweise mindestens eine bizonale P-Widerspiegelungsbaueinheit ein.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er in der bügelformig-widerspiegelnden Art ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, die auf dessen Fundamentebene annähernd Linienform V-förmiger form besitzt und dabei besitzt vorwiegend drei P-Widerspiegelungsbaueinheiten, aufgestellt auf den Randen (die randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten) und annähernd auf dem Endpunkt (die mittlere P-Widerspiegelungsbaueinheit) erwähnter V-förmiger Kurve. Dabei ist die mittlere Widerspiegelungsbaueinheit vorwiegend in Form der bizonalen P-Baueinheiten ausgeführt, zum Beispiel ist er als monozonal oder kartesisch-zweidimensional ausgeführt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dessen bügelformig-widerspiegelnder Art der Abstand von beliebigem Abstand der P-Widerspiegelungsbaueinheit bis zur mittleren P-Widerspiegelungsbaueinheit um Mehrfach mehr ist, als der Abstand zwischen zwei randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten, dabei ist zwischen den randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten von einer Seite und der mittleren P-Widerspiegelungsbaueinheit von anderer Seite der feldlose Raus herausgebildet.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als zweischleifenartig-widerspiegelnder Typ ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf dessen Fundamentebene besitzt die Bogenlinienform, bestehend aus zwei dreieckförmigen Teilen (Schleifen) mit einem gesamten Endpunkt, herausbildend deren Fixpunkt, dabei enthält er vier P-Widerspiegelungsbaueinheiten, aufgestellt einzelweise auf jedem Endpunkt (nicht auf dem Baueinheitsendpunkt) jeder Schleife.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dessen bügelformig-widerspiegelndem Typ ist das Verhältnis der Breite (des Längsmaßes) L_Q des P-Mehrreflektors zu dessen Stärke (der Querabmessung) L_MRh in der Projektion auf dessen Fundamentebene im Rahmen
100 begrenzt ist; zwischen den P-Widerspiegelungsbaueinheiten, in der Fläche der Mitte dessen Länge ist der feldlose Raum herausgebildet ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen bügelformig-widerspiegelnder Typ symmetrisch und antisymmetrisch hinsichtlich dessen zwischenschleifiger Fläche der Typenlinie ausgeführt ist, die die gemittelte Mittelfläche ist sowie ist annähernd dessen geometrische Mittelfläche, die die einschleifigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten auf verschiedenen Seiten der zwischenschleifigen Fläche verteilt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dessen Gangart er die verlängerten P-Widerspiegelungsbaueinheiten einschließt, gewählt aus der Reihe, die deren Varianten einschließt, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die linearen Achsen der P-Widerspiegelungsbaueinheiten parallel zu einander aufgestellt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass eine von dessen zwei zusammen verbundenen P-Baueinheiten als kartesisch-zweidimensional ausgeführt ist, und die zweite ist als dreidimensional ausgeführt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen zwei zusammenverbundenen P-Baueinheiten als dreidimensional ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungseinheiten, gewählt aus der Reihe, die dessen Type einschließen, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die IO Brechungsbaueinheiten als die lokalen IO Brechungsbaueinheiten ausgeführt sind, vorzugsweise als die lokalen IO Linsenbaueinheiten.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen lokale IO Brechungsbaueinheiten hinsichtlich der Widerspiegelungsschritte aufgestellt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen lokale IO Brechungsbaueinheiten gleich ausgeführt sind, insbesondere sind sie als sektror-transsaksiale ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er zusätzlich die verlängerte IO Brechungsbaueinheit einschließt, beeinflussend den Ionenstrom auf dem Weg jedes Schrittes dessen Brechung, aufgestellt im Driftraum (außerhalb des Feldes) und gewählt aus der Reihe, die die in vorliegenden Erfindung genannten Steuerungsuntersysteme, Type der verlängerten IO P-Brechungseinheiten, vorzugsweise die verlängerten IO Linsenbaueinheiten umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er in der einseitigen reversierbaren R (m) / iV-Art ausgeführt ist (des ersten Typs bei i = 1 oder des zweiten Typs bei i = 2 und zusätzlich einschließend des Steuerungsuntersystem, die aus der Reihe gewählt ist, die deren Type enthält, gemäß der vorliegenden Erfindung) dessen Eingang und Ausgang des Ionenstroms nur auf einer oberen Planseite bei (m) = (U) ausgeführt ist oder ist auf einer unteren Planseite bei (m) = (L) aufgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er die Möglichkeit besitzt den Ionenstrom in Eingang- und Ausgangsrichtung von beider verschiedenen Planseiten zu bewegen (ist der zweiseitigen durchlaufenden R_W-Art ausgeführt).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dessen flacher Art mit enger Form schließt er zwei oder mehrere lokale P-Widerspiegelungsbaueinheiten (P-Spiegel) ein, gewählt aus der Reihe, die vorzugsweise deren Bauarten umfasst, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er in der nichtgeschlossenen zweischleifenartig-widerspiegelnden Typ ausgeführt ist und ist vorwiegend mit dem Eingang-Ausgang der symmetrisch-verschiedenflächigen Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass alle dessen P-Spiegel annähernd auf der Fundamentebene aufgestellt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen zweiter P-Spiegel, liegend auf einer Diagonale der Schleifenlinie mit dem ersten (Eingangs) P-Eingangsspiegel, außerhalb der Fundamentebene aufgestellt ist und die Eingang- und Ausgangsmittelflächen des zweiten P-Spiegels sind hinsichtlich der Fundamentebene des P-Mehrreflektors unter den flachen Spitzwinkeln, im Rahmen mehr null und weniger π / 4 vorzugsweise sind diese flachen Spitzwinkel gleich zwischen einander aufgestellt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Eingang- und Ausgangsmittelflächen dessen zweiter und dritter P-Spiegel zusammengesetzt sind; die Ausgangs und Eingangsmittelflächen der ersten (des annehmenden) und zweiten P-Spiegel kreuzen sich unter dem Winkel ϖ₁₂, dabei gibt es die Möglichkeit die Durchschnittslinien deren Flächen mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den ersten und zweiten P-Spiegel zusammenzusetzen; die Mittelfläche der Spiegelgleichheit des Feldes der dritten und letzten (Ausgangs) P-Spiegel kreuzen sich unter dem Winkel ϖ₃₄, dabei gibt es die Möglichkeit die Durchschnittslinien deren Flächen mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den ersten und zweiten P-Spiegel zusammenzusetzen; vorzugsweise ϖ₁₂ = ϖ₃₄.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass alle dessen P-Spiegel annähernd auf der Fundamentebene aufgestellt sind, die Eingang- und Ausgangsmittelflächen der P-Spiegel sind zusammengesetzt und liegen parallel zu einander und mindestens einer der Spiegel ist die Möglichkeit besitzt, dessen zwei oder mehr Vorschubarten des elektrischen Potentials zur Einführung in den P-Mehrreflektor und zur Ausführung von dem des Ionenstroms zu benutzen oder auch zu diesem Zweck wird die multifunktionale IO Einheit, zusätzlich zu dem P-Mehrreflektor zugeschaltet, verwendet.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem mindestens zwei zusammenverbundene P-Spiegel, zum Beispiel im zweischiefenartigen widerspiegelnden Fall, aufgestellt auf einem diagonalen Teil der Typenlinie als bizonal ausgeführt ist und besitzt die Möglichkeit die Ionenbewegungslinien auf verschiedenen, vorzugsweise, parallelen Flächen aufzustellen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als horizontal-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (die Flugbahn) über und neben der M-Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er als horizontal-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (die Flugbahn) über und neben der lateral-senkrechten Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich verschiedene Flugbahnhaste der Ionenstromsbewegung zwischen einander am mindestens kreuzen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass er zusätzlich die Brechungsbaieinheit einschließt, aufgestellt im Driftraum (außerhalb des Feldes) und gewählt aus der Reihe, die die P-Brechungsbaieinheiten vorzugsweise die lokalen IO Linsenbaueinheiten umfasst, die mit der Rotationssymmetrie ausgeführt sind oder, gemäß der vorliegenden Erfindung.

Für die Verwirklichung des angebotenen Verfahrens der Massenspektrometrie wurde der IB-Kanal des ionenleitenden Typs (der IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit der ionenkeitende IB-Kanal) zur Formierung und Steuerung des Kanalionenstroms ionen leitender Kanaltyp für die Bildung und Steuerung der Bewegung des Kanalionenstroms, umfasst eine oder mehrere Begrenzungsoberflächen, welche als Ausgang der Oberfläche bzw. Ein- und Ausgangsoberfläche des Ionen-Strömungskanals sind, Ionen-Subsystem mit einem oder mehreren Ionen-Knoten, die jeweils zwei oder mehr Elektroden beinhalten. Dabei erfolgt die Ausführung des Ionenleitenden IB-Kanals als eine oder mehrere Regelteilsysteme, oder wird ausgeführt als krumme Hauptachse radialräumlicher dispergierender Form, oder wird ausgeführt als wiederspiegelnde Art.
Der Hauptunterschied des angebotenen IB-Kanals von den bekannten IB-Kanälen besteht darin, dass
es mit der Versorgung der Möglichkeit seiner Nutzung in den Kanal-Multitrakt erfüllt (einschließlich mehrfach verbundene Oberfläche), und/oder außerhalb der Achse (einschließlich der zweifach zusammenhängenden Oberfläche) Kanal-eintakten Regime und schaltet zwei oder mehrere Begrenzungsflächen, die bedingt definiert sind oder zumindest eins von ihnen mit der Grenzelektrode des Ionenkanal-Subsystems, ausgeführt mit einem oder mehreren Öffnungen (für den Durchgang eines Ionenkanalsstroms), in Übereinstimmung der Wahl der Grenzoberfläche,
und/oder das Ionenkanal-Subsystems des IB-Kanals ist ausgeführt, elektrisch (nicht magnetisch), zumindest schaltet sie ein der aus den Anteilen ausgewählten Reihe: verlängerten dreidimensionalen P-Knoten der Reflekion, einschließlich eines zweidimensionalen Bereich der Reflexion; P-Mehrreflektor der flachen Form; dreidimensionale P-Mehrreflektor; mehrschichtigen Typen der Wiederspiegelungsart; Unterverteilungssystem, bestehend aus einem oder mehreren IO Knoten, ausgeführt mit der Wahl einer bestimmten räumlichen Orientierung der Ionenknoten in Bezug auf andere IO-Knoten (wenn vorhanden) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors in seinem handelnden Ionenstroms und/oder ausgewählte Mitglieder der Reihe, beinhaltet lang gestreckte P-Indexknoten, dreidimensionalen P-Knoten der Reflexion, P-Knoten mit ungleichmäßige Höhen, P-Knoten reflektieren einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion.
Andere Unterscheidung der angebotenen Technik von der bekannten Technik besteht darin, dass sie:

– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Begrenzungsfläche mit der Rotationssymmetrie hinsichtlich der geraden Achse ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, im Steuerzustand des Ein- oder Zweitaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche sind aus der Reihe gewählt, die wie folgt umfasst: die kreisförmige (ovale) Fläche und die Fläche des Ringes, deren Zentren auf dem Zentrum der Rotationssymmetrie der Begrenzungsfläche aufgestellt sind; die Flächen eines oder mehrerer Teile der genannten Ringe; die Flächen der Ringgruppen, aufgestellt hinsichtlich des Zentrums der Rotationssymmetrie der Begrenzungsfläche; die Flächen eines oder mehrerer Teile der verschiedenen Ringe aus der genannten Gruppe der Ringe.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt die Achse der Rotationssymmetrie deren Begrenzungsfläche mit der Begrenzungsschnitt des eintakten Kanalionenstroms zu kreuzen (O_O-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, des Begrenzungsschnitts des eintakten Kanalionenstroms aufzustellen O_E-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (O_EE-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich die Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche mit der Begrenzungsfläche eines trakten Bestandteils des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzt (O_OE-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Begrenzungsfläche mit der Mittelebene enthält und besitzt die Möglichkeit im Steuerzustand des Ein- oder Mehrtaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche sind aus der Reihe gewählt, die wie folgt umfasst: die Einheitsflächen und Schnittflächen der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegt; die Flächen einer oder mehrerer Teile der genannten Schnittflächen der viereckigen Röhren; die Flächen der viereckigen Streifen (einschließlich der Streifen mit Rundkropfen), vorwiegend, die parallel zur Parallelebene der Begrenzungsfläche liegt; die Schnittflächen der Gruppe der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegen; die Flächen von der zwei oder mehrerer Schnittteile verschiedener viereckigen Röhren aus der genannten Gruppe der viereckigen Röhren.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (P_P-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass außerhalb der Mittelebene dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (P_E-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit den Begrenzungsflächen der trakten Bestandteile des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzt (P_PP-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (P_EE-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit den Begrenzungsschnitten einiger trakter Bestandteile des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzen (P_PE-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die doppeltsymmetrische Fläche enthält und zwei senkrechte zu einander Spiegelflächen besitzt, wobei die Schnittlinie dieser Flächen die Hauptachse der doppeltsymmetrischen Begrenzungsfläche formt (der zweisymmetrische).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Begrenzungsfläche mit der Mittelebene enthält und die Möglichkeit besitzt im Steuerzustand des Ein- oder Mehrtaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche sind aus der Reihe gewählt, die wie folgt umfasst: die Einheitsflächen und Schnittflächen der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegt; die Flächen einer oder mehrerer Teile der genannten Schnittflächen der viereckigen Röhren; die Flächen der viereckigen Streifen (einschließlich der Streifen mit Rundkropfen), vorwiegend, die parallel zur Parallelebene der Begrenzungsfläche liegt; die Schnittflächen der Gruppe der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegen; die Flächen von der zwei oder mehrerer Schnittteile verschiedener viereckigen Röhren aus der genannten Gruppe der viereckigen Röhren.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich die Hauptachse dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (S_P-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt dessen Begrenzungsfläche, Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms außerhalb der Mittelebene aufzustellen (S_E-Art der Überschneidung) oder besitzt er die Möglichkeit dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (S-Art der Überschneidung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich S_PP- oder S_PE-Arten der Überschneidung der Begrenzungsfläche durch den Kanalionenstrom überschnitten werden.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt, dass sich S_OP-, S_OE- oder S_OPE-Arten der Überschneidung der Begrenzungsfläche durch den Kanalionenstrom überschnitten werden.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem die Fläche beliebiger Begrenzungsfläche annähernd senkrecht zur Symmetrieachse bzw. zu der Begrenzungsebene der Mittelfläche der Feldsymmetrie entsprechend den abgrenzenden Elektroden aufgestellt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen beliebige Abgrenzungsfläche mit dem Vorhandensein der Symmetrie ausgeführt ist, die der Feldsymmetrie der abgrenzenden IO-Baueinheit entspricht.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem die Flächen des Eingangs bzw. Ausgangs außerhalb des Feldes aufgestellt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem die Fläche des Ausgangs mit der Fläche der Ausgangselektrode (die Ausgangsabgrenzungsfläche – die Elektrode) zusammengefallen ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in dem die Fläche des Eingangs mit der Fläche der Eingangselektrode (die Eingangsabgrenzungsfläche – die Elektrode) zusammengefallen ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Abgrenzungsflächen eine oder mehrere Eingangsflächen (die Flächen-a) zur Einführung des Kanalionenstroms zum IB-Kanal enthalten sowie eine oder mehrere Ausgangsflächen, die Grenzen des Kanalionenstromsübergangs zu Detektorausscheidungen (zur Fläche-d, für nachfolgende Erfassung) des Detektorsystems oder zu den Flächen-q, zu Übertragung zu anderen IB-Kanälen bestimmen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das IO Kanaluntersystem im geradlinigen Typ mit gerader Achse ausgeführt ist (mit der Möglichkeit des einseitigen geradlinigen Arbeitszustands) und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode (Membrane-Apertur), die zweite Elektrodengruppe und die Ausgangsfläche ein, dabei ist die Vorseite der Ausgangsfläche zur Eingangsfläche zugewandt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das IO Kanaluntersystem im widerspiegelnden Typ mit gerader Achse ausgeführt ist (mit der Möglichkeit des reflektorischen einwiderspiegelnden Arbeitszustands) und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode, die Ausgangsfläche mit dem Loch auf der Achse für Durchleitung des Kanalionenstroms in gerader Richtung, die zweite Elektrodengruppe, wobei formt die zweite Elektrodengruppe zusammen mit der Ausgangsfläche, die zu der zweiten Elektrodengruppe zugewandt ist, die lokale widerspiegelnde IO-Baueinheit (den IO Spiegel).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das IO Kanaluntersystem im Dualtyp mit gerader Achse ausgeführt ist und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Symmetrien der Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode, die erste Eingangsfläche mit Loch auf der Achse für Durchleitung des Kanalionenstroms in gerader Richtung, die zweite Elektrodengruppe, wobei ist die Vorseite der ersten Ausgangsfläche zur der Eingangsfläche umkehrten Seite zugewandt (der Ausgang zur Ausführung dessen reflektorischen Arbeitszustands) und die Vorseite der Ausgangsfläche ist zur Eingangsfläche zugewandt (zur Ausführung dessen linearen Arbeitszustands).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Ausgangsflächen in Art der Flächen-d ausgeführt sind und bestimmen die Grenzen der Überleitung des Kanalionenstroms zu den entsprechenden Detektorabscheidungen am Eingang des IB-Kanals.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Form des Loches (der Apertur) der Membrane-Elektrode (der Membrane-Apertur) aus der Gruppe der folgenden Formen gewählt ist: die kreisförmige, ovale, viereckige andere Form, deren geometrisches Zentrum ist annähernd auf dessen gerader Achse aufgestellt, und dabei besitzt vorwiegend dessen Membrane-Elektrode die Möglichkeit die Größe und die Größe und Form dessen Loches zu regeln (Handregelung bzw. elektronische Regelung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie die Möglichkeit besitzt das elektrische Potential mindestens auf einer Elektrode zu ändern und die Größen der quer-räumlichen Dispersion nach Energie bzw. Dispersion nach Massen zu regeln.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass dessen IO Kanaluntersystem mit schiefer Hauptachse in quer-räumlicher dispergierender Art ausgeführt ist und das Steuerungsuntersystem einschließt, die aus der Reihe gewählt ist, die dessen Type enthält, gemäß der vorliegenden Erfindung, sowie mindestens eine quer-räumliche dispergierende IO Baueinheit, gewählt aus der Reihe, die z. B. die brechenden konischen Felder, insbesondere magnetische bzw. nichtmagnetische Prismen-, Keil- und Konustype der Felder einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als ein Steueruntersystem ausgeführt ist, das aus der Reihe, ausgewählt ist, welche seine erwähnten Type beinhaltet gemäß der vorliegenden Erfindung und das mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von der Eingangsfläche zur Ausgangsfläche des IB-Kanals ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als Einzeltyp der multireflektierenden Art ausgeführt ist und ein P-Multireflektor enthält, der aus der Reihe ausgewählt ist, die seine vorzugsweise erwähnten Type erfasst, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass ihre und des P-Multireflektors Stirnseite als die Stirnseite des P-Multireflektors bedingungsweise bestimmt ist, auf welche der Ionenstrom von der Seite der Quellenionenblockeinheit leitet, wobei ihr gegenüberliegende Stirnseite bedienungsweise die untere Stirnseite des P-Multireflektors und des IB-Kanals bildet.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich die Steueruntersysteme umfasst, die aus der Reihe ausgewählt sind, die ihre vorzugsweise erwähnten Type enthält, gemäß der vorliegenden Erfindung, die (Type) in einer LS-Gruppe der Untersysteme für Umstellung verbunden sind, die (LS-Gruppe) in jedem Untersystem für Umstellung ein oder mehrere Sreueruntersysteme enthält, wobei die Untersysteme für Umstellung in der Art der Reihe von SSTO (SSTO – das Untersystem der Außsen- oder Innenumstellung) ausgeführt sind, die mit der Anwendung eines oder einigen Betriebsmodi (brechend, reflektierend und feldlos), mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung vom Ionenstrom in den Arten ausgeführt sind, welche aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die (Reihe) den Empfang aus dem Eingang (vom W_a-Eingangsfläche) des IB-Kanals und die Eingabe in den P-Multireflektor; die gegenseitige Umstellung; die Seitenumstellung; die Abführung aus dem P-Multireflektor und die Umstellung zu einer W_qm-Fläche des q-Ausganges (die der unteren bei W_qm = W_qL, oder von oberen, bei W_qm = W_qU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu zwei W_qm-Flächen des q-Ausganges (die den zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB Kanal zugeordnet sind, wobei W_qm-Flächen (die Grenzflächen) der q-Ausgänge die Grenzen des Überganges des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Ausgängen aus dem IB-Kanal bestimmen, zum Beispiel für die Umstellung auf den anderen IB-Kanal, wobei die LS-Gruppe im Ganzen mit der Gewährleistung der Möglichkeit des einmaligen (einzyklischer P-Multireflektor) oder des mehrmaligen (mehrzyklischer P-Multireflektor) Durchlaufes des kanalspezifischen Ionenstromes durch die vom P-Multireflektor gebildete Felder ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit ihres Gebrauches für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem P-Multireflektor zu einer der W_dm-Flächen – des d-Ausganges (die der unteren, bei W_dm = W_dL, oder von oberen bei W_dm = W_dU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu den zwei W_dm-W_dm-Flächen – der d-Ausgänge (die der zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet sind) ausgeführt ist, wobei die W_dm-Flächen (Grenzflächen) – der d
– Ausgänge (die Ausgänge) die Übergangsgrenzen des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Detektorabteilungen der entsprechenden Anordnungen bestimmen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor von R_W-Art und das untere SSTO (zugeordnet der unteren Stirnseite des P-Multireflektors) umfasst, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / WW_qL)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus R (L) / W – des P-Multireflektors, von seiner unteren Stirnseite zu W_qL) oder in der zweistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L) / WW_qL)-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (L) / WW_dL)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus R (L) / W , zu W_dL) als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (L) / WW_qL)/(R (L) / WW_qL)-Art.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der R_W-Art und zwei SSTO umfasst, wobei ein SSTO das untere ist (zugeordnet der der unteren Stirnseite des P-Multireflektors), welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / WW_qL)-Art oder in der zweistufigen |(R (L) / WW_dL)/(R (L) / WW_qL)|-Art ausgeführt ist und das zweite System ist das obere (zugeordnet der oberen Stirnseite des P-Multireflektors), welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit der von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von der W_a-Eingangsfläche in den R (U) / W-P-Multireflektor, von seiner oberen Stirnseite, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (W_aW_dU)/-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von W_a zu W_dU) als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (W_aW_dU)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von W_a zu W_dU) zum Durchgang des kanalspezifischen Ionenstromes durch ihn nach Richtung von der oberen Stirnteil zum seinen unteren Stirnteil ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und das SSTO umfasst, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen R (U) / iVW_qU-Art ( die Umstellung der Ionen: aus R (U) / iV, zu W_qU) oder in der zweistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iVW_qU)-Art, als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art, (die Umstellung der Ionen: aus dem P-Multireflektor, von seiner oberen Stirnseite zu W_dU).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / iV)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / iV)↑|-Art ausgeführt ist, und das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (R (U) / iVW_qU)-Art oder in der zweistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art, ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der (R (U) / iV)-Art und das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (U) / iVW_qU)/(R (U) / iV)↑|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iVW_qU)-Art als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iV)↑-Art (wo (R (U) / iV)↑ – der Modus der oberen gegenseitigen Umstellung, die den Empfang aus dem P-Multireflektor und die Eingabe in ihn rückwärts des kanalspezifischen Ionenstromes, von seiner oberen Stirnseite absichert) oder im Modus der (R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iV)↑/(R (U) / iVW_qU)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / iV)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aR_dU)/(W_aR (U) / iV)↑|--Art ausgeführt ist, und das zweite SSTO ist ausgeführt mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (U) / iV)↑/((R (U) / iVW_qU)|-Art oder in der dreistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iV)↑/R (U) / iVW_qU)|-Art.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor der R_W-R_W-Art und das untere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (L) / W)↑/(R (L) / WW_dL)|-Art oder in der dreistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L) / W)↑/(R^(L)W_qL)|-Art (wo (R (L) / W)↑ – den Modus der unteren gegenseitigen Umstellung für Empfang aus dem P-Multireflektor und zur Eingabe darin rückwärts des kanalspezifischen Ionenstromes von seiner unteren Stirnseite absichert) ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich das obere SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art ausgeführt ist oder das SSTO, ausgeführt mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung in den Modi zweier Arten, nämlich in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art und in einem aus der Reihe ausgewählten Modus, welcher die einstufige (W_aR (U) / W)↑-Art und zweistufige |(W_aW_dU)/W_aR (U) / W)↑|-Art absichert.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑-Art, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art ausgeführt ist, wobei das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich das obere SSTO enthält, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art, oder in der dreistufigen |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art ausgeführt ist oder das SSTO, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in den Modi zweier Arten, wobei eine davon aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aR (U) / W)↑-Art und die zweistufige |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art umfasst und auch die zweite ausderjenigen Reihe, welche die zweistufige |(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)-Art und die dreistufige |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|--Art umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑--Art, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art ausgeführt ist und das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der SSTO-Anwendung in der zweistufigen |R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑|-Art oder in der dreistufigen |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie den P-Multireflektor R_W-Art und das SSTO umfasst, das den unteren und oberen Stirnseiten der von P-Multireflektors umfassenden Zone zugeordnet ist und welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen – Art (R (L-U) / W)↑/(R (U) / WW_qL)-Art oder in der dreistufigen ( R (L) / WW_dL)/(R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)-Art ausgeführt ist, wo (R (L-U) / W)↑ – der Modus der Seitenumstellung (führt die Umstellung des Ionenstromes von der unteren Stirnseite auf die obere Stirnseite des P-Multireflektors, ihn vorbeigehend, und die Eingabe der Ionen in den P-Multireflektor von seiner oberen Stirnseite durch); oder umfasst zwei SSTO, wobei eins davon der Zone zugeordnet ist, welche die untere und obere Stirnseiten des P-Multireflektors umfasst und das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen ( R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)-Art oder in der dreistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)-Art ausgeführt ist, und das zweite SSTO ist zugeordnet der oberen Stirnseite des P-Multireflektors und ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass ihr kanalspezifisches IO-Untersystem als einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art ausgeführt ist und das Untersystem der P-Multireflektoren ({P_μ(s)}-Gruppe) einschießt, welches zwei oder mehr P-Multireflektoren enthält, die in einer Reihe oder übereinander (etagenweise) angeordnet sind, welche aus der Reihe der P-Multireflektoren ausgewählt sind, gemäß der vorliegenden Erfindung, wobei jeder P-Multireflektor eine Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe von einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art bildet, wobei in der {P_μ(s)}-Gruppe die Flächen der Grundlage der P-Multireflektoren zirka parallel vorzugsweise, angeordnet sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass darin die erwähnte P-Multireflektoren vom schrittartigen Typ in einer Reihe angeordnet sind, und die P-Multireflektoren von der flachen Typ etagenweise (übereinander) angeordnet sind, wobei als die Eingangsstirnseite des IB-Kanals und der Gruppe vom vom einreihig-mehrschichtigen multireflektierenden Typ bedingungsweise ist ihre Stirnseite bestimmt, auf die der Ionenstrom von der Seite der Quellenionenblockeinheit geleitet wird, wobei ihre gegenüberliegende als die bedingungsweise untere Stirnseite des IB-Kanals und der {P_μ(s)}--Gruppe von dem einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art bedingungsweise ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass in ihrem zweischleifenartigen Bahntyp von Vierspiegel-Art, mindestens, eine Schicht als nichtgeschlossen konstruiert ist und dass er mit der Gewährleistung der Möglichkeit vom Ionenstromempfang aus einer anliegenden Schicht und der Umstellung des Ionenstroms rückwärts in dieselbe Schicht oder in die andere Schicht ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die nichtgeschlossene Schicht vorzugsweise mit Eingang-Ausgang der projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schichten mit den nichtgeschlossenen Eingang-Ausgang der projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art und mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von einer zur anderen dieser Schichten ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass das kanalspezifische IO-Untersystem als mehrreihigen-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art ausgeführt ist und das Untersystem der P-Multireflektoren ({P_μ(s)}-Gruppe) umfasst, das die erwähnte zwei und mehr Untersysteme der P-Multireflektoren der einreihig-mehrschichtigen Art enthält, die in einer Reihe angeordnet sind, wobei jedes der Systeme der P-Multireflektoren vom einreihig-mehrschichtigen Typ der multiwiederspiegelnden Art eine Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe vom Untersystem der P-Multireflektoren vom mehrreihigen-mehrschichtigen Typ der multiwiedrspiegelnden Art bildet, wobei die Flächen der Grundlage der P-Multireflektoren zirka parallel angeordnet sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die zueinander gewendeten anliegenden Seiten seiner Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe zirka parallel angeordnet sind und zueinander mindestens mit einer ihrer Seiten angrenzen, wobei ihre obere Ausgangsstirnseiten und untere Stirnseiten untereinander vorzugsweise auf einem Niveau angeordnet sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Teile eines oder mehreren anliegenden Elektroden von seinen zwei anliegenden P-Multireflektoren, die zu den zwei anliegenden erwähnten Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe gehören, der zwei Seiten einer Unterlage zugeordnet sind und vorzugsweise symmetrisch bezüglich der Unterlage ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie zusätzlich die Steueruntersysteme umfasst, die aus der Reihe ausgewählt sind, die seine vorzugsweise erwähnte Type der in der LS-Gruppe verordneten Untersysteme für Umschaltung umfasst, die in jedem Umsstellunguntersystem eins oder mehrere Steueruntersysteme enthält, wobei die Untersysteme der Umstellung in Form der Reihe von SSTO (SSTO – das Untersystem der Außen- oder Innenumstellung) sowie in der Form der die {P_m(j)}--Untergruppe bildenden Reihe von SSTA (SSTA- das Untersystem der anliegenden Umstellung) ausgeführt sind, wobei die Untersysteme der Außen- oder Innenumstellung mit der Anwendung eines oder mehreren Betriebsmodi (aus der Reihe brechend, multireflektierend und feldlos) mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in den Arten ausgeführt sind, welche aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: den Empfang aus dem Eingang (von – W_a-Eingansfläche) des IB-Kanals und die Eingabe in die {P_μ(s)}--Gruppe; die gegenseitige Umstellung; die entfernte rückwärtige Umstellung; die Seitenumstellung; die Abführung aus der {P_μ(s)}--Gruppe und die Umstellung zu einer W_qm--Fläche des q-Ausganges (die der unteren, bei W_qm = W_qL, oder der oberen, bei W_qm = W_qU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-kanal zugeordnet ist) oder zu den zwei W_qm-Flächen der q-Ausgänge (die den zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet sind), wobei die W_qm-Flächen der q-Ausgänge (die Ausgänge) die Grenzen des Überganges des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Ausgängen aus diesem IB Kanal bestimmen, zum Beispiel für die Umstellung auf den anderen IB-Kanal, wobei die LS-Gruppe im Ganzen mit der der Gewährleistung der Möglichkeit des einmaligen (die einzyklische {P_μ(s)}--Gruppe) oder mehrmaligen (die multizyklische {P_μ(s)}--Gruppe) Durchganges vom kanalspezifischen Ionenstrom durch die von der {P_μ(s)}--Gruppe gebildeten Felder ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_m(j)}--Untergruppe seiner LS-Gruppe mit der der Gewährleistung der Möglichkeit des serienmäßigen Durchganges (der Umstellung) des Ionenstromes durch die Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe ausgeführt ist, wo die untere wechselnde Indexe s und j, welche die Werte an den Grenzen 1 ≤ s ≤ c, 1 ≤ j ≤ b und b = c – 1 annehmen, bestimmen die laufenden Nummer jeweils der P_μ(s)--Schichten in der {P_μ(s)}--Gruppe und A_m(j)-SSTA in der {A_m(j)}--Untergruppe, die nach der Richtung vom Eingang zum Ausgang des IB-Kanals eingegeben werden (ansteigen); wobei: c – die Gesamtmenge der Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe (die der Nummer ihrer letzten Schicht gleich ist); b- die Gesamtmenge von SSTA der {A_m(j)}--Untergruppe (die der Nummer seiner letzten SSTA gleich ist); der untere Index m nimmt zwei Werte (m = U, L) an und zeigt die Anordnung des SSTA von der oberen Stirnseite (oberes SSTA – bei m = U), oder von der unteren Stirnseite (unteres SSTA – bei m = L) der {P_μ(k)}--Gruppe und des IB Kanals.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)}--Gruppe die einseitige Schicht der umkehrbaren P_μ(s) ≡ P (m) / iVs--Art (vom ersten Typ bei i = 1 oder vom zweiten Typ bei i = 2 und zusätzlich einschaltende das Steueruntersystem, das aus der Reihe ausgewählt ist, die ihre in den PP 12–49 erwähnte Typen enthält) umfasst, wo der Eingang und Ausgang des Ionenstromes nur von einer ihrer Stirnseite, von der oberen Stirnseite, bei (m) = (U), oder von der unteren, gegenüberliegenden zur oberen, Stirnseite bei (m) = (L) ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)}--Gruppe die Schicht der P_μ(s) ≡ P_Ws-Art (der beiderseitigen durchlaufenden Art) einschließt, bei der der Eingang und/oder der Ausgang des Ionenstromes von den zwei (von oberen und von unteren) Stirnseiten möglich ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die erwähnte LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der {P_μ(s)}-Gruppe zu einer W_dm-Fläche des d-Ausganges (die der unteren, bei W_dm = W_dL, oder von der oberen, bei W_dm = W_dU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu zwei W_dm oder mehr W_dm2 – Flächen des d-Ausganges (die den beiden Stirnseiten an den Ausgängen des IB-Kanals zugeordnet sind) ausgeführt ist, wobei W_dm und W_dm2-Flächen (die Grenzflächen) der Ausgänge (die Ausgänge) die Grenzen des Überganges vom kanalspezifischen Ionenstrom zu den Detektorabteilungen der entsprechenden Anordnungen bestimmen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)}--Gruppe und die {A_m(j)}-Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung in dem einseitigen Modus, bzw. im Modus (P (m) / μ(n)P (m) / μ(n+1)-Art (der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in die direkte Richtung bei der {P_μ(s)}--Gruppe) – der Umstellung von einer Schicht in die nachfolgende anliegende Schicht P (m) / μ(n+1) ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art (P_W1 ≡ P_μ(1) _ die erste Schicht aus der {P_μ(s)}-Gruppe) und das SSTA der A_L1-Art (A_L1 ≡ A_m(1) – erstes SSTA aus der {Aj}_m--Untergruppe) umfasst ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass zusätzlich das obere SSTA eingeschlossen ist, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑--Art (der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von erwähnten W_a in die Schicht der P_W1-Art, von seiner oberen Stirnseite oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)|↑-Art wie mit der Möglichkeit des Gebrauches in der Regime der (W_aP (U) / W1)|↑--Art, als auch mit der Möglichkeit des Gebrauches in der Regime der (W_aW_dU1)--Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes; von W_a zu W_dU1) ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_μ(1) ≡ P (U) / iV1--Art (unterer Index 1 zeigt die bei ihm vorhandene erste Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe – {P_μ(1)} ≡ P (U) / iV1 ) und das SSTA der A_m(1) ≡ A_U1--Art umfasst ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus erwähnten W_a in sie Schicht P (U) / iV1 ) oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|--Art ausgeführt ist; oder dass IB-Kanal zusätzlich das oberen SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im einstufigen Modus der (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_Wc-Art ( unterer Index zeigt auf die bei ihm vorhandene letzte Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe – P_μ(c) ≡ P_Wc), und das SSTO umfasst ist, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen P (m) / WcW_qm)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus der P (m) / Wc-Schicht der P_Wc-Art zu W_qm, beim Entsprechen der Indexe m bei P (m) / Wc und bei W_qm: zwischen den oberen (bei m = U) oder mit den unteren (bei m = L) Stirnseiten der Schicht), oder mit der Gewährleistung der Möglichkeit vom SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (m) / WcW_dm2)/(P (m) / WcW_qm)|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (P (m) / WcW_qm)-Art als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (P (m) / WcW_dm2)-Art (die Umstellung des Ionenstromes: aus der Schicht der P_Wc--Art zu W_dm2 beim Entsprechen der Indexe m bei P (m) / Wc und bei W_dm2 zwischen den oberen (bei m = U) oder mit den unteren (bei m = L) Stirnseiten der Schicht ausgeführt ist, wobei das SSTA der A_mb-Art der gegenüberliegenden Seite der Schicht P_Wc zu seiner Ausgangsseite zugeordnet ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (m) / iVc-Art umfasst ist, wobei er zusätzlich das SSTO einshließt, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (m) / iVcW_qm)-Art oder in der zweistufigen |(P (m) / iVcW_dm2)/(P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist, oder das SSTA der A_mb-Art, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (m) / iVcW_dm2)-Art oder in der zweistufigen |P (m) / iVcW_dm2)/P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)} ≡ {P_Ws}-Gruppe umfasst ist, die aus den Schichten der P_Ws--Art besteht sowie auch die {A_m(j))} ≡ {A_m↕j}-Untergruppe (vom alternierenden Anordnungstyp), die aus dem SSTA der A_m↕j-Art besteht, wobei er die gerade oder ungerade Anzahl der Schichten abhängig von der Anordnung des Ausganges des Ionenstromes aus dem IB Kanal, beziehungsweise, von der oberen oder von der unteren Stirnseite umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)} ≡ {P (U) / iVs}-Gruppe umfasst ist, die aus den Schichten der P_iVs = P (U) / iVs-Art besteht sowie auch die {A_m(j)} ≡ {A_Uj}-Untergruppe, die aus dem SSTA der A_Uj--Art besteht (der einseitige Typ der oberen Anordnung).
– dadurch gekennzeichnet ist, dass folgendes umfasst ist: die schon erwähnte {A_m(j)} ≡ {A_Uj}--Untergruppeund die {P_μ(s)}-Gruppe in der die letzte Schicht in der P_Wc-Art ausgeführt ist, wobei die übrige Schichten in der P (U) / iVs-Art ausgeführt sind, wobei die Ausgangsseite der {P_μ(s)}-Gruppe des IB-Kanals seine untere Seite einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Ausführung folgendes umfasst: die Gewährleistung der Möglichkeit der Einschaltung des Modus der Rückumstellung {P (m) / μ(a)P (m) / μ(b)} aus einer Schicht in die andere aus den vorherigen Schichten (a ≻ b), einschließend der Modus der Fernrückumschaltung (a ≻ b + 1) des kanalspezifischen Ionenstromes, hauptsächlich aus der letzten Schicht in die erste Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe für den nochmaligen seinen Durchgang durch die Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens eins der erwähnten SSTO und SSTA mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO/SSTA-Anwendung im Modus der Rückumstellung ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass zusätzlich das obere SSTA umfasst ist, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung im Modus der Rückumstellung ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Verwirklichung von der Rückumstellung, hautsächlich, zwischen den oberen Stirnseiten der Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie mit der Gewährleistung der Möglichkeit seiner Anwendung für den laufend- monozyklischen Modus ausgeführt ist, wobei er auch die {P_Ws} Gruppe mit der geraden Anzahl der Schichten, sowie die {A_m↕j}-Untergruppe einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P (U) / iVs}-Gruppe umfasst ist, die aus den Schichten der P (U) / iVs
– Art besteht und die aus SSTA bestehende {A_Uj}-Untergruppe der A_Uj-Art einschließt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_μ(s)}-Gruppe und die {A_m(j)}-Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes in zwei Richtungen (sowohl in die direkte Richtung – vom Eingang zum Ausgang des IB-Kanals der {P (m) / μ(n)P (m) / μ(n+1)}-Art als auch mit der Umstellung in die Rückrichtung, bzw. vom Ausgang zum Eingang des Ionentraktes {P (m) / μ(n)P (m) / μ(n-1)}-Art ausgeführt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (m) / iVc-Art und das SSTA der A_mb-Art umfasst ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_Wc-Art und das SSTA der A_mb-Art, das der gegenüberliegenden Seite der Schicht P_Wc zu seiner Ausgangsseite zugeordnet ist, umfasst sowie auch zusätzlich das andere SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (m) / Wc)↑/(P (m) / WcW_qm)|-Art oder in der dreistufigen (P (m) / WcW_dm2)/(P (m) / Wc)↑//(P (m) / WcW_qm)-Art ausgeführt ist, wo (P (m) / Wc)↑ den Modus darstellt, der zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_Wc-Art und für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenstromes in ihn rückwärts, von seiner oberen Stirnseite, bei (m) = (U) in P (m) / Wc, oder von seiner unteren Stirnseite bei (m) = (L) in P (m) / Wc geeignet ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (m) / iVc-Art umfasst ist, wobei das SSTA der A_mb-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung in der einstufigen (P (m) / iVcW_qm)-Art oder in der zweistufigen |(P (m) / iVcW_dm2)/(P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst ist, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)↑|-Art, oder in der dreistufigen (W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)/(P (U) / W1)↑|-Art ausgeführt ist, wo (P (U) / W1)↑ – den Modus darstellt, der zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_W1-Art, von ihrer oberen Stirnseite und für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenstromes in ihn rückwärts, von ihrer oberen Stirnseite, geeignet ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_Wc-Art und zwei oberen SSTO umfasst sind, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art, ausgeführt ist und das zweite mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Betriebs in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_Ws}-Gruppe und die {A_m↕j}-Untergruppe umfasst sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (U) / iV1-Art und das SSTA der A_U1-Art umfasst sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (U) / iV1-Art umfasst ist, wobei entweder das SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist oder so, dass der IB-Kanal zusätzlich das obere SSTO umfasst, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P (U) / iVs}-Gruppe und die {A_Uj}-Untergruppe umfasst sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst sind, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1W_qU)-Art oder in der zweistufigen) |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist, sowohl mit der Möglichkeit des Betriebs im Modus der (P (U) / W1W_qU)-Art als auch mit der Möglichkeit des Betriebs im Modus der (P (U) / W1W_qU)-Art ausgeführt ist, oder das mit der Möglichkeit des Betriebs in den Modi zweier Arten ausgeführt ist, wobei eine von ihnen aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / W1)↑-Art, die zweistufige |W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art umfasst und die andere davon aus der anderen Reihe kommt, die einstufige (P (U) / W1W_qU)-Art, die zweistufige |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und zwei oberen SSTO umfasst sind, wobei ein SSTO mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑-Art, oder in der zweistufigen |W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art ausgeführt ist, und das zweite ist mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {A_m↕j}-Untergruppe die {P_μ(s)}-Gruppe erfasst, in der die lezte Schicht in der P (m) / iVc-Art erfüllt ist, und die übrige Schichte in der P_Ws-Art erfüllt sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst sind, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU)/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)//(P (U) / W1W_dU)|-Art ausgeführt ist, oder das mit der Gewährleistung der Möglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung zweier Arten ausgeführt ist, wobei eine davon aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / W1)↑-Art, die zweistufige |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|-Art umfasst, und die zweite aus der Reihe ausgewählt ist, welche die zweistufige |(P (U) / W1W_qU)/(P (U) / W1)↑|-Art und die dreistufige |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑//(P (U) / W1W_qU)|-Art umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und zwei oberen SSTO umfasst sind, dabei ist ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / 1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|-Art ausgeführt, wobei das zweite mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen (P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑//(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P_Ws}-Gruppe und die {A_m↕j}-Untergruppe umfasst sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art umfasst ist und das SSTA der A_L1-Art ist dabei mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (L) / W1W_qL)-Art oder in der zweistufigen (P (L) / W1W_dL2)/(P (L) / W1W_qL)|-Art ausgeführt.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass zusätzlich das obere SSTO umfasst ist, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen (W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)- Art ausgeführt ist, oder dass er zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins der SSTO mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑--Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art ausgeführt ist und das andere mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung im Modus der (P (U) / W1)↑-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P (U) / iV1-Art umfasst ist, wobei sein SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (U) / iV1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art ausgeführt ist, oder dieses SSTA ist ausgeführt für die Verwendung von zwei Typen der Umstellung, wobei einer davon aus der die Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / iV1)↑-Art und die zweistufige (W_aP (U) / iV1)↑/(W_aW_dU1)-Art umfasst, und der zweite aus der Reihe kommt, welche die einstufige (P (U) / iV1W_qU)-Art, die zweistufige |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_iV1-Art und zusätzlich das obere SSTO umfasst sind, das mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (U) / iV1W_qU)--Art oder in der zweistufigen |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die {P (U) / iVs}-Gruppe und die {A_Uj}-Untergruppe umfasst sind.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schicht der P_W1-Art und zusätzlich das obere SSTO umfasst sind, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (L) / W1)↑/(P (L) / W1W_qL)|-Art oder in der dreistufigen |(P (L) / W1W_dL1)/(P (L) / W1)↑//(P (L) / W1W_qL)|-Art ausgeführt ist, wo (P (L) / W1)↑ – der Modus zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_W1-Art ist sowie auch für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenrückstromes von seiner unteren Stirnseite.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass SSTA der A_U1-Art mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑--Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|--Art ausgeführt ist, oder der IB Kanal zusätzlich das obere SSTO einschießt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑--Art oder in der zweistufigen (W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|--Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie in der oberen und/oder unteren Betriebszone jedes P-Multireflektors (der Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe) mindestens einen der Glieder der Reihe einschließt, der die Fläche des Einganges, die Fläche des Ausgangs, SSTO und SSTA umfasst.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe (mindestens aus einem ihrem SSTO oder SSTA) mit folgenden Funktionen ausgeführt ist: Mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zur Ausgangsfläche des IB-Kanals von jeder oberen und/oder unteren Fläche, bzw. des Querschnitts des Ionenstromes in der Betriebszone der Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen seinen beliebigen Flächen-Querschnitten in den Betriebszonen von zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe nach ihren projektions-parallelen, symmetrisch-doppelflächigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist, wobei das Untersystem der Umstellung zum Umstellen des kanalspezifischen Ionenstromes hauptsächlich als Steueruntersystem mit Eingang-Ausgang der ptojektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den frontalen Teilen der typischen Linien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-reflektierenden Typ oder nach den typischen Linien der zwei P-Multireflektoren von geradlinig-reflektierenden Typ ausgeführt ist, wobei das Untersystem zur Umstellung des kanalspezifischen Ionenstroms vorzugsweise als ein Untersteuersystem mit Eingang-Ausgang projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit zur Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den projektions-parallelen diagonalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-wiederspiegelnden Typ ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, die seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe nach den ihren antiparallelen einschichtigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist, wobei die Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes hautsächlich als Steueruntersystem der einschichtigen Art mit antiparallelen Eingang-Ausgang ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den frontalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-reflektierenden Arten oder nach den Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von geradlinig-wiederspiegelnden Arten ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den diagonalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-wiederspiegelnden Arten ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in den Operationszonen der zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe nach den unter Winkel annähenden einschichtigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass darin das Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes als das Steueruntersystem von der einflächigen reflektierenden Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass darin das Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes als das Steueruntersystem von der einflächigen doppelwiederspiegelnden Art ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass die LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Ausgleiches der Laufzeit von den Ionen auf den oberen und unteren Leitbahnen des in der Art der Ionenpakete ausgeführten Traktionenstromes konstruiert ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass eine oder mehrere Elektroden mindestens einer verlängerten P-Reflexionsbaueinheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit ausgeführt sind, die Elektroden mit der Brummspannung für Ein-/Ausgabe der Ionen in den betreffenden P-Multireflektor (Schicht) anzustoßen.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass sie mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Regelung der räumlichen Bündelung des Ionenstromes entlang der Richtung der Ionenbewegung des Traktionenstromes ausgeführt ist.
– dadurch gekennzeichnet ist, dass eine oder mehrere Elektroden mindestens einer verlängerten P-Reflexionsbaueinheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit ausgeführt sind, die Elektroden mit Brummspannung anzustoßen, was für die Sicherung der räumlichen Bündelung des Ionenstromes entlang der Richtung seiner Bewegung bestimmt ist.

Für die Verwirklichung des angebotenen Verfahrens der Massenspektrometrie wurde das Massenspektometer (MS) gebraucht, welches umfasst:

a) MS-Einheiten: die Quellenionenblockeinheit; die Gruppe der ionenleitenden Einheiten, die das Kupplungs-Einheitselement, sowie die Analysatoren – und Dispergierungseinheit einschließt, dabei umfassen die Einheiten die IB-Kanäle mit den Grenzflächen und mit dem kanalspezifischen IO Untersystem (IO-Einheiten), wobei jeder IB-Kanal, der seiner Einheit entspricht, ein Teil des MS-Kanales mit IO System (die ionenleitende IB-Kanäle der ionenleitenden Einheiten gemeinsam mit dem Quellenionen-IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit) bildet, das kanalspezifische IO Untersystem (IO Einheiten) ist in der Art von einem oder mehreren IO Steueruntersystemen oder mit der nichtlinearen Hauptachse in der radialräumliche dispergierenden Art oder in der multireflektierenden Art ausgeführt;
b) Detektorsystem;
c) Kontroller-Computersystem.

Der Hauptunterschied des angeboten MS von bekannten MS besteht darin dass es mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in den Kanal-Multitrakt – und/oder Kanal-Eintraktregimen ausgeführt ist, dabei sind mindestens zwei Grenzflächen (die Fläche des Ausganges vom Quellenionen-IB-Kanal der Blockeinheit und mindestens eine Fläche des Ausganges vom analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal der Blockeinheit) als kanalspezifische Multitrakt-Transmissionsluken (einschließlich multibindig-flächigen) oder als außeraxiale kanalspezifische Monotrakt-Transmissionsluken (einschließlich doppelbindig-flächigen) ausgeführt;
und/oder das kanalspezifische IO Untersystem des IB Kanals vorzugsweise als elektrisch (magnetlose) ausgeführt ist und folgendes einschließt: Mindestens einen der Glieder der Reihe, welche die verlängerte dreidimensionale P-Reflexionseinheiten enthält, darunter die mit der zweidimensionalen Reflexionszone; die P-Multireflektoren der flachen Art; die dreidimensionalen P-Multireflektoren; die mehrschichtige Type der multireflektierenden Art; das Steueruntersystem, das eine oder mehrere IO-Einheiten einschließt, die mit der Gewährleistung der Auswahlmöglichkeit der gegebenen räumlichen Orientierung der IO-Einheit in Bezug auf die anderen IO-Einheiten (bei ihren Vorhandensein) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des in ihn kommenden Ionenstromes ausgeführt sind, und/oder sie aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P-Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.
Andere Unterschiede des angebotenen MS von den bekannten MS bestehen darin, dass:

– sein Kupplungs-Einheitselement, mindestens die vorherig-formierende Einheit und die Verteilungs-Beschleunigungseinheit umfasst.
– seine MS-Einheiten als Monokanal- oder Multikanalblöcke (enthaltend jeweils ein oder mehr als ein IB-Kanäle) ausgeführt sind, dabei sind die MS-Kanäle in der Kanal-Monotraktart oder in der Kanal-Multitraktart ausgeführt, wobei mindestens ein MS-Kanal vorzugsweise mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Durchganges vom Traktionenstrom von der Ionenquelle mindestens bis einer d-Fläche die die Grenze des Überganges vom kanalspezifischen Ionenstrom zu einer Detektorabteilung des Detektorsustemes bestimmt, ausgeführt ist.
– mindestens einer von seinen ionenleitenden IB-Kanälen aus der Reihe ausgewählt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– für jeden seiner Traktionenströme vorzugsweise ein einzelner Detektor in der Detektorabteilung entspricht.
– bei seiner Ausführung in der Kanal-Multitraktart, die Ionentrakte mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung unabhängig voneinander, zum Beispiel gleichzeitig oder nacheinander, in gegebenen Zeit-Intervallen ausgeführt sind.
– bei seiner Ausführung in der Multikanalart in jedem seiner Blöcke das jede Paar der IB-Kanäle in der Art des Paares ausgeführt ist, das aus der Reihe, die ein Paar verbundenen Art und ein Paar der getrennten Art einschließt, ausgewählt ist.
– bei seiner Ausführung in der Multikanalart, die Ionenkanäle mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihres Gebrauches unabhängig voneinander, zum Beispiel gleichzeitig oder nacheinander, in gegebenen Zeit-Intervallen ausgeführt sind.
– jede seiner o. g. Austrittsluken die Fläche-Elektrode des vorherigen IB-Kanals die Eingangsluke des nachfolgenden anderen IB-Kanal darstellt.
– die Rückseite seiner Austrittsfläche-Elektrode (die Austrittsfläche) des vorangehenden IB-Kanals die Fläche-Elektrode (die Eingangsfläche) des nachfolgenden anderen IB-Kanals darstellt.
– dieser als das Baukastensystem mit der Gewährleistung der Möglichkeit einer schnellen Zusammenstellung und des Ausbaues seiner verschiedenen Bestände von Blöcken, die eine breite Auswahl seines Gruppenbildungsstandes und der Auflösungsvermögen sichern, ausgeführt ist.
– jeder seiner Quellenionen-IB-Kanäle eine oder mehrere Ionenquellen (die Sektionen des Quellenionen-IB-Kanals) enthält, wobei jede von ihnen hauptsächlich mit einer der Austrittsaperturen der Ionenquelle gekoppelt ist, die vorzugsweise aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: die Abnahmerohre mit den Schaumabnahme-Vorrichtungen oder ohne; sowie auch diejenigen Elemente und Vorrichtungen, die für die primäre Bildung eines oder mehreren Traktionenströme geeignet sind, wobei ihre Menge die Formen und die Anordnung ihrer Öffnungen entsprechend der Auswahl der dem ionenleitenden IB-Kanal anliegenden Grenzfläche ausgeführt sind.
– sein Quellenionen-IB-Kanal zusätzlich die transient-führende Quellenblockeinheit umfasst, die eine oder mehrere Elektroden mit der Austrittsfläche für die Umstellung der Monotraktionenströme (der Kanal-Monotraktaustritt) oder der Multitraktionenströme (der Kanal-Multitraktaustritt) enthält.
– die Ionenquellen des Quellenionen-IB-Kanals aus der Reihe ausgewählt sind, die beliebige Ionenquelle umfasst, in die den Ionenstrom empfangen kann, zum Beispiel bei der elektronischen Ionisation (EI), bei der chemischen Ionisation (CI), beim elektronischen Einfang (EC), bei der Ionisation im elektrischen Feld (FI), von Thermospray, von der Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck, vom Elektrospray – von der Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APSI), von der chemischen Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APCI), von der Photoionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APPI), durch die direkte Laserdesorption – Massenspektometrie, durch die matrix-aktvierte Laserdesorption/Ionisation (MALDI), Ionisation mit Gasfüllung MALDI, atmosphärische MALDI, durch den Beschuss mit den schnellen Atomen (FAB), durch die Felddesorption oder durch die Desorption im elektrischen Feld (FD), durch die Plasmadesorption (PD), durch die Ionisation im induktivverbundenen Plasma ICP), durch die thermische Ionisation, durch die Ionisation in der Glimmentladung und durch Funkionisation, durch die Plasma- und Glimmentladung, durch die Koronaentladung, durch die Ionisation, bei der Laserablation.
– sein Quellenionen-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Formbildung vom impulsartigen (Ionenpakete) oder ununterbrochenen Ionenstrom an seinem Austritt ausgeführt ist.
– sein Kupplungs-Einheitselement die voraussichtlich-formbildende Blockeinheit einschließt, die anliegend mit der Quellenionenblockeinheit angeordnet ist und ein oder mehrere parallele vorgehend-formbildenden IB-Kanäle enthält, wobei jeder davon eine, zwei und mehrere Abteilungen (der Teile, der Sektionen) umfasst, die serienmäßig untereinander verbunden sind und mit der Gewährleistung der Möglichkeit der dazwischenliegenden voraussichtlichen Fortbildung, Beschleunigung und Führung des Ionenstromes ausgeführt sind.
– sein voraussichtlich-formbildende IB-Kanal eine oder mehrere Sektionen enthält, die aus der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: die Ionenvorhaftstellen; die Röhren der Drift der asymmetrischen Zelle der Ionenbeweglichkeit (der Mobilität) DC/Feld (Zellen der Ionenbeweglichkeit) mit den Eingangs- und Ausgangsluken (Öffnungen) mit den Ionensperren; die Brechungs-P-Einheiten und/oder Membranen-Aperturen.
– seine interne Ionenvorfalle mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Entnahme der vom Quellenionen-IB-Kanal generierten bestimmten Ionenmenge, ihrer Lagerung, sowie der Abführung der sich in der Reserve befindenden Ionen für die Eingabe in die nachfolgenden Blockeinheiten des MS ausgeführt ist.
– seine Ionenvorfalle aus der Reihe ausgewählt ist, die jede führende Elektrodengruppe mit dem elektrischen Feld umfasst, zum Beispiel die in der Art vom Set der verlängerten segmentierten RF-only Stäbe oder von der kurzen Einheit des führenden Quadrupols oder der Membranen-Aperturen ausgeführt ist.
– sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich die Verteilungs-Beschleunigungsblockeinheit umfasst, die nach der (nach dem Lauf des Ionenstromes von der Ionenquelle) voraussichtlich-formierenden Blockeinheit angeordnet ist und die einen oder mehrere parallele Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanäle umfasst, dabei jeder davon mindestens den voranalysatorischen führenden Beschleuniger enthält, der mit der Gewährleistung der Möglichkeit von der Abführung des Ionenstromes zur Seite des analysatorisch-dispergierenden IB-Kanals ausgeführt ist und aus zwei mindestens Beschleunigungselektroden mit einer oder mehreren Austrittsluken besteht.
– mindestens eine Luke seines voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleunigers mit dem feinmaschigen Netz bedeckt ist.
– er mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Begrenzung vom Winkel β₍₁₂₎₁ zwischen den Austrittsrichtungen des Ionenstromes aus dem Quellenionen-IB-Kanal und aus dem voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger in den Grenzen 0 ≤ β₍₁₂₎₁ ≤ π / 2 (bei der Bedingung β₍₁₂₎₁ ≈ 0 – der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger als radial ausgeführt ist, bzw. mit radialen Ionenaustritt, bei der Bedingung β₍₁₂₎₁ ≈ π / 2 – ist der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger als der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger orthogonal ausgeführt.
– sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung des impulsartigen Ionenstromes beim Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger ausgeführt ist.
– sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal zwei Einheiten umfasst, wobei eine der Einheiten mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Gebrauches mit der elektrischen Wechselspannung (pulsierenden) ausgeführt ist, wobei die zweit Einheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Gebrauches der statischen elektrischen Spannung ausgeführt ist.
– sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung der dünnen Ionenpakete ausgeführt ist, die für die laufzeitliche Massen-Analyse des Ionenstromes bei der Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger geeignet sind.
– bei der Ausführung seines Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanals mit der Gewährleistung der

Möglichkeit von der orthogonalen Ionenabführung (bei β₍₁₂₎₁ ≈ π / 2 ) ist die Akkumulationzone in der Art vom Monofeld ausgeführt, welches das quadratische elektrostatische Feld erzeugt, und die Rippe der geerdeten Elektrode ist hauptsächlich mit der geerdeten Sperrelektrode (Gitter) im Bereich der Ionenbeschleunigung (Palsera) mit dem gleichmäßigen Feld verbunden.

– sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal als statisch und mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung des ununterbrochenen Ionenstromes am Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger ausgeführt ist.
– sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal zusätzlich den voranalysatorischen Ionenspeicher voranalysatorischen Ionenspeicher enthält, der (nach dem Lauf des Ionenstromes von der Ionenquelle) vor dem voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger angeordnet ist und serienmäßig mit ihm verbunden ist und wobei der voranalysatorischen Ionenspeicher voranalysatorischen Ionenspeicher mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Ionenempfanges, der Speicherung und des pulsierenden Auswerfens in einer oder mehreren der radialen axialen und orthogonalen Richtungen, durch die Apertur, z. B. des voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleunigers ausgeführt ist.
– der angesprochene voranalysatorische Ionenspeicher aus der Reihe ausgewählt ist, welche die Lineareinheit IC-IC RF-only oder den gekrümmten Quadrupol umfasst.
– jede seiner Detektorabteilungen einen oder mehrere Ionendetektoren mit den Eingangsluken enthält, die auf der Fläche des d-Einganges angeordnet sind, wobei jedem Traktionenstrom hauptsaehckich ein separater Ionendetektor der Detektorabteilung entspricht, der vorzugsweise aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: den Faraday-Zylinder; den Multiplizierer der Sekundaerelektronen, der mindestens eine Dynode; den Szintillator und den Photomultipliezier; den Mikrokanal; die Platten der Mikrosphäre; mindestens zwei Detektierungsrillen; mindesten zwei Anoden enthält.
– mindestens ein Ionendetektor der Detektorabteilung mit dem Ionenselektor mit dem bestimmten Durchlassband ausgerüstet ist und mindestens einen der Glieder der die Steuernetze einschaltenden Reihe, das logische Element von Bradbury – Nielsen, den planparallelen Deflektor (Kondensator) umfasst.
– jeder seiner Ionendetektoren hauptsächlich mit dem System des Empfanges und der Speicherung der Daten verbunden ist, das den Analog-Digital-Umsetzer (adaptives Protokoll der Datenverdichtung) enthält.
– mindestens einer seiner Ionendetektoren mit dem ausgedehnten dynamischen Bereich ausgeführt ist.
– sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Ausdehnung des dynamischen Bereiches durch die alternativen Abtastungen mit der Variabilität der Spannungsintensität an der pulsierenden Ionenquelle und/oder am Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal ausgeführt ist.
– sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit durch die alternativen Abtastungen mit der Variabilität der Dauer von den Ioneneinschleusen in die Austrittsluke der Ionenquelle ausgeführt ist.
– sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit der automatischen Verstärkungsregelung ausgeführt ist.
– seine analysatorisch-dispergierende Blockeinheit einen oder mehrere parallele analysatorisch-dispergierenden IB-Kanaele umfasst, die aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: die toroidalen und zylindrischen sektoralen elektrischen Analysatoren; den magnetischen sektoralen Analysator; den orbitrap-Analysator; den Fourier-Analysator, den statischen Analysator, zum Beispiel das kanalspezifische IO-Untersystem seiner IB-Kanaele ist mit gekrümmter Hauptachse in der radialräumlichen dispergierenden im Art ausgeführt ist; den Laufzeitanalysator (TOF IB Kanal), zum Beispiel, das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– er zusätzlich eine oder zwei mit dem jeden analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal anliegenden Detektorabteilungen (der Detektorabteilungen bei dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal) umfasst, die je eine nach dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und/oder vor ihm angeordnet sind, dabei ist jeder Ionendetektor der Detektorabteilung aus der Reihe ausgewählt, die die in den Arten der Detektoren umfasst, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich die Blockeinheit der Zerkleinerungszelle umfasst, die eine oder mehrere parallelen Sektionen von Zerkleinerungszellen enthält, die mit Gas gefüllt sind und die differenzialen Pumpenkaskaden haben, dabei ist jede Zerkleinerungszelle mit einer oder mehreren Aperturen zum Eingang in die Zerkleinerungszelle und zum Austritt des Traktionenstromes daraus ausgeführt ist.
– jeder seiner Traktionenströme die separate Zerkleinerung (die Sektion der Zerkleinerungszelle) entspricht.
– mindestens eine seiner Zerkleinerungszellen mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung in zwei Modi ausgeführt ist: der Durchgang der Ionen durch die Zerkleinerungszelle ohne wesentliche Zerkleinerung oder die Zerkleinerung (die Fragmentierung) der Ionen in der Zerkleinerungszelle (in den Grenzen der Zerkleinerungszelle).
– sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich eine Blockeinheit der Ionenentnahme umfasst, die einen oder mehreren parallelen IB-Kanäle der Ionenentnahme enthält, die mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Verengung vom Bereich der Entnahme der Ionenmasse durch einen oder mehreren Entnahmeschritte ausgeführt sind.
– sein interner IB-Kanal der Ionenentnahme hauptsächlich aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die folgendes enthält: den Quadrupol-IB-Kanal; den Ionenfänger; den statischen IB-Kanal, zum Beispiel, das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals, ausgeführt mit der gekrümmten Hauptachse in der radialräumlichen dispergierenden, gemäß der vorliegenden Erfindung; den Laufzeitanalysator (TOF IB-Kanal), zum Beispiel das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– er zusätzlich eine oder zwei dem jedem dem IB-Kanal der Ionenentnahme anliegende Detektorabteilungen (der Detektorabteilungen bei dem IB-Kanal der Ionenentnahme) umfasst, die jeweils dem IB-Kanal der Ionenentnahme und/oder vor ihm angeordnet sind, dabei ist jeder Ionendetektor der Detektorabteilung aus der Reihe ausgewählt, gemäß der vorliegenden Erfindung.
– der analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und/oder der IB-Kanal der Ionenentnahme die Einstellungsmittel der Lauflänge und der Spannung der Ionenbeschleunigung umfassen.
– sein analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Einstellung der kleineren Ionenlauflänge als beim IB-Kanal der Ionenentnahme, zum Beispiel bei der Einstellung der erhöhten Spannung als beim IB-Kanal der Ionenentnahme ausgeführt ist.
– sein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von mindestens einer 3-fachen Erhöhung der Ion-Transmissionszeit durch IB-Kanal der Ionenentnahme als die Ion-Transmissionszeit durch den analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal ausgeführt ist.
– sein IB-Kanal der Ionenentnahme und der analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal als nicht-magnetisch ausgeführt sind.
– sein IB-Kanal der Ionenentnahme hauptsächlich in einer der Zeitlaufarten des IB-Kanals (IO TOF IB-Kanals) mit dem kanalspezifischen Untersystem hergestellt ist, das in der multireflektierenden Art ausgeführt ist und aus der Reihe ausgewählt ist, die folgende IB-Kanal-Typen umfasst: einzelner, einreihig-multischichtiger und multireihig-multischichtiger.
– sein analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal hauptsächlich in einer der Zeitlaufarten des IB-Kanals (IO TOF IB-Kanals) mit dem kanalspezifischen mit der geraden Achse ausgeführten Untersystem hergestellt ist, das aus der Reihe ausgewählt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung, oder in der Art des Steueruntersystem, das aus der Reihe ausgewählt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung, die seine in den angesprochen Type enthält und mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von der Eingangsfläche zur Austrittsfläche des IB-Kanals ausgeführt ist.
– sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich eine Blockeinheit der Zusatzspeicherung von den Ionen umfasst, die einen oder mehrere parallelen IB-Kanäle der zusätzlichen Speicherung von den Ionen enthält, jeder von denen mit der Gewährleistung der Möglichkeit für die Entnahme der Ionensubmehrheit oder mindestens einigen aus ihren Derivaten ausgeführt ist.
– darin angesprochener IB-Kanal der zusätzlichen Speicherung von Ionen aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die das IC-IC FR-only – Element oder den gekrümmten Quadrupol umfasst.
– darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Schritte der Umstellung des Ionenstromes ausgeführt ist: (ab) die Injektion des kanalspezifischen Ionenstromes vom Quellenionen – IB-Kanal in den voraussichtlich-formbildenden IB-Kanal; (bc) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem voraussichtlich-formbildenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal; (cd) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in den IB-Kanal der Ionenentnahme, sowie die Registierung des kanalspezifischen Ionenstromes in einer oder in zwei Detektorabteilungen, beim IB-Kanal der Ionenentnahme; (de) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der Ionenentnahme und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle; {(ec) oder (ef)} die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der Zerkleinerungszelle und die Eingabe ihn, abhängig vom Bestand des kanalspezifischen Ionenstromes nach der Einwirkung der Zerkleinerungszelle auf den Ionenstrom, jeweils in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal oder in den Kanal der zusätzlichen Speicherung und der Lagerung von den Ionen, von der ausgewählten Mehrheit der Massen, im IB-Kanal der zusätzlichen Speicherung der Ionen; (Q11) einer oder mehrere die Schritte (cd), (de) und {(ec) oder (ef)} umfassenden Zyklen einer oder mehrere die Schritte (cd), (de) und {(ec) oder (ef)} umfassenden Zyklen mit dem Ziel der Ionenspeicherung, der ausgewählten Mehrheit der Massen im IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung; (fc) oder {(fe) und weiter (ec)} die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal oder {(die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle) und weiter (die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der Zerkleinerungszelle und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal)}; (Q12) einer oder mehrere von (Q11) mit weiteren (fc) oder ({(fe) und weiter (ec)} umfassenden Zyklen; (cg) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in den analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal, sowie die Registration des kanalspezifischen Ionenstromes in einer oder in zwei Detektorabteilungen, beim analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal;
– Durchführung der Schritte der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q13) einer oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von c(ab) bis (cg) in dem vorliegenden erwähnten Schritte umfassen, gemäß der vorliegenden Erfindung, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)} – die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle oder {( die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal) und weiter (die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszellen)}; (Q14) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von {((ec) oder (ef)} bis (cg) in dem vorliegenden angesprochenen Schritte umfassen.
– dass in ihm, mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist: (ab); (bc); (cd); (de); {(ec) oder (ef)}; (Q11); (fc) oder {(fe) und weiter (ec)}; (cg);
– die Durchführung der Schritte der Umstellung vom kanalspezifischen Ionenstrom in Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation des Schrittes (cg); (Q23) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem vorliegenden angesprochenen Schritte umfassen, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (Q24) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von {(ec) oder )ef)} bis (cg) in dem vorliegenden erwähnten Schritte umfassen,
– dass in ihm, mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusaetzlichen Ionenspeicherung oder bei seinem Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cd); (de); (ec); (Q31) ein oder mehrere Zyklen, die die Schritte (cd), (de) und (ec), (cg) umfassen;
– die Durchführung der Schritte für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in der Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q33) ein oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem nachstehenden angesprochene Schritte umfassen, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (Q34) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von (ec) bis (cg) in dem vorliegenden erwähnten Schritte umfassen,
– ist dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Ionenentnahme oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cg); (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (ec); (cg);
– die Durchführung der Schritte für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes abhängig von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q43) ein oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem vorliegenden angesprochene Schritte umfassen, oder: (Q44) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller in dem vorliegenden angesprochener Schritte (ec); (cg); (ge) oder {(gc) und weiter (ce)} umfassen,
– dass darin mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Zerkleinerungszelle oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cd); (dc) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der Ionenentnahme und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal; (Q51) ein oder mehrere Zyklen, die die Schritte (cd) und (dc) umfassen; Schritt (cg).
– dass darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Ionenentnahme und an den Zerkleinerungszellen oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cg);
– dass er bei der Ausführung des IB-Kanals in der zeitlaufenden analyatorisch-dispergierenden Art das System der Übermittlung und der Bearbeitung von Daten enthält, die den parallelen Empfang der Spektren von den Tochterfragmenten, ohne Mischung der Spektren von den Ionen, die den Ausgangsmaterial vorstellen, sichert.

Diese Erfindung kann in vielen Varianten verwirklicht werden, und nur einige privilegierte Varianten der Konstruktion werden mit den in den Begleitungszeichnungen vorgestellten Beispielen beschrieben werden. Als Beispiel, an dem man die Varianten der angebotenen technischen Lösungen erklären kann, wird eine Reihe von Figuren schematisch vorgestellt, die bedingt in acht Teile geteilt sind.
1 bis 4 zeigen ein MS in Form der Varianten der Prinzipschaltbilder;
5 bis 19 zeigen die Oberflächen der Ausgänge des Quellenionen-IB-Kanals;
20 bis 129 zeigen symbolisch die Varianten der angebotenen IO-Baueinheiten;
130 bis 134 zeigen, die IO von Schemas der Varianten mit der geraden Achse TOF der IB-Kanäle, die für einen analysatorisch-dispergierenden Block angeboten werden;
135 bis 151 zeigen die IO von Schemas der Systeme der Steuerung;
152 bis 210 zeigen die IO von Schemas der IO-Baueinheiten und charakteristische Flugbahnen von Ionen drinnen;
211 bis 232 zeigen die widerspiegelnden Schemas mit der kurven Hauptachse IO, die für die TOF I-B-Kanäle zugeordnet sind;
233 bis 257 zeigen die mehrschichtigen multiwiderspiegelnden IO der Schemas, die für die TOF I-B-Kanäle zugeordnet sind;
258 zeigt ein Beispiel der Anwendung von den parallel-mehrsträmigen MS.
Das Massenspektometer als ein Komplex, der aus einigen Blocks besteht, wird in 1 bis 4 gezeigt. Dabei werden die charakteristischen Flugbahnen von Ionen zwischen IO-Blocks als Linien mit Zeigern oder Strichlinien mit Zeigern vorgestellt.
MS enthält auch einen Kontrollercomputerblock (wird auf Fig. nicht gezeigt), für die Kontrolle und Steuerung von der Arbeit aller Blocks des Spektrometers, und auch für die Versorgung der Erhaltung und Bearbeitung der Information.
In 1 wird das allgemeine Block-Schema MS 1000 vorgestellt, in dem der Ionenstrom aus dem Quellenionenblockeinheit 1010 in das Fügeblockverbindungsglied 1100 gerät. Die Quellenionenblockeinheit 1010 schließt eine oder mehr Ionisierungskammer und System der Probenionisierung für sie ein. Der aus dem Fügeblockverbindungsglied 1100 erlassene Ionenstrom gerät in eine analysatorisch-dispergierende Blockeinheit 1020. In 1 bis 4 wird die analysatorisch-dispergierende Blockeinheit 1020 des offenen Typs vorgestellt, und der Ionenstrom aus der analysatorisch-dispergierenden Blockeinheit 1020 kann zurück in das Fügeblockverbindungsglied 1100 gerichtet werden und/oder in die Detektorabteilung 1030 bei der analysatorisch-dispergierenden Blockeinheit (bei dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal). Falls die analysatorisch-dispergierende Blockeinheit 1020 in der einseingangigem Typ (zum Beispiel, die analysatorisch-dispergierende Blockeinheit 1020 ist in der Fourier-Analysator-Typ ausgeführt), die Detektorabteilung 1030 bei der analysatorisch-dispergierender Blockeinheit 1020 ist nicht vorhanden.
In 2 wird das Blockschema des Fügeblockverbindungsgliedes 1100 vorgestellt, das aus der minimalen Anzahl (zwei) Blockeinheiten (Wenigblockeinheitsvariante) besteht – es schließt die vorformierende Blockeinheit 1100 und die Verteilungs- und Beschleunigungsblockeinheit 1120 ein. MS, das mit solchem Fügeblockverbindungsgliede 1100 ausgeführt ist, erlaubt nur die einstufige Massen-Spektrometrie durchzuführen.
In 3 wird das Blockschema des Fügeblockverbindungsgliedes 1100 vorgestellt, das aus drei Blockeinheiten (die Variante des mittleren Blockeinheitsniveaus) besteht – schließt die vorformierende Blockeinheit 1100, die Verteilungs- und Beschleunigungsblockeinheit 1200 und die Blockeinheit der Verfeinerungszelle 1130 ein. MS, das mit solchem Fügeblockverbindungsgliede 1100 ausgeführt ist, erlaubt die Strukturanalyse durchzuführen.
In 4 wird das Blockschema des Fügeblockverbindungsgliedes 1100 vorgestellt, das aus fünf Blockeinheiten (die Variante des erweiterten Blockeinheitsniveaus) besteht, das die vorformierende Blockeinheit 1100, die Verteilungs- und Beschleunigungsblockeinheit 1120, die Blockeinheit der Verfeinerungszelle 1130, die Blockeinheit der Ionenentnahme 1140, die Detektorabteilung 1150 bei der Blockeinheit (IB-Kanäle) der Ionenentnahme und die Blockeinheit der zusätzlichen Ionenspeicherung 1160 einschließt, das Blockschema des Fügeblockverbindungsgliedes 1100 wird vier Blockeinheiten haben (Mehrblockeinheitsvariante). MS, das in der erweiterten Mehrblockeinheitsvariante oder in der Mehrblockeinheitsvariante des Fügeblockverbindungsgliedes 1100 ausgeführt ist, erlaubt die Strukturanalyse der MS<n> Art durchzuführen.
Als Beispiel, an dem man die angebotene technische Lösung der Grenzenoberfläche des IB-Kanals erklären kann, werden in den 5 bis 19 in der Projektion auf die Fläche der Grenzenoberflächen 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 20A, 20B, 20C, 20D, 20E, 20F 20G, 20H und 20Q, die perpendikular zur Bewegungsrichtung des Ionenstroms sind, die schematischen Darstellungen der Beispiele der Grenzenschnitte der Traktkomponente vorgestellt, die den kanalspezifischen Ionenstrom zusammensetzen, die in den Figuren als schraffierte Stellen vorgestellt werden:
In den 5 bis 10 werden verschiede Varianten der Grenzenschnitte der kanalspezifischen Traktionenströme auf den Grenzenoberflächen des IB-Kanals mit der Drehsymmetrie vorgestellt.
In den 11 bis 19 werden verschiede Varianten der Grenzenschnitte der kanalspezifischen Traktionenströme auf den zweifachsymmetrischen Grenzenoberflächen des IB-Kanals vorgestellt.
In den 5 bis 19 entspricht der axiale Punkt und der geometrische zentrale Punkt jeder Grenzenoberfläche des IB-Kanals (jeder Figur) dem Kreuzungspunkt der Koordinatenachsen x und y. Dabei haben in den 5 und 11 die Grenzenschnitte der kanalspezifischen Ionenströme die außeraxialen Eintraktarten (einflutige) (der außeraxiale kanalspezifische Eintraktionenstrom mit den zweifachen Oberflächen des Schnittes). Auf den anderen Figuren haben die Grenzenschnitte der kanalspezifischen Ionenströme die Mehrtraktarten (parallel-mehrflutige), dabei schließt jede Grenzenoberfläche zwei und mehr Grenzenschnitte der kanalspezifischen Traktionenströme ein, die sich nah zu der Achse oder zu der Fläche der Symmetrie befinden.
In den 5 bis 10 sind die Formen der Grenzenschnitte der kanalspezifischen Traktionenströme aus der Reihe ausgewählt, die einschließt: eine runde (ovale) Oberfläche und eine Oberfläche des Ringes, deren Zentren sich auf dem Zentrum der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befinden; der Oberfläche von einer oder mehreren Teile der genannten Ringe; der Oberfläche der Gruppe der Ringe, die sich konzentrisch und konsequent relativ des Zentrums der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befinden,; der Oberflächen der Teile von verschiedenen Ringen aus der genannten Gruppe der Ringe.
In 5 wird die Grenzenoberfläche 10A gezeigt, die als außeraxiale einflutige Art (O_E-Kreuzungsart) ausgeführt ist, die den Grenzenschnitt des einflutigen kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art des Ringes 11A, dessen Zentrum sich auf dem Zentrum der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befindet.
In 6 wird die Grenzenoberfläche 10B gezeigt, die als außeraxiale einflutige Art (O_EE-Kreuzungsart) ausgeführt ist, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art der Rundringe 11B und 12B, die sich konzentrisch relativ des Zentrums der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befinden. Dieser kanalspezifische Mehrtraktionenstrom (zweitrakt) hat die mehrfache (dreifache) Oberfläche des Schnittes.
In 7 wird die Grenzenoberfläche 10C gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrflutigen kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von zwei Teilen 11C und 12C des Rundringes, dessen Zentrum sich auf dem Zentrum der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befindet.
In 8 wird die Grenzenoberfläche 10D gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrflutigen kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von vier Teilen 11D, 12D, 13D und 14D, der zwei Rundringe, die sich konzentrisch relativ des Zentrums der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befinden.
In 9 wird die Grenzenoberfläche 10E gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrflutigen kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von zwei Teilen 11D, 12D, 13D und 14D eines Rundringes, dessen Zentrum sich auf dem Zentrum der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befindet.
In 10 wird die Grenzenoberfläche 10F gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrflutigen kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von acht Teilen 11F, 12F, 13F, 14F, 15F, 16F, 17F und 18F und zwei Rundringe, die sich konzentrisch relativ des Zentrums der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befinden.
In den 11 bis 19 sind die Formen der Grenzenschnitte der kanalspezifischen Traktionenströme aus der Reihe ausgewählt, die einschließt: vereinigte Oberflächen und Oberflächen des Schnittes der viereckigen Röhren (u. a. mit den abgerundten Ecken), dessen Zentren sich auf dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche befinden; die Oberflächen von einem oder mehreren Teilen der genannten Oberflächen der Schnitte der viereckigen Röhre; die Oberflächen der viereckartigen Streifen (einschließlich Streifen mit abgerundten Ecken), vorwiegend, die sich parallel zu der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche; die Oberfläche der Schnitte der Gruppe von viereckigen Rohren (u. a. mit den abgerundten Ecken), deren Zentren sich auf dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche befinden; die Oberflächen der Teile der Schnitte von verschiedenen viereckigen Rohren aus der genannten Gruppe von viereckigen Röhren.
In 11 wird die Grenzenoberfläche 20A gezeigt, die als außeraxiale einflutige Art (SO Kreuzungsart) ausgeführt ist, die den Grenzenschnitt des eintrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art der Oberfläche des Schnittes des viereckigen Rohres 11A, dessen Zentrum sich auf dem Zentrum der Drehsymmetrie der Grenzenoberfläche befindet.
In den 12 bis 16 werden entsprechend die Grenzenoberflächen 20B, 20C, 20D, 20E und 20F gezeigt, deren Grenzenschnitte sich außer der Achse der Symmetrie der Grenzenoberflächen befinden, dabei kreuzen sich die Grenzenschnitte mit der mittleren Fläche der Eingangsoberfläche (S_PP-Kreuzungsart, als Beispiel wird die Grenzenoberfläche 20B angeführt), oder sich außer der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche befinden (S_EE-Kreuzungsart, als Beispiel werden die Grenzenoberflächen 20C, 20D und 20E angeführt), oder einige von ihnen sich außer der mittleren Fläche der Eingangsoberfläche befinden (SPE Kreuzungsart, als Beispiel wird die Grenzenoberfläche 20F angeführt). In 12 wird die Grenzenoberfläche 20B gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, deren Zentren sich auf dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche befinden.
In 13 wird die Grenzenoberfläche 20C gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von zwei viereckigartigen Streifen 21C und 22C, parallel zu der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche.
In 14 wird die Grenzenoberfläche 20D gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von zwei viereckigartigen Streifen 21D, 22D, 23D und 24D, parallel zu der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche.
In 15 wird die Grenzenoberfläche 20E gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von vier Umkreisen 21E, 22E, 23E und 24E, die sich symmetrisch relativ zu zwei zueinander perpenikularen Flächen xz und yz.
In 16 wird die Grenzenoberfläche 20F gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in der Art von acht viereckigartigen Streifen 21F, 22F, 23F, 24F, 25F, 26F, 27F und 28F, die als acht Teile der Oberfläche des Schnittes des viereckigartigen Rohres ausgeführt sind, dessen Zentrum sich auf dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche befindet.
In den 17, 18 und 19 werden entsprechend die Grenzenoberflächen 20G, 20H und 20G gezeigt, in denen sich ein Grenzenschnitt mit dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche kreuzt, dabei kreuzen sich die anderen Grenzenschnitte mit der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche (S_OP-Kreuzungsart, als Beispiel wird die Grenzenoberfläche 20G angeführt), oder sich außer der mittleren Fläche der Eingangsoberfläche befinden (S_OE-Kreuzungsart, als Beispiel werden die Grenzenoberflächen 20H und 20Q angeführt).
In 17 wird die Grenzenoberfläche 20G gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in den Arten 21G und 22G, eines 21G aus deren ist als die Oberfläche des Schnittes des viereckigen Rohres ausgeführt, und das andere 22G ist der viereckigartige Streifen ausgeführt, deren Zentren sich auf dem geometrischen Zentrum der Grenzenoberfläche befinden.
In 18 wird die Grenzenoberfläche 20H gezeigt, die den Grenzenschnitt des mehrtrakten kanalspezifischen Ionenstroms einschließt, in den Arten 21H, 22H und 23H, die in der Art von der viereckigartigen Streifen ausgeführt sind, parallel zu der mittleren Fläche der Grenzenoberfläche.
In 19 wird die Grenzenoberfläche 20Q gezeigt, die fünf Ausgangsfenster 21Q, 22Q, 23Q, 24Q und 25Q einschließt, die als fünf viereckigartigen Streifen ausgeführt sind.
In den 20 bis 129 werden als Symbole (als bedingte Bezeichnungen 31A, 31Ax, ... 47By) IO Baueinheiten gezeigt, einschließlich P-Baueinheiten (IO-Baueinheiten mit der M-Oberfläche), angeboten für Einschließung zu MS, dabei bei jeder IO-Baueinheit wird als die Linie mit dem Zeiger (des Einheitsvektors) frontale axiale Einheitsvektor vorgestellt (als Beispiel wird der frontale axiale Einheitsvektor n → auf der IO-Baueinheit 31A bezeichnet) dieser IO-Baueinheit. Dabei wird jedes Symbol in den Projektionen auf xz und yz der Flächen des kartesischen Koordinatensystems, die übereinandergelegt sind, entsprechend mit der vertikalen Fläche und mit der horizontalen (mittleren( Fläche der IO-Baueinheit. Es sei bemerkt, dass der frontale axiale Vektor n → ein Teil des Symbols der IO-Baueinheit, deshalb wird hier oder auf Figuren, wenn das Symbol der IO-Baueinheit als ein Teilkomponent des IO-Systems vorgestellt wird, wird im Text ohne Notwendigkeit getrennt wird ohne Notwendigkeit über den frontalen axialen Vektor n → nicht bezeichnet.
Das Symbol 31A bezeichnet in der allgemeinen Art eine beliebige lokale IO-Baueinheit. Die Symbole 31Ax und 31Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer beliebigen IO-Baueinheit.
Das Symbol 31B bezeichnet in der allgemeinen Art eine beliebige mehrfunktionale lokale IO-Baueinheit. Die Symbole 31Bx und 31By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer mehrfunktionalen IO-Baueinhet.
Das Symbol 32 bezeichnet in der allgemeinen Art eine beliebige (lokale oder verlängerte) IO-Baueinheit. Die Symbole 32x und 32y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer beliebigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 32Ax und 32Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer einzonigen beliebigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 32Bx und 32By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer beliebigen vertikal-zweizonigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 32Cx und 32Cy bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer beliebigen horizontal-zweizonigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung.
Das Symbol 33 bezeichnet in der allgemeinen Art eine lokale IO-Baueinheit der Abspiegelung. Die Symbole 33x und 33y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer einzonigen lokalen IO-Baueinheit der Widerspiegelung
Die Symbole 33Bx und 33By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer vertikal-zweizonigen IO-Baueinheit lokalen IO-baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 33Cx und 33Cy bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer horizontal-zweizonigen lokalen IO-Baueinheit der Widerspiegelung.
Das Symbol 34 bezeichnet in der allgemeinen Art eine verlängerte IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 34x und 34y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 34Ax und 34Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten einzonigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung. Die Symbole 34Bx und 34By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten vertikalen zweizonigen IO-Baueinheit der Widerspiegelung.
Das Symbol 35 bezeichnet in der allgemeinen Art eine lokale IO-Baueinheit der Brechung. Die Symbole 35x und 35y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer lokalen IO-Baueinheit der Brechung. Das Symbol 35A bezeichnet in der allgemeinen Art einer verlängerten IO-Baueinheit der Brechung. Die Symbole 35x und 35y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten IO-Baueinheit der Brechung.
Das Symbol 36 bezeichnet in der allgemeinen Art eine lokale IO-Linsenbaueinheit. Die Symbole 36x und 36y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer lokalen IO-Linsenbaueinheit. Das Symbol 36A bezeichnet in der allgemeinen Art einer hohen verlängerten IO-Linsenbaueinheit. Die Symbole 36x und 36y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten IO-Linsenbaueinheit.
Das Symbol 37 bezeichnet in der allgemeinen Art eine lokale teleskopische IO-Baueinheit. Die Symbole 37x und 37y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer lokalen teleskopischen IO-Baueinheit. Das Symbol 37A bezeichnet in der allgemeinen Art einer verlängerten teleskopischen IO-Baueinheit. Die Symbole 37Ax und 37Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer verlängerten teleskopischen IO-Baueinheit.
Das Symbol 38 bezeichnet in der allgemeinen Art einen flachen IO-Kondensator. Die Symbole 38x und 38y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines beliebigen IO-Kondensators. Das Symbol 38A bezeichnet in der allgemeinen Art eines verlängerten flachen IO-Kondensators. Die Symbole 38Ax und 38Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten flachen IO-Kondensators.
Das Symbol 39 bezeichnet in der allgemeinen Art einen massivschrittigen (ein verlängertes Massiv der beliebigen lokalen IO-Baueinheiten) einer verlängerten IO-Baueinheit. Die Symbole 39x und 39y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer massivschrittigen vertikal-verlängerten IO-Baueinheit. Die Symbole 39Ax und 39Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines massivschrittigen vertikal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten. Die Symbole 39Bx und 39By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion einer horizontal-verlängerten (horizontal verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten) IO-Baueinheit.
Das Symbol 41 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen, vorzugsweise typengleichen, mehrfunktionalen lokalen IO-Baueinheiten. Die Symbole 41x und 41y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der mehrfunktionalen lokalen IO-Baueinheiten. Die Symbole 41Bx und 41By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der mehrfunktionalen lokalen IO-Baueinheiten.
Das Symbol 42 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen, vorzugsweise typengleichen, lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung. Die Symbole 42x und 42y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung. Die Symbole 42Ax und 42Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung. Die Symbole 42Bx und 42By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung.
Die Symbole 43Ax und 43Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der einzonigen lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung. Die Symbole 43Bx und 43By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-zweizonigen Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Widerspiegelung.
Das Symbol 44 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen, vorzugsweise typengleichen, lokalen IO-Baueinheiten der Brechung. Die Symbole 44x und 44y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Brechung. Die Symbole 44Ax und 44Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Brechung. Die Symbole 44Bx und 44By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Baueinheiten der Brechung.
Das Symbol 45 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen lokalen IO-Linsenbaueinheiten der Widerspiegelung. Die Symbole 45x und 45y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der lokalen IO-Linsenbaueinheiten. Die Symbole 45Ax und 45Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Linsenbaueinheiten. Die Symbole 45Bx und 45By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Linsenbaueinheiten.
Das Symbol 46 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen, vorzugsweise typengleichen, lokalen teleskopischen IO-Baueinheiten. Die Symbole 46x und 46y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der lokalen teleskopischen IO-Baueinheiten. Die Symbole 46Ax und 46Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-verlängerten Massivs der lokalen teleskopischen IO-Baueinheiten. Die Symbole 46Bx und 46By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der lokalen teleskopischen IO-Baueinheiten.
Das Symbol 47 bezeichnet in der allgemeinen Art ein verlängertes Massiv der beliebigen, vorzugsweise typengleichen, lokalen IO-Kondensatoren, u. a. der flach-parallelen brechenden. Die Symbole 47x und 47y bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines verlängerten Massivs der lokalen IO-Kondensatoren. Die Symbole 47Ax und 47Ay bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines vertikal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Kondensatoren. Die Symbole 47Bx und 47By bezeichnen entsprechend xz und yz der Projektion eines horizontal-verlängerten Massivs der lokalen IO-Kondensatoren.
Auf 130, 131, 132 werden schematisch beispiele der Auswahl der Geometrien von Elektroden für einen zweifachsymmetrischen IB-Kanal mit der direkten Hauptachse dargestellt.
Auf 130 wird die räumliche Darstellung des zweifachsymmetrischen IB-Kanals 50 vorgestellt, der einschließt: eine Elektrode-Begrenzer 51n, zusammen mit den Elektroden 51, 52, 53 und mit den zu ihnen gerichteten Diaphragma-Elektrode 54, die eine lokale IO-Baueinheit der Brechung bilden. Dabei ist das Diaphragme-Elektrode 54 mit Diaphragma 54Θ in ihrem zentralen Teil ausgeführt ist, mit dem ersten Durchlassfenster 54W1, mit dem zweiten Durchlassfenster 54W2. Die Eingangsoberfläche-Elektrode ist mit dem ersten Durchlassfenster 58W3 und mit dem zweiten Durchlassfenster 58W4 ausgeführt. Auf 131 und 132 werden entsprechend xz und yz der Projektion der Größen 50x und 50y des IB-Kanals 50, in zwei zueinander perpendikularen Flächen der Symmetrie, und auch die Projektionen der charakteristischen zwei Flugbahnen von Ionen drinnen (in jeder Projektion) – in der xz Projektion 51ix und in der yz 51iy.
In 133 wird die räumliche Darstellung des IB-Kanals 60 mit der Drehsymmetrie vorgestellt relativ der direkten Achse, der einschließt: eine Widerspiegelungselektrode-Begrenzer 61n, der zusammen mit Elektroden 61, 62, 63 und mit dem zu ihnen gerichteten Diaphragma-Elektrode 64 eine lokale IO-Baueinheit der Widerspiegelung bilden; Elektroden 65, 66, 67, zusammen mit Elektrode 68 und mit der zu ihnen gerichteten Oberfläche des Diaphragmas-Elektrode 64, die die lokale IO-Baueinheit der Brechung bilden. Dabei ist das Diaphragma-Elektrode 64 mit Diaphragma 64Θ in seinem zentralen Teil und mit dem Durchlassfenster 64W1, ausgeführt als ein Ring mit dem Zentrum auf der Achse der Drehsymmetrie des IB-Kanals. Die Eingangsoberfläche-Elektrode ist mit dem Durchlassfenster 64W1 ausgeführt. Auf 134 ist die yz Projektion des radialen Schnittes 60r des IB-Kanals 60 vorgestellt, und auch die Projektionen der charakteristischen zwei Flugbahnen von Ionen drinnen 61ir.
In den 135 bis 151 sind auf die schematische Art und Weise jeweils die Steuerungsuntersysteme 70A, 70B, 70C, 70D, 70E, 70F, 80Ay, 80Ax, 80By, 80Bx, 80Cy, 80Cx, 80Dy, 80Ey, 80Fy, 80Gy und 80Hy aufgeführt, wobei jede von ihnen eine oder mehr IO-Baueinheiten einschließt, die aus der Reihe ausgesucht worden sind, von welcher alle Arten der in Form von Symbolen in den 20 bis 129 dargestellten IO-Baueinheiten eingeschlossen worden sind. Dabei ist jede der IO-Baueinheiten mit einer gegenüber einander vorgegebenen räumlichen Orientierung sowie gegenüber der Richtung des gemittelten Vektors des in diese ankommenden Ionenstroms angebracht. Wie oben bereits erwähnt, stellt der frontale Vektor n einen Teil des Symbols der IO-Baueinheit dar, deswegen wird er hier im Text ohne Notwendigkeit separat nicht hervorgehoben.
Jedes der Steuerungsuntersysteme 70A und 70B in den 135 und 136 hat jeweils zwei IO-Baueinheiten mit der vorstehenden Gesamtansicht 31A – der 1. IO-Baueinheit 31.1 und der 2. IO-Baueinheit 31.2. zum Inhalt. In dem Steuerungsuntersystem 70A sind die IO-Baueinheiten angebracht auf die Art und Weise, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ zwischen den Vektoren, der von dem Vektor der „Begleitung-1” n₍₁₂₎ (des Einheitsvektors, der von der ersten IO-Baueinheit 31.1 zu der zweiten IO-Baueinheit 31.2 hin gerichtet ist und auf der Linie liegt, welche annäherungsweise die effizienten Reflexions-Brechungspunkte der ersten 31.1 und der zweiten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 31.2 verbindet) entgegen dem Uhrzeigersinn zum axialen Einheitsvektor n →₁ der ersten IO-Baueinheit 31.1 hin abgemessen worden ist, ist in den Grenzen von 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 eingeschränkt worden ist, und der Winkel β₍₁₂₎₂ zwischen den Vektoren, der entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor n →₍₁₂₎ in der Richtung zum axialen Einheitsvektor n →₂ der zweiten IO-Baueinheit 31.2 hin abgemessen worden ist, ist in den Grenzen von π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 eingeschränkt worden ist. In dem Steuerungsuntersystem 70B sind die IO-Baueinheiten angebracht auf die Art und Weise, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ in den Grenzen von 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2, und der Winkel β₍₁₂₎₂ in den Grenzen von π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π eingeschränkt worden ist.
Jedes der Steuerungsuntersysteme 70C, 70D und 70E entsprechend in den 137, 138 und 139 hat jeweils drei IO-Baueinheiten mit der vorstehenden Gesamtansicht 31A – der 1. IO-Baueinheit 31.1, der 2. IO-Baueinheit 31.2. und der 3. IO-Baueinheit 31.3. zum Inhalt, in denen der Winkel β₍₁₂₎₂ in den Grenzen von π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2, eingeschränkt worden ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ zwischen den Vektoren, der von dem Vektor der „Begleitung-2” n →₍₂₃₎ (des Einheitsvektors, der von der zweiten IO-Baueinheit 31.2 zu der dritten IO-Baueinheit 31.3 hin gerichtet ist und auf der Linie liegt, welche annäherungsweise die effizienten Reflexions-/Brechungspunkte der zweiten IO-Baueinheit und der dritten IO-Baueinheit verbindet) entgegen dem Uhrzeigersinn zum axialen Einheitsvektor n →₂ hin abgemessen worden ist, ist in den Grenzen von 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π eingeschränkt worden ist. Dabei sieht es folgendermaßen aus: der Winkel β₍₁₂₎₁ ist in dem Steuerungsuntersystem 70C – IO in den Grenzen von 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ 2π eingeschränkt worden, der Winkel β₍₂₃₎₂ zwischen den Vektoren, der entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor n →₍₂₃₎ in der Richtung zum axialen Einheitsvektor n →₃ der dritten IO-Baueinheit 31.3 hin abgemessen worden ist, ist in den Grenzen von π ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ 3π / 2, eingeschränkt worden; in dem Steuerungsuntersystem 70D – IO ist der Winkel β₍₁₂₎₁ in den Grenzen von 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 eingeschränkt worden, der Winkel β₍₂₃₎₃ ist in den Grenzen von π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π eingeschränkt worden; in dem Steuerungsuntersystem 70E – IO ist der Winkel β₍₁₂₎₁ in den Grenzen von 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ 2π, eingeschränkt worden, der Winkel β₍₂₃₎₃ ist in den Grenzen von π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π eingeschränkt worden.
Das Steuerungsuntersystem, das in der 140 dargestellt worden ist, setzt sich aus einer IO-Baueinheit mit der bereits erwähnten Gesamtansicht 31A zusammen. Dabei sind in der 140 zwei Betriebszustände der IO-Baueinheit dargestellt worden (diese funktioniert wie eine multifunktionale IO-Baueinheit) – der eine seiner Betriebszustände in Form einer Reflexionseinheit ist durch die zwei Einheitsvektoren κ → und κ →' vertreten, sein anderer Betriebszustand in Form einer Brechungseinheit ist durch die zwei Einheitsvektoren κ → und κ →'' vertreten. Dabei entspricht der Einfallsvektor κ → der gemittelten Bewegungsrichtung des Ionenstroms vor dem Eingang in das Feld der IO-Baueinheit 31A und seine Richtung kennzeichnet sich durch den Einfallswinkel ϑ der Bahnkurve 71i des Ionenstroms, der Winkel ϑ zwischen dem Einfallsvektor κ → und dem Achsenvektor n →, ist in den Grenzen von 0 ≺ ϑ ≺ π / 2 eingeschränkt worden. Der Reflexionsvektor κ →' entspricht der gemittelten Bewegungsrichtung des Ionenstroms nach dem Ausgang aus dem Feld der IO-Baueinheit der Widerspiegelung und seine Richtung kennzeichnet sich durch den Reflexionswinkel ≺' des Ionenstroms, der in den Grenzen von 0 ≺ ϑ' ≺ π / 2 eingeschränkt worden ist. Der Vektor der Brechung κ →'' entspricht der gemittelten Bewegungsrichtung des Ionenstroms nach dem Ausgang aus dem Feld der Refraktions-IO-Baueinheit und seine Richtung kennzeichnet sich durch den Brechungswinkel ϑ'' des Ionenstroms, der in den Grenzen von 0 ≺ ϑ ≺ π / 2 eingeschränkt worden ist. Der Winkel des Ein-/Ausganges ϑ⁺ beläuft sich bei der Widerspiegelung auf ϑ⁺ = ϑ' + ϑ.
In den 141 und 142 in den Projektionen 80Ay und 80Ax jeweils auf die Flächen yz und xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems ist das Steuerungsuntersystem dargestellt worden, das eine verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung 34 und eine örtliche P-Baueinheit der Widerspiegelung vom symmetrischen Typ 33y zum Inhalt hat. Dabei wird der Ionenstrom 81Ai (in den 141 und 142 sind seine Projektionen jeweils auf die Flächen yz 81Ayi und xz 81Axi dargestellt) der Reihe nach von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34 und der zweiten Reflexions-P-Baueinheit 33.2 widergespiegelt. In der 141 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche yz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80Ay; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der ersten Widerspiegelung κ → ' / 1y von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34, der Reflexionsvektor κ → ' / 2y von der örtlichen P-Baueinheit der Widerspiegelung 33y, der Vektor der zweiten Widerspiegelung von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34 und des Ausganges κ → ' / 3y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Ayi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 1y des Ionenstroms während der ersten Widerspiegelung von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 2y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der örtlichen P-Baueinheit der Widerspiegelung 33y; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 3y des Ionenstroms während der zweiten Widerspiegelung von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34.
In der 142 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80Ax; der Vektor der zweiten Widerspiegelung von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34 und des Einganges κ → ' / 3x, der Reflexionsvektor κ → ' / 2x von der örtlichen P-Baueinheit der Widerspiegelung 33x, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Bxi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 3x des Ionenstroms während der zweiten Widerspiegelung von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34. Dabei sind einige Vektoren und Winkel in der 142 nicht zu erkennen: so liegt der Einfallsvektor κ →_x des Ionenstroms auf einer Linie mit κ → ' / 3x; der Vektor der ersten Widerspiegelung κ → ' / 1x von der verlängerten P-Baueinheit der Widerspiegelung 34 liegt auf einer Linie mit κ → ' / 3x.
In den 143 und 144 in den Projektionen 80By und 80Bx jeweils auf die Flächen yz und xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems ist einer der Spezialfälle des Steuerungsuntersystems 70A dargestellt worden, das zwei – der ersten 33.1 und der zweiten 33.2 IO-Baueinheiten der Widerspiegelung vom symmetrischen Typ zum Inhalt hat. Dabei wird der Ionenstrom 81Bi (in den 143 und 144 sind seine Projektionen jeweils auf die Flächen yz 81Byi und xz 81Bxi dargestellt) der Reihe nach von der ersten 33.1 und der zweiten 33.2 Reflexions-P-Baueinheiten widergespiegelt.
In der 143 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche yz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80By; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Widerspiegelung κ → ' / 1y von der ersten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1, der Vektor der Widerspiegelung von der zweiten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2 und des Ausganges κ → ' / 2y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Byi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 1y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der ersten IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 2y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der zweiten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2.
In der 144 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80Bx; der Einfallsvektor des Einganges κ →_x; der Vektor der Widerspiegelung κ → ' / 1x, von der ersten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1, der Vektor der Widerspiegelung von der zweiten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2 und des Einganges κ → ' / 2x welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Bxi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 1x von der ersten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 2x des Ionenstroms von der zweiten P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2.
Das Steuerungsuntersystem, das in den 143 und 144 dargestellt wurde, ist mit der Sicherstellung der Möglichkeit ausgeführt worden, den gemittelten Vektor der Richtung des Traktionenstroms in den verschiedenen Ebenen vor dem Eingang ins Feld und nach dem Ausgang aus dem Feld des Steuerungsuntersystems anzubringen (die Ausführung mit einem in den verschiedenen Ebenen liegenden Ein-/Ausgang). Dabei kommt es zur Überschneidung der ausgehenden und eingehenden Mittelebenen der P-Baueinheiten unter dem Winkel (ist in der Figur nicht aufgeführt worden), und das Steuerungsuntersystem ist mit der Sicherstellung der Möglichkeit ausgeführt worden, dass die Schnittlinie dieser Mittelebenen und der gemittelte Vektor der Richtung des Traktionenstroms annäherungsweise auf der Mitte der Entfernung zwischen den P-Baueinheiten aufeinander gebracht werden, wobei der Winkel ϖ in den Grenzen von 0 ≺ ϖ ≺ π / 2 eingeschränkt worden ist.
Das Steuerungsuntersystem, das in den 143 und 144 dargestellt worden ist, stellt unter der Bedingung, dass ϑ + / 1x = ϑ + / 2x und ϑ + / 1y = ϑ + / 2y, ein symmetrisches Steuerungsuntersystem mit dem in den verschiedenen Ebenen liegenden Ein-/Ausgang vor. Ein solches Steuerungsuntersystem kann auch als Untersystem der Überführung bezeichnet werden mit dem in den verschiedenen Ebenen liegenden projektionsmäßig parallelen Ein-/Ausgang, sofern die Vektoren κ →_y und κ → ' / 2y in diesem untereinander parallel angebracht worden sind.
In den 145 und 146 in den Projektionen 80Cy und 80Cx jeweils auf die Flächen yz und xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems ist einer der Spezialfälle des Steuerungsuntersystems 70A dargestellt worden, das zwei – der ersten 35.1 und der zweiten 35.2 Refraktions-IO-Baueinheiten zum Inhalt hat. Dabei wird der Ionenstrom 81Ci (in den 145 und 146 sind seine Projektionen jeweils auf die Flächen yz 81Cyi und xz 81Cxi dargestellt) der Reihe nach bei der ersten 35.1 und der zweiten 35.2 P-Baueinheiten der Widerspiegelung gebrochen.
In der 145 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche yz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80Cy; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y; der Vektor der Brechung κ → '' / 1y, bei der ersten Refraktions-IO-Baueinheit 35.1 und der Vektor der Brechung κ → '' / 2y bei der zweiten Refraktions-IO-Baueinheit 35.2, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Cyi vorstellen; der Brechungswinkel ϑ '' / 1y bei der ersten Refraktions-IO P-Baueinheit 35.1, der Brechungswinkel ϑ '' / 2y des Ionenstroms bei der zweiten Refraktions-OI P-Baueinheit 35.2.
In der 146 sind in den Projektionen auf die Koordinatenfläche xz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems dargestellt worden: das Steuerungsuntersystem 80Cx; der Einfallsvektor des Einganges κ →_x, der Vektor der Brechung κ → ' / 1x bei der ersten Refraktions-IO-Baueinheit 35.1 und der Vektor der Brechung bei der zweiten Refraktions-IO-Baueinheit 35.2 und des Einganges κ → ' / 2x, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Cxi vorstellen; der Brechungswinkel ϑ + / 1x bei der ersten Refraktions-IO P-Baueinheit 35.1; der Brechungswinkel ϑ + / 2x des Ionenstroms bei der zweiten Refraktions-OI P-Baueinheit 35.2.
Das Steuerungsuntersystem, das in den 145 und 146 dargestellt wurde, ist mit der Sicherstellung der Möglichkeit ausgeführt worden, den gemittelten Vektor der Richtung des Traktionenstroms in den verschiedenen Ebenen vor dem Eingang ins Feld und nach dem Ausgang aus dem Feld des Steuerungsuntersystems anzubringen (die Ausführung mit einem in den verschiedenen Ebenen liegenden Ein-/Ausgang). Dabei kommt es zur Überschneidung der ausgehenden und eingehenden Mittelebenen der P-Baueinheiten unter dem Winkel ϖ (ist in der Figur nicht aufgeführt worden), und das Steuerungsuntersystem ist mit der Sicherstellung der Möglichkeit ausgeführt worden, dass die Schnittlinie dieser Mittelebenen und der gemittelte Vektor der Richtung des Traktionenstroms annäherungsweise auf der Mitte der Entfernung zwischen den P-Baueinheiten aufeinander gebracht werden, wobei der Winkel ϖ in den Grenzen von 0 ≺ ϖ ≺ π / 2 eingeschränkt worden ist.
In den 147, 148 und 149 in den Flächenprojektionen der Bewegungen, die mit den Flächen von yz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems aufeinander gebracht worden sind, sind jeweils die auf einer Fläche liegenden Steuerungsuntersysteme 80Dy, 80Ey und 80Fy dargestellt worden, bei jedem von denen der Ein-/Ausgang durch die antiparallelen Vektoren (durch antiparallelen Ein-/Ausgang) vertreten sind.
In der 147 sind dargestellt: das Steuerungsuntersystem 80Dy; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Brechung κ → '' / 1y bei der ersten Refraktions-IO-Baueinheit 35.1, der Vektor der Widerspiegelung κ → '' / 1y von der ersten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1, der Vektor der Widerspiegelung κ → ' / 2y von der zweiten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2, der Vektor der Brechung bei der zweiten Refraktions-IO-Baueinheit 35.2 und des Ausganges κ → '' / 2y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Dyi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 1y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der ersten IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 2y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der zweiten IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2. Das Steuerungsuntersystem 80Dy kann auch ohne Refraktions-IO-Baueinheiten 35.1 und 35.2 ausgeführt werden.
In der 148 sind dargestellt: das Steuerungsuntersystem 80Ey; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Brechung κ → '' / 1y bei der ersten Refraktions-IO-Baueinheit 35.1, der Vektor der Widerspiegelung κ → '' / 1y von der IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33, der Vektor der Brechung bei der zweiten Refraktions-IO-Baueinheit 35.2 und des Ausganges κ → ' / 2y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Eyi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33; der Brechungswinkel ϑ '' / 1y bei der ersten Refraktions-IO P-Baueinheit 35.1, der Brechungswinkel ϑ '' / 2y bei der zweiten Refraktions-IO P-Baueinheit 35.2.
In der 149 sind dargestellt: das Steuerungsuntersystem 80Fy; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Widerspiegelung κ → ' / 1y von der IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33, der Vektor der Brechung bei der Refraktions-IO-Baueinheit 35 und des Ausganges κ → '' / 1y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Fyi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33; der Brechungswinkel ϑ '' / 1y bei der Refraktions-IO-Baueinheit 35.
In den 150 und 151 in den Flächenprojektionen der Bewegungen, die mit den Flächen von yz des rechtwinkligen kartesischen Koordinatensystems aufeinander gebracht worden sind, sind jeweils die auf einer Fläche liegenden Steuerungsuntersysteme 80G und 80Hy dargestellt, bei jedem von denen der Ein-/Ausgang durch die auf einer Fläche liegenden, unter einem Winkel zusammenlaufenden Vektoren (durch den unter einem Winkel zusammenlaufenden Ein-/Ausgang bzw. durch einen schiefwinkligen Ein-/Ausgang) vertreten sind.
In der 150 sind dargestellt: das doppelreflektierende Steuerungsuntersystem 80Gy; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Widerspiegelung κ → '' / 1y von der ersten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1, der Vektor der Widerspiegelung von der zweiten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2 und des Ausganges κ → ' / 2y, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Gyi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 1y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der ersten IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / 2y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der zweiten IO P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2.
In der 151 sind dargestellt: das mono-reflektierende Steuerungsuntersystem 80Hy; der Einfallsvektor des Einganges κ →_y, der Vektor der Widerspiegelung von der IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33 und des Ausganges κ → '' / 1y,, welche die gemittelten Vektoren der Richtungen des Ionenstroms 81Hyi vorstellen; der Winkel der Eingangs-Widerspiegelung ϑ + / y des Ionenstroms während der Widerspiegelung von der IO-Baueinheit der Widerspiegelung 33.
In der 152 sind im Schnitt, in ihrer senkrechten Schnittebene, die mit der Koordinatenfläche xz aufeinander gebracht worden ist, eine senkrechte Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x mit einem axialen Vektor n → und ihre Bestandteile dargestellt: eine senkrechte Begrenzungselektrode der Widerspiegelung 91xn; die erste Elektrode der Widerspiegelung mit zwei Bestandteilen 91x und 91x2, die jeweils unter den Winkeln λ_1x und λ_1x2 zum axialen Vektor n → ausgeführt worden sind; die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit zwei Bestandteilen 92x und 92x2, die jeweils unter den Winkeln λ_1x und λ_2x2 zum axialen Vektor n → ausgeführt worden sind; die dritte Elektrode des unteren Bereiches mit zwei Bestandteilen 93x und 93x4, die unter dem Winkel λ_3x zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind; die vierte Elektrode des unteren Bereiches mit zwei Bestandteilen 94x und 94x4, die unter dem Winkel λ_4x zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander, insbesondere bei λ_4x = 0 ausgeführt worden sind; die fünfte Elektrode des unteren Bereiches mit zwei Bestandteilen 95x und 95x4, die unter dem Winkel λ_5x zum axialen Vektor und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind; die dritte Elektrode des oberen Bereiches mit zwei Bestandteilen 93x2 und 93x3, die unter dem Winkel λ_3x2 zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind; die vierte Elektrode des oberen Bereiches mit zwei Bestandteilen 94x2 und 94x3, die unter dem Winkel λ_4x2 zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind; die fünfte Elektrode des oberen Bereiches mit zwei Bestandteilen 95x2 und 95x3, die unter dem Winkel λ_5x2 zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind; die sechste Elektrode des oberen Bereiches mit zwei Bestandteilen 96x2 und 96x3, die unter dem Winkel λ_6x2 zum axialen Vektor n → und parallel gegeneinander ausgeführt worden sind. Für die Betriebscharakteristiken der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x genauso wie für die beliebige IO-Baueinheit ist die Form, die Größe der (inneren) Arbeitsfläche jeder Elektrode von weittragender Bedeutung und in der 152 kennzeichnet sich jede Elektrode durch ihre Breite und Höhe. Um eine Vorstellung von diesen zu vermitteln und die Erläuterungen nicht zu erschweren, sind in der 22 die innere Oberfläche S₅, die Kennwerte der Breite l₅ und der Höhe h₅ ausschließlich der fünften Elektrode des unteren Bereiches dargestellt worden. Die zwei beliebigen angrenzenden Elektroden sind durch einen Spalt (den Elektrodenabstand) abgetrennt. Die Größe des Spaltes l₃₄ kennzeichnet diesen zwischen der dritten und vierten Elektrode des unteren Bereiches. Die Größen von Elektrodenabständen sind im Vergleich zu den Höhenwerten der Elektroden, z. B. l₃₄ ☐ h₅. – gering.
Dabei durchfließt der Ionenstrom, der sich durch eine gemittelte Bewegungsbahn 91Ai des Ionenstroms kennzeichnet (in der 27 ist seine Projektion auf die Fläche xz 91Axi dargestellt), der Reihe nach die Felder, die sich herausgebildet haben: durch den Eintrittsbereich (als ersten Bereich) mit drei Elektroden, von denen jede je zwei Bestandteile – 95x und 95x4, 94x und 94x4, 93x und 93x4 zum Inhalt hat, den Bereich der Widerspiegelung mit drei Elektroden, von denen jede je zwei Bestandteile – 95x und 95x4, 94x und 94x4, 93x und 93x4 zum Inhalt hat.
Als Beispiel anhand der 152 ist auch die charakteristische Bewegungsbahn 97xi des Ionenstroms in der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x dargestellt. Die charakteristische Laufbahn 97x eines Ions setzt sich aus zwei Zweigen zusammen: einem direkten Zweig, der durch einen Abschnitt mit der punktierten Linie vor dem Reflexionspunkt z* vertreten ist, und einem Rückwärtszweig, der durch einen Abschnitt mit der punktierten Linie nach dem Reflexionspunkt z* vertreten ist. Die Kennwerte der Laufbahn des Ions werden festgelegt: für den direkten Zweig – durch die Bewegungsrichtung des Ions auf dem direkten Abschnitt der Laufbahn des Ions vor dem Eingang ins Feld der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x, die in Form eines Einheitsvektors K und durch einen Eingangswinkel in einen der Bereiche (im gegebenen Fall in den unteren Bereich) vorgegeben worden ist, in der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x durch die Bewegungsrichtung des Ions, die in Form des Winkels θ zwischen dem axialen Vektor n → und der Achse, welche die Vektoren κ → zum Inhalt hat; für den Rückwärtszweig – durch die Bewegungsrichtung des Ions auf dem direkten Abschnitt der Laufbahn des Ions nach dem Ausgang aus dem Feld der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x, die in Form eines Einheitsvektors κ' und durch den Ausgangswinkel aus dem Ausgangsbereich (im gegebenen Fall aus dem oberen Bereich) vorgegeben worden ist; in der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x durch die Bewegungsrichtung des Ions, die in Form des Winkels θ' zwischen dem axialen Vektor n → und der Achse, welche die Vektoren κ' zum Inhalt hat;
Die senkrechte Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90x in der 152 charakterisiert ganz allgemein den senkrechten Schnitt der senkrechten Zweizonen-Baueinheiten der Widerspiegelung. In Spezialfällen sind möglich (eine oder mehrere) Varianten, die aus einer ganzen Reihe ausgesucht worden sind: die Anzahl der Elektroden im unteren Bereich und im oberen Bereich kann eine kleinere oder eine größere betragen als die in der 152 angegeben Anzahl; die senkrechte Begrenzungselektrode 91xn fehlt; die erste Elektrode der Widerspiegelung ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass die Winkel λ_1x = λ_1x2 bzw. λ_1x = λ_1x2 = 0; die zweite Elektrode der Widerspiegelung ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass die Winkel λ_2x = 0 bzw. λ_2x2 = 0; die zweite Elektrode der Widerspiegelung ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass die Winkel λ_2x = λ_2x2; die dritte Elektrode des unteren Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_3x = 0; die vierte Elektrode des unteren Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_4x = 0; die vierte Elektrode des unteren Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_4x = 0; die fünfte Elektrode des unteren Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_5x = 0; die dritte Elektrode des oberen Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_3x2 = 0; die vierte Elektrode des oberen Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_4x2 = 0; die fünfte Elektrode des oberen Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_5x2 = 0; die sechste Elektrode des oberen Bereiches ist auf solche Art und Weise ausgeführt worden, dass der Winkel λ_6x2 = 0.
Die Geometrie, die durch eine Gesamtheit der Charakteristiken festgelegt wird: die Anzahl der Elektroden, das Verhältnis der Breite zur Höhe einer jeden Elektrode, insbesondere
die Neigungswinkel von Bestandteilen der Elektroden zum axialen Vektor n →; die Formen der Elektroden, darunter auch die Form in der Projektion auf die geometrische mittlere Fläche der senkrechten IO-Zweizonen-Baueinheiten der Widerspiegelung und ihre potentiellen Charakteristiken (die Verteilung von elektrischen Potentialen auf den Arbeitsflächen der Elektroden) sind genauso wie für jede andere IO-Baueinheit mit der Sicherstellung vorgegeben worden, die konkreten Anforderungen an die Struktur und Dynamik des Stroms der geladenen Partikeln nach dem Ausgang aus dem Feld der betreffenden IO-Baueinheit möglich zu machen. Diese konkreten Anforderungen an die Struktur des Stroms der geladenen Partikeln für die senkrechte Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung kennzeichnen sich genauso wie für jede andere IO-Baueinheit, die für die Verwendung in MC vorgesehen worden ist, durch eine räumlich-zeitliche Struktur und durch Dynamik des Ionenstroms.
In den 153 bis 167 sind im Schnitt durch ihre senkrechte Fläche (in einer vertikalen Schnittebene), die mit der Koordinatenfläche xz, mit der mittleren Fläche aufeinander gebracht worden ist, die P-Baueinheiten der Widerspiegelung dargestellt worden. Dabei sind in den 153 bis 160 die P-Baueinheiten der Widerspiegelung dargestellt worden, in denen die senkrechte Begrenzungselektrode separat von der ersten Elektrode ausgeführt ist und das Eingangs-Diaphragma und die Seitenelektroden nicht vorhanden sind.
In der 153 ist mit der mittleren Fläche S die Baueinheit der Widerspiegelung 90Ax dargestellt worden, (die den axialen Vektor n → zum Inhalt hat,) mit der gleichbleibenden Höhe h, die weiterhin beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91An, die erste Elektrode der Widerspiegelung 91A, die zweite Elektrode der Widerspiegelung 92A, die dritte 93A, vierte 94A und die fünfte 95A Elektroden. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der Reflexions-Baueinheit mit einer Zone 90Ax sind mit der gleichen Breite h ausgeführt und auf den Flächen angebracht worden, die parallel untereinander und mit der Fläche S sind, welche ihrerseits mit der Koordinatenfläche yz aufeinander gebracht worden ist.
In der 154 ist die P-Baueinheit der Widerspiegelung 90Bx dargestellt worden von einhängiger Höhe mit dem axialen Vektor n →, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91Bn, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91B und 91B2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92B und 92B2, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93B und 93B2, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94B und 94B2. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der Reflexions-Baueinheit mit einer Zone 90Bx sind mit einem Gefälle auf der einen Seite ausgeführt – die oberen Bestandteile 91B2 und 92B2 von entsprechend erster und zweiter Elektrode der Widerspiegelung sind im Verhältnis zu den Arbeitsflächen der anderen Elektroden unter einem Winkel ausgeführt worden.
In der 155 ist die Baueinheit der Widerspiegelung 90Cx dargestellt worden von einhängiger Höhe, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91Cn, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91C und 91C2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92C und 92C2, die dritte Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 93C und 93C2, die vierte Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 94C und 94C2. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der Reflexions-Baueinheit 90Cx sind mit einem Gefälle auf der einen Seite ausgeführt – die oberen Bestandteile sämtlicher Elektroden sind unter einem Winkel im Verhältnis zu den Arbeitsflächen von unteren Bestandteilen der Elektroden ausgeführt worden, die sich auf einer Fläche befinden und perpendikular zu der Fläche der senkrechten Begrenzungselektrode 91Cn sind.
In der 156 ist die Baueinheit der Widerspiegelung 90Dx dargestellt worden von zweihängiger Höhe, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91Dn, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91D und 91D2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92D und 92D2, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93D und 93D2, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94D und 94D2, die im Verhältnis zur mittleren Fläche symmetrisch ausgeführt worden sind. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der Reflexions-Baueinheit mit einer Zone 90Dx sind mit den Gefällen beiderseits ausgeführt – die oberen und unteren Bestandteile der Elektroden sind mit Ausnahme der ersten unter den Winkeln im Verhältnis zur mittleren Ebene der Oberfläche ausgeführt worden. Die Baueinheit der Widerspiegelung 90Dx ist symmetrisch zu der die Achsen yz enthaltenen mittleren Fläche ausgeführt worden, die perpendikular zu ihrer senkrechten Fläche ist.
In der 157 ist die senkrechte Zweizonen-P-Baueinheit der Widerspiegelung 90Ex dargestellt worden von einhängiger Höhe, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91En, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91E und 91E2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92E und 92E2, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93E2 und 93E3 des oberen Bereiches, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94E2 und 94E4 des oberen Bereiches. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90SDx sind mit einem Gefälle auf der einen Seite ausgeführt – die oberen Bestandteile 91E2 und 92E2 von entsprechend erster und zweiter Elektrode sind im Verhältnis zu den anderen Bestandteilen der Elektroden unter einem Winkel ausgeführt worden.
In der 158 ist die senkrechte Zweizonen-P-Baueinheit der Widerspiegelung 90Fx dargestellt worden von einhängiger Höhe, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91Fn, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91F und 91F2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92F und 92F2, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93F2 und 93F4 des unteren Bereiches, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93E2 und 93E3 des oberen Bereiches, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94F2 und 94F3 des oberen Bereiches. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90Ex sind mit einem Gefälle auf der einen Seite ausgeführt – die oberen Bestandteile der Elektroden sind im Verhältnis zu den unteren Bestandteilen der Elektroden, die sich auf einer Fläche befinden, unter einem Winkel ausgeführt worden.
In der 159 ist die senkrechte Zweizonen-P-Baueinheit der Widerspiegelung 90Gx dargestellt worden von symmetrischer zweihängiger Höhe, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 91Gn, die erste Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 91G und 91G2, die zweite Elektrode der Widerspiegelung mit den Bestandteilen 92G und 92G2, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93G und 93G4 des unteren Bereiches, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94G und 94G4 des unteren Bereiches, die dritte Elektrode mit den Bestandteilen 93G2 und 93G3 des oberen Bereiches, die vierte Elektrode mit den Bestandteilen 94G2 und 94G3 des oberen Bereiches. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der senkrechten Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90Fx sind mit den Gefällen beiderseits ausgeführt – die oberen und unteren Bereiche der Elektroden sind im Verhältnis zueinander unter einem Winkeln ausgeführt worden. Die senkrechte Zweizonen-Baueinheit der Widerspiegelung 90Fx ist symmetrisch zu der die Achsen yz enthaltenen mittleren Fläche ausgeführt worden, die perpendikular zu ihrer senkrechten Fläche ist.
In der 160 ist die P-Baueinheit der Widerspiegelung 100x dargestellt worden von ungleichartiger Höhe, (welche die verschiedenen Höhen aufweist) sowie beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 101xn, die erste Elektrode der Widerspiegelung 101x, die zweite Elektrode der Widerspiegelung 102x, die dritte 103G und die vierte 104G Elektroden. Die (inneren) Arbeitsflächen der Elektroden der Reflexions-Baueinheit mit einer Zone 90Ax weisen die verschiedenen Höhen auf – die zweite Elektrode der Widerspiegelung 102x ist durch die Höhe h₂, ausgeführt und die anderen sind durch die gleiche Höhe h₃ ausgeführt worden.
In der 161 ist die Baueinheit der Widerspiegelung 110x von gleichbleibender Höhe mit dem axialen Vektor n → dargestellt worden, die beinhaltet: die senkrechte Begrenzungselektrode 111xn, die erste Elektrode der Widerspiegelung 111x, die zweite Elektrode der Widerspiegelung 112x, die dritte Elektrode 113x, die vierte Elektrode 114x und die fünfte Elektrode 115x mit einem geschlitzten Eingangs-Diaphragma mit der Höhe d.
In der 162 ist die Baueinheit der Widerspiegelung 120x von gleichbleibender Breite mit dem axialen Vektor n → dargestellt worden, die beinhaltet: die blinde äußerste Elektrode der Widerspiegelung 121x, (welche die senkrechte Begrenzungselektrode einschließt), die zweite Elektrode der Widerspiegelung 122x, die dritte 123x, vierte 124x und die fünfte 125x Elektroden der IO-Baueinheit 120x.
Die P-Baueinheiten der Widerspiegelung 110x, 120x, die entsprechend in den 161 und 162 dargestellt worden sind, stellen die zusätzlichen Varianten der P-Baueinheit der Widerspiegelung 90Ax vor, die in der 153 abgebildet worden ist. Die Baueinheit 110x ist zum Unterschied von der Baueinheit 90Ax mit dem geschlitzten Eingangs-Diaphragma ausgeführt worden. Die P-Baueinheit 120x ist zum Unterschied von 90Ax mit der blinden äußersten Elektrode der Widerspiegelung ausgeführt worden.
Selbstverständlich, dass es eine weitere dritte Ausführungsform der P-Reflexionsbaueinheit 90Ax gibt, die eine spaltförmige Eintrittsmembran und geschlossene äusserliche Reflexionselektrode einschließt. Nach diesen Informationen, gehen wir davon aus, dass jede der P-Reflexionsbaueinheiten, die auf 153 bis 160 dargestellt sind, können zusätzlich in drei Versionen hergestellt werden: mit einer spaltförmigen Eintrittsmembran, mit einer geschlossenen äusserlichen Reflexionselektrode, mit einer spaltförmigen Eintrittsmembran und mit einer geschlossenen äusserlichen Reflexionselektrode.
Jede der oben genannten Versionen, für jede der P-Reflexionsbaueinheiten aus der Gruppe, die aus 90Bx, 90Cx, 90Dx, 90Ex, 90Fx, 90Gx und 100x besteht, wird sich strukturell durch zusätzliche fünf Varianten unterscheiden, die mit der Ausführungsmöglichkeit der Seitenflächenelektroden verbunden sind: von kreuzförmigem Typ (mit seitlichen Komponenten); von kastenförmigem, kreuz- oder kastengemischtem und doppelt gemischtem Typ.
Um die oben genannten strukturellen Varianten der P-Reflexionsbaueinheiten am Beispiel ihres Typs mit vertikalen Grenzelektroden, einschließlich der verlängerten P-Reflexionsbaueinheiten zu erklären, sind 163 bis 167 angeführt, die P-Reflexionsbaueinheiten im Abschnitt und in ihrer vertikalen Fläche, die mit der x-z-Koordinatenfläche kombiniert ist, darstellen.
163 zeigt Reflexionsbaueinheit 130x von kreuzförmigem Typ (mit seitlichen Komponenten) und konstanter Höhe mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 131xn; Horizontalkomponenten 131x und eine 131xs1 aus der seitlichen Komponenten der ersten Reflexionselektrode; Horizontalkomponenten 132x und eine 132xs1 aus der seitlichen Komponenten der zweiten Reflexionselektrode; Horizontalkomponenten 133x und eine 133xs1 aus der seitlichen Komponenten der dritten Elektrode; Horizontalkomponenten 134x und eine 134xs1 aus der seitlichen Komponenten der vierten Elektrode; Horizontalkomponenten 135x und eine 135xs1 aus der seitlichen Komponenten der fünften Elektrode.
164 zeigt Reflexionsbaueinheit 140x von kastenförmigem Typ und konstanter Höhe mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 141xn, erste Reflexionselektrode 141x, zweite Reflexionselektrode 132x, dritte Elektrode 133x, vierte Elektrode 134x, fünfte Elektrode 135x.
165 zeigt Reflexionsbaueinheit 150x von kreuzgemischtem Typ und konstanter Höhe mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 151xn, erste und zweite Reflexionselektroden 151x und 152x entsprechend, dritte Elektrode 153x; Horizontalkomponenten 154x und eine 154xs1 aus der seitlichen Komponenten der vierten Elektrode; Horizontalkomponenten 155x und eine 155xs1 aus der seitlichen Komponenten der fünften Elektrode.
166 führt Reflexionsbaueinheit 160x von kastengemischtem Typ und konstanter Höhe mit axialem Vektor n → auf, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 161xn, erste Reflexionselektrode 161x, zweite Reflexionselektrode 162x, dritte Kastenelektrode 163x; vierte Kastenelektrode 164x, fünfte Kastenelektrode 165x der P-Baueinheit 160x.
In den vertikalen Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheiten mit vertikalen Grenzelektroden, einschließlich verlängerten P-Reflexionsbaueinheiten kann jede Zone zu einem gewissen Grad unabhängig voneinander durchgeführt werden, unter Berücksichtigung der oben erwähnten strukturellen Vielfalt der P-Reflexionsbaueinheiten. 167 zeigt (im vertikalen Abschnitt) eine doppelt gemischte vertikale Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheit 170x von doppelt gemischtem Typ und symmetrischer zweihängiger Höhe mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 171xn, erste Reflexionselektrode mit Komponenten 171x und 171x2, zweite Reflexionselektrode mit Komponenten 172x und 172x2, dritte Kreuzelektrode 173x der unteren Zone und eine 173xs1 aus ihren seitlichen Komponenten, vierte Elektrode 174x mit einer Eintrittsmembran der unteren Zone, dritte Kastenelektrode 173x3 die oberen Zone, vierte Elektrode 174x2 mit einer Eintrittsmembran der oberen Zone, Interzonen-Elektrodenträger 171xu.
Die ganze oben genannte strukturelle Vielfalt der P-Baueinheiten bezieht sich auf ihre vertikalen Abschnitte. Jede der P-Baueinheiten hat auch ein breites Konstruktionssortiment der horizontalen Elektrodenformen. Um das Konstruktionssortiment der horizontalen Elektrodenformen, in Projektionen auf die horizontale Fläche, die mit yz-Flächen des kartesischen Koordinatensystems verbunden sind, zu erklären, werden P-Reflexionsbaueinheiten 130y, 150y, 160y, 180y, 190y, 200Ay, 200By, 200Cy, 200Dy und 200Ey angeführt, die entsprechend in 163 bis 167 dargestellt sind. 172 bis 177 enthalten Beispiele (in schematischer Form) des mittleren Streifens (abgeschnittene Seitenflächen und Segmente) von IO-Spiegeln.
168 zeigt Reflexionsbaueinheit 130y von kreuzförmigem Typ (mit seitlichen Elektrodenkomponenten) (eine Ausführungsform der horizontalen Elektroden von IO-Reflexionsbaueinheit, xz-Projektion der Reflexionsbaueinheit 130x ist in der 130x dargestellt) mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 131yn; Horizontalkomponente 131y (eine andere Horizontalkomponente wird nicht ausgeführt) und seitliche Komponenten 131ys1 und 131ys2 der ersten Reflexionselektrode; Horizontalkomponente 132y und seitliche Komponenten 132ys1 und 132ys2 der zweiten Reflexionselektrode; Horizontalkomponente 133y und seitliche Komponenten 133ys1 und 133ys2 der dritten Elektrode; Horizontalkomponente 134y und seitliche Komponenten 134ys1 und 134ys2 der vierten Elektrode; Horizontalkomponente 135y und seitliche Komponenten 135ys1 und 135ys2 der fünften Elektrode.
169 zeigt Reflexionsbaueinheit 150y von kreuzgemischtem Typ (eine Ausführungsform der horizontalen Elektroden von IO-Reflexionsbaueinheit, xz-Projektion der Reflexionsbaueinheit 150x ist in der 165 dargestellt) mit axialem Vektor n, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 151yn, erste Reflexionselektrode 151y eines zweidimensionalen kartesischen Typs; zweite Reflexionselektrode 152y eines zweidimensionalen kartesischen Typs; dritte Elektrode 153y eines zweidimensionalen kartesischen Typs; Horizontalkomponente 154y und seitliche Komponenten 154ys1 und 154ys2 der vierten Elektrode; Horizontalkomponente 155y und seitliche Komponenten 155ys1 und 155ys2 der fünften Elektrode von kreuzförmigem Typ.
170 zeigt Reflexionsbaueinheit 160y von kastengemischtem Typ (eine Ausführungsform der horizontalen Elektroden von IO-Reflexionsbaueinheit, xz-Projektion der Reflexionsbaueinheit 160x ist in der 166 dargestellt) mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 161yn, erste Reflexionselektrode 161y eines zweidimensionalen kartesischen Typs; zweite Reflexionselektrode 162y eines zweidimensionalen kartesischen Typs; dritte Kastenelektrode 163y; vierte Kastenelektrode 164y; fünfte Kastenelektrode 165y.
171 zeigt Reflexionsbaueinheit 180x von zweidimensionalem kartesischem Typ und konstanter Höhe mit axialem Vektor n →, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 181yn; erste und zweite Reflexionselektroden 181y und 182y entsprechend, dritte Elektrode 183y; vierte und fünfte Elektroden 164y und 165y entsprechend.
In 172 wird ein Segment der P-Reflexionsbaueinheit 190y mit axialem Vektor dargestellt, das wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 191yn; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 191y und 192y entsprechend; Komponenten der dritten und vierten Elektroden 193y und 194y entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten des dritten und vierten Elektroden 193y und 194y entsprechend wird geradlinig und abgewinkelt zu anderen Zwischenelektrodenspalten ausgeführt, die geradlinig und parallel zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit sind.
In 173 wird ein Segment der P-Reflexionsbaueinheit 200Ay mit axialem Vektor dargestellt, das wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 201An; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 201A und 202A entsprechend; Komponenten der dritten und vierten Elektroden 203A und 204A entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektroden 202A und 203A entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung ausgeführt, deren Symmetriefläche mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden ist. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der P-Baueinheit gemacht.
In 174 wird ein Segment der Reflexionsbaueinheit 200By mit axialem Vektor n → dargestellt, das wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 201Bn; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 201B und 202B entsprechend; dritte und vierte Elektroden 203B und 204B entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektroden 202A und 203A, der dritten und vierten Elektroden 203A und 204A entsprechend wird in Form der Segmente der divergierenden Kurven zweiter Ordnung ausgeführt, deren Symmetrieflächen mit der vertikalen Fläche der P-Baueinheit verbunden sind. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der P-Baueinheit ausgeführt.
In 175 wird ein Segment der Reflexionsbaueinheit 200y mit axialem Vektor n → dargestellt, das wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 201Cn; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 201C und 202C entsprechend; Komponenten der dritten und vierten Elektroden 203C und 204C entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten des dritten und vierten Elektroden 203C und 204C entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung ausgeführt, deren Symmetriefläche mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden ist. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit gemacht.
In 176 wird ein Segment der Reflexionsbaueinheit 200Dy mit axialem Vektor n → dargestellt, das wie folgt enthaltet: ein Segment der vertikalen Grenzelektrode 201Dn; Segmente der Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 201D und 202D entsprechend; Segmente der Komponenten der dritten und vierten Elektroden 203D und 204D entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektrode 202D und 203D entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung mit einer Wölbung in Richtung der vertikalen Grenzelektrode 201Dn ausgeführt, deren Symmetriefläche mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden ist. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten des dritten und vierten Elektroden 203D und 204D entsprechend wird geradlinig und abgewinkelt zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit gemacht. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit ausgeführt.
In 177 wird ein Segment der Reflexionsbaueinheit 200Ey mit axialem Vektor n dargestellt, das wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 201En; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 201E und 202E entsprechend; Komponenten der dritten und vierten Elektroden 203E und 204E entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektrode 202E und 203E entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung mit einer Wölbung in Richtung der vertikalen Grenzelektrode 201En ausgeführt, deren Symmetriefläche mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden ist. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten des dritten und vierten Elektroden 203E und 204E entsprechend wird geradlinig und abgewinkelt zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit gemacht. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit gemacht.
In 178 bis 183 werden entsprechend dreidimensionale Bilder mit vertikalen Grenzelektroden der P-Reflexionsbaueinheiten 210A, 200B, 210C, 220, 230 und 240 dargestellt, sie entsprechen einigen Ausführungsformen der Reflexionsbaueinheiten, deren technischen Lösungen oben in xz- und yz-Projektionen ausgeführt sind.
In den 178, 179 und 180 werden entsprechend dreidimensionale Bilder von Spiegeln 210A, 200B, 210C dargestellt, bei denen die Arbeits-(Innen-)Oberflächen der Elektroden von gleicher Höhe ausgeführt werden und sich auf den Flächen befinden, die parallel zueinander und zur mittleren Fläche (die mit der yz-Koordinatenfläche verbunden ist) geordnet sind; die mittlere Fläche jeder IO-Baueinheit ist eine Symmetriefläche der Elektroden und der axiale Vektor liegt in der Mittelfläche.
In den 181, 182 und 183 werden entsprechend dreidimensionale Bilder von einhängiger Höhe der P-Reflektionsbaueinheiten 220, 230 und 240, dargestellt, bei denen die Zwischenelektrodenspalten geradlinig und senkrecht zu der Lang- und Senkrechtfläche der IO-Spiegel ausgeführt sind.
178 zeigt P-Reflexionsbaueinheit 210A von zweidimensionalem kartesischem Typ, die wie folgt enthaltet vertikale Grenzelektrode 211An, erste und zweite Reflexionselektroden 211A und 212A entsprechend, dritte und vierte Elektroden 213A und 214A entsprechend.
179 zeigt lokale P-Reflexionsbaueinheit 210B von transaxial biegegemischten kartesischem Typ, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 211Bn, erste und zweite Reflexionselektroden 211B und 212B entsprechend; dritte und vierte Elektroden 213B und 214B entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektrode 212B und 213B entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung ausgeführt, deren Symmetriefläche mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden ist. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der lokalen P-Baueinheit 210B gemacht.
180 zeigt P-Reflexionsbaueinheit 210C von kreuzgemischtem Typ, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 211Cn; erste und zweite Reflexionselektroden 211C und 212C entsprechend; dritte Elektrode 213C; vierte Elektrode 214C und ihre seitlichen Komponenten 214ys1 und 214ys2.
181 zeigt P-Reflexionsbaueinheit 220 von zweidimensionalem kartesischem Typ, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 221.n, erste Reflexionselektrode mit Komponenten 221 und 221.2, zweite Reflexionselektrode mit Komponenten 221C und 222.2, dritte Reflexionselektrode mit Komponenten 223 und 223.2. Die Arbeits-(Innen-)Elektrodenoberflächen der Reflexionsbaueinheit 90Cx werden einhängig ausgeführt – die oberen Komponenten aller Elektroden werden abgewinkelt zu der Oberfläche der unteren Elektrodenkomponenten gemacht.
182 zeigt vertikale Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheit 230 von zweidimensionalem kartesischem Typ, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 231.n, erste Reflexionselektrode mit Komponenten 231 und 231.2, zweite Reflexionselektrode mit Komponenten 232 und 232.2, dritte Elektrode mit Komponenten 233 und 233.4 der unteren Zone, dritte Elektrode mit Komponenten 233.2 und 233.3 der oberen Zone, vierte Elektrode mit Komponenten 234.2 und 234.3 der oberen Zone, Interzonen-Elektrodenträger 231u. Die Arbeits-(Innen-)Elektrodenoberflächen der vertikalen Zweizonen-Reflexionsbaueinheit 90Ex werden einhängig ausgeführt – die oberen Elektrodenkomponenten werden abgewinkelt zu den unteren Elektrodenkomponenten gemacht, die sich in einer Fläche und senkrecht zu der Fläche der vertikalen Grenzelektrode 231.n befinden.
183 zeigt lokale vertikale Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheit 240 von kreuzgemischtem Typ und einhängiger Höhe, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 241.n, erste Reflexionselektrode mit Komponenten 241 und 241,2, zweite Reflexionselektrode mit Komponenten 242 und 242,2, dritte Elektrode mit Komponenten 243 und 243.4 der unteren Zone, dritte Elektrode mit Komponenten 243.2 und 243.3 der oberen Zone, vierte Elektrode mit Komponenten 244.2 und 244.3 der oberen Zone, Interzonen-Elektrodenträger 241u. Dabei werden die erste und zweite Elektrode von einem zweidimensionalen kartesischen Typ, und die dritte und vierte Elektrode von einem kastenförmigen Typ produziert.
In 184, 185, 186 und 187 sind Beispiele der lokalen horizontalen Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheiten in schematischer Form in Projektion auf yz-Fläche dargestellt. Um die Menge der Zeichnungsarbeit zu reduzieren, sind Beispiele nur für lokale P-Reflexionsbaueinheiten ausgeführt, in denen die Zwischenelektrodenspalten geradlinig und parallel zueinander gemacht sind:

– in 184 und 185 sind Beispiele der Sektoren im Bereich der Zonenverzweigung von IO-Spiegeln dargestellt;
– in 186 und 187 sind Beispiele der Entwicklung – Ausführung von lokalen horizontalen Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheiten im Allgemeinen, nach den vorgegebenen Bereichen der Zonenverzweigung dargestellt.

184 zeigt ein Segment der Reflexionsbaueinheit 250A, Reflexionsbaueinheit 250By, Komponenten der ersten 251A und zweiten 252A Reflexionselektroden; Segment (der Komponente) der dritten 253A/1 Elektrode der linken Zone. Die Zwischenelektrodenspalten zwischen den Komponenten der zweiten 252A und dritten 253A/1 Elektrode, sowie Komponenten der ersten 251A und zweiten 252A Elektrode werden geradlinig und abgewinkelt zu der Lang- und Senkrechtfläche der Reflexionsbaueinheit 250A ausgeführt.
185 zeigt ein Segment der Reflexionsbaueinheit 250By, die wie folgt enthaltet: Komponenten der ersten 251B und zweiten 252B Reflexionselektroden, Segment der dritten 253B/1 Elektrode der linken Zone. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten und dritten Elektroden 252B und 253B entsprechend wird in Form eines Segments der Kurve zweiter Ordnung mit einer Wölbung, gerichtet von der Seite der Ionenreflexion; ausgeführt; die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der ersten 251B und zweiten 252B Elektroden entsprechend wird geradlinig und vertikal zu der Senkrechtfläche der Reflexionsbaueinheit 250By gemacht.
186 zeigt P-Reflexionsbaueinheit 250Cy, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 251C.n; Komponenten der ersten und zweiten Reflexionselektroden 251C und 252C entsprechend; Komponenten der dritten und vierten Elektroden der linken Zone 253C/1 und 254C/1 entsprechend; Komponente der dritten Elektrode der rechten Zone 253C/2; horizontale Komponente 254C/2 und seitliche Komponenten 154C/s1 und 154C/s2 der vierten Elektrode der rechten Zone von kreuzförmigem Typ. Die Zwischenelektrodenspalten zwischen den Elektrodenkomponenten werden geradlinig und vertikal zu der Senkrechtfläche der IO-Baueinheit gemacht.
187 zeigt P-Reflexionsbaueinheit 250Dy, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 251D.n, Komponenten der ersten 251D und zweiten 252D Reflexionselektrode, Komponenten der dritten 253D/1 und vierten 254D/1 Elektrode der linken Zone; Komponenten der dritten 253D/2 und vierten 254D/2 Elektrode der rechten Zone. Die Zwischenelektrodenspalten zwischen den Komponenten der zweiten 252D und dritten 253D/2 Elektrode der rechten Zone, der zweiten 252D und dritten 253D/1 Elektrode der linken Zone werden in Form der Segmente der divergierenden Kurven zweiter Ordnung ausgeführt, deren Symmetrieflächen mit der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit verbunden sind. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche der IO-Baueinheit gemacht.
In 186 und 187 dargestellte Beispiele der Entwicklung – Ausführung von horizontalen Zweizonen-P-Reflexionsbaueinheiten im Allgemeinen, nach den vorgegebenen Bereichen der Zonenverzweigung sind besondere Beispiele. Bei Ausführung jeder Zone kann sie (unabhängig von anderen) so unterschiedlich sein, wie es oben für die P-Reflexionsbaueinheit beschrieben wurde.
188 bis 195 zeigen schematische Beispiele einiger Elektrodentypen der verlängerten P-Reflexionsbaueinheiten:

– 188 stellt einen Sektor der verlängerten P-Reflexionsbaueinheit 260 in Projektion auf die Schrittebene dar, die mit der yz-Koordinatenfläche verbunden ist.
– 42a, 42b und 42c geben dreidimensionale räumliche Darstellungen von Sektoren einiger linearen IO-Baueinheiten von Spiegeln konstanter Breite;
– 43a und 43b geben dreidimensionale räumliche Darstellungen von Sektoren einiger linearen vertikalen Zweizonen-Spiegeln.

In Projektion auf die Schrittebene, die mit der yz-Koordinatenfläche verbunden ist, stellt 188 die verlängerte P-Reflexionsbaueinheit 260 konstanter Breite von transbiegeförmig geradem alternierendem Typ dar, die wie folgt enthaltet: vertikale Grenzelektrode 261yn; erste und zweite Reflexionselektroden 261y und 262y entsprechend, dritte Elektrode 263y; vierte und fünfte Elektrode 264y und 265y entsprechend. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten 262y und dritten 263y Elektrode wurde als eine periodische Wiederholung der Kombination, die aus einem Linienabschnitt und einem Segment der Kurve zweiter Ordnung besteht, ausgeführt. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der mittleren und vertikalen Fläche der linearen P-Reflexionsbaueinheit 260y gemacht.
189 zeigt einen Sektor der verlängerten Reflexionsbaueinheit 270A von kreuzgemischtem Typ und konstanter Höhe (mit seitlichen Elektrodenkomponenten), die wie folgt enthaltet: Sektoren der ersten 271A, zweiten 272A und dritten 273A Elektrode. Die Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der Lang- und Senkrechtfläche des Sektors der verlängerten Reflexionsbaueinheit 270A, einer Gruppe der seitlichen Innenkomponenten 173As gemacht.
190 zeigt einen Sektor der verlängerten Reflexionsbaueinheit 270B von alternierendem transbiegeförmig geradem Typ und konstanter Höhe, die wie folgt enthaltet: Sektoren der ersten 271B, zweiten 272B und dritten 273B Elektrode. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der zweiten 272B und dritten 273B Elektrode wurde als eine periodische Wiederholung der Kombination, die aus einem Linienabschnitt und einem Segment der Kurve zweiter Ordnung besteht, ausgeführt. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der Lang- und Senkrechtfläche des Sektors der verlängerten Reflexionsbaueinheit 270B gemacht.
191 stellt einen Sektor der verlängerten P-Reflexionsbaueinheit 270C einhängiger Höhe dar, die wie folgt enthaltet: Sektoren der ersten 271C, zweiten 272C und dritten kastenperiodischen 273C Elektrode. Alle Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der Lang- und Senkrechtfläche des Sektors der verlängerten Reflexionsbaueinheit 270C gemacht.
192 stellt einen vertikalen Zweizonen-Sektor der verlängerten P-Reflexionsbaueinheit 280A einhängiger Höhe und eines zweidimensionalen kartesischen Typs dar, die wie folgt enthaltet: erste Elektrode mit Komponenten 281A und 281A2, zweite Elektrode mit Komponenten 282A und 282A2, dritte Elektrode mit Komponenten 281A und 281A2 der unteren Zone, dritte Elektrode mit Komponenten 281A und 281A2 der oberen Zone, Interzonen-Elektrodenträger 281Au. Die Arbeits-(Innen-)Elektrodenoberflächen werden einhängig ausgeführt – die oberen und unteren Elektrodenzonen werden abgewinkelt zueinander gemacht. Alle Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche des Zweizonen-Sektors des linearen Spiegels von Reflexionsbaueinheit 280A ausgeführt.
193 stellt einen vertikalen Zweizonen-Sektor der verlängerten P-Reflexionsbaueinheit 280B einhängiger Höhe und eines transbiegeförmig geraden alternierenden Typs dar, die wie folgt enthaltet: erste Elektrode mit Komponenten 281B und 281B2, zweite Elektrode mit Komponenten 282B und 282B2, dritte Elektrode mit Komponenten 281B und 281B2 der unteren Zone, dritte Elektrode mit Komponenten 281B und 281B2 der oberen Zone, Interzonen-Elektrodenträger 281Bu. Die Arbeits-(Innen-)Elektrodenoberflächen werden einhängig ausgeführt – die oberen und unteren Elektrodenzonen werden abgewinkelt zueinander gemacht. Die Zwischenelektrodenspalt zwischen den Komponenten der ersten 281B und zweiten 282B Elektrode wurde als eine periodische Wiederholung der Kombination, die aus einem Linienabschnitt und einem Segment der Kurve zweiter Ordnung besteht, ausgeführt. Andere Zwischenelektrodenspalten werden geradlinig und senkrecht zu der vertikalen Fläche des linearen IO-Spiegels 260 gemacht.
189 bis 193 zeigen nur einige Beispiele der Sektoren von verlängerten P-Baueinheiten. Verlängerte P-Baueinheiten können nicht nur solche Ausführungen, sondern auch die Ausführungen von und als Kombination von lokalen P-Baueinheiten haben, die in 153 bis 187 gezeigt sind.
In yz-Projektion stellt 194 eine heterogene (einschließlich Spiegeln von mindestens zwei verschiedenen Typen) verlängerte horizontale Menge von IO-Spiegeln dar, die aus zwei IO-Spiegeln (die sich der Reihe nach befinden) besteht: IO-Spiegel 180y (gezeigt in 171) eines zweidimensionalen kartesischen Typs mit der vertikalen Grenzelektrode; IO-Spiegel 200Ay (gezeigt in 173Ay) eines transbiegeförmig gemischten Typs mit der vertikalen Grenzelektrode.
In xz-Projektion stellt 195 eine homogene (besteht aus Spiegeln eines Typs) verlängerte vertikale Menge von IO-Spiegeln dar, die drei Spiegel beinhaltet; drei identische Spiegel, die im vertikalen Längsschnitt dargestellt sind, befinden sich der Reihe nach.
Beispiele in 194 und 195 geben einen Überblick über das Konzept der verlängerten horizontalen und vertikalen, homogenen und heterogenen Mengen von IO-Spiegeln. Im Allgemeinen hängt die Anzahl von Spiegeln in der Menge und die Auswahl jedes Spiegels in der Menge von dem praktischen Problem der Massenspektrometrie ab, das zu lösen ist. Jeder Spiegel der Menge kann aus der Reihe gewählt werden, die eine Vielzahl von verschiedenen Ausführungen der oben gezeigten IO-Spiegel umfasst.
Andere Ausführungsformen der Geometrie von IO-Baueinheiten schließen IO-Baueinheiten ein, die sich aus Änderungen der Geometrie von oben genannten IO-Baueinheiten ergeben, die zum Beispiel zur Änderung ihrer Projektion auf xz-Fläche führen: Ausführung ohne vertikale Grenzelektroden; mit unterschiedlicher Anzahl der Elektroden; mit verschiedenen Kombinationen von Elektrodenformen.
Abhängig von Verteilung des elektrischen Potentials auf Elektroden werden Betriebsarten ausgewählt: jede der obigen Ausführungen von IO-Baueinheiten ist in Betriebsart der Reflexionsbaueinheit betriebsfähig; jede von mehreren Ausführungen von IO-Baueinheiten ohne vertikale Grenzelektroden kann in Betriebsart der Reflexionsbaueinheit oder in jeder anderen Betriebsart, einschließlich in Multifunktionsbetriebsart, funktionieren.
196 bis 206 enthalten Ausführungsbeispiele (in schematischer Form) von IO-Baueinheiten ohne vertikale Grenzelektroden als besondere Ausführungen von vorstehenden IO-Baueinheiten, die mit vertikalen Grenzelektroden ausgestattet sind.
In 196 ist die IO-Baueinheit 310y in der yz-Proektion präsentiert, der Komponente der Transaxsial-Elektroden 311y, 312y, 313y enthält. Dabei sind die Spielräume zwischen Elektroden als die Segmente von zwei konzentrischen dünnen Ringen mit inneren Radien R₁ und R₂ ausgefüllt.
In 197 ist die IO-Baueinheit 320y in der yz-Projektion präsentiert, der Komponente der Elektroden 321y, 322y, 323y und 324y enthält. Dabei sind die Spielräume zwischen erster 321y und zweiter 322y, auch zwischen zweiter 322y und dritter 323y Elektroden als die Segmente von zwei konzentrischen dünnen Ringen. Der Spielraum zwischen dritter 323y und vierter 324y Elektroden ist als geradliniger dünner Spalt, der axialem Vektor n → erpendikulär ist, ausgefüllt. In 198 ist die räumliche Darstellung von kartesisch-zweidimensionaler Dreielektroden-P-Baueinheit 330 angegeben, die auf Grund der Veränderung der Widerspiegelung von der P-Baueinheit 210 – der Ausführung ohne vertikal-beschränkende und vierte Elektroden gewonnen ist. P-Baueinheit greift erste 331, zweite 332 und dritte 333 Elektroden um. In 199 sind im Schnitt durch vertikale Ebene, die mit der Koordinatenebene xz zusammengefallen ist, P-Baueinheit 330xM (xz-Projektion der P-Baueinheit 330) und zwei spezifischen Laufbahne 331xMi der Ionen in ihr bei ihrer Arbeit in der P-Baueinheit-Widerspiegelungsbetrieb angegeben, wobei sind die erste 331xM, die zweite 332xM und die dritte 333xM Elektrode.
In 200 sind durch horizontale Ebene, die mit der Koordinatenebene yz zusammengefallen ist, P-Bauteil 330yM (yz-Projektion der P-Baueinheit 330) und zwei spezifischen Laufbahne 331yMi der Ionen in ihr bei ihrer Arbeit im Widerspiegelungsbetrieb angegeben, wobei sind die erste 331yM, die zweite 332yM und die dritte 333yM Elektrode.
In 201 sind im Schintt durch vertikale Ebene, die mit der Koordinatenebene xz zusammengefallen ist, P-Baueinheit 330xT (xz-Projektion der P-Baueinheit 330) und zwei spezifischen Laufbahne 331xTi der Ionen in ihm bei seiner Arbeit im teleskopischen Betrieb angegeben, wobei sind die erste 331xT, die zweite 332xT und die dritte 333xT Elektrode.
In 202 sind durch horizontale Ebene, die mit der Koordinatenebene yz zusammengefallen ist, P-Baueinheit 330yT (yz-Projektion der P-Baueinheit 330) und zwei spezifischen Laufbahnen 331yTi der Ionen in ihr bei ihrer Arbeit im teleskopischen Betrieb angegeben, wobei sind die erste 331yM, die zweite 332yM und die dritte 333yM Elektrode.
In 203 ist die räumliche Darstellung von dreielektrodischer kartesisch-zweidimensionaler horizontal-zweizoniger Dreielektroden-P-Baueinheit 340 angegeben, die auf Grund der Widerspieglung von der P-Baueinheit 250A in 184 – der Ausführung ohne vertikal-beschränkende Elektrode gewonnen ist. P-Baueinheit 340 greift erste 341, zweite 342 und dritte 343 Elektroden um.
In 204 sind im Schintt durch vertikale Ebene, die mit der Koordinatenebene xz zusammengefallen ist, horizontal-zweizonige P-Baueinheit 340xM (xz-Projektion der P-Baueinheit 340) und zwei spezifischen Laufbahne 341xMi der Ionen in ihr bei ihrer Arbeit im Widerspiegelungsbetrieb angegeben, wobei sind die erste 341xM, die zweite 342xM und die dritte 343xM Elektroden.
In 205 sind durch horizontale Ebene, die mit der Koordinatenebene yz zusammengefallen ist, horizontal-zweizonige P-Baueinheit 340yM (yz-Projektion der P-Baueinheit 340) und zwei spezifischen Laufbahne 341yMi der Ionen in ihr bei ihrer Arbeit im Widerspiegelungsbetrieb angegeben, wobei sind die erste 341yM, die zweite 342yM und die dritte 343yM Elektrode.
In 206 sind durch schrittliche Ebene, die mit der Koordinatenebene yz zusammengefallen ist, Sektor 350yT erlängerter kartesisch-zweidimensionaler P-Baueinheit mit Sektoren erster 351yT, zweiter 352yT, dritter 353yT Elektroden, spezifische Laufbahne 351xMi1, 351xMi2, 351xMi3 der Ionen in den Sektor 350yT bei ihrer Arbeit im teleskopischen Betrieb, Einfallwinkel ϑ_y des Ionenstromes und Brechungswinkel ϑ '' / y des Ionenstromes angegeben.
In den 207 bis 210 sind schematische Beispiele der Erstellung der P-Baueinheiten 360A, 360B, 370 und 370y ohne vertikal-beschränkenden Elektroden vorgestellt.
In 207 ist P-Baueinheit 360A angegeben, in der ist Spielraum zwischen erster 361A und zweiter 362A Elektroden als geradliniger dünner Spalt, der der Koordinatenachse y unperpendikulär ist, ausgefüllt.
In 208 ist P-Baueinheit 360B angegeben, in der ist Spielraum zwischen erster 361B und zweiter 362B, auch zwischen zweiter 362B und dritter 363B Elektroden als Segmente von zwei dünnen Ringen, die relativ der Koordinatenachse y unsymmetrisch sind, ausgefüllt.
In 209 ist P-Baueinheit 370 angegeben, in der sind Spielräume zwischen erster 371 und zweiter 372, auch zwischen zweiter 372 und dritter 373 Elektroden als geradlinigere dünne Spalte, die relativ Koordinatenachse y unsymmetrisch sind, ausgefüllt.
In 210 ist durch horizontale Ebene, die mit Koordinatenebene yz zusammengefallen ist, P-Baueinheit 370y (yz-Projektion der P-Baueinheit 370) angegeben. Beim Gebrauch im Widerspiegelung-Betrieb erster 371y und zweiter 372y, auch zweiter 372y und dritter 373y Elektroden, läuft spezifische Laufbahn 371yi der Ionen in der P-Baueinheit 370y durch die Punkte 1, 2, 3 und 4. Beim Gebrauch im Widerspiegelung-Betrieb erster 371y und zweiter 372y, auch zweiter 372y und dritter 373y Elektroden, läuft spezifische Laufbahn 371yi der Ionen in der P-Baueinheit 370y durch die Punkte 1, 2, 3 und 5. Verdoppelte P-Baueinheiten können im Betrieb verdoppelten Spiegels, im Brechung-Widerspiegelung-Betrieb, im multifunktionalen Betrieb verwendet sein.
Für die Erstellung kanalen IO-Systems in multiwiderspiegelnder Form oder mit kurver Hauptachse können ein oder mehr, die aus den angegebenen in den 135 bis 151 Untersysteme der Steuerung ausgewählt sind, und/oder eine oder mehr, die aus den insbesondere auf vorherigen Figuren angezeigten P-Baueinheiten. In den 211 und 212 entsprechend in den Projektionen auf Koordinatenebene yz und xz ist das IO-Schema dreiwiderspiegelden flugzeit-dispergierenden (TOF) IB-Kanals angezeigt. In 211 sind dreiwiderspiegelnder IB-Kanal 380y, drei einzonigen lokalen P-Baueinhaiten der Widerspiegelung – 33.1, 33Ay, 33.2, Eintrittsfenster W1y, Austrittsfenster W2y, vermittelte Laufbahn 381yi der Ionenpakete, Vektor des Falls und des Eintrittes κ →_y Vektor erster Widerspiegelung κ → ' / 1y, Vektor zweiter Widerspiegelung κ → ' / 2y und Vektor dritter Widerspiegelung und des Austrittes κ → ' / 3y angezeigt. In 212 sind dreiwiderspiegelnder IB-Kanal 380x, drei einzonigen lokalen P-Baueinhaiten der Widerspiegelung – 33.1, 33Ax, 33.2, Eintrittsfenster W1x, Austrittsfenster W2x, vermittelte Laufbahn 381 xi, Vektor des Falls und des Eintrittes κ →_x, Vektor erster Widerspiegelung κ → ' / 1y Vektor zweiter Widerspiegelung κ → ' / 2x und Vektor dritter Widerspiegelung und des Austrittes κ → ' / 3x Winkel der Eintritt-Widerspiegelung ϑ ' / 1x des Ionenstromes gegen erste lokale P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.1, Winkel der Eintritt-Widerspiegelung ϑ ' / 3x gegen dritte P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2 angezeigt.
In den 213 bis 217 sind in Projektionen auf Koordinatenebene P-Multiwiderspiegler breiter Form flacher Art für TOF-IB-Kanale angezeigt. In 213 sind im Schnitt durch Vertikalebene angezeigt: in einheitlichem Typ zweiter Ordnung krummliniger Art P-Multiwiderspiegler 390x mit vier Elektroden 391xn, 391x, 392x und 393x, Abstand d zwischen Belegungen der Elektrode. In 214 sind durch horizontale Ebene angezeigt: in einheitlichem Typ zweiter Ordnung krummliniger Art P-Multiwiderspiegler 390y mit vier Elektroden 391yn, 391y, 392y und 393y, dabei werden angrenzende einander zugewandte frontale Linien der Elektroden durch Umkreise rumgezogen, Abstand R_c vom geometrischen Zentrum bis zum nahliegenden Zwischenelektrodenspielraum des P-Multiwiderspieglers. In 215 sind angezeigt: im einheitlichen Typ n-flächer Art P-Multiwiderspiegler 400y mit vier Elektroden 401yn, 401y, 402y und 403y, Abstand R_A vom geometrischen Zentrum bis zum nahliegenden Zwischenelektrodenspielraum des P-Multiwiderspieglers. In 216 sind angezeigt: diskontinuierlich-flächigen Typ n-flächer Art P-Multiwiderspiegler 410y mit fünf lokalen P-Baueinheiten der Widerspiegelung – 33.1, 33.2, 33.3, 33.4 und 33.5, je eine periodisch gelagerte P-Baueinheit der Widerspiegelung auf jeder Fläche (Selektorgruppe der P-Baueinheiten der Widerspiegelung) fünfflächiger Vieleckes, typische Laufbahn 411yi des Ions. Jeder von P-Widerspiegelern soll eine oder mehr Seitenöffnungen für Ein- und Austritt des Ionenstromes haben. In 217 sind angezeigt: j/n selektorisch/diskontinuierlich-flächiger Art P-Multiwiderspiegler 420y bei j/n = 4,5 und mit vier lokalen P-Baueinheiten der Widerspiegelung. – 33.1, 33.2, 33.3 und 33.4, die periodisch auf vier Flächen richtigen (gleichflächigen) fünfflächigen Vieleckes gelagert sind, typische Laufbahn 421yi des Ions.
In den 218 bis 232 in schematischer Art sind die P-Multiwiederspiegler verlängter Form, die für TOF-Dispergierung der Ionenpakete zugeordnet sind.
In den 218 bis 221 in Projektionen auf Grundebenen λ die Grundtype der verlängerter Form P-Widerspiegler und deren typische Linien, jede von der typischer vermittelter Laufbahn des Ions in angegebenen P-Multiwiderspiegler entspricht, angezeigt. In 218 sind angezeigt: geradelinig-widerspiegelnden Typs P-Multiwiderspiegler 430 λ mit IO Baueinheiten der Widerspiegelung 32.1 und 32.2, die eine gegen anderer gelagert sind, bei Antiparalität deren Axialvektore, die in einer Ebene (in mittlerer Ebene des Multiwiderspieglers) liegen, typische Linie SL des Widerspieglers 430 λ , die eine Form gerades Abschnittes hat. In 219 sind angezeigt: strangartig-widerspiegelnden Typs P-Multiwiderspiegler 440 λ mit IO Baueinheiten der Widerspiegelung 32.1 und 32.2, die eine gegen anderer gelagert sind, bei Antiparalität deren Axialvektore, die in einer Ebene (in mittlerer Ebene des Multiwiderspieglers) liegen, typische Linie CL des Widerspieglers 440 λ , die eine strangartige Form hat. In 450 sind angezeigt: bogenartig-widerspiegelden Typs P-Multiwiderspiegler 450 λ mit IO-Baueinheiten der Widerspiegelung 32.1, 32.2 und 32.3; typische Linie AL des P-Multiwiderspieglers 450 λ , die eine bogenartige Form hat. In 221 sind angezeigt: zweistrangartig-widerspiegelnden Typs P-Multiwiderspiegler 460 λ mit IO-Baueinheiten der Widerspiegelung 32.1, 32.2, 32.3 und 32.4,; typische Linie TL des P-Multiwiderspieglers 460 λ , die zweistrangartige Form hat, Bauteile typischer Linie TL: vorderer frontaler Teil L_f.1, der zwischen Widerspiegelungsbaueinheiten 32.1 und 32.4 gelagert ist, hinterer frontaler Teil L_f.2 der zwischen Widerspiegelungsbaueinheiten 32.2 und 32.3 gelagert ist, erster diagonaler Teil L_d.1, der zwischen Widerspiegelungsbaueinheiten 32.1 und 32.2 gelagert ist, zweiter diagonaler Teil L_d.2 der zwischen Widerspiegelungsbaueinheiten 32.3 und 32.4 gelagert ist.
In den 222 bis 232 sind einige Beispiele angezeigt, die mit in 221 angezeigten Konkretisierung der IO-Baueinheiten der Widerspiegelung und deren räumlichen Lagerungen im zweistrangartig-widerspiegelden Typ des P-Multiwiderspieglers 460 λ verbunden sind. Dabei sind in den 222 bis 224 in Projektionen auf Grundebene λ der Widerspiegler, die mit Koordinatenenenen yz zusammenfallen sind, die Variante flacher Art der P-Multiwiderspiegler angezeigt – bei Erfüllung IO-Baueinheiten der Widerspiegelung der P-Multiwiderspiegler im lokalen Typ (lokalen Typs IO-Baueinheit der Widerspiegelung ist der Spiegel).
In 222 sind angezeigt: geschlossener P-Multiwiderspiegler 470 λ mit lokalen P-Baueinheiten der Widerspiegelung – 33Ay1, 33Ay2, 33By1 und 33By2, typische Laufbahn 471yi des Ions in ihm. Dabei sind locale P-Baueinheiten der Widerspiegelung 33By1 und 33By2 als vertikal-zweizonig ausgefüllt und Ions Laufbahn zwischen denen läuft durch andere Ebene gegen andere Ions Laufbahne.
In 223 sind angezeigt: geschlossener P-Multiwiderspiegler 480 λ mit einzonigen lokalen P-Baueinheiten der Widerspiegelung – 33Ay1, 33Ay2, 33Ay3 und 33Ay4, typische Laufbahn 481yi des Ions in ihm. Dabei sind lokale P-Baueinheiten der Widerspiegelung 33Ay1, 33Ay2, 33Ay3 und 33Ay4 auf einer Ebene (auf der Grundebene des P-Multiwiderspiegler 480 λ ) gelagert, deren mittlere Ebene sind zusammengefallen und Ions Laufbahne zwischen denen laufen durch eine Ebene.
In 224 sind angezeigt: ungeschlossener P-Multiwiderspiegler 490 λ mit lokalen einzonigen P-Baueinheiten der Widerspiegelung – 33.1, 33.2, 33.3 und 33.4, Vektor des Falls und Eintrittes κ →_y, Vektor erster Widerspiegelung κ → ' / 1y, Vektor zweiter Widerspiegelung κ → ' / 2y, Vektor dritter Widerspiegelung κ → ' / 3y, Vektor vierter Widerspiegelung κ → ' / 4y die sich als vermittlere Richtungsvektore der Laufbahn 491yi des Ionenstromes, typische Laufbahn 491yi des Ions im P-Multiwiderspiegler 490 λ vorstellen. P-Multiwiderspiegler 490 λ ist mit Versicherung der Möglichkeit der Lagerung vermittleren Richtungsvektor trakten Ionenstroms in verschiedenen Ebenen vor dem Eintritt ins Feld und nach dem Austritt aus dem Feld steuernden Untersystems (ausgefüllt mit mannigfallebenigem Ein- und Austritt) ausgefüllt. Dabei schneiden sich mittlere Ein- uns Austrittsebenen erster und vierter P-Baueinheiten unter dem Winkel (nicht gezeigt in Figur). Dabei könne räumliche Lagerungen und Orientierungen mannigfallig ausgefüllt sein.
In 225 sind in Projektionen Koordinatenebene xz orthogonales kartesisches Koordinatensystems, das mit lateral-schrittener Ebene ħ zusammengefallen ist, angezeigt: P-Multiwiderspiegler 490ħ1 (eine der Projektionsarianten des Multiwiderspieglers 490ħ1 auf lateral-schrittene Ebene ħ), Vektor des Falls und Eintrittes κ →_x Vektor erster Widerspiegelung κ → ' / 1x, Vektor dritter Widerspiegelung κ → ' / 3x, Vektor vierter Widerspiegelung und des Austrittes κ → ' / 4x, die sich als vermittlere Richtungsvektore der Laufbahn 491x1i des Ionenstromes vorstellen, Eintritts- und Widerspiegelungswinkel ϑ ' / 1x von erster P-Baueinheit der Widerspiegelung 33Ax1, Eintritts- und Widerspiegelungswinkel des Ionenstromes von vierter P-Baueinheit der Widerspiegelung 33Ax4. Dabei sind alle lokale P-Baueinheiten der Widerspiegelung, von denen sind 33Ax1 und 33Ax4 angezeigt, auf einer Ebene (auf Grundebene des Multiwiderspieglers 480ħ1) gelagert.
In 226 sind in Projektionen auf Koordinatenebene xz orthogonalen kartesischen Koordinatensystems, das mit lateral-schrittener Ebene ħ zusammengefallen ist, angezeigt: steuerndes Untersystem 490ħ2 (eine der Projektionsvarianten P-Multiwiderspiegelung 490 λ auf lateral-schrittene Ebene ħ), Vektor des Falls und Eintrittes κ →_x, Vektor erster Widerspiegelung κ → ' / 1x, Vektor zweiter Widerspiegelung κ → ' / 2x, Vektor dritter Widerspiegelung κ → ' / 3x, Vektor dritter Widerspiegelung und des Austrittes κ → ' / 4x, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 1x von erster P-Baueinheit der Widerspiegelung 33Ax1, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 4x von vierter P-Baueinheit der Widerspiegelung 33Ax4. Dabei sind alle lokale P-Baueinheiten der Widerspiegelung ausschöießend lokale P-Baueinheit der Widerspiegelung 33Ax2 auf einer Ebene (auf Grundebene des P-Multiwiderspieglers 480ħ2) gelagert. Lokale P-Baueinheit der Widerspiegelung 33.2 (zweiter P-Baueinheit der Widerspiegelung) ist außer der Grundeben des P-Multiwiderspieglers 480ħ2 gelagert, dabei dessen mittlere Aus- und Eintrittsebenen sind unter dem Winkel (nicht gezeigt in Figur) gegen die Grundebene des P-Multiwiderspieglers 480ħ2 gelagert.
In den 227 bis 229 sind einige Beispiele der Ausfüllung zweistrangartig-widerspiegelnden Typs schrittener Art der P-Multiwiderspiegler. In 227 sind schrittener P-Multiwiderspiegler 500 λ mit verlängerten einzonigen P-Baueinheinten der Widerspiegelung 34Ax1, 34Ax2, 34Ax3, 34Ax4, auch typische Laufbahn 511xi des Ions in ihr angezeigt. In 229 sind schrittener P-Multiwiderspiegler 510 λ mit verlängerten zweizonigen P-Baueinheinten der Widerspiegelung 90Fx1, 90Fx2, 90Fx3, 90Fx4 (Beispiele der Auswahl und der Lagerung verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung), auch auch typische Laufbahn 521xi des Ions in ihr angezeigt.
In 230 sind in Projektionen auf lateral-schrittene Ebene ħ in schematische Art angezeigt: allgemein Aussehen schrittenen P-Multiwiderspiegelung 530ħ mit verlängerten gekuppelten P-Baueinheiten der Widerspiegelung Q1 und Q2, Vektor des Falls und des Eintrittes κ →_y, Brechungsvektor κ → '' / 1y, , auf oberer (erster) IO-Brechungsbaueinheit 31B1, Brechungsvektor auf unterer (zweiter) IO-Brechungsbaueinheit 31B2, Widerspiegelungs- und Austrittsvektor κ → ' / ny im schrittenen P-Multiwiderspiegler 530ħ, die sich als vermittlere Richtungsvektore der Bewegungen Ionenstromes vorstellen, niederfallender (gerader) zweig der Laufbahn i11, gebrochener Zweig der Laufbaahn j''12 auf obener (erster) IO-Baueinheit der Brechung 31B1, umgekehrter linker Zweig der Laufbahn i'21, umgekehrter linker Zweig i''21 der auf unteren (zweiten) IO-Baueinheit der Brechung gebrochenen Laufbahn 31B2, gesamte Mittelelektrode EE des P-Multiwiderspieglers 530ħ. Obere (erste) IO-Baueinheit der Brechung 31B2 und untere (zweite) IO-Baueinheit der Brechung 31B2 sind mit Versicherung der Möglichkeit deren Gebrauch im multifunktionalen Betrieb, mindestens in zwei Betriebe aus der Reihe, die Brechung, Widerspiegelung und feldlosen Betrieb einschließt, ausgefüllt.
Niederfallender (gerader) Zweig der Laufbahn i11 kann aus Ionenquelle oder aus jedem anderen IO-Objekt ausgehen. Umgekehrter linker Zweig der Laufbahn i'21 oder umgekehrter linker Zweig i''21 der auf unterer (zweiter) IO-Baueinheit 31B2 gebrochene Laufbahn der Bewegungen vom Ionenstrom kann auf den Detektor oder auf Eingang jedes anderes IO-Objektes ausgerichtet sein.
In den 231 und 232 sind in Projektionen auf lateral-schrittene Ebene ħ in schematische Art sind einige Type verlängerter Form der P-Multiwiderspiegler im Schnittebene gekuppelten verlängerten P-Baueinheite der Widerspiegelung angezeigt.
In 231 sind gezeigt: schrittener P-Multiwiderspiegler 540ħA, niederfallender (gerader) Zweig der Laufbahn i11A, umgekehrter rechter Zweig der Laufbahn i'22A, verlängerte P-Baueinheiten der Widerspiegelung Q1A und Q2A, Elektroden 1A1n, 1A1, 1A2, 1A3, 1A4 und 1A5 verlängeter P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1A, Elektroden 2A1n, 2A1, 2A2, 2A3, 2A4 und 2A5 P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2A. Zwischenelektrodenspalt zwischen Elektroden 1A2 und 1A3, auch Zwischenelektrodenspalt zwischen Elektroden 2A2 und 2A3 sind als periodische Segmente der Krummlinien zweiter Ordnung. Zwischenelektrodenspalte zwischen anderen Elektroden sind als gerade Linie ausgefüllt. Dabei sind die Elektrode 1A4 und 2A5 die Teile gesamter Mittelelektrode.
In 232 sind angezeigt: schrittener P-Multiwiderspiegler 540ħB, typische Laufbahn 511xi der Ions Bewegung in ihm, niederfallender (gerader) Zweig der Laufbahn i11B, umgekehrter rechter Zweig der Laufbahn i'22B, verlängerte P-Baueinheiten der Widerspiegelung Q1B und Q213, Elektroden 1B1n, 1B1, 1B2, 1B3, 1B4 und 1B5 verlängerter P-Baueinheit Q1B, Elektroden 2A1n, 2B1, 2B2, 2B3, 2B4 und 2B5 verlängerter P-Baueinheit Q2B, typische Laufbahn 501xi der Ions Bewegung in ihr. Zwischenelektrodenspalt zwischen Elektroden 1B2 und 1B3 ist als periodische Segmente der Krummlinien zweiter Ordnung ausgefüllt. Zwischenelektrodenspalte zwischen anderen Elektroden sind als gerade Linie ausgefüllt. Dabei sind die Elektroden 1B4 und 2B5 die Teile gesamter Mittelelektrode.
In den 233 bis 238 sind in Projektionen lateral-schrittliche Ebene ħ in schematischer Art einige Type verlängerter Form der P-multiwiderspiegler im Ebenschnitte gekupelten verlängerten P-Baueinheiten der Widerspiegelung angezeigt. Dabei sind in den 233 bis 235 P-Multiwiderspiegler, die mit Versicherung der Möglichkeit des Eintrittes in ihn und Austrittes aus ihm Ionenstromes von zwei verschiedenen Endseiten (ausgefüllt in zweiseitiger durchlaufender R_W-Form) vorgestellt.
In 233 sind angezeigt: schrittlicher P-Multiwiderspiegler 550ħA, rechter obener niederfallender (gerader) Zweig i12A der Laufbahn, linker obener niederfallender (gerader) Zweig i11A der Laufbahn, rechter unterer umgekehrter Zweig i'22A der Laufbahn, linker unterer umgekehrter Zweig i'21A der Laufbahn, rechte verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1A, linke verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2A, rechte Operationszone des P-Multiwiderspiegler/(der Schichte {P_μ(s)}-Gruppe) – Zone rechter Laufbahn zwischen Koordinaten (–z_MR, z_λ), linke Operationszone des P-Multiwiderspiegler/(der Schichte {P_μ(s)}-Gruppe)-Zone linker Laufbahn zwischen Koordinaten {–z_λ, z_MR), Abstand l_MR1 von querschrittlicher Ebene bis zum randseitigen von der Seite der Ionenwiderspiegelung Elektrodenspalt rechter verlängerter P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1A, Abstand l_λ1 = 2l_MR1 von querschrittlicher Ebene bis zur Ebene (z_λ), Abstand l_MR2 von querschrittlicher Ebene bis zum randseitigen von der Seite der Ionenwiderspiegelung Elektrodenspalt linker verlängerter P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2A, Abstand l_λ2 = 2l_MR2 von querschrittlicher Ebene bis zur Ebene (–z_λ). Es ist l_MR1 = l_MR2 und l_λ1 = l_λ2 bevorzugt.
In 234 sind angezeigt: schrittlicher P-Multiwiderspiegler 550ħB, rechter obener niederfallender (gerader) Zweig i12B der Laufbahn, linker obener niederfallender (gerader) Zweig i11B der Laufbahn, rechter unterer umgekehrter Zweig i22B der Laufbahn, linker unterer umgekehrter Zweig i21B der Laufbahn, rechte verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1B, linke verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2B. Der in 235 angezeigte schrittliche P-Multiwiderspiegler 550ħC ist dem schrittlichen P-Multiwiderspiegler 550ħA ganz identisch.
Bevorzügliche gerade angrenzende Übertritte des Ionenstromes zwischen P-Multiwiderspiegler/den Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe) 550ħA, 550ħB und 550ħC bei deren angrenzender kontinuierlicher Lagerung:

1). zwischen P-Multiwiderhspigelung/(den Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe) 550ħA, 550ħB und 550ħC: von i'21A zu i22B; von i'21A zu i21B; von i'22A zu i21B; von i'22A zu i22B;
2). zwischen P-Multiwiderhspigelung/(den Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe) 550ħB und 550ħC: von i'11B zu i12C; von j'11B zu i11C; von i'12B zu i11C; von i'12B zu i12C

In den 236 bis 238 sind die P-Multiwiderspiegler vorgestellt, die mit Versicherung der Möglichkeit des Eintritts in ihn und Austritts aus ihm des Ionenstromes von einer dessen Endseiten – ausgefüllt in einseitiger reversiver R (m) / iV-Form – ausgefüllt sind. In 236 sind angezeigt: schrittlicher P-Multiwiderspiegler 560ħA, rechter niederfallender (gerader) Zweig der Laufbahn i2A, linker niederfallender (gerader) Zweig der Laufbahn i1A, rechter umgekehrter Zweig der Laufbahn i'2A, linker umgekehrter Zweig der Laufbahn j'1A, rechte verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1A, linke verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2A, rechte Operationszone des P-Multiwiderspieglers/der Schichte {P_μ(s)}-Gruppe) – Zone rechter Laufbahn zwischen Koordinaten {–z_MR, z_λ}, linke Operationszone des P-Multiwiderspieglers/der Schichte {P_μ(s)}-Gruppe) – Zone linker Laufbahn zwischen Koordinaten {–z_λ, z_MR}, Abstand l_MR1 von querschrittlichen Ebene bis zum randseitigen von der Seite der Ionenwiderspiegelung Elektrodenspalt, rechter verlängerter P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1A, Abstand von querschrittlichen Ebene bis zur Ebene (Z_λ) l_λ2 = 2l_MR2, Abstand l_MR2 von querschrittlichen Ebene bis zum randseitigen von der Seite der. Ionenwiderspiegelung Elektrodenspalt, linker verlängerter P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2A, Abstand l_λ2 = 2 l_MR2 von querschrittlichen Ebene bis zur Ebene (–z_λ).
Es ist l_MR1 = l_MR2 und l_λ1 = l_λ2 bevorzugt.
In 237 sind angezeigt: schrittlicher P-Multiwiderspiegler 560ħB, rechter niederfallender (gerader) Zweig i2B der Laufbahn, linker niederfallender (gerader) Zweig i1B der Laufbahn, 1rechter umgekehrter Zweig i'2B der Laufbahn, linker umgekehrter Zweig i'1B der Laufbahn, rechte verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q1B, linke verlängerte P-Baueinheit der Widerspiegelung Q2B. Der in 238 angezeigte schrittliche P-Multiwiderspiegler 560ħC ist dem schriftlichen P-Baueinheit der Widerspiegelung 560ħA ganz identisch.
Bevorzügliche gerade angrenzende Übertritte des Ionenstromes zwischen P-Multiwiderspiegler/(Schichten {P_μ(s)}-Gruppe) 560ħA, 560ħB und 560ħC bei deren kontinuierlicher Lagerung:
zwischen P-Multiwiderspiegler/(Schichten {P_μ(s)}-Gruppe) 560ħA, 560ħB: von i'1A zu i1B; von i'1A zu i2B; von i'2A zu i2B; von i'24 zu i1B;
zwischen P-Multiwiderspiegler/(Schichten {P_μ(s)}-Gruppe) 560ħB und 560ħC: von i'1B zu i1C; von i'1B zu i2C; von i'2B zu i2C; von i'2B zu i1C.
In den 239 bis 252 sind in Projektionen auf Grundebene λ der P-Multiwiederspiegler in schematscher Art einige bevorzügliche Type der Übertritten Ionenstromes zwischen zwei angrenzenden verlängerter Form P-Multiwiederspiegler angezeigt. Dabei sind in den 239 bis 243 Übertritte des Ionenstromes durch projektiv-parallele symmetrisch-verschiedenebenige Richtungen kanalen Ionenstromes vorgestellt. Dabei wird für die Übersetzung kanalen Ionenstromes Übersetzungsuntersysteme, die als Untersystem der Steuerung mit Ein- und Austritt projektiv-paralleler symmetrisch-verschiedenebeniger Art ausgefüllt, gebraucht; diese versichern Möglichkeiten der Übersetzung kanalen Ionenstromes durch frontale Teile typischen Linien zwei strangartig-widerspiegelnden Typs P-Multiwiederspiegler oder durch typische Linien zwei geradlinig-widerspiegelnden Typs P-Multiwiederspiegler.
In 239 sind angezeigt: typische Linie SL₁₁ und deren erste randseitige Grenze P₁₁, zweite randseitige Grenze P₁₂ typische Linie SL₂₁ und deren erste randseitige Grenze P₂₁, zweite randseitige Grenze P₂₂ erste Grenze P_u1 der Übersetzung Ionenstromes, zweite Grenze P₁₂ der Übersetzung Ionenstromes, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 2A1 gegen typische Linie SL₂₁ Länge Λ_Q typischer Linie SL₁₁ und SL₂₁. Dabei liegen erste Grenze P_u1 der Übersetzung Ionenstromes und zweite Grenze P₁₂ der Übersetzung Ionenstromes hinter Schwelle typischer Linie SL₁₁ und typische Linie SL₂₁ entsprechend.
In 240 sind angezeigt: typische Linie SL₁₁ typische Linie SL₂₁, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel gegen typische Linie SL₁₁, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 2B1 gegen typische Linie SL₂₁. Dabei erste Grenze der Übersetzung und die zweite Grenze der Übersetzung des Ionenstromes zusammenfallen, erster randseitiger Grenze P₁₁ typischer Linie SL₁₁ und zweiter randseitiger Grenze P₂₂ typischer Linie SL₂₁ entsprechend.
In 241 sind angezeigt: typische Linie SL₁₁, typische Linie SL₂₁, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 1C1 gegen typische Linie SL₁₁, Eintritt-Widerspiegelung-Winkel ϑ + / 2C1 gegen typische Linie SL₂₁, erste Grenze der Übersetzung P_m1 des Ionenstromes, zweite Grenze der Übersetzung P_m2 des Ionenstromes.
In 242 sind angezeigt: typische Linie SL₁₁, typische Linie SL₂₁, Brechungswinkel ϑ '' / 1D1 gegen typische Linie SL₁₁, Brechungswinkel ϑ '' / 2D1 gegen typische Linie SL₂₁, erste Grenze der Übersetzung P_x1 des Ionenstromes, zweite Grenze der Übersetzung P_x2 des Ionenstromes.
In der 243 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₁ und ihr frontaler Teil L_f11; die zweite typische Linie TL₂₁ und ihr frontaler Teil L_f21; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 1E1 gegen den frontalen Teil L_f11; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2E1 gegen den frontalen Teil L_f21; die erste Ubergangsgrenze P₁₁ des Ionenflusses; die zweite Ubergangsgrenze P_x2 des Ionenflusses. Beispiele, vorgestellt in den 240 bis 243 zeigen, dass alle ausgefuehrten Thesen für alle verlängerten Formen der P-Massreflektoren gültig sind; mit zunehmender Steigerung der Reflexionswinkel werden sie zu Brechungswinkeln und in diesem Fall muss man in den Transfersubsystemen anstelle der IO Reflexionsknoten IO Brechungsknoten verwenden.
In den 244 bis 248 sind Übergänge des Ionenflusses durch symmetrisch-monoplanare Richtungen des kanalen Ionenflusses dargestellt. Dabei werden für die Überleitung des kanalen Ionenflusses vorzugsweise Transfersubsystemen mit symmetrischßmonoplanaren Ein-Ausgängen genutzt, die es ermöglichen, das kanale Ionenfluss durch frontale Linienteile der zwei P-Schlingenreflektoren oder durch typische Linien der einfachen P-Mehrreflektoren zu transferieren.
In der 244 sind dargestellt: die typische Linie SL₁₁; die typische Linie SL₂₂; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 1A2 gegen die typische Linie SL₁₁; der Brechungswinkel ϑ '' / 2A2 gegen die typische Linie SL₂₂. Dabei sind die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses (P_u1 und P₁₂) außer Rahmen der typischen Linien SL₁₁ und SL₂₂.
In der 245 sind dargestellt: die typische Linie SL₁₁; die typische Linie SL₂₂; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 1B2 gegen die typische Linie SL₁₁; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2B2 gegen die typische Link SL₂₂; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses P_m1 und P_m2
In der 246 sind dargestellt: die typische Linie SL₁₁; die typische Linie SL₁₁; der Brechungswinkel ϑ '' / 1C2 gegen die typische Linie SL₁₁; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2C2 gegen die typische Linie SL₂₂; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflussesnepsaß P_m1 und P_m2. Dabei ist die yweite Grenze P_u2 außer Rahmen der tzpischen Linie SL₂₂
In der 247 sind dargestellt: die typische Linie SL₁₁; die typische Linie SL₂₂. der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 1D2 gegen die typische Linie SL₁₁; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2D2 gegen die typische Linie SL₂₂; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses P_u1 und P_u2.
In der 248 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₁ und ihr frontaler Teil L_f11; die zweite typische Linie TL₂₂ und ihr frontaler Teil L_f22; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / iE2 gegen den frontalen Teil L_f11; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ '' / 2E2 gegen den frontalen Teil L_f22; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses P₁₁ und P_x2.
In den 249–252 sind dargestellt Übergänge des Ionenflusses durch benachbarte Feature-Linien der P-Schlingenreflektoren.
In der 249 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₂ und ihr diagonaler Teil L_d12; die zweite typische Linie TL₂₂ und ihr diagonaler Teil L_d22; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ '' / 2E2 gegen den diagonalen Teil L_d12; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ '' / 2E2 gegen den diagonalen Teil L_d22; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses P₁₁ und P_x2.
In der 250 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₂ und ihr diagonaler Teil Ld₁₂; die zweite typische Linie TL₂₁ und ihr diagonaler Teil L_d21; Brechungswinkel ϑ '' / 2F1 gegen den diagonalen Teil L_d12; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2F2 gegen den diagonalen Teil L_d21; die erste und die zweite Übergangsgrenzen des Ionenflusses P_1mP_2m.
In der 251 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₂ und ihr diagonaler Teil L_d12; die zweite typische Linie TL₂₁ und ihr diagonaler Teil L_d21; Brechungswinkel ϑ '' / 1G2 gegen den diagonalen Teil L_d12; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / 2G2 gegen die diagonale Linie L_d21; die erste und die zweite Übergangsgrenzen P_u1 und P_u2.
In der 252 sind dargestellt: die erste typische Linie TL₁₂ und ihr diagonaler Teil L_d12; die zweite tzpische Linie TL₂₁ und ihr diagonaler Teil L_d2/2; der Eintritts-Reflexionswinkel ϑ + / H2 gegen den diagonalen Teil L_d12 und den L_d2/2
In den 253 bis 257, projeziert an den Flächen ħ der P-Massreflektoren sind schematisch einige vorzügliche Arten des Ionenflussesübergangs zwischen mehreren Formen verlängerter P-Massreflektoren dargestellt. In der 253 sind dargestellt: das P-Massreflektor mr1, das P-Massreflektor mr2, das P-Massreflektor mr3 und das P-Massreflektor mr4; Übergangssymbol T_↓u1 ins P-Massreflektor mr1 des fallenden Ionenflusses; das Symbol des benachbarten ersten unteren Übergangs T →_l1 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr1 ins P-Massreflektor mr2; das Symbol des ersten oberen Ausgangs T_↑u1 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr2; das Symbol des benachbarten direkten ersten oberen Übergangs T →_u1 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr2 ins P-Massreflektor mr3; das Symbol des benachbarten direkten zweiten Übergangs T →_l2 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr3 ins P-Massreflektor mr4; das Symbol des zweiten oberen Ausgangs T_↑u2 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr4.
In der 254 sind dargestellt: das P-Massrefletor mr1, das P-Massreflektor mr2 und das P-Massreflektor mr3; das Übergangssymbol T_↓u1 ins P-Massenreflektor mr1 des fallenden Ionenflussses; das Symbol des ersten unteren gegenläufigen Übergangs T ⌢_l1; das Symbol des benachbarten zweiseitigen ersten oberen Übergangs T ↔_u1 des Ionenflusses zwischen dem P-Mehrreflektor mr1 und dem P-Massreflektor mr2; das Symbol des zweiten unteren gegenläufigen Übergangs T ⌢_l1; das Symbol des benachbarten zweiseitigen zweiten oberen Übergangs T ↔_u2 des Ionenflusses zwischen dem P-Massreflektor mr2 und dem P-Massenreflektor mr3; das Symbol des dritten unteren gegenläufigen Übergangs T ⌢_l3; das Symbol des oberen Ausgangs T_↑u des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr3.
In der 255 sind dargestellt: das P-Massreflektor mr1, das P-Massreflektor mr2 und das P-Massreflektor mr3; das Übergangsszmbol T_↓u1 ins P-Massreflektor mr1 des fallenden Ionenflusses; das Symbol des benachbarten zweiseitigen unteren Übergangs T ↔_l des Ionenflusses zwischen dem P-Massreflektor mr1 und dem P-Massreflektor mr2; das Symbol des benachbarten zweiseitigen oberen Übergangs T ↔_u des Ionenflusses aus dem P-Massreflektor mr2 ins P-Massreflektor mr3; das Symbol des oberen entgegenkommenden Übergangs T ⌢_u; das Symbol des unteren entgegenkommenden Übergangs T ⌢_l; das Symbol des oberen Ausgangs T_↑u des Ionensflusses aus dem P-Massreflektor mr1; das Symbol des unteren Ausgangs T_↑l des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr3.
In der 256 sind dargestellt: das P-Massreflektor mr1, das P-Massreflektor mr2, das P-Massreflektor mr3 und das P-Massreflektor mr4; Übergangssymbol T_↓u1 ins P-Massreflektor mr1 des fallenden Ionenflusses; das Symbol des benachbarten ersten unteren Übergangs T →_l1 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr1 ins P-Massreflektor mr2; das Symbol des ersten oberen Ausgangs T_↑u1 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr2; das Symbol des benachbarten direkten ersten oberen Übergangs T →_u1 des Ionenflusses aus dem P-Massreflektor mr2 ins P-Massreflektor mr3; das Symbol des benachbarten direkten zweiten Übergangs T →_l2 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr3 ins P-Massreflektor mr4; das Symbol des zweiten oberen Ausgangs T_↑u2 des Ionenflusses vom P-Massreflektor mr4.
Das in der 256 dargestellte System der P-Massreflektoren ist mit der Möglichkeit seiner Verwendung im laufend-monozyklischem Modus bereitgestellt. In der 257 sind dargestellt: das P-Massrefletor mr1, das P-Massreflektor mr2 und das P-Massreflektor mr3; das Übergangssymbol T_↓u1 ins P-Massenreflektor mr1 des fallenden Ionenflussses; das Symbol des ersten unteren gegenläufigen Übergangs T ⌢_l1; des Ionenflusses aus dem P-Massreflektor mr1 ins P-Massreflektor mr2; das Symbol des ersten oberen Ausgangs T_↑u1 des Ionenflusses aus dem P-Massreflektor mr2; das Übergangssymbol T_↓u2 ins P-Massreflektor mr3 des fallenden Ionenflusses; das Symbol des benachbarten direkten zweiten unteren Übergangs T ↔_l2 aus dem P-Massreflektor mr1 ins P-Massreflektor mr2; das Symbol des zweiten oberen Ausgangs T_↑u2 des Ionenflusses aus dem P-Massreflektor mr4.
Präsentiertes in Figur P-257-Massreflektionssystem erlaubt den Einsatz in Dual-Channel-Modus. In der 258 sind dargestellt: Die erste Zeile der Chromatographie, umfassend: Pumpe PP-1, S11, Chromatographiesäule V1; die zweite chromatographische Zeile enthält: Pumpe PP-2, den Schalter S12, Chromatographiesäule V2; die dritte chromatographischen Zeile kommt mit der Pumpe PP-3, dem Schalter S13, der Chromatographiesäule V3; die vierte chromatographische Zeile kommt mit der Pumpe PP-4, dem Schalter S14, der Chromatographiesäule V4, die den ersten und den zweiten chromatographische Leitungsschalter S21 mit Zugriff auf einen Kanal oder Kanäle der MS vereint, die dritte und die vierte Zeilen chromatographischen vereint durch den Schalter S22 mit Zugang zu einem der Kanäle oder Pfade des MS. Präsentiertes in 258 System zeigt eine der möglichen Verwendungen von Multi-Channel- und/oder mehrpfadenhabendem MS.
Vorgeschlagene in der vorliegenden Erfindung, Verfahren und eine Vorrichtung zur Ermöglichung des MS-Kapazitäten gestatten eine höhere Auflösung als ihre berühmten Analogen:

a) die Methode der parallelen Massenspektrometrie im MS-Kanal zweier oder mehrere Ionenflüssen, sowie Massenspektrometrie außeraxialer Ionenflusses können die Dauer der TOF und transversalen räumlichen Aberrationen zu verkürzen;
b) die Methode der Ionenflussesre Flexion mit der Verwendung des vorgeschlagenen Kanals IO und mit den Subsystemen reflektiver Art kann die Länge des Weges des Ionenflusses verlängern (ohne die Durchquerung des Pfads des Ionenflusses und ohne der Möglichkeit, dass die leichteren Ionen mehr schwerere Ionen um einen oder mehrere Kreise (eine oder mehrere Zyklen) überholen, was zu einem Anstieg in der Dispersion von TOF Ionenmassen führt;
c) Brechungsmethoden und/oder Reflexion des Ionenflusses mit der Benutzung der vorgeschlagenen Regelteilsystemen erlauben effektiv die Struktur des Ionenflusses zu steuern und erzeugen unterschiedliche MS mit geringer Verbrauch an Material und Geometrie, was sein Gewicht und Kosten reduziert, im Vergleich zu bekannten Gegenstücken im Bereich der Massenspektrometrie bei hoher Auflösung. Das Beispiel von der Massenspektrometerarbeit (MS).

Derzeit ist der unmagnetische Massenspektrometer konzipiert und entwickelt mit Rotationssymmetrie gegen die Achsenlinie (weiter-TOF MS-F1), mit IB-Kanal gezeigt in den 133 und 134, sowie in statischen Beschreibungen zu diesen Figuren.
TOF MS-F1 funktioniert folgenderweise. Durch das ringförmige Eintrittsfenster 68 geraten dünne Ionenpakete an die örtlichen Brechechungsknoten IO, durch die Elektroden 65, 66, 67 gebildet, gemeinsam mit der Eingangselektrode 68 und zu ihnen gekehrten Oberfläche der Membran-Elektrode 64. Die transversale Geschwindigkeit der Ionen, die aus dem Eintrittsfenster 68 kommen, ist relativ gering: sie passiert vor allem dank ihrer thermischen Bewegung und bei einer Temperatur von 3000 K wird die entsprechende Energiestreuung nicht überschreitet Δε = 0,1 eV, in einigen Fällen, wie sekundäre Ionenemission wenn Gesamtenergie ausverbreitet wird (entsprechend der Summe aus der quer verlaufenden V|V∥ und longitudinale Geschwindigkeitskomponenten) bis Δε = 100 eV, die Querkomponente derene Geschwindigkeit etwa 0,1 des Geschwindigkeitsvektors beträgt, entspricht also auf Δε = 10 eV. Ionen, die aus dem ”Fenster” der Quelle durch eine deutliche Beschleunigung der elektrischen Felder erhalten werden und Energie erwerben (bzw. die Geschwindigkeit), die auf dem Gebiet der Ionenspiegel nicht kleiner als E = 1 keV ist. Der größte Teil dieser Energie entfällt auf die longitudinale Komponente der Geschwindigkeit.
Zusätzliche Querkomponenten der Geschwindigkeit und transversale Streuung des Ionenenergiepakets wird während ihrer Bewegung außerhalb der Hauptachse des Massenspektrometers erworben. Dabei sind die von den Ionen zusätzlich erworbene transversale Geschwindigkeitskomponenten auf die Hauptachse des Massenspektrometers gerichtet. Wobei die Hauptachse des Querschnitts an einem Punkt von Ionen mit der gleichen Energie durchgequert wird, so dass in der Öffnung 64 Ausgangsblende 64 nur Ionen mit Energie in einem bestimmten Bereich gelangen. Weitere Ionen erreichen die lokalen IO des Reflexionsknotens gebildet von Elektroden 61, 62, 63 zusammen mit einer reflektierenden Begrenzungselektrode 61n und zu ihnen adressierten Membrane der Elektrode 64. Ionenpaketen reflektiert in dem inhomogenen (axialsymmetrischen) elektrostatischen Feld, gelangen in das ringformige Austrittsfenster 64, das auch das Fenster des Ringdetektors ist. Die Streuung der Masse und Energie der Ionen passiert während der ganzen Weg ihrer Bewegung und zunächst zerfällt ein schlankes Ionenpaket unterschiedlicher Masse und Energie. In der Reflexionszone geraten Ionen mit mehr Energie in Längsrichtung weiter in das elektrostatische Feld als Ionen mit niedriger Energie, was die Ausrichtung auf die Ionenenergie am Austrittsfenster 64 (am Drehen des Ionendetektors) ermöglicht. So sind am Ausgangsfenster 64 Ionen in dünnen Paketen, jedes von welchen Ionen gleicher Masse enthält.
Abmessungen des Ionenkabels TOF Massenspektrometer MS-F1 sind – der Innendurchmesser der Ringelektroden ist 40 mm, der Abstand von der Ebene der Ionenquelle zum fernen Elektrodenspiegel ist 380 mm.
Experimentelle Arbeiten haben gezeigt, dass TOF MS-F1 eine relative Schwellenwert hat – 10-5, Auflösung bei 50%, der Peak des Spektrums – 650, und sie sind nicht beschränkend für diese Art von MS. Diese Daten von TOF MS-F1 sind auf dem Rekordniveau im Vergleich zu den bekannten TOF Massenspektrometern solch kleiner Größe. Die hohe Empfindlichkeit und Auflösung von TOF MS-F1 sind erreicht dank seinem wesentlich massenspektrometrischem Verfahren und seiner Vorrichtung im Vergleich zu den vorbekannten Methoden und Vorrichtungen für die Durchführung solcher Aufgaben:

1. Ionenreflexion, sowie für alle anderen Prozesse der Massenspektrometrie unter Verwendung eines inhomogenen axialsymmetrischen (ein Spezialfall -bisymmetrischen) elektrostatischen Feldes, die räumliche Verteilung von derem in allen Teilen der TOF-MS-F1 ausgewählt ist um maximal optimale Steuerung und Fokussierung des Ionenpakets und maximale Empfindlichkeit und Auflösung in der Massenspektrometrie zu leisten;
2) Ionenpakete werden aus dem ringförmigen optischen Öffnung 68 zugeführt, wobei die Membran-Elektrode 64 mit einer Öffnung 64 in dem zentralen Teil und dem ringförmigen Austrittsfenster 64 hergestellt ist;
3) Die Trennung im Raum des fallenden und die reflektierten Flusses von Ionen, sowie Dual-Winkel räumliche Fokussierung der Ionen an der Oberfläche des ringförmigen Austrittsfenster 64.

Der Beitrag des geringelten Eintrittsfenster 68 in höhere Auflösung von TOF MS-F1 kann grob eingeschätzt werden bezogen auf den Faktor, dass für TOF MS-F1, mit den gleichen anderen Parametern, hängt Empfindlichkeit von der Größe des Quellbereichs ab (je größer die Quellbereich ist, desto größer ist die Empfindlichkeit), und die Auflösung hängt von der Breite der Quelle ab (je breiter die Kraft ist, desto geringer ist die Auflösung), die unter bestimmten Bedingungen für ein ringförmiges und kreisförmiges Fenster jeweils bestimmt werden durch:
die Breite des Rings dk = π(RK2 – rk1);
den Durchmesser des Kreises, d = π ro,
wo RK2 und rk1 – entsprechend die äußeren und inneren Kreisdurchmesser des ringförmigen Fensters sind
ro – ist der Radius des runden Fensters.
Vorausgesetzt, dass die anderen Parameter gleich sind und sich nur in der Breite des Eingangsfensterns unterscheiden, zum Beispiel – RK2 = 2ro, rk1 = ro, die Fläche des ringförmigen Fensters wird relativ der Fläche des runden Fensters 3 mal größer sein.
Zu einer Reihe von signifikanten Unterschieden der vorgeschlagenen Methoden von den bekannten Methoden zählt auch die Möglichkeit quer räumlicher Streuung der Energie aufgrund welcher TOF MS-F1 in verschiedenen Modi arbeiten kann, von denen wir zwei wichtigsten erwähnen werden.

1. Beschaffungen von Massenspektren bei einem großen Durchmesser und einer geringen Öffnung quer Dispersion per Energie mit Übertragung in ein Loch fast aller Ionen des ursprünglichen Pakets. In diesem Fall arbeitet TOF MS-F1 als Erhälter der Massenspektren in einem weiten Bereich des Energiespektrums des anfänglichen Ionenpakets.
2. Beschaffungen von Massenspektren bei kleiner Durchmesseröffnung und hoher Werten der transversalen Energiedispersion. In diesem Modus mit entsprechender Änderung in den potentiellen Bestandteilselementen von TOF MS-F1 kann man das Massenspektrum in verschiedenen Teilen des Energiespektrums des anfänglichen Ionenpakets erwerben.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

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US 2009/0166528 A1 [0026]
RU 2367053 [0032, 0032]
RU 2103763 C [0034]
US 4694168 [0034]
US 6621073 B1 [0037, 0039]
US 2008/0272287 A1 [0037, 0039, 0039]
US 6717132 B2 [0040]
SU 1725289 A1 [0044, 0047]
US 7385187 B2 [0047, 0048, 0049, 0050]
US 2010/008386 A1 [0050]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

www.analyt.ru [0032]
www.niivt.ru [0032]
Werke von Spivak-Lavrov I. F. et al. [0043]
Werke von Kelman V. M., Jakuschev E. M. et al. [0043]

Claims

Ein Verfahren der Massenspektrometrie, umfassend: a) Ionisierung von Probe des Analyts in der Quellenionenblockeinheit und Ableitung von dem des Ionenstroms (Ionen), Bildung und Steuerung Ionenstromsbewegung, einschließlich dessen Dispergierung nach Ionenmassen (Massendispergierung nach der Größe deren Masse-Ladung-Verhältnisses m/z) mit Hilfe von statischen und Wechselkomponenten Magnet- bzw. Elektrischer Felder, gebildet durch die Gruppe ionenleitender Blockeinheiten, unter anderem die ionenleitenden IB-Kanäle mit Begrenzungsflächen und dem kanalspezifischen IO-Untersystem (IO-Baueinheiten), jede von denen ein Teil des MS-Kanals mit dem IO-Untersystem (die nacheinander geschalteten IB-Kanäle und der IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit) ist, dabei ist jedes kanalspezifisches Untersystem jedes ionenleitenden IB-Kanals in Form von einem oder mehreren Steuerungsuntersystemen ausgeführt oder ist mit einer schiefen Hauptachse in radialräumlicher dispergierender Form oder in mehrzurückspiegelnder Form ausgeführt; b) Ionenenerfassung mit Hilfe von einem oder mehreren Abteilungen des Detektorsystems; c) Kontrolle und Arbeitssteuerung aller Blockeinheiten des Massenspektrometers sowie die Durchführung des Informationsauswertungsverfahrens wird mit Hilfe von dem Kontrollercomputersystem ausgeführt, wobei dieses System dadurch gekennzeichnet ist, dass Bildung des Ionenstroms und dessen Steuerung anhand Verwendung von mindestens einer von den folgenden Operationen durchgeführt wird, die umfassen: a) die parallele Massenspektrometrie im MS-Kanal von zwei oder mehr Traktionenströmen (Mehrtraktionenstrom durch ein Kanal, einschließlich seiner Verbindungen mit Mehrkopplungsschnittflächen) oder die Massenspektrometrie eines außeraxialen Traktionenstroms (außeraxialer Eintraktionenstrom, einschließlich seiner Arten mit Zweikopplungsschnittflächen); b) Mehrwiederspiegelung des Ionenstroms mit Anwendung des elektrischen (ohne Magnet) kanalspezifischen IO Untersystems mehwiederspielieger Art, bestehend aus einem oder mehreren Anteilen aus der Gruppe seiner Arten, wobei diese Anteile die verlängerten dreidimensionalen P-Baueinheiten von Wiederspiegelung enthalten, unter anderem mit zweidimensionaler Reflexionszone; auch enthalten sie P-Multireflektoren von flacher Art; c) Brechung bzw. Rückspiegelung des Ionenstroms mit Anwendung des elektrischen (ohne Magnet) kanalspezifischen IO Untersystems, ausgeführt in Art des Steuerungsuntersystems, die ein oder mehr IO Baueinheiten enthält, die mit der Gewährleistung der Auswahlmöglichkeit der gegebenen räumlichen Orientierung der IO-Einheit in Bezug auf die anderen IO-Einheiten (bei ihren Vorhandensein) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des in ihn kommenden Ionenstromes ausgeführt sind, und/oder sie aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P-Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.
Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es einkanalige oder mehrkanalige Massenspektrometrie durchgeführt wird, wobei jeder MS Kanal den Ionenstrom (den Kanalionenstrom) bestehend aus einem oder mehreren Traktionenströmen (kanal-eintrakte oder kanal mehrtrakte), leitet, wobei jeder Traktionenstrom vorwiegend durch ein einzelnes Detektor das Detektorsystems gleichgerichtet.
Das Verfahren nach Anspruch l oder 2, dadurch gekennzeichnet das die Traktionenströme, die von verschiedenen Objekten/Vorgängen erzielt sind, zu ionenleitenden Blockeinheiten durch verschiedene Austrittsluken der Blockeinheit angegeben werden.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass die Traktionenströme, die aus allen oder einigen Austrittsluken kommen, unabhängig von einander oder von vorübergehender korrelativer Abhängigkeit angegeben werden (z. B. gleichzeitig oder der Reihe nach durch angegebene Zeitabstände).
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass die Größen der Massendispersion des Ionenstroms sowie dessen Dispersion nach der Energie reguliert werden, wobei die Energiespektrometrie zusammen mit der Massenspektrometrie durchgeführt wird oder die Massenspektrometrie des Ionenstroms nach den angegebenen Breiten dessen Energiespektrums durchgeführt wird.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–5, dadurch gekennzeichnet, dass ein einzyklischer oder mehrzyklischer Ionendurchlauf durch ein oder mehr ionenleitende IB-Kanäle durchgeführt wird.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–6, dadurch gekennzeichnet, dass die Massenspektrometrie durch Anwendung eines Betriebs der gewählten aus den Anteilen Reihe durchgeführt, wobei diese Reihe enthält: einstufige Form, MS/MS-Typ, MS(n)-Typ.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–7, dadurch gekennzeichnet, dass es radialräumliche Fokussierung des Ionenstroms auf oder neben dem Spürgerät nach einer oder zwei radialräumlicher Richtungen durchgeführt wird.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–8, dadurch gekennzeichnet, dass es radialräumliche Fokussierung des Ionenstroms nach der Richtung dessen Bewegung vorwiegend durch regulierbare Brummspannung durchführt.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–9, dadurch gekennzeichnet, dass die Flugzeitsmassenspektrometrie vom MS(n)-Typ oder vom MS/MS-Typ anhand des Verfahrens der angelegten Zeit durchgeführt wird.
Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1–10, dadurch gekennzeichnet, dass es auf oder neben dem Spürgerät die energetische Flugzeitsbündelung (nach energetischer Zerstreuung) des Traktionenstroms durchführt, der in Form von Ionenbündeln vertretet ist.
Das Steuerungsuntersystem geladener Strahlung (einschließlich Ionenströme), die ein oder mehrere elektrische (ohne Magnet) IO-Baueinheiten enthält, einschließend zwei oder mehrere Elektroden in jedem von ihnen, wobei dieses Untersystem aus der Reihe gewählt ist, die ihre Funktionsanteile einschließt: (a) das Brechungsuntersystem, bestehend aus einem oder mehreren IO Brechungsbaueinheiten; (b) das Widerspiegelungsuntersystem, bestehend aus n lokalen IO Widerspiegelungsbaueiheiten, wobei n eine Ganzzahl ist und n ≤ 3, oder von einem oder zwei n-lokalen P-Widerspiegelungsbaueinheiten und verlängerter IO Widerspiegelungsbaueinheit ein; (c) das Untersystem der Widerspiegelung-Brechung, (das gemischte Untersystem der Brechung und der Widerspiegelung), das die Arten (a) und (b) einschließt; (d) das multifunktionale Untersystem, das ein von den oben genannten Steuerungsuntersysteme (a), (b) und (c) enthält und in welchem mindestens eine von den IO Baueinheiten multifunktional ist und ist mit der Möglichkeit mindestens zwei Anteile aus der Reihe zu wählen durchgeführt ist, wobei diese Reihe die folgenden Arbeitsweisen umfasst: brechende, widerspiegelnde und feldlose Arbeitsweisen, wobei das multifunktionale Untersystem dadurch gekennzeichnet ist, dass das eine oder mehrere IO Baueinheiten einschaltet, die die Möglichkeit besitzen die angegebene Raumrichtung der IO Baueinheit hinsichtlich der anderen IO Baueinheiten (bei deren Abwesenheit) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des in ihn kommenden Ionenstromes ausgeführt sind, und/oder sie aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P-Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass jede dessen lokale IO Baueinheit (der lokalen Art) die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Markmalen zu wählen, wobei jede lokale IO Baueinheit nach funktionalen Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); der lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten (einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion), vertikale zweizonale lokale IO Widerspiegelungsbaueinheiten; lokale multifunktionale IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen, wobei jede lokale Baueinheit nach den konstruktiven Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich Zylinderkondensatoren); (b) die lokalen dreidimensionalen (einschließlich zweisymetrische).
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass jede dessen verlängerte IO Baueinheit als vollverlängert und massivverlängert ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Merkmalen zu wählen, wobei jede lokale IO Baueinheit nach funktionalen Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten, unter anderem monozonale, vertikale zweizonale lokale IO Widerspiegelungsbaueinheiten; der lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten (einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion), lokale multifunktionale IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen, wobei jede lokale Baueinheit nach den konstruktiven Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: (a) die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe Zylinderkondensatoren); (b) die lokalen dreidimensionalen (einschließlich zweisymmetrische): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenförmigen; die periodisch tansbiegefömig-gemischten, die periodisch gekreuzt-gemischten, die periodisch kastenförmig-gemischten, die periodisch verschieden-gemischten.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–14, dadurch gekennzeichnet, dass bei der zweisymmetrischen IO Baueinheit, die Elektrodenarbeitsflächen der IO Baueinheit vorzugsweise als flach oder gewölbt ausgeführt sind, unter anderen in Form von einem Paar der gleichen Flachflächen. Dabei werden die abgrenzenden zu einander zugewandten frontalen Linien mindestens eines Paars Elektroden durch die Kurven zweiten Grades umgeschrieben.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–14, dadurch gekennzeichnet, dass bei dessen achsensymmetrischen IO Baueinheit vorzugsweise die Elektrodenarbeitsfläche aus der Reihe gewählt sind, die das Folgende einschließt: die Zylinderflächen; die Fläche in Art von Konussegmenten; die Drehungsflächen, gebildet durch Drehung rund direkte Achsen, wobei bevorzugt ist, dass für den Durchlauf des Ionenstroms eine oder mehrere Elektroden mit einem oder mehreren Löchern in jedem von ihnen ausgeführt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–16, dadurch gekennzeichnet, dass dessen Arbeitsflächen der Membranen-Elektroden als flach und gewölbt ausgeführt ist.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 12–17, dadurch gekennzeichnet, dass dessen Fläche der Außenelektrode der IO Baueinheit seitens der Ionenwiderspiegelung senkrecht zu der Achse (die Elektrode-Begrenzer) oder zu der Spiegelebene der angrenzenden an ihm Elektrode liegt.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es die P-Baueinheit einschließt, dabei ist das mit der Funktion Ionenbewegung ungefähr neben der M-Fläche der P-Baueinheit ausgeführt.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass seine P-Baueinheit zum Typ der P-Wiederspiegelungbaueinheit oder zum Typ der multifunktionaler P-Einheit gehört, dabei enthält das Steuerungsuntersystem zusätzlich mindestens eine IO Brechungsbaueinheit, vorwiegend in Form der P-Baueinheit, wobei die Eingang- und Ausgangsmittelflächen dieser zwei P-Baueinheiten ungefähr zusammengesetzt sind und parallel zueinander liegen.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es die P-Baueinheit umfasst und dabei die Ionenbewegungmöglichkeit ungefähr neben der lateral-aufrechten Fläche der P-Baueinheit besitzt.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass seine P-Baueinheit zum Typ der P-Wiederspiegelungsbaueinheit oder zur multifunktionalen P-Baueinheit gehört und dabei umfasst das System zusätzlich mindestens eine IO Brechungsbaueinheit, vorwiegend in Form der P-Einheit.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die lateral-aufrechten Flächen dessen zwei P-Baueinheiten ungefähr zusammengesetzt sind oder parallel zueinander liegen.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es zwei Baueinheiten besitzt, deren Winkel β₍₁₂₎₁ zwischen Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn von dem Vektor der „Begleitung-1” n →₍₁₂₎ (der Einzelvektor, der von der zweiten IO Baueinheit zur dritten IO Baueinheit gerichtet ist und der annähernd die effektiven Einwirkstellen von Widerspiegelung und Brechung zusammensetzt) zum Einzelachsenvektor n →₁ der ersten IO Baueinheit, im Rahmen 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt ist und der Winkel β₍₁₂₎₂ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn von dem Vektor n →₍₁₂₎ zum Einzelachsenvektor n →₂ der zweiten IO Baueinheit, ist im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es zwei Baueinheiten besitzt, deren Winkel β₍₁₂₎₁ ist im Rahmen 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt und der Winkel β₍₁₂₎₂ ist im Rahmen π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π begrenzt.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, das der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₂ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor der „Ableitung-2” n →₍₂₃₎ (der Einzelvektor, der von der zweiten IO Baueinheit zur drittem IO Baueinheit gerichtet ist und aufgestellt auf der Linie, der annähernd die effektiven Einwirkstellen von Widerspiegelung und Brechung des Traktionenstroms der ertsen IO Baueinheit und zweiten IO Baueinheiten zusammensetzt) zur Einzelnachsenvektor n →₂, im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ zwischen den Vektoren, ausgezählt entgegen dem Uhrzeigersinn vom Vektor n →₍₂₃₎ zum Einzelnachsenvektor n →₃ der dritten IO Baueinheit, im Rahmen π ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ 3π / 2 begrenzt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass das es drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 0 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₂ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₃ im Rahmen π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π begrenzt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 12–18, dadurch gekennzeichnet, dass es drei gleiche IO Baueinheiten besitzt, die so liegen, dass der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₁₂₎₁ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₁₂₎₁ im Rahmen π ≺ β₍₁₂₎₂ ≺ 3π / 2 begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₂ im Rahmen 3π / 2 ≺ β₍₂₃₎₂ ≺ 2π begrenzt ist, der Winkel β₍₂₃₎₃ im Rahmen π / 2 ≺ β₍₂₃₎₃ ≺ π begrenzt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 24–28, dadurch gekennzeichnet, dass es die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (Ionenstromlinie) in verschiedenen Flächen in Feld und nach dem Feldausgang des Steuerungsuntersystems aufzustellen.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 24–28, dadurch gekennzeichnet, dass es die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf einer Ebene aufzustellen, unter anderem parallel zu deren Aufstellung bis zum Feldeingang nach dem Feldausgang.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 24–28, dadurch gekennzeichnet, dass es als waagerecht-flugbahnfest ausgeführt ist und ausgeführt ist mit der Möglichkeit des gemittelten Vektors des Traktionenstroms durch und neben der M-Fläche der P-Baueinheiten.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Eingang- und Ausgangsmittelflächen der P-Baueinheiten vorwiegend zusammengesetzt sind und parallel zwischen einander aufgestellt sind.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass es zwei P-Baueinheiten besitzt, deren Eingang- und Ausgangsflächen sich unter dem Winkel ϖ_☐ kreuzen, wobei dieses System die Möglichkeit besitzt, annähernd die Schnittlinien mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den P-Baueinheiten zusammenzusetzen, dabei ist der Winkel ϖ_☐ im Rahmen 0 ≺ ϖ_☐ ≺ π / 2 begrenzt.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass es in Form des Widerspiegelungssystems ausgeführt ist, dabei die Projektionen ϑ ' / ☐1y und ϑ ' / ☐2y die den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Fundamentebene (die mit der Koordinatenebene yz zusammengesetzt ist) und die Projektionen ϑ ' / ☐1x und ϑ ' / ☐2x, den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Längsebene (die mit der Koordinatenebene xz zusammengesetzt ist) unter der Bedingung ϑ ' / ☐1 = ϑ ' / ☐2, werden entsprechend den Formeln

wo ϑ ' / ☐1 – der Widerspiegelungseinfallwinkel der anderen P-Baueinheit.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 29–34, dadurch gekennzeichnet, dass es in Form des Widerspiegelungsuntersystems oder multifunktionalen Untersystems ausgeführt ist, dabei das zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungsbaueinheiten einschließt, vorwiegend das einschließt die IO Einzellinsenbaueinheiten.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens eine der IO Baueinheiten zum Typ der P-Baueinheit gehört, deren Eingang und Ausgangsmittelflächen annähernd zusammengesetzt sind oder parallel zur Eingangs bzw. Ausgangsmittelspiegelflächen einer oder zwei damit grenzenden P-Widerspiegelungseinheiten aufgestellt sind.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 24–28, dadurch gekennzeichnet, dass es als aufrecht-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (Ionenleitbahn) durch und neben der aufrecht-flugbahnfesten Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass in dem die aufrecht-flugbahnfesten Flächen der P-Baueinheiten annähernd zusammengesetzt sind oder parallel zwischeneinander aufgestellt sind.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass es zwei P-Baueinheiten einschließt, die aufrecht-flugbahnfesten Flächen besitzt, die sich unter dem Winkel ϖ_⊥ kreuzen und mit der Möglichkeit ausgeführt ist annähernd die Linien deren Überquerung mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms in der Mitte des Abstands zwischen den P-Baueinheiten zusammenzusetzen, dabei ist der Winkel ϖ_⊥ im Rahmen 0 ≺ ϖ_⊥ ≺ π / 2 begrenzt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass es in Form des Widerspiegelungssystems ausgeführt ist, dabei die Projektionen ϑ ' / ☐1y und ϑ ' / ☐2y, die den Winkeln und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Fundamentebene (die mit der Koordinatenebene yz zusammengesetzt ist) und die Projektionen ϑ ' / ☐1x und ϑ ' / ☐2x, den Winkeln ϑ ' / ☐1 und ϑ ' / ☐2 entsprechen, auf dessen Längsebene (die mit der Koordinatenebene xz zusammengesetzt ist) unter der Bedingung ϑ ' / ☐1 = ϑ ' / ☐2, werden entsprechend den Formeln

wo ϑ ' / ☐1, – der Widerspiegelungseinfallwinkel der einen P-Baueinheit, – der Widerspiegelungseinfallwinkel der anderen P-Einheit.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 29, 30, 37–40, dadurch gekennzeichnet, dass es in Form des Widerspiegelungsuntersystems oder multifunktionalen Untersystems ausgeführt ist, dabei schließt es zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungsbaueinheiten ein, vorwiegend schließt es die IO Einzellinsenbaueinheiten ein.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens eine der IO Einheiten zum Typ der P-Einheit gehört, deren Eingang und Ausgangsmittelflächen annähernd zusammengesetzt sind oder parallel zur Eingangs bzw. Ausgangsmittelspiegelflächen einer oder zwei damit grenzenden P-Widerspiegelungseinheiten aufgestellt sind.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass es als der Eingang-Ausgang der mehrflächigen Form ausgeführt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, dass es vorwiegend mit dem Eingang-Ausgang der symmetrisch-mehrflächigen Form ausgeführt ist, die vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist, die in einem der Ansprüche 31–42 genannten Steuerungsuntersysteme umfasst.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass es in der einflächigen zweizurückstrahlenden Form oder in der einzurückstrahlenden einflächigen Form ausgeführt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, dass es mit dem antiparalellen Eingang-Ausgang ausgeführt ist und vorzugsweise aus der Reihe gewählt ist, die in einem der Ansprüche 19–23, 30 genannten Steuerungsuntersysteme umfasst.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, dass es mit dem unter dem Winkel konvergenten (schiefwinkeligen) Eingang-Ausgang ausgeführt ist.
Das Steuerungsuntersystem nach einem der Ansprüche 19–47, dadurch gekennzeichnet, dass es mindestens eine Membrane-Elektrode mit einem Loch besitzt, dabei ist die Form des Loches aus der Reihe gewählt, die kreisförmigen, ovalen, viereckigen Formen sowie die abgerundete Form und viele anderen Formen einschließt.
Das Steuerungsuntersystem nach Anspruch 48, dadurch gekennzeichnet, dass das Loch seiner Membrane-Elektrode die Möglichkeit besitzt, dass dieses Loch sich mit dessen Mittelfläche und der Mittellinie des Steuerungsuntersystems kreuzen könnte, wobei mindestens eine Membrane-Elektrode die Möglichkeit besitzt die Größe und Form deren Loch zum Wechsel der Kenndaten des Steuerungsuntersystems manuell bzw. elektronisch zu regeln.
Der P-Mehrreflektor zu Steuerung des Ionenstroms, der die Möglichkeit besitzt mehr als vier Widerspiegelungen des Ionenstroms ins Feld durchzuführen, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er in Gangart mit enger Form oder in flacher Art mit enger oder breiter Form ausgeführt ist, dabei der P-Mehrreflektor mit enger Form (der Flach- oder Gangart) aus den Anteilen der Reihe gewählt ist, der die geradlinig-widerspiegelnden, einaugig-widerspiegelnden, zweiaugig-widerspiegelnden und Stauung- und Spiegeltype umfasst, wobei der P-Mehrreflektor mit breiter Form der flachen Art ist aus der Reihe der Anteile gewählt ist, die die gebogene Bauart des zweiten Grad und die n-winkelige Bauart umfasst.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass jede dessen lokale IO Baueinheit (der lokalen Art) die Möglichkeit besitzt sie nach funktionalen und konstruktiven Merkmalen zu wählen, wobei jede lokale IO Baueinheit nach funktionalen Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: die lokale Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); der lokale IO Spiegel oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten (einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion), unter anderem die monozonalen, vertikalen zweizonalen lokalen 10 Widerspiegelungsbaueinheiten; die lokalen (jedes Paar der Widerspiegelungsbaueinheiten besitzt eine oder mehrere gemeine Elektroden), multifunktionalen IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen gewählt aus der Reihe die Brechung, Widerspiegelung und feldloses Betrieb einschließt, wobei jede lokale IO Baueinheit nach den konstruktiven Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Zylinderkondensatoren); (b) Die lokalen dreidimensionalen Type (einschließlich der zweisymmetrischen Type): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenförmigen; die periodisch transbiegeförmig-gemischten, die periodisch gekreuzt-gemischten, die periodisch kastenförmig-gemischten, die periodisch verschieden-gemischten.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass jede dessen lokale IO Baueinheit mit der Möglichkeit sie nach funktionalen und konstruktiven Markmalen zu wählen, wobei jede lokale IO Baueinheit nach funktionalen Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann, die vorzugsweise die folgenden deren Type (funktionale Type) einschließt: die lokalen Brechungsbaueinheiten (lokale IO Linse, lokale teleskopische IO Baueinheiten, lokale IO Prismen, lokale zylindrische und flache Kondensatoren); der lokale IO Spiegel (einschließlich zweidimensionaler Widerspiegelungszone) unter anderem monozonale, vertikale zweizonale und horizontal-zweizonale verlängerte oder IO Widerspiegelungsbaueinheiten (einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion), unter anderem die monozonalen, vertikalen zweizonalen lokalen IO Widerspiegelungsbaueinheiten; die lokalen multifunktionalen IO Baueinheiten, durchgeführt mit der Möglichkeit sie mindestens in zwei Betrieben zu benutzen gewählt aus der Reihe, die Brechung, Wiederspiegelung und feldloses Betrieb einschließt, wobei jede lokale Baueinheit nach den konstruktiven Merkmalen aus der Reihe gewählt sein kann jede lokale IO Baueinheit aus der Reihe gewählt sein, die vorzugsweise die folgenden deren Type (konstruktive Type) einschließt: a) die lokalen zweidimensionalen Type: kartesisch-zweidimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Flachkondensatoren) und kartesisch-eindimensionale auf der Fläche (einschließlich der nichteinheitlichen Höhe und Zylinderkondensatoren); (b) die lokalen dreidimensionalen Type (einschließlich der zweisymmetrischen Type): die sektoral-transbiegeförmigen; die periodisch sektror-transsaksialen; die periodisch keilförmigen; die periodisch konusartigen; die periodisch gekreuzten; die periodisch kastenförmigen; die periodisch tansbiegeförmig-gemischnten; die periodisch gekreuzt-gemischten; die periodisch kastenförmig-gemischten; die periodisch verschieden-gemischten.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass er als der Einheitstyp des zweiten Grads der geschweiften Bauart ausgeführt ist und eine Elektrodengruppe einschließt, wobei die angrenzenden zueinander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die Kurven des zweiten Grad und deren Teile umgeschrieben werden, wobei mindestens eine von den Elektroden vorzugsweise mit einem oder mehreren Löcher für den Eingang und Ausgang Ionenströme durchgeführt ist.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass er als der Sektoreinheitstyp des zweiten Grad der geschweiften Bauart ausgeführt ist und eine Elektrodengruppe einschließt, wobei die angrenzenden zueinander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die Teile (Sektoren) der Kurven des zweiten Grad umgeschrieben werden, wobei der Sektorenöffnungswinkel y_l (der Winkel zwischen den zwei Halbmessern der abwesenden Teile) vorzugsweise durch die Ungleichheit y_l < 3d / r bestimmt wird, wo d und r dementsprechend der Mittelabstand zwischen den Elektrodenbelegungen (die Mittelgröße) und Außenhalbmesser der Innenelektrode sind.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 53 und 54, dadurch gekennzeichnet, dass dessen Type des zweiten Grads der geschweiften Bauart als monozonal und vertikal-bizonal, vorzugsweise dreidimensional ausgeführt sind.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 53–55, dadurch gekennzeichnet, dass in seinen Typen des zweiten Grads der geschweiften Bauart der Abstand von dessen geometrischer Plattenmitte bis zum nächsten Elektrodenabstand beträchtlich den Mittelabstand zwischen den Elektrodenbelegungen übergreift.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass er als der Einheitstyp der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und eine Elektrodengruppe einschließt, dabei werden die angrenzenden zu einander zugewandten frontalen Elektrodenlinien durch die laufenden Linien umgeschrieben, jede von denen n-gleichwinkeliges regelmäßiges Viereck formt, und jede Elektrode besteht aus n-Sektoren, wobei jede Elektrodengruppe des Widersiegelungsuntersystems vorzugsweise mit einem oder mehreren Löcher für den Eingang und Ausgang Ionenströme durchgeführt ist.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass der als j/n-Sektoreinheitstyp der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und schließt die j winkel-sektoralen Teile (der Sektoren) des Einheitstyps der n-winkeligen Bauart des P-Mehrreflektor ein, vorzugsweise schließt die n – 1 Flächen ein.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass er als der verschiedenwinkelige Typ der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und die Gruppe der n-lokalen P-Widerspiegelungsbaueinheiten einschließt, die als eine lokale P-Baueinheit auf jede Fläche (Sektrorgruppe der P-Widerspiegelungsbaueinheiten) des n-winkeligen Vieleckes aufgestellt sind, dabei schließt er vorwiegend die P-Widerspiegelungsbaueinheiten, gewählt aus der Reihe, die deren Type einschließt, die in Anspruch 51 erwähnt wurden.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass er als der j/n-sektoral/verschiedenwinkelige Typ der n-winkeligen Bauart ausgeführt ist und j des granosektoralen Teils (der Sektoren) der verschiedenwinkeligen Art des n-winkeligen Bauart des P-Mehrreflektors einschließt und vorzugsweise die n – 1 Flächen einschließt, dabei schließt er vorwiegend die P-Widerspiegelungsbaueinheiten ein, gewählt aus der Reihe, die deren Type einschließt, die in Anspruch 51 erwähnt wurden.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 57–60, dadurch gekennzeichnet, dass in dessen Typen der n-winkeligen Bauart die Flächenzahl aufgrund der Gleichheit π ≈ 2πR / 3d gewählt wird, dabei ist n – die Flächenzahl (vorzugsweisen – die ungerade Ganzzahl und n ≥ 5), d – der Mittelabstand zwischen den Elektrodenbelegungen (die Spaltenbreite), R – der Abstand von der Plattenmitte des P-Mehrreflektors bis zu, Elektrodenabstand.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 53–61, dadurch gekennzeichnet, dass dessen flache Arten die Möglichkeit besitzen die widergespiegelten Bewegungskurven zu auftragen außerhalb des Feldes des P-Mehrreflektors in der Projektion auf dessen Fundamentebene annährend wie die widergespiegelten von der einheitlichen effektiven Fläche mit dem Schnitt, umgeschrieben durch die Kurve des zweiten Grads.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 53–62, dadurch gekennzeichnet, dass dessen flache Arten als einzonal oder zweizonal ausgeführt sind.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 50–52, dadurch gekennzeichnet, dass bei dessen enger Form (flacher Art oder Gangart) er einschließt vorzugsweise die P-Widerspiegelungsbaueinheiten, gewählt aus der Reihe, die deren Type einschließt, die in Ansprüchen 51 und 52 erwähnt sind, wobei jeder Typ des P-Mehrreflektors die Möglichkeit besitzt Ionen durch die Typenlinie zu bewegen und entsprechend den Anforderungen zu den Eingang- und Ausgangsströmen bei Widerspiegelung von jeder P-Widerspiegelungsbaueinheit ist das Verhältnis der Breite (der Längenabmessung) L_Q des P-Mehrreflektors zu dessen Stärke (zur Querabmessung) L_MRh in der Projektion auf dessen Fundamentebene im Rahmen
begrenzt; zwischen den P-Widerspiegelungsbaueinheiten, in der Fläche der Mitte dessen Länge ist der feldlose Raum herausgebildet ist (feldloser Raum).
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 64, dadurch gekennzeichnet, dass bei dessen geradlinig-widerspiegelndem Typ er zwei einzonale P-Widerspiegelungsbaueinheiten einschließt, aufgestellt gegen einander bei der Parallelität deren Achsenvektoren, die in der gleichen Fläche liegen (in der Mittelfläche des P-Mehrreflektors), und der P-Mehrreflektor besitzt die Möglichkeit Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf die Fundamentebene des P-Mehrreflektors besitzt annähernd die Form gerader Strecke.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 64, dadurch gekennzeichnet, dass er als schleifenartig-widerspiegelnd ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf dessen Fundamentebene besitzt Linienform annähernd der schleifenartigen Form und dabei schließt er vorzugsweise mindestens eine bizonale P-Widerspiegelungsbaueinheit ein.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 64, dadurch gekennzeichnet, dass er in der bügelformig-widerspiegelnden Art ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, die auf dessen Fundamentebene annähernd Linienform V-förmiger form besitzt und dabei besitzt vorwiegend drei P-Widerspiegelungsbaueinheiten, aufgestellt auf den Randen (die randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten) und annähernd auf dem Endpunkt (die mittlere P-Widerspiegelungsbaueinheit) erwähnter V-förmiger Kurve. Dabei ist die mittlere Widerspiegelungsbaueinheit vorwiegend in Form der bizonalen P-Baueinheiten ausgeführt, zum Beispiel ist er als monozonal oder kartesisch-zweidimensional ausgeführt.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 67, dadurch gekennzeichnet, dass in dessen bügelformig-widerspiegelnder Art der Abstand von beliebigem Abstand der P-Widerspiegelungsbaueinheit bis zur mittleren P-Widerspiegelungsbaueinheit um Mehrfach mehr ist, als der Abstand zwischen zwei randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten, dabei ist zwischen den randseitigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten von einer Seite und der mittleren P-Widerspiegelungsbaueinheit von anderer Seite der feldlose Raus herausgebildet ist.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 64, dadurch gekennzeichnet, dass er als zweischleifenartig-widerspiegelndem Typ ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt Ionen nach deren Stromlinie zu bewegen, deren Projektion auf dessen Fundamentebene besitzt die Bogenlinienform, bestehend aus zwei dreieckförmigen Teilen (Schleifen) mit einem gesamten Endpunkt, herausbildend deren Fixpunkt, dabei enthält er vier P-Widerspiegelungsbaueinheiten, aufgestellt einzelweise auf jedem Endpunkt (nicht auf dem Baueinheitsendpunkt) jeder Schleife.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 69, dadurch gekennzeichnet, dass in dessen bügelformig-widerspiegelndem Typ ist das Verhältnis der Breite (des Längsmaßes) L_Q des P-Mehrreflektors zu dessen Stärke (der Querabmessung) L_MRh in der Projektion auf dessen Fundamentebene im Rahmen
begrenzt ist; zwischen den P-Widerspiegelungsbaueinheiten, in der Fläche der Mitte dessen Länge ist der feldlose Raum herausgebildet ist.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 69 oder 70, dadurch gekennzeichnet, dass dessen bügelformig-widerspiegelnder Typ symmetrisch und antisymetrisch hinsichtlich dessen zwischenschleifiger Fläche der Typenlinie ausgeführt ist, die die gemittelte Mittelfläche ist sowie ist annähernd dessen geometrische Mittelfläche, die die einschleifigen P-Widerspiegelungsbaueinheiten auf verschiedenen Seiten der zwischenschleifigen Fläche verteilt.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 64–71, dadurch gekennzeichnet, dass bei dessen Gangart er die verlängerten P-Widerspiegelungsbaueinheiten einschließt, gewählt aus der Reihe, die deren Varianten einschließt, die in Anspruch 52 erwähnt sind.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 72, dadurch gekennzeichnet, dass die linearen Achsen der P-Widerspiegelungsbaueinheiten parallel zu einander aufgestellt sind.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 72 und 73, dadurch gekennzeichnet, dass eine von dessen zwei zusammenverbundenen P-Baueinheiten als kartesisch-zweidimensional ausgeführt ist, und die zweite ist als dreidimensional ausgeführt.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 72 und 73, dadurch gekennzeichnet, dass dessen zwei zusammenverbundenen P-Baueinheiten als dreidimensional ausgeführt sind.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 72–75, dadurch gekennzeichnet, dass dessen er zusätzlich eine oder mehrere IO Brechungseinheiten, gewählt aus der Reihe, die dessen Type einschließen, die in Ansprüchen 51 und 52 erwähnt sind.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 76, dadurch gekennzeichnet, dass die IO Brechungsbaueinheiten als die lokalen IO Brechungsbaueinheiten ausgeführt sind, vorzugsweise als die lokalen IO Linsenbaueinheiten.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 77, dadurch gekennzeichnet, dass dessen lokale IO Brechungsbaueinheiten hinsichtlich der Widerspiegelungsschritte aufgestellt sind.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 76–78, dadurch gekennzeichnet, dass dessen lokale IO Brechungsbaueinheiten gleich ausgeführt sind, insbesondere sind sie als sektor-transsaksiale ausgeführt sind..
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 72–75, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich die verlängerte IO Brechungsbaueinheit einschließt, beeinflussend den Ionenstrom auf dem Weg jedes Schrittes dessen Brechung, aufgestellt im Driftraum (außerhalb des Feldes) und gewählt aus der Reihe, die die in Anspruch 52 genannten Steuerungsuntersysteme Type der verlängerten IO P-Brechungseinheiten, vorzugsweise die verlängerten IO Linsenbaueinheiten umfasst.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 72–80, dadurch gekennzeichnet, dass er in der einseitigen reversierbaren R (m) / iV-Art ausgeführt ist (des ersten Typs bei i = 1 oder des zweiten Typs bei i = 2 und zusätzlich einschließend des Steuerungsuntersystem, die aus der Reihe gewählt ist, die deren Type enthält, die in den Ansprüchen 12–49 erwähnt sind) dessen Eingang und Ausgang des Ionenstroms nur auf einer oberen Planseite bei (m) = (U) ausgeführt ist oder auf einer unteren Planseite bei (m) = (L) aufgeführt ist.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 72–80, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt den Ionenstrom in Eingang- und Ausgangsrichtung von beider verschiedenen Planseiten zu bewegen (ist der zweiseitigen durchlaufenden R_W-Art ausgeführt).
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 64–71, dadurch gekennzeichnet, dass bei dessen flacher Art mit enger Form er zwei oder mehrere lokale P-Widerspiegelungsbaueinheiten (P-Spiegel) einschließt, gewählt aus der Reihe, die vorzugsweise deren Bauarten umfasst, die im Anspruch 51 erwähnt ist.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 83, dadurch gekennzeichnet, dass er in der nichtgeschlossenen zweischleifenartig-widerspiegelnden Typ ausgeführt ist und ist vorwiegend mit dem Eingang-Ausgang der symmetrisch-verschiedenflächigen Art ausgeführt ist.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83 und 84, dadurch gekennzeichnet, dass alle dessen P-Spiegel annähernd auf der Fundamentebene aufgestellt sind.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83 und 84, dadurch gekennzeichnet, dass dessen zweiter P-Spiegel, liegend auf einer Diagonale der Schleifenlinie mit dem ersten (Eingangs) P-Eingangsspiegel, außerhalb der Fundamentebene aufgestellt ist und die Eingang- und Ausgangsmittelflächen des zweiten P-Spiegels sind hinsichtlich der Fundamentebene des P-Mehrreflektors unter den flachen Spitzwinkeln, im Rahmen mehr null und weniger π / 4 vorzugsweise sind diese flachen Spitzwinkel gleich zwischen einander aufgestellt.
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 86, dadurch gekennzeichnet, dass die Eingang- und Ausgangsmittelflächen dessen zweiter und dritter P-Spiegel zusammengesetzt sind; die Ausgangs und Eingangsmittelflächen der ersten (des annehmenden) und zweiten P-Spiegel kreuzen sich unter dem Winkel ϖ₁₂, dabei gibt es die Möglichkeit die Durchschnittslinien deren Flächen mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den ersten und zweiten P-Spiegel zusammenzusetzen; die Mittelfläche der Spiegelgleichheit des Feldes der dritten und letzten (Ausgangs) P-Spiegel kreuzen sich unter dem Winkel ϖ₃₄, dabei gibt es die Möglichkeit die Durchschnittslinien deren Flächen mit dem gemittelten Vektor des Traktionenstroms auf der Mitte des Abstands zwischen den ersten und zweiten P-Spiegel zusammenzusetzen; vorzugsweise ϖ₁₂ = ϖ₃₄
Der P-Mehrreflektor nach Anspruch 83, dadurch gekennzeichnet, dass alle dessen P-Spiegel annähernd auf der Fundamentebene aufgestellt sind, die Eingang- und Ausgangsmittelflächen der P-Spiegel sind zusammengesetzt und liegen parallel zu einander und mindestens einer der Spiegel ist die Möglichkeit besitzt, dessen zwei oder mehr Vorschubarten des elektrischen Potentials zur Einführung in den P-Mehrreflektor und zur Ausführung von dem des Ionenstroms zu benutzen oder auch zu diesem Zweck wird die multifunktionale IO Einheit, zusätzlich zu dem P-Mehrreflektor zugeschaltet, verwendet.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83–88, dadurch gekennzeichnet, dass in dem mindestens zwei zusammenverbundene P-Spiegel, zum Beispiel im zweischiefenartigen widerspiegelnden Fall, aufgestellt auf einem diagonalen Teil der Typenlinie als bizonal ausgeführt ist und besitzt die Möglichkeit die Ionenbewegungslinien auf verschiedenen, vorzugsweise, parallelen Flächen aufzustellen.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83–88, dadurch gekennzeichnet, dass er als horizontal-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (die Flugbahn) über und neben der M-Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83–88, dadurch gekennzeichnet, dass er als horizontal-flugbahnfest ausgeführt ist und die Möglichkeit besitzt den gemittelten Vektor des Traktionenstroms (die Flugbahn) über und neben der lateral-senkrechten Fläche der P-Baueinheiten aufzustellen.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 83–91, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt dass sich verschiedene Flugbahnhaste der Ionenstromsbewegung zwischen einander am mindestens kreuzen.
Der P-Mehrreflektor nach einem der Ansprüche 64–92, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich die Brechungsbaueinheit einschließt, aufgestellt im Driftraum (außerhalb des Feldes) und gewählt aus der Reihe, die die P-Brechungsbaueinheiten vorzugsweise die lokalen IO Linsenbaueinheiten umfasst, die mit der Rotationssymmetrie ausgeführt sind oder genannt in Anspruch 51.
Der IB-Kanal des ionenleitenden Typs (der IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit der ionenleitende IB-Kanal) zur Formierung und Steuerung des Kanalionenstroms ionenleitender Kanaltyp für die Bildung und Steuerung der Bewegung des Kanalionenstroms, umfasst eine oder mehrere Begrenzungsoberflächen, welche als Ausgang der Oberfläche bzw. Ein- und Ausgangsoberfläche des Ionen-Strömungskanals sind, Ionen-Subsystem mit einem oder mehreren Ionen-Knoten, die jeweils zwei oder mehr Elektroden beinhalten. Dabei erfolgt die Ausführung des Ionenleitenden IB-Kanals als eine oder mehrere Regelteilsysteme, oder wird ausgeführt als krumme Hauptachse radialräumlicher dispergierender Form, oder wird ausgeführt als wiederspiegelnde Art, sich unterscheidend davon, dass es mit der Versorgung der Möglichkeit seiner Nutzung in den Kanal-Multitrakt erfüllt (einschließlich mehrfach verbundene Oberfläche), und/oder außerhalb der Achse (einschließlich der zweifach zusammenhängenden Oberfläche) Kanal-eintakten Regime und schaltet zwei oder mehrere Begrenzungsflächen, die bedingt definiert sind oder zumindest eins von ihnen mit der Grenzelektrode des Ionenkanal-Subsystems, ausgeführt mit einem oder mehreren Öffnungen (für den Durchgang eines Ionenkanalsstroms), in Übereinstimmung der Wahl der Grenzoberfläche, und/oder das Ionenkanal-Subsystems des IB-Kanals ist ausgeführt, elektrisch (nicht magnetisch), zumindest schaltet sie ein der aus den Anteilen ausgewählten Reihe: verlängerten dreidimensionalen P-Knoten der Reflekion, einschließlich eines zweidimensionalen Bereich der Reflexion; P-Mehrreflektor der flachen Form; dreidimensionale P-Mehrreflektor; mehrschichtigen Typen der Wiederspiegelungsart; Unterverteilungssystem, bestehend aus einem oder mehreren IO Knoten, ausgeführt mit der Wahl einer bestimmten räumlichen Orientierung der Ionenknoten in Bezug auf andere IO-Knoten (wenn vorhanden) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors in seinem handelnden Ionenstroms. und/oder ausgewählte Mitglieder der Reihe, beinhaltet lang gestreckte P-Indexknoten, dreidimensionalen P-Knoten der Reflexion, P-Knoten mit ungleichmäßige Höhen, P-Knoten reflektieren einen zweidimensionalen Bereich der Reflexion.
Der IB-Kanal nach Anspruch 94, dadurch gekennzeichnet, dass dessen Begrenzungsfläche mit der Rotationssymmetrie hinsichtlich der geraden Achse ausgefführt ist.
Der IB-Kanal nach Anspruch 95, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, im Steuerzustand des Ein- oder Zweitaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche sind aus der Reihe gewählt, die wie folgt umfasst: die kreisförmige (ovale) Fläche und die Fläche des Ringes, deren Zentren auf dem Zentrum der Rotationssymmetrie der Begrenzungsfläche aufgestellt sind; die Flächen eines oder mehrerer Teile der genannten Ringe; die Flächen der Ringgruppen, aufgestellt hinsichtlich des Zentrums der Rotationssymmetrie der Begrenzungsfläche; die Flächen eines oder mehrerer Teile der verschiedenen Ringe aus der genannten Gruppe der Ringe.
Der IB-Kanal nach Anspruch 95 und 96, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt die Achse der Rotationssymmetrie deren Begrenzungsfläche mit der Begrenzungsschnitt des eintakten Kanalionenstroms zu kreuzen (O_O-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 95 und 96, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, des Begrenzungsschnitts des eintakten Kanalionenstroms aufzustellen (O_E-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 95 und 96, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (O_EE-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 95 und 96, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt dass sich die Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche mit der Begrenzungsfläche eines trakten Bestandteils des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzt (O_OE-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 94, dadurch gekennzeichnet, dass er die Begrenzungsfläche mit der Mittelebene enthält und die Möglichkeit besitzt im Steuerzustand des Ein- oder Mehrtaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche sind aus der Reihe gewählt, die wie folgt umfasst: die Einheitsflächen und Schnittflächen der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegt; die Flächen einer oder mehrerer Teile der genannten Schnittflächen der viereckigen Röhren; die Flächen der viereckigen Streifen (einschließlich der Streifen mit Rundkropfen), vorwiegend, die parallel zur Parallelebene der Begrenzungsfläche liegt; die Schnittflächen der Gruppe der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegen; die Flächen von der zwei oder mehrerer Schnittteile verschiedener viereckigen Röhren aus der genannten Gruppe der viereckigen Röhren.
Der IB-Kanal nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (P_P-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass außerhalb der Mittelebene dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (P_E-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit den Begrenzungsflächen der trakten Bestandteile des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzt (P_PP-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt außerhalb der Achse der Rotationssymmetrie dessen Begrenzungsfläche, der Begrenzungsschnitte der Traktbestandteile des mehrtrakten Kanalionenstroms aufzustellen (P_EE-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 101, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit den Begrenzungsschnitten einiger trakter Bestandteile des mehrtakten Kanalionenstroms kreuzen (P_PE-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 94, dadurch gekennzeichnet, dass er die doppeltsymmetrische Fläche enthält und zwei senkrechte zu einander Spiegelflächen besitzt, dabei formt die Schnittlinie dieser Flächen die Hauptachse der doppeltsymmetrischen Begrenzungsfläche (der zweisymmetrische).
Der IB-Kanal nach Anspruch 107, dadurch gekennzeichnet, dass er die Begrenzungsfläche mit der Mittelebene enthält und die Möglichkeit besitzt im Steuerzustand des Ein- oder Mehrtaktkanalionenstroms benutzt zu werden, dessen Schnitte der Traktbestandteile auf der Begrenzungsfläche aus der Reihe gewählt sind, die wie folgt umfasst: die Einheitsflächen und Schnittflächen der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegt; die Flächen einer oder mehrerer Teile der genannten Schnittflächen der viereckigen Röhren; die Flächen der viereckigen Streifen (einschließlich der Streifen mit Rundkropfen), vorwiegend, die parallel zur Parallelebene der Begrenzungsfläche liegt; die Schnittflächen der Gruppe der viereckigen Röhren (insbesondere mit Rundkropfen), deren Zentren auf dem geometrischen Zentrum der Begrenzungsfläche liegen; die Flächen von der zwei oder mehrerer Schnittteile verschiedener viereckigen Röhren aus der genannten Gruppe der viereckigen Röhren.
Der IB-Kanal nach Anspruch 107 und 108, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich die Hauptachse dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (S_P-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 107 und 108, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt dessen Begrenzungsfläche, Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms außerhalb der Mittelebene aufzustellen (S_E-Art der Überschneidung) oder besitzt er die Möglichkeit dass sich die Mittelebene dessen Begrenzungsfläche mit dem Begrenzungsschnitt des eintrakten Kanalionenstroms kreuzen (S_P-Art der Überschneidung).
Der IB-Kanal nach Anspruch 107 und 108, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich S_PP-, S_EE- oder S_PE-Arten der Überschneidung der Begrenzungsfläche durch den Kanalionenstrom überschnitten werden.
Der IB-Kanal nach Anspruch 107 und 108, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt, dass sich S_OP-, S_OE- oder S_OPE-Arten der Überschneidung der Begrenzungsfläche durch den Kanalionenstrom überschnitten werden.
Der IB-Kanal nach Anspruch 94 und 112, dadurch gekennzeichnet, dass darin die Fläche beliebiger Begrenzungsfläche annähernd senkrecht zur Symmetrieachse bzw. zu der Begrenzungsebene der Mittelfläche der Feldsymmetrie entsprechend den abgrenzenden Elektroden aufgestellt ist.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–113, dadurch gekennzeichnet, dass dessen beliebige Abgrenzungsfläche mit dem Vorhandensein der Symmetrie ausgeführt ist, die der Feldsymmetrie der abgrenzenden IO-Baueinheit entspricht.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–114, dadurch gekennzeichnet, dass darin die Flächen des Eingangs bzw. Ausgangs außerhalb des Feldes aufgestellt sind.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–115, dadurch gekennzeichnet, dass darin die Fläche des Ausgangs mit der Fläche der Ausgangselektrode (die Ausgangsabgrenzungsfläche – die Elektrode) zusammengefallen ist.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–116, dadurch gekennzeichnet, dass darin die Fläche des Eingangs mit der Fläche der Eingangselektrode (die Eingangsabgrenzungsfläche – die Elektrode) zusammengefallen ist.
Fehlt.
Fehlt.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–117, dadurch gekennzeichnet, dass dessen Abgrenzungsflächen eine oder mehrere Eingangsflächen (die Flächen-a) zur Einführung des Kanalionenstroms zum IB-Kanal enthalten sowie eine oder mehrere Ausgangsflächen, die Grenzen des Kanalionenstromsübergangs zu Detektorausscheidungen (zur Fläche-d, für nachfolgende Erfassung) des Detektorsystems oder zu den Flächen-q, zu Übertragung zu anderen IB-Kanälen bestimmen.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass dessen IO Kanaluntersystem im geradlinigen Typ mit gerader Achse ausgeführt ist (mit der Möglichkeit des einseitigen geradlinigen Arbeitszustands) und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode (Membrane-Apertur), die zweite Elektrodengruppe und die Ausgangsfläche einschließt, dabei ist die Vorseite der Ausgangsfläche zur Eingangsfläche zugewandt.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass dessen IO Kanaluntersystem im widerspiegelnden Typ mit gerader Achse ausgeführt ist (mit der Möglichkeit des reflektorischen einwiderspiegelnden Arbeitszustands) und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode, die Ausgangsfläche mit dem Loch auf der Achse für Durchleitung des Kanalionenstroms in gerader Richtung, die zweite Elektrodengruppe einschließt, wobei die zweite Elektrodengruppe zusammen mit der Ausgangsfläche, die zu der zweiten Elektrodengruppe zugewandt ist, die lokale widerspiegelnde IO-Baueinheit (den IO Spiegel) formt.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass dessen IO Kanaluntersystem im Dualtyp mit gerader Achse ausgeführt ist und schließt die entlang dessen gerader Mittellinie aufgestellte die Symmetrien der Eingangsfläche, die erste Elektrodengruppe, die Membrane-Elektrode, die erste Eingangsfläche mit Loch auf der Achse für Durchleitung des Kanalionenstroms in gerader Richtung, die zweite Elektrodengruppe einschließt, wobei die Vorseite der ersten Ausgangsfläche zur der Eingangsfläche umkehrten Seite zugewandt ist (der Ausgang zur Ausführung dessen reflektorischen Arbeitszustands) und die Vorseite der Ausgangsfläche zur Eingangsfläche zugewandt (zur Ausführung dessen linearen Arbeitszustands) ist.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 121–123, dadurch gekennzeichnet, dass darin die Ausgangsflächen in Art der Flächen-d ausgeführt sind und die Grenzen der Überleitung des Kanalionenstroms zu den entsprechenden Detektorabscheidungen am Eingang des IB-Kanals bestimmen.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 121–124, dadurch gekennzeichnet, dass die Form des Loches (der Apertur) der Membrane-Elektrode (der Membrane-Apertur) aus der Gruppe der folgenden Formen gewählt ist: die kreisförmige, ovale, viereckige andere Form, deren geometrisches Zentrum ist annähernd auf dessen gerader Achse aufgestellt, und dabei besitzt vorwiegend dessen Membrane-Elektrode die Möglichkeit die Größe und die Größe und Form dessen Loches zu regeln (Handregelung bzw. elektronische Regelung).
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 121–125, dadurch gekennzeichnet, dass er die Möglichkeit besitzt das elektrische Potential mindestens auf einer Elektrode zu ändern und die Größen der quer-räumlichen Dispersion nach Energie bzw. Dispersion nach Massen zu regeln.
Der IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass dessen 10 Kanaluntersystem mit schiefer Hauptachse in quer-räumlicher dispergierender Art ausgeführt ist und schließt das Steuerungsuntersystem ein, die aus der Reihe gewählt ist, die dessen Type enthält, die in den Ansprüchen 12–49 erwähnt sind, sowie mindestens eine quer-räumliche dispergierende IO Baueinheit, gewählt aus der Reihe, die z. B. die brechenden konischen Felder, insbesondere magnetische bzw. nichtmagnetische Prismen-, Keil- und Konustype der Felder einschließt.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als ein Steueruntersystem ausgeführt ist, das aus der Reihe, ausgewählt ist, welche seine in den Ansprüchen 12–49 erwähnten Type beinhaltet und das mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von der Eingangsfläche zur Ausgangsfläche des IB-Kanals ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als Einzeltyp der multireflektierenden Art ausgeführt ist und ein P-Multireflektor enthält, der aus der Reihe ausgewählt ist, die seine in den Ansprüchen 50–93 vorzugsweise erwähnten Type erfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 129, dadurch gekennzeichnet, dass seine und des P-Multireflektors Stirnseite als die Stirnseite des P-Multireflektors bedingungsweise bestimmt ist, auf welche der Ionenstrom von der Seite der Quellenionenblockeinheit leitet, wobei ihr gegenüberliegende Stirnseite bedienungsweise die untere Stirnseite des P-Multireflektors und des IB-Kanals bildet.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 129 und 130, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich die Steueruntersysteme umfasst, die aus der Reihe ausgewählt sind, die ihre vorzugsweise in den Ansprüchen 12–49 erwähnten Type enthält, die (Type) in einer LS-Gruppe der Untersysteme für Umstellung verbunden sind, die (LS-Gruppe) in jedem Untersystem für Umstellung ein oder mehrere Steueruntersysteme enthält, wobei die Untersysteme für Umstellung in der Art der Reihe von SSTO (SSTO – das Untersystem der Außen- oder Innenumstellung) ausgeführt sind, die mit der Anwendung eines oder einigen Betriebsmodi (brechend, reflektierend und feldlos), mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung vom Ionenstrom in den Arten ausgeführt sind, welche aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die (Reihe) den Empfang aus dem Eingang (vom W_a-Eingangsfläche) des IB-Kanals und die Eingabe in den P-Multireflektor; die gegenseitige Umstellung; die Seitenumstellung; die Abführung aus dem P-Multireflektor und die Umstellung zu einer W_qm-Fläche des q-Ausganges (die der unteren bei W_qm = W_qL, oder von oberen, bei W_qm = W_qU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu zwei W_qm-Flächen des q-Ausganges (die den zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB Kanal zugeordnet sind, wobei W_qm-Flächen (die Grenzflächen) der q-Ausgänge die Grenzen des Überganges des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Ausgängen aus dem IB-Kanal bestimmen, zum Beispiel für die Umstellung auf den anderen IB-Kanal, wobei die LS-Gruppe im Ganzen mit der Gewährleistung der Möglichkeit des einmaligen (einzyklischer P-Multireflektor) oder des mehrmaligen (mehrzyklischer P-Multireflektor) Durchlaufes des kanalspezifischen Ionenstromes durch die vom P-Multireflektor gebildete Felder ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 131, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit ihres Gebrauches für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem P-Multireflektor zu einer der W_dm-Flächen – des d-Ausganges (die der unteren, bei W_dm = W_dL, oder von oberen bei W_dm = W_dU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu den zwei W_dm-W_dm-Flächen – der d-Ausgänge (die der zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet sind) ausgeführt ist, wobei die W_dm-Flächen (Grenzflächen) – der d-Ausgänge (die Ausgänge) die Übergangsgrenzen des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Detektorabteilungen der entsprechenden Anordnungen bestimmen.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor von R_W-Art und das untere SSTO (zugeordnet der unteren Stirnseite des P-Multireflektors) umfasst, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / WW_qL)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus R (L) / W – des P-Multireflektors, von seiner unteren Stirnseite zu W_ql)oder in der zweistufigen |(R (L) / WW_dL)/(R (L) / WW_qL)|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (L) / WW_dL)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus R (L) / W, zu W_dL) als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der Art.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R_W-Art und zwei SSTO umfasst, wobei ein SSTO das untere ist (zugeordnet der der unteren Stirnseite des P-Multireflektors), welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / WW_qL)-Art oder in der zweistufigen |(R (L) / WW_dL)/(R (L) / WW_qL)|-Art, ausgeführt ist und das zweite System ist das obere (zugeordnet der oberen Stirnseite des P-Multireflektors), welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit der von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von der W_a-Eingangsfläche in den R (L) / W-P-Multireflektor, von seiner oberen Stirnseite, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (W_aW_dU)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von W_a, zu W_dU) als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (W_aW_dU)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von W_a, zu W_dU) zum Durchgang des kanalspezifischen Ionenstromes durch ihn nach Richtung von der oberen Stirnteil zum seinen unteren Stirnteil ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und das SSTO umfasst, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (U) / iVW_qU)-Art (die Umstellung der Ionen: aus R (U) / iV, zu W_qU) oder in der zweistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iVW_qU)-Art, als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art, (die Umstellung der Ionen: aus dem P-Multireflektor, von seiner oberen Stirnseite zu W_dU).
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / iV)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / iV)↑|-Art, ausgeführt ist, und das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (R (U) / iVW_qU)-Art oder in der zweistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iVW_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (U) / iVW_qU)/(R (U) / iV)↑|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iVW_qU)-Art als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (R (U) / iV)↑-Art (wo (R (U) / iV)↑- der Modus der oberen gegenseitigen Umstellung, die den Empfang aus dem P-Multireflektor und die Eingabe in ihn rückwärts des kanalspezifischen Ionenstromes, von seiner oberen Stirnseite absichert) oder im Modus der (R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iV)↑/(R (U) / iVW_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R (U) / iV-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / iV)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / iV)↑|--Art ausgeführt ist, und das zweite SSTO ist ausgeführt mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (U) / iV)↑/(R (U) / iVW_qU)|-Art oder in der dreistufigen |(R (U) / iVW_dU)/(R (U) / iV)↑/(R (U) / iVW_qU)|-Art.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor der R_W-R_W-Art und das untere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (L) / W)↑/(R (L) / WW_dL)|-Art oder in der dreistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L) / W)↑/(R^(L)W_qL)|-Art (wo (R (L) / W)↑- den Modus der unteren gegenseitigen Umstellung für Empfang aus dem P-Multireflektor und zur Eingabe darin rückwärts des kanalspezifischen Ionenstromes von seiner unteren Stirnseite absichert) ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 139, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich das obere SSTO einschießt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art ausgeführt ist oder das SSTO, ausgeführt mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung in den Modi zweier Arten, nämlich in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art und in einem aus der Reihe ausgewählten Modus, welcher die einstufige (W_aR (U) / W)↑-Art und zweistufige |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art absichert.
IB-Kanal nach Anspruch 139, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑--Art, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art ausgeführt ist, wobei das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO Anwendung in der einstufigen (R (L) / W)↑-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 139, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich das obere SSTO enthält, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art, oder in der dreistufigen |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R^(U)W_qU)|-Art ausgeführt ist oder das SSTO, ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in den Modi zweier Arten, wobei eine davon aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aR (U) / W)↑-Art und die zweistufige |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art umfasst und auch die zweite ausderjenigen Reihe, welche die zweistufige |(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art und die dreistufige |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|--Art umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 139, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑--Art, oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art ausgeführt ist und das zweite SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑|-Art oder in der dreistufigen |(R (U) / WW_dU)/(R (L) / W)↑/(R (U) / WW_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 131 oder 132, dadurch gekennzeichnet, dass er den P-Multireflektor R_W-Art und das SSTO umfasst, das den unteren und oberen Stirnseiten der von P-Multireflektors umfassenden Zone zugeordnet ist und welches mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen – Art (R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)|-Art oder in der dreistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)|-Art ausgeführt ist, wo (R (L-U) / W)↑ – der Modus der Seitenumstellung (führt die Umstellung des Ionenstromes von der unteren Stirnseite auf die obere Stirnseite des P-Multireflektors, ihn vorbeigehend, und die Eingabe der Ionen in den P-Multireflektor von seiner oberen Stirnseite durch); oder umfasst zwei SSTO, wobei eins davon der Zone zugeordnet ist, welche die untere und obere Stirnseiten des P-Multireflektors umfasst und das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen (R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)-Art oder in der dreistufigen (R (L) / WW_dL)/(R (L-U) / W)↑/(R (L) / WW_qL)-Art ausgeführt ist, und das zweite SSTO ist zugeordnet der oberen Stirnseite des P-Multireflektors und ausgeführt mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU)/(W_aR (U) / W)↑|-Art.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art ausgeführt ist und das Untersystem der P-Multireflektoren ({P_μ(s)}-Gruppe) einschießt, welches zwei oder mehr P-Multireflektoren enthält, die in einer Reihe oder übereinander (etagenweise) angeordnet sind, welche aus der Reihe der P-Multireflektoren ausgewählt sind, die vorzugsweise in Ansprüchen 50–93 erwähnte P-Multireflektor-Type umfasst, wobei jeder P-Multireflektor eine Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe von einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art bildet, wobei in der {P_μ(s)}-Gruppe die Flächen der Grundlage der P-Multireflektoren zirka parallel vorzugsweise, angeordnet sind.
IB-Kanal nach Anspruch 145, dadurch gekennzeichnet, dass darin die erwähnte P-Multireflektoren vom schrittartigen Typ in einer Reihe angeordnet sind, und die P-Multireflektoren von der flachen Typ etagenweise (übereinander) angeordnet sind, wobei als die Eingangsstirnseite des IB-Kanals und der {P_μ(s)}-Gruppe vom einreihig-mehrschichtigen multireflektierenden Typ bedingungsweise ihre Stirnseite bestimmt ist, auf die der Ionenstrom von der Seite der Quellenionenblockeinheit geleitet wird, wobei ihre gegenüberliegende als die bedingungsweise untere Stirnseite des IB-Kanals und der {P_μ(s)}--Gruppe von dem einreihig-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art bedingungsweise ist.
IB-Kanal nach Anspruch 146, dadurch gekennzeichnet, dass in seinem zweischleifenartigen Bahntyp von Vierspiegel-Art, mindestens, eine Schicht als nichtgeschlossen konstruiert ist und dass er mit der Gewährleistung der Möglichkeit vom Ionenstromempfang aus einer anliegenden Schicht und der Umstellung des Ionenstroms rückwärts in dieselbe Schicht oder in die andere Schicht ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 147, dadurch gekennzeichnet, dass seine nichtgeschlossene Schicht vorzugsweise mit Eingang-Ausgang der projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 147, dadurch gekennzeichnet, dass seine Schichten mit den nichtgeschlossenen Eingang-Ausgang der projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art und mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von einer zur anderen dieser Schichten ausgeführt sind.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–120, dadurch gekennzeichnet, dass sein kanalspezifisches IO-Untersystem als mehrreihigen-mehrschichtigen Typ der multireflektierenden Art ausgeführt ist und das Untersystem der P-Multireflektoren ({P_μ(s)}-Gruppe) umfasst, das die erwähnte zwei und mehr Untersysteme der P-Multireflektoren der einreihig-mehrschichtigen Art enthält, die in einer Reihe angeordnet sind, wobei jedes der Systeme der P-Multireflektoren vom einreihig-mehrschichtigen Typ der multiwiederspiegelnden Art eine Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe vom Untersystem der P-Multireflektoren vom mehrreihigen-mehrschichtigen Typ der multiwiederspiegelnden Art bildet, wobei die Flächen der Grundlage der P-Multireflektoren zirka parallel angeordnet sind.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 145–150, dadurch gekennzeichnet, dass die zueinander gewendete anliegende Seiten seiner Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe zirka parallel angeordnet sind und zueinander mindestens mit einer ihrer Seiten angrenzen, wobei ihre obere Ausgangsstirnseiten und untere Stirnseiten untereinander vorzugsweise auf einem Niveau angeordnet sind.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 145–151, dadurch gekennzeichnet, dass die Teile eines oder mehreren anliegenden Elektroden von seinen zwei anliegenden P-Multireflektoren, die zu den zwei anliegenden erwähnten Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe gehören, der zwei Seiten einer Unterlage zugeordnet sind und vorzugsweise symmetrisch bezüglich der Unterlage ausgeführt sind.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 145–152, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich die Steueruntersysteme umfasst, die aus der Reihe ausgewählt sind, die seine vorzugsweise in den Ansprüchen 12–49 erwähnte Type der in der LS-Gruppe verordneten Untersysteme für Umschaltung umfasst, die in jedem Umstellunguntersystem eins oder mehrere Steueruntersysteme enthält, wobei die Untersysteme der Umstellung in Form der Reihe von SSTO (SSTO – das Untersystem der Außen- oder Innenumstellung) sowie in der Form der die {A_m(j)}--Untergruppe bildenden Reihe von SSTA (SSTA- das Untersystem der anliegenden Umstellung) ausgeführt sind, wobei die Untersysteme der Außen- oder Innenumstellung mit der Anwendung eines oder mehreren Betriebsmodi (aus der Reihe brechend, multireflektierend und feldlos) mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in den Arten ausgeführt sind, welche aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: den Empfang aus dem Eingang (von – W_a-Eingangsfläche) des IB-Kanals und die Eingabe in die {P_μ(s)}--Gruppe; die gegenseitige Umstellung; die entfernte rückwärtige Umstellung; die Seitenumstellung; die Abführung aus der {P_μ(s)}--Gruppe und die Umstellung zu einer W_qm--Fläche des q-Ausganges (die der unteren, bei W_qm = W_qL, oder der oberen, bei W_qm = W_qU, Stirnseite am Ausgang aus dem IB-kanal zugeordnet ist) oder zu den zwei W_qm-Flächen der q-Ausgänge (die den zwei Stirnseiten am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet sind), wobei die W_qm-Flächen der q-Ausgänge (die Ausgänge) die Grenzen des Überganges des kanalspezifischen Ionenstromes zu den Ausgängen aus diesem IB Kanal bestimmen, zum Beispiel für die Umstellung auf den anderen IB-Kanal, wobei die LS-Gruppe im Ganzen mit der der Gewährleistung der Möglichkeit des einmaligen (die einzyklische Gruppe) oder mehrmaligen (die multizyklische {P_μ(s)}--Gruppe) Durchganges vom kanalspezifischen Ionenstrom durch die von der {P_μ(s)}--Gruppe gebildeten Felder ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 153, dadurch gekennzeichnet, dass die {A_m(j)}--Untergruppe seiner LS-Gruppe mit der der Gewährleistung der Möglichkeit des serienmäßigen Durchganges (der Umstellung) des Ionenstromes durch die Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe ausgeführt ist, wo die untere wechselnde Indexe s und j, welche die Werte an den Grenzen 1 ≤ s ≤ c, 1 ≤ j ≤ b und b = c – 1 annehmen, bestimmen die laufenden Nummer jeweils der P_μ(s)--Schichten in der {P_μ(s)}--Gruppe und A_m(j)-SSTA in der {A_m(j)}--Untergruppe, die nach der Richtung vom Eingang zum Ausgang des IB-Kanals eingegeben werden (ansteigen); wobei: c – die Gesamtmenge der Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe (die der Nummer ihrer letzten Schicht gleich ist); b- die Gesamtmenge von SSTA der {A_m(j)}--Untergruppe (die der Nummer seiner letzten SSTA gleich ist); der untere Index m nimmt zwei Werte (m = U, L) an und zeigt die Anordnung des SSTA von der oberen Stirnseite (oberes SSTA – bei m = U), oder von der unteren Stirnseite (unteres SSTA – bei m = L) der {P_μ(s)}--Gruppe und des IB Kanals.
IB-Kanal nach Anspruch 154, dadurch gekennzeichnet, dass seine {P_μ(s)}--Gruppe die (m) einseitige Schicht der umkehrbaren P_μ(s) ≡ P (m) / iVs--Art (vom ersten Typ bei i = 1 oder vom zweiten Typ bei i = 2 und zusätzlich einschaltende das Steueruntersystem, das aus der Reihe ausgewählt ist, die ihre in den Ansprüchen 12–49 erwähnte Typen enthält) umfasst, wo der Eingang und Ausgang des Ionenstromes nur von einer ihrer Stirnseite, von der oberen Stirnseite, bei (m) = (U), oder von der unteren, gegenüberliegenden zur oberen, Stirnseite bei (m) = (L) ausgeführt sind.
IB-Kanal nach Anspruch 154, dadurch gekennzeichnet, dass seine {P_μ(s)}--Gruppe die Schicht der P_μ(s) ≡ P_Ws-Art (der beiderseitigen durchlaufenden Art) einschließt, bei der der Eingang und/oder der Ausgang des Ionenstromes von den zwei (von oberen und von unteren) Stirnseiten möglich ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 153–156, dadurch gekennzeichnet, dass seine erwähnte LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der {P_μ(s)}--Gruppe zu einer W_dm-Fläche des d-Ausganges (die der unteren, bei W_dm = W_dL, oder von der oberen, bei W_dm = W_dU Stirnseite am Ausgang aus dem IB-Kanal zugeordnet ist) oder zu zwei W_dm oder mehr W_dm2-Flächen des d-Ausganges (die den beiden Stirnseiten an den Ausgängen des IB-Kanals zugeordnet sind) ausgeführt ist, wobei W_dm und W_dm2-Flächen (die Grenzflächen) der Ausgänge (die Ausgänge) die Grenzen des Überganges vom kanalspezifischen Ionenstrom zu den Detektorabteilungen der entsprechenden Anordnungen bestimmen.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 153–157, dadurch gekennzeichnet, dass seine Gruppe und die {A_m(j)}--Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung in dem einseitigen Modus, bzw. im Modus der (P (m) / μ(n)P (m) / μ(n+1))-Art (der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in die direkte Richtung bei der {P_μ(s)}--Gruppe) – der Umstellung von einer P (m) / μ(n) Schicht in die nachfolgende anliegende Schicht P (m) / μ(n+1) ausgeführt sind.
IB-Kanal nach Anspruch 158, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art (P_W1 ≡ P_μ(1) – die erste Schicht aus der {P_μ(s)}-Gruppe) und das SSTA der A_L1-Art (A_L1 ≡ Am(1) – erstes SSTA aus der {A_j}_m--Untergruppe) umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 159, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich das obere SSTA einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung in der einstufigen (W_aR (U) / W1)↑--Art (der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: von erwähnten W_a in die Schicht der P_W1-Art, von seiner oberen Stirnseite oder in der zweistufigen |(W_aR_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|-Art, wie mit der Möglichkeit des Gebrauches in der Regime der (W_aP (U) / W1)↑--Art, als auch mit der Möglichkeit des Gebrauches in der Regime der (W_aR_dU1)--Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes; von W_a zu W_dU1) ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 158, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_μ1 ≡ P (U) / iV1-- Art (unterer Index 1 zeigt die bei ihm vorhandene erste Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe – P_μ1 ≡ P (U) / iV1 ) und das SSTA der A_m(1) ≡ A_U1--Art umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 161, dadurch gekennzeichnet, dass seines SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes aus erwähnten W_a in sie Schicht P (U) / iV1 ) oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|--Art ausgeführt ist; oder dass IB-Kanal zusätzlich das oberen SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im einstufigen Modus der (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 159–162, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_Wc-Art (unterer Index zeigt auf die bei ihm vorhandene letzte Schicht der {P_μ(s)}--Gruppe P_μ(c) ≡ P_Wc), und das SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (m) / WcW_qm)-Art (die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes: aus der P (U) / Wc-Schicht der P_Wc-Art zu W_qm, beim Entsprechen der Indexe m bei P (m) / Wc und bei W_qm: zwischen den oberen (bei m = U) oder mit den unteren (bei m = L) Stirnseiten der Schicht), oder mit der Gewährleistung der Möglichkeit Vom SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (m) / WcW_dm2)/(P (m) / WcW_qm)|-Art, sowohl mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der (P (m) / WcW_qm)-Art als auch mit der Möglichkeit von SSTO-Anwendung im Modus der P (m) / WcW_dm2)-Art (die Umstellung des Ionenstromes: aus der Schicht der P_Wc--Art zu W_dm2 beim Entsprechen der Indexe m bei P (m) / Wc und bei W_dm2 zwischen den oberen (bei m = U) oder mit den unteren (bei m = L) Stirnseiten der Schicht ausgeführt ist, wobei das SSTA der A_mb-Art der gegenüberliegenden Seite der Schicht P_Wc zu seiner Ausgangsseite zugeordnet ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 159–162, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (m) / iVc-Art umfasst, wobei er zusätzlich das SSTO einschließt, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen P (m) / iVcW_qm)-Art oder in der zweistufigen) |(P (m) / iVcW_dm2)/(P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist, oder das SSTA der A_mb-Art, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (m) / iVcW_dm2)-Art oder in der zweistufigen |(P (m) / iVcW_dm2)/(P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 163, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P_μ(s)} ≡ {P_Ws}-Gruppe umfasst, die aus den Schichten der P_Ws--Art besteht sowie auch die {A_m(j)} ≡ {A_m↕j}-Untergruppe (vom alternierenden Anordnungstyp), die aus dem SSTA der A_m↕j-Art besteht, wobei er die gerade oder ungerade Anzahl der Schichten abhängig von der Anordnung des Ausganges des Ionenstromes aus dem IB Kanal, beziehungsweise, von der oberen oder von der unteren Stirnseite umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 164, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P_μ(s)} ≡ {P (U) / iVs}-Gruppe umfasst, die aus den Schichten der P_iVs = P (U) / iVs-Art besteht sowie auch die {A_m(j)} ≡ {A_Uj}-Untergruppe, die aus dem SSTA der A_Uj--Art besteht (der einseitige Typ der oberen Anordnung).
IB-Kanal nach Anspruch 164, dadurch gekennzeichnet, dass er folgendes umfasst: die schon erwähnte {A_m(j)} ≡ {A_Uj}--Untergruppe und die {P_μ(s)}-Gruppe in der die letzte Schicht in der P_Wc-Art ausgeführt ist, wobei die übrige Schichten in der P (U) / iVs-Art ausgeführt sind, wobei die Ausgangsseite der {P_μ(s)}-Gruppe des IB-Kanals seine untere Seite einschließt.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 163 und 164, dadurch gekennzeichnet, dass seine Ausführung folgendes umfasst: die Gewährleistung der Möglichkeit der Einschaltung des Modus der Rückumstellung {P (m) / μ(a)P (m) / μ(b)} aus einer Schicht in die andere aus den vorherigen Schichten (a ≻ b), einschließend der Modus der Fernrückumschaltung (a ≻ b + 1) des kanalspezifischen Ionenstromes, hauptsächlich aus der letzten Schicht in die erste Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe für den nochmaligen seinen Durchgang durch die Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe.
IB-Kanal nach Anspruch 168, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines seiner erwähnten SSTO und SSTA mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO/SSTA-Anwendung im Modus der Rückumstellung ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 168, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich das obere SSTA einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung im Modus der Rückumstellung ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 168–170, dadurch gekennzeichnet, dass er mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Verwirklichung von der Rückumstellung, hautsächlich, zwischen den oberen Stirnseiten der Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 171, dadurch gekennzeichnet, dass er mit der Gewährleistung der Möglichkeit seiner Anwendung für den laufend-monozyklischen Modus ausgeführt ist, wobei er auch die {P_Ws}-Gruppe mit der geraden Anzahl der Schichten, sowie die {A_m↕j}-Untergruppe einschließt.
IB-Kanal nach Anspruch 171, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P (U) / iVs}-Gruppe umfasst, die aus den Schichten der P (U) / iVs-Art besteht und die aus SSTA bestehende {A_Uj}-Untergruppe der A_Uj-Art einschließt.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 153–157, dadurch gekennzeichnet, dass seine {P_μ(s)}-Gruppe und die {A_m(j)}-Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes in zwei Richtungen (sowohl in die direkte Richtung – vom Eingang zum Ausgang des IB-Kanals der {P (m) / μ(n)P (m) / μ(n+1)}-Art als auch mit der Umstellung in die Rückrichtung, bzw. vom Ausgang zum Eingang des Ionentraktes der {P (m) / μ(n)P (m) / μ(n-1)}-Art ) ausgeführt sind.
IB-Kanal nach Anspruch 174, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (m) / iVc-Art und das SSTA der A_mb-Art einschließt.
IB-Kanal nach Anspruch 174, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_Wc-Art und das SSTA der A_mb-Art, das der gegenüberliegenden Seite der Schicht P_Wc zu seiner Ausgangsseite zugeordnet ist, umfasst sowie auch zusätzlich das andere SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (m) / Wc)/(P (m) / WcW_qm)|-Art oder in der dreistufigen |(P (m) / WcW_dm2)/(P (m) / Wc)↑//(P (m) / WcW_qm)|/-Art ausgeführt ist, wo (P (m) / Wc)↑ den Modus darstellt, der zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_Wc-Art und für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenstromes in ihn rückwärts, von seiner oberen Stirnseite, bei (m) = (U) in P (m) / Wc, oder von seiner unteren Stirnseite bei (m) = (L) in P (m) / Wc geeignet ist.
IB-Kanal nach Anspruch 174, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (m) / iVc-Art einschließt, wobei das SSTA der A_mb-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung in der einstufigen (P (m) / iVcW_qm)-Art oder in der zweistufigen |(P (m) / iVcW_dm2)/(P (m) / iVcW_qm)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 176 und 177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)↑|-Art, oder in der dreistufigem |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)/(P (U) / W1)↑|-Art ausgeführt ist, wo (P (U) / W1)↑ – den Modus darstellt, der zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_W1-Art, von ihrer oberen Stirnseite und für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenstromes in ihn rückwärts, von ihrer oberen Stirnseite, geeignet ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 176 und 177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_Wc-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins davon mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑ – Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)↑|-Art ausgeführt ist und das zweite mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Betriebs in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 178 und 179, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P_Ws}-Gruppe und die {A_m↕j}-Untergruppe einschließt.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 176 und 177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (U) / iV1-Art und das SSTA der A_U1-Art umfasst.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 176 und 177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (U) / iV1-Art einschließt, wobei entweder das SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist oder so, dass der IB-Kanal zusätzlich das obere SSTO umfasst, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / iV1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / iV1)↑|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 181 und 182, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P (U) / iVs}-Gruppe und die {A_Uj}-Untergruppe umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 175, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist, sowohl mit der Möglichkeit des Betriebs im Modus der (P (U) / W1W_qU)-Art als auch mit der Möglichkeit des Betriebs im Modus der (P (U) / W1W_qU)-Art ausgeführt ist, oder das mit der Möglichkeit des Betriebs in den Modi zweier Arten ausgeführt ist, wobei eine von ihnen aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / W1)↑-Art, die zweistufige |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)↑|-Art umfasst und die andere davon aus der anderen Reihe kommt, die einstufige (P (U) / W1W_qU)-Art, die zweistufige |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 175, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und zwei oberen SSTO umfasst, wobei ein SSTO mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑-Art, oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)↑|-Art ausgeführt ist, und das zweite ist mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 184 und 185, dadurch gekennzeichnet, dass er die {A_m↕j}-Untergruppe, die {P_μ(s)}-Gruppe erfasst, in der die letzte Schicht in der P (m) / iVc-Art erfüllt ist, und die übrigen Schichte in der P_Ws-Art erfüllt sind.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und das obere SSTO umfasst, das mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (U) / W1W_qU)/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑//(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist, oder das mit der Gewährleistung der Möglichkeit seines Gebrauches für die Umstellung zweier Arten ausgeführt ist, wobei eine davon aus der Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / W1)↑-Art, die zweistufige |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|-Art umfasst, und die zweite aus der Reihe ausgewählt ist, welche die zweistufige |(P (U) / W1W_qU)/(P (U) / W1)↑|-Art und die dreistufige |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑//(P (U) / W1W_qU)|/-Art umfasst.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und zwei oberen SSTO umfasst, dabei ist ein SSTO mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / 1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑|-Art ausgeführt, wobei das zweite mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der zweistufigen |(P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen (P (U) / W1W_dU1)/(P (U) / W1)↑//(P (U) / W1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 187 und 188, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P_Ws}-Gruppe und die {A_m↕j}-Untergruppe umfasst.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art einschließt und das SSTA der A_L1-Art ist dabei mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (L) / W1W_qL)-Art oder in der zweistufigen |(P (L) / W1W_dL2)/(P (L) / W1W_qL)|-Art ausgeführt.
IB-Kanal nach Anspruch 190, dadurch gekennzeichnet, dass er zusätzlich das obere SSTO einschließt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (P (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)↑|-Art oder in der dreistufigen (W_aW_dU1)/(W_aP (U) / W1)↑/(P (U) / W1)↑|-Art ausgeführt ist, oder dass er zusätzlich zwei oberen SSTO umfasst, wobei eins der SSTO mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑--Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art ausgeführt ist und das andere mit der Gewährleistung von SSTO-Anwendung im Modus der (P (U) / W1)↑-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (U) / iV1-Art einschließt, wobei sein SSTA der A_U1-Art mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (U) / iV1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art ausgeführt ist, oder dieses SSTA ist ausgeführt für die Verwendung von zwei Typen der Umstellung, wobei einer davon aus der die Reihe ausgewählt ist, welche die einstufige (W_aP (U) / iV1)↑-Art und die zweistufige |(W_aP (U) / iV1)↑/(W_aW_dU1)-Art umfasst, und der zweite aus der Reihe kommt, welche die einstufige (P (U) / iV1W_qU)-Art, die zweistufige |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art umfasst.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P (U) / iV1-Art und zusätzlich das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Zusatzmöglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (P (U) / iV1W_qU)-Art oder in der zweistufigen |(P (U) / iV1W_dU1)/(P (U) / iV1W_qU)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 192 und 193, dadurch gekennzeichnet, dass er die {P (U) / iVs}-Gruppe und die {A_Uj}-Untergruppe umfasst.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 175–177, dadurch gekennzeichnet, dass er die Schicht der P_W1-Art und zusätzlich das obere SSTO umfasst, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung in der zweistufigen |(P (L) / W1)↑/P (L) / W1W_qL)|-Art oder in der dreistufigen |(P (L) / W1W_dL1)/(P (L) / W1)↑//(P (L) / W1W_qL)|-Art ausgeführt ist, wo (P (L) / W1)↑ – der Modus zur gegenseitigen Umstellung für den Empfang aus der erwähnten Schicht der P_W1-Art ist sowie auch für die Eingabe des kanalspezifischen Ionenrückstromes von seiner unteren Stirnseite.
IB-Kanal nach Anspruch 195, dadurch gekennzeichnet, dass sein SSTA der A_U1-Art mit der der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTA-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑-Art oder in der zweistufigen |(W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art ausgeführt ist, oder der IB Kanal zusätzlich das obere SSTO einschießt, das mit der Gewährleistung der Möglichkeit von SSTO-Anwendung für die Umstellung in der einstufigen (W_aP (U) / W1)↑|-Art oder in der zweistufigen (W_aP (U) / W1)↑/(W_aW_dU1)|-Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 145–196, dadurch gekennzeichnet, dass er in der oberen und/oder unteren Betriebszone jedes P-Multireflektors (der Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe) mindestens einen der Glieder der Reihe einschließt, der die Fläche des Einganges, die Fläche des Ausgangs, SSTO und SSTA umfasst.
IB-Kanal nach Anspruch 197, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe (mindestens aus einem ihrem SSTO oder SSTA) mit folgenden Funktionen ausgeführt ist: mit der der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zur Ausgangsfläche des IB-Kanals von jeder oberen und/oder unteren Fläche, bzw. des Querschnitts des Ionenstromes in der Betriebszone der Schicht der {P_μ(s)}-Gruppe.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 197 und 198, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Untergruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen seinen beliebigen Flächen-Querschnitten in den Betriebszonen von zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 199, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen zwei Schichten der {P_μ(s)}--Gruppe nach ihren projektions-parallelen, symmetrisch-doppelflächigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist, wobei das Untersystem der Umstellung zum Umstellen des kanalspezifischen Ionenstromes hauptsächlich als Steueruntersystem mit Eingang-Ausgang der projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 200, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den frontalen Teilen der typischen Linien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-reflektierenden Typ oder nach den typischen Linien der zwei P-Multireflektoren von geradlinig-reflektierenden Typ ausgeführt ist, wobei das Untersystem zur Umstellung des kanalspezifischen Ionenstroms vorzugsweise als ein Untersteuersystem mit Eingang-Ausgang projektions-parallelen symmetrisch-doppelflächigen Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 200, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit zur Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den projektions-parallelen diagonalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-wiederspiegelnden Typ ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 199, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes zwischen zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe nach den ihren antiparallelen einschichtigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist, wobei die Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes hautsächlich als Steueruntersystem der einschichtigen Art mit antiparallelen Eingang-Ausgang ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 203, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den frontalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-reflektierenden Arten oder nach den Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von geradlinig-wiederspiegelnden Arten ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 203, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes nach den diagonalen Teilen der Typenlinien der zwei P-Multireflektoren von doppelschleifartig-wiederspiegelnden Arten ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 199, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in den Operationszonen der zwei Schichten der {P_μ(s)}-Gruppe nach den unter Winkel annähenden einschichtigen Richtungen des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 206, dadurch gekennzeichnet, dass darin das Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes als das Steueruntersystem von der einflächigen reflektierenden Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach Anspruch 206, dadurch gekennzeichnet, dass darin das Umstelluntersystem für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes als das Steueruntersystem von der einflächigen doppelwiederspiegelnden Art ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 129–208, dadurch gekennzeichnet, dass seine LS-Gruppe mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Ausgleiches der Laufzeit von den Ionen auf den oberen und unteren Leitbahnen des in der Art der Ionenpakete ausgeführten Traktionenstromes konstruiert ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–209, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Elektroden mindestens einer verlängerten P-Reflexionsbaueinheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit ausgeführt sind, die Elektroden mit der Brummspannung für Ein-/Ausgabe der Ionen in den betreffenden P-Multireflektor (Schicht) anzustoßen.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–210, dadurch gekennzeichnet, dass er mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Regelung der räumlichen Bündelung des Ionenstromes entlang der Richtung der Ionenbewegung des Traktionenstromes ausgeführt ist.
IB-Kanal nach einem der Ansprüche 94–211, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere Elektroden mindestens einer verlängerten P-Reflexionsbaueinheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit ausgeführt sind, die Elektroden mit Brummspannung anzustoßen, was für die Sicherung der räumlichen Bündelung des Ionenstromes entlang der Richtung seiner Bewegung bestimmt ist.
Massenspektrometer (MS), umfassend: a) MS-Einheiten: die Quellenionenblockeinheit; die Gruppe der ionenleitenden Einheiten, die das Kupplungs-Einheitselement, sowie die Analysatoren – und Dispergierungseinheit einschließt, dabei umfassen die Einheiten die IB-Kanäle mit den Grenzflächen und mit dem kanalspezifischen IO Untersystem (IO-Einheiten), wobei jeder IB-Kanal, der seiner Einheit entspricht, ein Teil des MS-Kanales mit IO System (die ionenleitende IB-Kanäle der ionenleitenden Einheiten gemeinsam mit dem Quellenionen-IB-Kanal der Quellenionenblockeinheit) bildet, das kanalspezifische IO Untersystem (IO Einheiten) ist in der Art von einem oder mehreren IO Steueruntersystemen oder mit der nichtlinearen Hauptachse in der radialräumliche dispergierenden Art oder in der multireflektierenden Art ausgeführt; b) Detektorsystem; c) Kontroller-Computersystem, dadurch gekennzeichnet, dass: es mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Anwendung in den Kanal-Multitrakt – und/oder Kanal-Eintraktregimen ausgeführt ist, dabei sind mindestens zwei Grenzflächen (die Fläche des Ausganges vom Quellenionen-IB-Kanal der Blockeinheit und mindestens eine Fläche des Ausganges vom analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal der Blockeinheit) als kanalspezifische Multitrakt-Transmissionsluken (einschließlich multibindig-flächigen) oder als außeraxiale kanalspezifische Monotrakt-Transmissionsluken (einschließlich doppelbindig-flächigen) ausgeführt; und/oder das kanalspezifische IO Untersystem des IB Kanals vorzugsweise als elektrisch (magnetlose) ausgeführt ist und folgendes einschließt: Mindestens einen der Glieder der Reihe, welche die verlängerte dreidimensionale P-Reflexionseinheiten enthält, darunter die mit der zweidimensionalen Reflexionszone; die P-Multireflektoren der flachen Art; die dreidimensionalen P-Multireflektoren; die mehrschichtige Type der multireflektierenden Art; das Steueruntersystem, das eine oder mehrere IO-Einheiten einschließt, die mit der Gewährleistung der Auswahlmöglichkeit der gegebenen räumlichen Orientierung der IO-Einheit in Bezug auf die anderen IO-Einheiten (bei ihren Vorhandensein) und in Bezug auf die Richtung des gemittelten Vektors des in ihn kommenden Ionenstromes ausgeführt sind, und/oder sie aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, welche die verlängerten P-Einheiten der Brechung, die dreidimensionalen P-Reflexionseinheiten, die P-Einheiten der ungleichartigen Höhe, die P-Reflexionseinheiten mit der zweidimensionalen Reflexionszone enthalten.
MS nach Anspruch 213, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement, mindestens, die vorherig-formierende Einheit und die Verteilungs-Beschleunigungseinheit umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 213 und 214, dadurch gekennzeichnet, dass seine MS-Einheiten als Monokanal- oder Multikanalblöcke (enthaltend jeweils ein oder mehr als ein IB-Kanäle) ausgeführt sind, dabei sind die MS-Kanäle in der Kanal-Monotraktart oder in der Kanal-Multitraktart ausgeführt, wobei mindestens ein MS-Kanal vorzugsweise mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Durchganges vom Traktionenstrom von der Ionenquelle mindestens bis einer d-Fläche die die Grenze des Überganges vom kanalspezifischen Ionenstrom zu einer Detektorabteilung des Detektorsustemes bestimmt, ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 215, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer von seinen ionenleitenden IB-Kanälen aus der Reihe ausgewählt ist, welche seine in den Ansprüchen 94–212 erwähnten Arten umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 215 und 216, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden seiner Traktionenströme vorzugsweise ein einzelner Detektor in der Detektorabteilung entspricht.
MS nach einem der Ansprüche 215–217, dadurch gekennzeichnet, dass bei seiner Ausführung in der Kanal-Multitraktart, die Ionentrakte mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung unabhängig voneinander, zum Beispiel gleichzeitig oder nacheinander, in gegebenen Zeit-Intervallen ausgeführt sind.
MS nach einem der Ansprüche 215–218, dadurch gekennzeichnet, dass bei seiner Ausführung in der Multikanalart in jedem seiner Blöcke das jede Paar der IB-Kanäle in der Art des Paares ausgeführt ist, das aus der Reihe, die ein Paar verbundenen Art und ein Paar der getrennten Art einschließt, ausgewählt ist.
MS nach einem der Ansprüche 215–219, dadurch gekennzeichnet, dass bei seiner Ausführung in der Multikanalart, die Ionenkanäle mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihres Gebrauches unabhängig voneinander, zum Beispiel gleichzeitig oder nacheinander, in gegebenen Zeit-Intervallen ausgeführt sind.
MS nach einem der Ansprüche 215–220, ist dadurch gekennzeichnet, dass jede seiner o. g. Austrittsluken die Fläche-Elektrode des vorherigen IB-Kanals die Eingangsluke des nachfolgenden anderen IB-Kanal darstellt.
MS nach Anspruch 221, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseite seiner Austrittsfläche-Elektrode (die Austrittsfläche) des vorangehenden IB-Kanals die Fläche-Elektrode (die Eingangsfläche) des nachfolgenden anderen IB-Kanals darstellt.
MS nach einem der Ansprüche 215–222, dadurch gekennzeichnet, dass dieser als das Baukastensystem mit der Gewährleistung der Möglichkeit einer schnellen Zusammenstellung und des Ausbaues seiner verschiedenen Bestände von Blöcken, die eine breite Auswahl seines Gruppenbildungsstandes und der Auflösungsvermögen sichern, ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 215–223, dadurch gekennzeichnet, dass jeder seiner Quellenionen-IB-Kanäle eine oder mehrere Ionenquellen (die Sektionen des Quellenionen-IB-Kanals) enthält, dabei ist jede von ihnen ist hauptsächlich mit einer der Austrittsaperturen der Ionenquelle gekoppelt, die vorzugsweise aus der Gruppe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: die Abnahmerohre mit den Schaumabnahme-Vorrichtungen oder ohne; sowie auch diejenigen Elemente und Vorrichtungen, die für die primäre Bildung eines oder mehreren Traktionenströme geeignet sind, wobei ihre Menge die Formen und die Anordnung ihrer Öffnungen entsprechend der Auswahl der dem ionenleitenden IB-Kanal anliegenden Grenzfläche ausgeführt sind.
MS nach Anspruch 224, dadurch gekennzeichnet, dass sein Quellenionen-IB-Kanal zusätzlich die transient-führende Quellenblockeinheit umfasst, die eine oder mehrere Elektroden mit der Austrittsfläche für die Umstellung der Monotraktionenströme (der Kanal-Monotraktaustritt) oder der Multitraktionenströme (der Kanal-Multitraktaustritt) enthält.
MS nach einem der Ansprüche 224 und 225, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionenquellen des Quellenionen-IB-Kanals aus der Reihe ausgewählt sind, die beliebige Ionenquelle umfasst, in die den Ionenstrom empfangen kann, zum Beispiel bei der elektronischen Ionisation (EI), bei der chemischen Ionisation (CI), beim elektronischen Einfang (EC), bei der Ionisation im elektrischen Feld (FI), von Thermospray, von der Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck, vom Elektrospray – von der Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APSI), von der chemischen Ionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APCI), von der Photoionisation bei dem atmosphärischen Luftdruck (APPI), durch die direkte Laserdesorption – Massenspektrometrie, durch die matrix-aktvierte Laserdesorption/Ionisation (MALDI), Ionisation mit Gasfüllung MALDI, atmosphärische MALDI, durch den Beschuss mit den schnellen Atomen (FAB), durch die Felddesorption oder durch die Desorption im elektrischen Feld (FD), durch die Plasmadesorption (PD), durch die Ionisation im induktivverbundenen Plasma ICP), durch die thermische Ionisation, durch die Ionisation in der Glimmentladung und durch Funkionisation, durch die Plasma- und Glimmentladung, durch die Koronarentladung, durch die Ionisation, bei der Laserablation.
MS nach einem der Ansprüche 224–226, dadurch gekennzeichnet, dass sein Quellenionen-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Formbildung vom impulsartigen (Ionenpakete) oder ununterbrochenen Ionenstrom an seinem Austritt ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 224–227, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement die voraussichtlich-formbildende Blockeinheit einschließt, die anliegend mit der Quellenionenblockeinheit angeordnet ist und ein oder mehrere parallele vorgehend-formbildenden IB-Kanäle enthält, wobei jeder davon eine, zwei und mehrere Abteilungen (der Teile, der Sektionen) umfasst, die serienmäßig untereinander verbunden sind und mit der Gewährleistung der Möglichkeit der dazwischenliegenden voraussichtlichen Fortbildung, Beschleunigung und Führung des Ionenstromes ausgeführt sind.
MS nach Anspruch 228, dadurch gekennzeichnet, dass sein voraussichtlich-formbildende IB-Kanal eine oder mehrere Sektionen enthält, die aus der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: die Ionenvorhaftstellen; die Röhren der Drift der asymmetrischen Zelle der Ionenbeweglichkeit (der Mobilität) DC/Feld (Zellen der Ionenbeweglichkeit) mit den Eingangs- und Ausgangsluken (Öffnungen) mit den Ionensperren; die Brechungs-P-Einheiten und/oder Membranen-Aperturen.
MS nach Anspruch 229, dadurch gekennzeichnet, dass seine interne Ionenvorfalle mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Entnahme der vom Quellenionen-IB-Kanal generierten bestimmten Ionenmenge, ihrer Lagerung, sowie der Abführung der sich in der Reserve befindenden Ionen für die Eingabe in die nachfolgenden Blockeinheiten des MS ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 230, dadurch gekennzeichnet, dass seine Ionenvorfalle aus der Reihe ausgewählt ist, die jede führende Elektrodengruppe mit dem elektrischen Feld umfasst, zum Beispiel die in der Art vom Set der verlängerten segmentierten RF-only Stäbe oder von der kurzen Einheit des führenden Quadrupols oder der Membranen-Aperturen ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 224–231, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich die Verteilungs-Beschleunigungsblockeinheit umfasst, die nach der (nach dem Lauf des Ionenstromes von der Ionenquelle) voraussichtlich-formierenden Blockeinheit angeordnet ist und die einen oder mehrere parallele Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanäle umfasst, dabei jeder davon mindestens den voranalysatorischen führenden Beschleuniger enthält, der mit der Gewährleistung der Möglichkeit von der Abführung des Ionenstromes zur Seite des analysatorisch-dispergierenden IB-Kanals ausgeführt ist und aus zwei mindestens Beschleunigungselektroden mit einer oder mehreren Austrittsluken besteht.
MS nach Anspruch 232, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Luke seines voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleunigers mit dem feinmaschigen Netz bedeckt ist.
MS nach einem der Ansprüche 232 und 233, dadurch gekennzeichnet, dass es mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Begrenzung vom Winkel β₍₁₂₎₁ zwischen den Austrittsrichtungen des Ionenstromes aus dem Quellenionen-IB-Kanal und aus dem voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger in den Grenzen 0 ≤ β₍₁₂₎₁ ≤ π / 2 (bei der Bedingung β₍₁₂₎₁ ≈ 0 – der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger als radial ausgeführt ist, bzw. mit radialen Ionenaustritt, bei der Bedingung β₍₁₂₎₁ ≈ π / 2 – ist der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger als der voranalysatorische richtungsgebende Beschleuniger orthogonal ausgeführt.
MS nach einem der Ansprüche 232–234, dadurch gekennzeichnet, dass sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung des impulsartigen Ionenstromes beim Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 235, dadurch gekennzeichnet, dass sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal zwei Einheiten umfasst, dabei ist eine der Einheiten mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Gebrauches mit der elektrischen Wechselspannung (pulsierenden) ausgeführt, wobei die zweit Einheit mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Gebrauches der statischen elektrischen Spannung ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 235–236, dadurch gekennzeichnet, dass sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung der dünnen Ionenpakete ausgeführt ist, die für die laufzeitliche Massen-Analyse des Ionenstromes bei der Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger geeignet sind.
MS nach Anspruch 237, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Ausführung seines Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanals mit der Gewährleistung der Möglichkeit von der orthogonalen Ionenabführung (bei β₍₁₂₎₁ ≈ π / 2 ) ist die Akkumulationzone in der Art vom Monofeld ausgeführt, welches das quadratische elektrostatische Feld erzeugt, und die Rippe der geerdeten Elektrode ist hauptsächlich mit der geerdeten Sperrelektrode (Gitter) im Bereich der Ionenbeschleunigung (Palsera) mit dem gleichmäßigen Feld verbunden.
MS nach einem der Ansprüche 232–234, dadurch gekennzeichnet, dass sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal als statisch und mit der Gewährleistung der Möglichkeit von Formbildung des ununterbrochenen Ionenstromes am Austritt durch den voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 232–239, dadurch gekennzeichnet, dass sein Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal zusätzlich den voranalysatorischen Ionenspeicher voranalysatorischen Ionenspeicher enthält, der (nach dem Lauf des Ionenstromes von der Ionenquelle) vor dem voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleuniger angeordnet ist und serienmäßig mit ihm verbunden ist und wobei der voranalysatorischen Ionenspeicher voranalysatorischen Ionenspeicher mit der Gewährleistung der Möglichkeit des Ionenempfanges, der Speicherung und des pulsierenden Auswerfens in einer oder mehreren der radialen axialen und orthogonalen Richtungen, durch die Apertur, z. B. des voranalysatorischen richtungsgebenden Beschleunigers ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 240, dadurch gekennzeichnet, dass der angesprochene voranalysatorische Ionenspeicher aus der Reihe ausgewählt ist, welche die Lineareinheit IC-IC RF-only oder den gekrümmten Quadrupol umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 224–231, dadurch gekennzeichnet, dass jede seiner Detektorabteilungen einen oder mehrere Ionendetektoren mit den Eingangsluken enthält, die auf der Fläche des d-Einganges angeordnet sind, wobei jedem Traktionenstrom hauptsächlich ein separater Ionendetektor der Detektorabteilung entspricht, der vorzugsweise aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die folgendes umfasst: den Faraday-Zylinder; den Multiplizierer der Sekundaerelektronen, der mindestens eine Dynode; den Szintillator und den Photomultiplizierer; den Mikrokanal; die Platten der Mikrosphäre; mindestens zwei Detektierungsrillen; mindesten zwei Anoden enthält.
MS nach Anspruch 242, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Ionendetektor der Detektorabteilung mit dem Ionenselektor mit dem bestimmten Durchlassband ausgerüstet ist und mindestens einen der Glieder der die Steuernetze einschaltenden Reihe, das logische Element von Bradbury – Nielsen, den planparallelen Deflektor (Kondensator) umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 242 und 243, dadurch gekennzeichnet, dass jeder seiner Ionendetektoren hauptsächlich mit dem System des Empfanges und der Speicherung der Daten verbunden ist, das den Analog-Digital-Umsetzer (adaptives Protokoll der Datenverdichtung) enthält.
MS nach einem der Ansprüche 242–244, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer seiner Ionendetektoren mit dem ausgedehnten dynamischen Bereich ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 245, dadurch gekennzeichnet, dass sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Ausdehnung des dynamischen Bereiches durch die alternativen Abtastungen mit der Variabilität der Spannungsintensität an der pulsierenden Ionenquelle und/oder am Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 245 und 246, dadurch gekennzeichnet, dass sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit durch die alternativen Abtastungen mit der Variabilität der Dauer von den Ioneneinschleusen in die Austrittsluke der Ionenquelle ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 242–247, dadurch gekennzeichnet, dass sein Ionendetektor mit der Gewährleistung der Möglichkeit der automatischen Verstärkungsregelung ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 228–241, dadurch gekennzeichnet, dass seine analysatorisch-dispergierende Blockeinheit einen oder mehrere parallele analysatorisch-dispergierenden IB-Kanäle umfasst, die aus den Gliedern der Reihe ausgewählt sind, die folgendes umfasst: die toroidalen und zylindrischen sektoralen elektrischen Analysatoren; den magnetischen sektoralen Analysator; den orbitrap-Analysator; den Fourier-Analysator, den statischen Analysator, zum Beispiel das kanalspezifische IO-Untersystem seiner IB-Kanäle ist mit gekrümmter Hauptachse in der radialräumlichen dispergierenden im Anspruch 127 angesprochenen Art ausgeführt ist; den Laufzeitanalysator (TOF IB Kanal), zum Beispiel, das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals in der einer der in den Ansprüchen 128–212 angesprochenen Arten ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 249, dadurch gekennzeichnet, dass es zusätzlich eine oder zwei mit dem jeden analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal anliegenden Detektorabteilungen (der Detektorabteilungen bei dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal) umfasst, die je eine nach dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und/oder vor ihm angeordnet sind, dabei ist jeder Ionendetektor der Detektorabteilung aus der Reihe ausgewählt, die die in den Ansprüchen 242–248 angesprochenen Arten der Detektoren umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 249 und 250, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich die Blockeinheit der Zerkleinerungszelle umfasst, die eine oder mehrere parallelen Sektionen von Zerkleinerungszellen enthält, die mit Gas gefüllt sind und die differenzialen Pumpenkaskaden haben, dabei ist jede Zerkleinerungszelle mit einer oder mehreren Aperturen zum Eingang in die Zerkleinerungszelle und zum Austritt des Traktionenstromes daraus ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 251, dadurch gekennzeichnet, dass jeder seiner Traktionenströme die separate Zerkleinerung (die Sektion der Zerkleinerungszelle) entspricht.
MS nach einem der Ansprüche 251 und 252, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine seiner Zerkleinerungszellen mit der Gewährleistung der Möglichkeit ihrer Anwendung in zwei Modi ausgeführt ist: der Durchgang der Ionen durch die Zerkleinerungszelle ohne wesentliche Zerkleinerung oder die Zerkleinerung (die Fragmentierung) der Ionen in der Zerkleinerungszelle (in den Grenzen der Zerkleinerungszelle).
MS nach einem der Ansprüche 249–250, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich eine Blockeinheit der Ionenentnahme umfasst, die einen oder mehreren parallelen IB-Kanäle der Ionenentnahme enthält, die mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Verengung vom Bereich der Entnahme der Ionenmasse durch einen oder mehreren Entnahmeschritte ausgeführt sind.
MS nach Anspruch 254, dadurch gekennzeichnet, dass sein interner IB-Kanal der Ionenentnahme hauptsächlich aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die folgendes enthält: den Quadrupol-IB-Kanal; den Ionenfänger; den statischen IB-Kanal, zum Beispiel, das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals, ausgeführt mit der gekrümmten Hauptachse in der radialräumlichen dispergierenden in dem Anspruch 127 angesprochenen Art; den Laufzeitanalysator (TOF IB-Kanal), zum Beispiel das kanalspezifischen IO-Untersystem seines IB-Kanals, ausgeführt in einer der in den Ansprüchen 128–212 angesprochenen Arten.
MS nach einem der Ansprüche 254 und 255, dadurch gekennzeichnet, dass es zusätzlich eine oder zwei dem jedem dem IB-Kanal der Ionenentnahme anliegende Detektorabteilungen (der Detektorabteilungen bei dem IB-Kanal der Ionenentnahme) umfasst, die jeweils dem IB-Kanal der Ionenentnahme und/oder vor ihm angeordnet sind, dabei ist jeder Ionendetektor der Detektorabteilung aus der Reihe ausgewählt, welche die in den Ansprüchen 242–248 angesprochenen Arten der Detektoren enthält.
MS nach einem der Ansprüche 254–256 ist dadurch gekennzeichnet, dass der analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und/oder der IB-Kanal der Ionenentnahme die Einstellungsmittel der Lauflänge und der Spannung der Ionenbeschleunigung umfassen.
MS nach einem der Ansprüche 254–257, dadurch gekennzeichnet, dass sein analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Einstellung der kleineren Ionenlauflänge als beim IB-Kanal der Ionenentnahme, zum Beispiel bei der Einstellung der erhöhten Spannung als beim IB-Kanal der Ionenentnahme ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 254–258, dadurch gekennzeichnet, dass sein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit von mindestens einer 3-fachen Erhöhung der Ion-Transmissionszeit durch IB-Kanal der Ionenentnahme als die Ion-Transmissionszeit durch den analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 254–259, dadurch gekennzeichnet, dass sein IB-Kanal der Ionenentnahme und der analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal als nicht-magnetisch ausgeführt sind.
MS nach einem der Ansprüche 259 und 260, dadurch gekennzeichnet, dass sein IB-Kanal der Ionenentnahme hauptsächlich in einer der Zeitlaufarten des IB-Kanals (IO TOF IB-Kanals) mit dem kanalspezifischen Untersystem hergestellt ist, das in der multireflektierenden Art ausgeführt ist und aus der Reihe ausgewählt ist, die folgende IB-Kanal-Typen umfasst: einzelner, einreihig-multischichtiger und multireihig-multischichtiger.
MS nach einem der Ansprüche 259–261, dadurch gekennzeichnet, dass sein analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal hauptsächlich in einer der Zeitlaufarten des IB-Kanals (IO TOF IB-Kanals) mit dem kanalspezifischen mit der geraden Achse ausgeführten Untersystem hergestellt ist, das aus der Reihe ausgewählt ist, die seine in den Ansprüchen 121–126 angesprochene Type enthält, oder in der Art des Steueruntersystem, das aus der Reihe ausgewählt ist, die seine in den Ansprüchen 12–49 angesprochen Type enthält und mit der Gewährleistung der Möglichkeit der Umstellung des Ionenstromes von der Eingangsfläche zur Austrittsfläche des IB-Kanals ausgeführt ist.
MS nach einem der Ansprüche 249–262, dadurch gekennzeichnet, dass sein Kupplungs-Einheitselement zusätzlich eine Blockeinheit der Zusatzspeicherung von den Ionen umfasst, die einen oder mehrere parallelen IB-Kanäle der zusätzlichen Speicherung von den Ionen enthält, jeder von denen mit der Gewährleistung der Möglichkeit für die Entnahme der Ionensubmehrheit oder mindestens einigen aus ihren Derivaten ausgeführt ist.
MS nach Anspruch 263, dadurch gekennzeichnet, dass darin angesprochener IB-Kanal der zusätzlichen Speicherung von Ionen aus den Gliedern der Reihe ausgewählt ist, die das IC-IC RF-only – Element oder den gekrümmten Quadrupol umfasst.
MS nach einem der Ansprüche 263 und 264, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Schritte der Umstellung des Ionenstromes ausgeführt ist: (ab) die Injektion des kanalspezifischen Ionenstromes vom Quellenionen-IB-Kanal in den voraussichtlich-formbildenden IB-Kanal; (bc) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem voraussichtlich-formbildenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal; (cd) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in den IB-Kanal der Ionenentnahme, sowie die Registrierung des kanalspezifischen Ionenstromes in einer oder in zwei Detektorabteilungen, beim IB-Kanal der Ionenentnahme; (de) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der Ionenentnahme und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle; {(ec) oder (ef)} die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der Zerkleinerungszelle und die Eingabe ihn, abhängig vom Bestand des kanalspezifischen Ionenstromes nach der Einwirkung der Zerkleinerungszelle auf den Ionenstrom, jeweils in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal oder in den Kanal der zusätzlichen Speicherung und der Lagerung von den Ionen, von der ausgewählten Mehrheit der Massen, im IB-Kanal der zusätzlichen Speicherung der Ionen; (Q11) einer oder mehrere die Schritte (cd), (de) und {(ec) oder (ef)} umfassenden Zyklen einer oder mehrere die Schritte (cd), (de) und {(ec) oder (ef)} umfassenden Zyklen mit dem Ziel der Ionenspeicherung, der ausgewählten Mehrheit der Massen im IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung; (fc) oder {(fe) und weiter (ec)} die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal oder {(die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle) und weiter (die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus der Zerkleinerungszelle und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal)}; (Q12) einer oder mehrere von (Q11) mit weiteren (fc) oder ({(fe) und weiter (ec)} umfassenden Zyklen; (cg) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in den analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal, sowie die Registration des kanalspezifischen Ionenstromes in einer oder in zwei Detektorabteilungen, beim analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal; – Durchführung der Schritte der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q13) einer oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von c(ab) bis (cg) in dem vorliegenden Anspruch 265 erwähnten Schritte umfassen, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)} – die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszelle oder {(die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem analysatorisch-dispergierenden IB-Kanal und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal) und weiter (die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal und die Eingabe ihn in die Zerkleinerungszellen)}; (Q14) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von {((ec) oder (ef)} bis (cg) in dem vorliegenden Anspruch 265 angesprochenen Schritte umfassen.
MS nach einem der Ansprüche 263 und 264, dadurch gekennzeichnet, dass in ihm, mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes ausgeführt ist: (ab); (be); (cd); (de); {(ec) oder (ef)}; (Q11); (fc) oder {(fe) und weiter (ec)}; (cg); – die Durchführung der Schritte der Umstellung vom kanalspezifischen Ionenstrom in Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation des Schrittes (cg); (Q23) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem vorliegenden Anspruch 266 angesprochenen Schritte umfassen, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (Q24) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von {(ec) oder )ef)} bis (cg) in dem vorliegenden Anspruch 266 erwähnten Schritte umfassen,
MS nach einem der Ansprüche 154–162, dadurch gekennzeichnet, dass in ihm, mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung oder bei seinem Fehlen ausgeführt ist: (ab); (be); (cd); (de); (ec); (Q31) ein oder mehrere Zyklen, die die Schritte (cd), (de) und (ec), (cg) umfassen; – die Durchführung der Schritte für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes in der Abhängigkeit von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q33) ein oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem nachstehenden Anspruch 267 angesprochene Schritte umfassen, oder: (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (Q34) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller von (ec) bis (cg) in dem vorliegenden P.267 erwähnten Schritte umfassen.
MS nach einem der Ansprüche 151–153, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Ionenentnahme oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cg); (ge) oder {(gc) und weiter (ce)}; (ec); (cg); – die Durchführung der Schritte für die Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes abhängig von den Ergebnissen der Realisation vom Schritt (cg): (Q43) ein oder mehrere Zyklen, die die serienmäßige Durchführung aller von (ab) bis (cg) in dem vorliegenden Anspruch 268 angesprochene Schritte umfassen, oder: (Q43) ein oder mehrere Zyklen, die die Durchführung aller in dem vorliegenden Anspruch 268 angesprochener Schritte (ec); (cg); (ge) oder {(gc) und weiter (ce)} umfassen.
MS nach einem der Ansprüche 254–262, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens, ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Zerkleinerungszelle oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cd); (dc) die Abführung des kanalspezifischen Ionenstromes aus dem IB-Kanal der Ionenentnahme und die Eingabe ihn in den Verteilungs-Beschleunigungs-IB-Kanal; (Q51) ein oder mehrere Zyklen, die die Schritte (cd) und (dc) umfassen; Schritt (cg).
MS nach Anspruch 250, dadurch gekennzeichnet, dass darin mindestens ein MS-Kanal mit der Gewährleistung der Möglichkeit der serienmäßigen Durchführung von Schritten der Umstellung des kanalspezifischen Ionenstromes vorbeigehend an dem IB-Kanal der zusätzlichen Ionenspeicherung und an dem IB-Kanal der Ionenentnahme und an den Zerkleinerungszellen oder bei ihren Fehlen ausgeführt ist: (ab); (bc); (cg).
MS nach einem der Ansprüche 254–270, dadurch gekennzeichnet, dass es bei der Ausführung des IB-Kanals in der zeitlaufenden analyatorisch-dispergierenden Art das System der Übermittlung und der Bearbeitung von Daten enthält, die den parallelen Empfang der Spektren von den Tochterfragmenten, ohne Mischung der Spektren von den Ionen, die den Ausgangsmaterial vorstellen, sichert.