DE112009001882T5 - OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür - Google Patents

OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür Download PDF

Info

Publication number
DE112009001882T5
DE112009001882T5 DE112009001882T DE112009001882T DE112009001882T5 DE 112009001882 T5 DE112009001882 T5 DE 112009001882T5 DE 112009001882 T DE112009001882 T DE 112009001882T DE 112009001882 T DE112009001882 T DE 112009001882T DE 112009001882 T5 DE112009001882 T5 DE 112009001882T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pixel
oled
transistor
gate
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112009001882T
Other languages
English (en)
Inventor
Euan Smith
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Display Technology Ltd
Original Assignee
Cambridge Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cambridge Display Technology Ltd filed Critical Cambridge Display Technology Ltd
Publication of DE112009001882T5 publication Critical patent/DE112009001882T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix, wobei die Anzeige mehrere OLED-Bildpunkte, jeder mit einer zugeordneten Bildpunkt-Treiberschaltung, besitzt und die Anzeige mehrere Auswahlleitungen und mehrere Datenleitungen besitzt, um einen OLED-Bildpunkt auszuwählen und um die Daten für die Anzeige in einen ausgewählten OLED-Bildpunkt zu schreiben, wobei jede Bildpunkt-Treiberschaltung an eine Auswahlleitung und an eine Datenleitung gekoppelt ist, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung einen Ansteuertransistor enthält, der konfiguriert ist, um eine OLED anzusteuern, und ferner einen Auswahltransistor mit einem ersten Anschluss, der an die Auswahlleitung gekoppelt ist, und einem zweiten Anschluss, der an die Datenleitung gekoppelt ist, enthält, wobei einer des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Gate-Verbindung des Auswahltransistors enthält, während der andere des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Drain- oder eine Source-Verbindung des Auswahltransistors enthält, und wobei der Auswahltransistor einen Transistor mit Source-, Drain- und Gate-Bereichen enthält, wobei der Gate-Bereich die Source- und Drain-Bereiche wenigstens teilweise...

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich auf Bildpunkt-Treiberschaltungen für optoelektronische Vorrichtungen mit aktiver Matrix, insbesondere OLED-Anzeigen (Anzeigen mit organischen Leuchtdioden), und die zugeordneten Anzeigen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die Ausführungsformen der Erfindung werden beschrieben, während sie in OLED-Anzeigen mit aktiver Matrix besonders nützlich sind, obwohl die Anwendungen und die Ausführungsformen der Erfindung nicht auf derartige Anzeigen eingeschränkt sind und mit anderen Typen einer Anzeige mit aktiver Matrix und außerdem in Ausführungsformen in Sensoranordnungen mit aktiver Matrix verwendet werden können.
  • Organischen Leuchtdioden, die hier organometallische LEDs enthalten, können unter Verwendung von Materialien, einschließlich Polymeren, kleinen Molekülen und Dendrimern, in einem Bereich von Farben, die von den verwendeten Materialien abhängen, hergestellt werden. Beispiele organischer LED auf Polymerbasis sind in WO 90/13148 , WO 95/06400 und WO 99/48160 beschrieben; Beispiele von Materialien auf Dendrimer-Basis sind in WO 99/21935 und WO 02/067343 beschrieben; und Beispiele von auf sogenannten kleinen Molekülen basierenden Vorrichtungen sind in US 4.539.507 beschrieben. Eine typische OLED-Vorrichtung umfasst zwei Schichten aus organischem Material, von denen eine eine Schicht eines lichtemittierenden Materials, wie z. B. eines lichtemittierenden Polymers (LEP), eines Oligomers oder eines lichtemittierenden Materials mit niedrigem Molekulargewicht, ist, während die andere von ihnen eine Schicht eines lochtransportierenden Materials, wie z. B. eines Polythiophen-Derivats oder eines Polyanilinderivats, ist.
  • Organische LEDs können auf einem Substrat in einer Matrix von Bildpunkten abgeschieden werden, um eine Anzeige mit ein- oder mehrfarbigen Bildpunkten zu bilden. Eine mehrfarbige Anzeige kann unter Verwendung von Gruppen von rot-, grün- und blauemittierenden Unterbildpunkten konstruiert werden. Sogenannte Anzeigen mit aktiver Matrix besitzen ein Speicherelement, typischerweise einen Speicherkondensator und einen Transistor, das jedem Bildpunkt zugeordnet ist (wohingegen Anzeigen mit passiver Matrix kein derartiges Speicherelement besitzen und stattdessen wiederholt abgetastet werden, um den Eindruck eines stationären Bildes zu liefern). Beispiele der Treiber für Anzeigen mit aktiver Matrix mit Polymeren und kleinen Molekülen können in WO 99/42983 bzw. EP 0.717.446A gefunden werden.
  • Es ist üblich, für eine OLED eine stromprogrammierte Ansteuerung zu schaffen, weil die Helligkeit einer OLED durch den Strom bestimmt ist, der durch die Vorrichtung fließt, wobei dieser die Anzahl der Photonen bestimmt, die sie erzeugt, wohingegen es in einer einfachen spannungsprogrammierten Konfiguration schwierig sein kann, vorherzusagen, wie hell ein Bildpunkt erscheint, wenn er angesteuert wird.
  • Ein Beispiel einer spannungsangesteuerten Bildpunkt-Treiberschaltung ist in US 2006/0244696 beschrieben. Diese verwendet einen Treibertransistor mit einem gekrümmten oder Serpentinenkanal und beschreibt eine Farbanzeige, bei der die blauen Bildpunkte größer als die grünen Bildpunkte sind, so dass die Bildpunktzeilen zwei gegenüberliegende Grenzen besitzen, eine gekrümmte Grenze und eine gerade Grenze. Weiterer Stand der Technik als Hintergrund kann in US 2005/0116295 gefunden werden, das eine ringförmige Segment-MOSFET-Struktur beschreibt und einen kreisförmigen n-Kanal-MOSFET veranschaulicht. Ein Transistor mit einer gekrümmten Gate-Schicht ist außerdem in US 6.599.781 beschrieben.
  • Der Stand der Technik als Hintergrund bezüglich stromprogrammierter Treiberschaltungen für Bildpunkte mit aktiver Matrix kann in "Solution for Large-Area Full-Color OLED Television – Light Emitting Polymer and a-Si TFT Technologies", T. Shirasaki, T. Ozaki, T. Toyama, M. Takei, M. Kumagai, K. Sato, S. Shimoda, T. Tano, K. Yamamoto, K. Morimoto, J. Ogura und R. Hattori von Casio Computer Co. Ltd. und Kyushu University, eingeladener Vortrag, AMD3/OLED5 – 1, 11th International Display Workshops, 8.–10. Dezember 2004, IDW '04 Conference Proceedings, S. 275–278, gefunden werden.
  • Die 1a und 1b, die aus dem IDW '04-Vortrag entnommen sind, zeigen ein Beispiel einer stromprogrammierten Bildpunktschaltung mit aktiver Matrix und ein entsprechendes Taktdiagramm. Im Betrieb wird in einer ersten Stufe die Datenleitung kurz geerdet, um den Cs und die Sperrschichtkapazität der OLED zu entladen (Vselect, Vreset hoch, Vsource tief). Dann wird eine Datensenke Idata verwendet, so dass ein entsprechender Strom durch T3 fließt und der Cs die Gate-Spannung speichert, die für diesen Strom erforderlich ist (die Vsource ist tief, so dass kein Strom durch die OLED fließt, wobei T1 eingeschaltet ist, daher befindet sich T3 in der Diodenschaltung). Schließlich Wird die Auswahlleitung deaktiviert und wird die Vsource hoch genommen, so dass der programmierte Strom (wie er durch die in Cs gespeicherte Gate-Spannung bestimmt ist) durch die OLED fließt (IOLED).
  • 1a zeigt eine einzelne Bildpunktschaltung, es ist aber klar, dass es in einer typischen OLED-Anzeige (farbig oder einfarbig), die viele Zeilen und Spalten von Bildpunkten umfasst, mehrere derartiger Bildpunktschaltungen gibt, die mit jeder Datenleitung (in einer Spalte, wie veranschaulicht ist) und mit jeder Auswahlleitung (in einer Zeile, wie veranschaulicht ist) verbunden sind. Ein typischer Programmierstrom für eine OLED liegt der Größenordnung von 1–10 μA, z. B. 2–5 μA, wobei dieser an ein Ende der Datenleitung angelegt wird, wobei er aber verwendet wird, um den Bildpunkt-Speicherkondensator CS zu laden. Folglich ist der Widerstand der Datenleitung und des Schalt-/Auswahltransistors T2 signifikant, wie die Gesamtkapazität auf der Datenleitung signifikant ist, die teilweise durch die Gate-zu-Drain/Source-Kapazität jedes mit der Datenleitung verbundenen Auswahltransistors bestimmt ist. Allgemein gesprochen ist die RC-Zeitkonstante das Produkt aus der Anzahl der Zeilen der Anzeige, dem Widerstand des Schalt-/Auswahltransistors, wenn dieser eingeschaltet ist, und der Ein gangskapazität (Gate-zu-Drain/Source) eines Schalt-/Auswahltransistors. Die spannungsangesteuerten Bildpunktschaltungen, die außerdem einen Schalt-/Strich-Auswahltransistor besitzen, zeigen ähnliche Probleme.
  • Es ist erwünscht, die Programmierzeit eines Bildpunktes zu verringern, wobei es eine Anzahl herkömmlicher Zugänge zu diesem Problem gibt. Ein Zugang umfasst das Verringern des Widerstands der Datenleitung durch die Verwendung einer Kupferverbindung. Ein weiterer umfasst das Ansteuern einer größeren Spannungsänderung auf der Programmierleitung (Datenleitung), um den Strom anzusteuern. Es könnte vermutet werden, dass das Breite-Länge-Verhältnis des Schalt-/Auswahltransistors vergrößert werden könnte, um den Widerstand dieses Transistors zu verringern und folglich die Programmierzeit zu verringern, wobei dies aber die unerwünschte Nebenwirkung der Vergrößerung der Eingangskapszität dieses Transistors besitzt, die dazu neigt, gegen die gewünschte Verringerung der Programmierzeit zu arbeiten. Ein noch weiterer Zugang zum Verringern der Programmierzeit besteht darin, einen selbstausgerichteten Prozess zum Herstellen der Dünnschichttransistoren der Bildpunkt-Treiberschaltung zu verwenden, weil durch die Verwendung eines selbstausgerichteten Gates die Überlappung zwischen den Source-/Drain-Bereichen und dem Gate-Bereich effektiv eliminiert werden kann, wobei folglich die interne Kapazität des, Feldeffekttransistors (FET) verringert wird.
  • Deshalb sind verbesserte Techniken, um die Programmierzeit eines Bildpunkts mit aktiver Matrix zu verringern, erwünscht.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird deshalb eine Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix geschaffen, wobei die Anzeige mehrere OLED-Bildpunkte, jeder mit einer zugeordneten Bildpunkt-Treiberschaltung, besitzt und die Anzeige mehrere Auswahlleitungen und mehrere Datenleitungen besitzt, um einen OLED-Bildpunkt auszuwählen und um die Daten für die Anzeige in einen ausgewählten OLED-Bildpunkt zu schreiben, wobei jede Bildpunkt-Treiberschaltung an eine Auswahlleitung und an eine Datenleitung gekoppelt ist, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung einen Auswahltransistor mit einem ersten Anschluss, der an die Auswahlleitung gekoppelt ist, und einem zweiten Anschluss, der an die Datenleitung gekoppelt ist, enthält, wobei einer des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Gate-Verbindung des Auswahltransistors enthält, während der andere des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Drain- oder eine Source-Verbindung des Auswahltransistors enthält, und wobei der Auswahltransistor einen Transistor mit Source-, Drain- und Gate-Bereichen enthält, wobei der Gate-Bereich die Source- und Drain-Bereiche wenigstens teilweise überlappt, und wobei eine Fläche der Überlappung des Gate-Bereichs mit dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich größer als eine Fläche der Überlappung mit dem jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs ist.
  • Die Erfinder haben erkannt, dass durch das Herstellen eines asymmetrischen Auswahltransistors, insbesondere mit einem gekrümmten Gate-Bereich, die Kapazität auf einer Seite des Auswahltransistors auf Kosten der Zunahme der Kapazität auf der anderen Seite des Transistors verringert werden kann. Im Kontext einer Bildpunktschaltung mit aktiver Matrix schafft dies jedoch einen Gesamtleistungsgewinn, weil es die Eingangskapazität ist, die in erster Linie die Programmierzeit bestimmt, wobei folglich durch Verringerung der Eingangskapazität des Schalt-/Auswahltransistors die Programmierzeit insgesamt verringert werden kann, selbst wenn die Kapazität auf der anderen Seite dieses Transistors vergrößert werden kann. In den Ausführungsformen enthält der zweite Anschluss, der an die Datenleitung gekoppelt ist, den Source-/Drain-Bereich mit der kleineren Fläche der Überlappung mit dem Gate-Bereich.
  • Der Source-Bereich und der Drain-Bereich können eine Vielfalt verschiedener Formen besitzen, vorausgesetzt, dass einer der Bereiche sich teilweise um den anderen krümmt oder den anderen umgibt. Damit sich ein Bereich um den anderen krümmt, muss er keine glatte Krümmung besitzen, sondern stattdessen z. B. ein Paar von Armen oder Vorsprüngen. Obwohl auch Formen mit glatten Krümmungen für die Leichtigkeit der Herstellung und/oder der Verringerung des elektrischen Feldes bevorzugt sein können, sind sie nicht wesentlich. In Ausführungsformen ist der Kanal des Auswahltransistors nur in einer Richtung gekrümmt – d. h., er besitzt keine Serpentinenform. In den Ausführungsformen ist eine gekrümmte, bogenförmige oder Hufeisenform bevorzugt, weil dies hinsichtlich der Vorrichtungsgeometrie und der eingenommen Fläche relativ effizient ist.
  • In einigen bevorzugten Ausführungsformen beträgt das Kapazitätsverhältnis zwischen dem Gate-Bereich und den verschiedenen jeweiligen Source-/Drain-Bereichen wenigstens 1:1,5, vorzugsweise wenigstens 1:2. Die kleinere Fläche der Überlappung kann z. B. eine Fläche im Bereich von 20 μm2 bis 150 μm2 besitzen. In den Ausführungsformen besitzt der Kanal eine Breite von wenigstens 1 μm oder 2 μm; vorzugsweise ist eine maximale seitliche Abmessung des größeren Source-/Drain-Bereichs wenigstens 2 μm, 4 μm oder 6 μm größer als eine maximale seitliche Abmessung des kleineren Source-/Drain-Bereichs.
  • In einigen bevorzugten Ausführungsformen ist der Auswahltransistor eine Vorrichtung mit unterem Gate und ist die Anzeige eine oben emittierende Anzeige. Im Allgemeinen enthält die Bildpunkt-Treiberschaltung einen Datenspeicherkondensator, der entweder direkt oder indirekt an einen dritten Anschluss des Auswahltransistors gekoppelt ist (in den Ausführungsformen, in denen der Drain-/Source-Bereich nicht mit der Datenleitung verbunden ist). Die Bildpunkt-Treiberschaltung enthält im Allgemeinen außerdem einen Ansteuertransistor mit einem Steuereingang, der an den Datenspeicherkondensator gekoppelt ist, und einen Ausgang zum Ansteuern einer OLED; typischerweise besitzt dieser einen Source-/Drain-Bereich, der an eine Spannungsquelle gekoppelt ist, während der andere an eine OLED gekoppelt ist. Die Ausführungsformen der Bildpunkt-Treiberschaltung können außerdem in Abhängigkeit von der Implementierung der Schaltung einen oder mehrere weitere Transistoren enthalten. Die Bildpunkt-Treiberschaltung kann eine spannungsgesteuerte Schaltung sein, aber in bevorzugten Ausführungsformen wird eine stromgesteuerte Schaltung verwendet.
  • In den Ausführungsformen der Bildpunkt-Treiberschaltung mit wenigstens einem weiteren Transistor (abgesehen von dem Auswahltransistor und dem Ansteuertransistor) kann die Fähigkeit, das Verhältnis der Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und den zwei Drain-/Source-Anschlüssen zu ändern, einen zusätzlichen Grad der Entwurfsfreiheit schaffen. Folglich gibt es typischerweise bei der Programmierung einer Bildpunktschaltung Spannungshübe in der Schaltung, wobei die internen Kapazitäten der Transistoren in der Schaltung eingestellt werden können, um diese zu steuern – tatsächlich besitzt der Entwickler eine Fähigkeit, um Werte für die internen oder ”Streu”-Kapazitäten in der Bildpunktschaltung zu wählen.
  • Folglich schafft die Erfindung in einem weiteren Aspekt ein Verfahren zum Entwerfen einer Bildpunktschaltung mit aktiver Matrix, in der ein Verhältnis von einer oder mehreren internen Gate-Source/Drain:Gate-Drain/Source-Kapazitäten der Transistoren der Schaltung eingestellt wird. Es werden außerdem eine Bildpunktschaltung mit aktiver Matrix, die unter Verwendung dieses Verfahren entworfen wird, und eine Anzeige, die mehrere derartige Bildpunktschaltungen enthält, geschaffen.
  • In den Ausführungsformen von angenommen einer stromprogrammierten Bildpunkt-Treiberschaltung des in 1 veranschaulichten Typs können z. B. die Verhältnisse der internen Kapazitäten des Schalt-/Auswahltransistors und des Programmiertransistors (T1) eingestellt werden, um die Wirkungen des Spannungshubs auf der Auswahlleitung (der z. B. bis zu 20 V betragen kann), der den Spannungshub auf der Spannungsquellenleitung (der z. B. 5–10 Volt betragen kann) teilweise annulliert, während der Programmierung zu verringern.
  • In einem damit in Beziehung stehenden Aspekt schafft die Erfindung eine Bildpunktschaltung für eine Anzeige mit aktiver Matrix, wobei die Bildpunktschaltung eine Auswahlleitung, um den Bildpunkt auszuwählen, und eine Datenleitung zum Lesen oder Schreiben der Bildpunktdaten aus dem oder in den Bildpunkt besitzt, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung ferner einen Bildpunkt-Auswahltransistor mit zwei Kanalverbindungen und einer Gate-Verbindung besitzt, und wobei die Gate-Verbindung an die Datenleitung oder die Auswahlleitung gekoppelt ist, während eine erste der Kanalverbindungen an die jeweils andere der Datenleitung bzw. der Auswahlleitung gekoppelt ist, und wobei eine interne Kapazität des Bildpunkt-Auswahltransistors zwischen der Gate-Verbindung und der ersten der Kanalverbindungen kleiner als die interne Kapazität des Bildpunkt-Auswahltransistors zwischen der Gate-Verbindung und einer zweiten der Kanal verbindungen ist.
  • Vorzugsweise ist die kleinere der zwei internen Gate-Source/Drain-Kapazitäten kleiner als 2/3, stärker bevorzugt kleiner als die Hälfte der Größeren. Wie oben beschrieben worden ist, ist in den Ausführungsformen der zweite Kanalbereich wenigstens teilweise um den ersten Kanalbereich gewickelt.
  • Die Bildpunktschaltung kann zusätzlich oder alternativ zu einer Bildpunkt-Treiberschaltung eine Sensorschaltung enthalten. In den Ausführungsformen enthält die Schaltung jedoch eine Bildpunkt-Treiberschaltung für eine OLED, wobei die Bildpunktdaten die Bildpunkt-Leuchtdichtedaten für die OLED umfassen. In bevorzugten Ausführungsformen ist die Bildpunkt-Treiberschaltung eine stromgesteuerte Schaltung, wie z. B. oben beschrieben worden ist.
  • In einem weiteren damit in Beziehung stehenden Aspekt schafft die Erfindung eine Bildpunktschaltung für eine Anzeige mit aktiver Matrix, wobei die Bildpunktschaltung wenigstens einen Feldeffekttransistor (FET) mit einem gekrümmten Gate-Bereich enthält, so dass eine Gate-Source-Kapazität des FET von einer Gate-Drain-Kapazität des FET verschieden ist.
  • In den Ausführungsformen ist der FET um eine Linie längs der Mitte des Kanals zwischen dem Source- und dem Drain-Bereich asymmetrisch, wobei er insbesondere nur in einer Richtung gekrümmt ist (ungleich einer Vorrichtung mit Serpentinenkanal).
  • Die Erfindung schafft außerdem eine Anzeige mit aktiver Matrix, insbesondere eine elektroluminiszente Anzeige, spezieller eine OLED-Anzeige, die eine Bildpunktschaltung enthält, wie oben beschrieben worden ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Diese und weitere Aspekte der Erfindung werden nun lediglich beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren weiter beschrieben, worin:
  • 1a bis 1g Beispiele der Bildpunktschaltungen gemäß dem Stand der Technik und ein entsprechendes Taktdiagramm und weitere Beispiele von Bildpunkt-Treiberschaltungen mit aktiver Matrix zeigen;
  • 2a bis 2d eine schematische Veranschaulichung eines herkömmlichen Dünnschichttransistors, eine schematische Veranschaulichung eines Dünnschichttransistors mit gekrümmtem Kanal, eine schematische graphische Darstellung einer OLED-Anzeige mit aktiver Matrix, die mehrere Bildpunkt-Treiberschaltungen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung enthält, und Beispiele alternativer Kanalformen, die mit den Ausführungsformen der Erfindung verwendet werden können, in dieser Reihenfolge zeigen;
  • 3a und 3b einen vertikalen Querschnitt durch eine Ausführungsform der Vorrichtung nach 2b bzw. die Schritte bei der Herstellung der Vorrichtung nach 3a zeigen;
  • 4 die Schaltung nach 1a zeigt und die parasitären/internen Kapazitäten veranschaulicht; und
  • 5 ein Beispiel einer Sensorschaltung mit aktiver Matrix zeigt, die einen Transistor mit gekrümmtem Gate enthält.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird die Verwendung einer asymmetrischen Dünnschichttransistor-Struktur (TFT-Struktur) für die Verringerung der Datenleitungskapazität beschrieben. Die Verwendung eines Transistors mit gekrümmtem, z. B. halbkreisförmigem Kanal ermöglicht die bevorzugte Verringerung der Kapazität zwischen dem Gate und einem der Source-/Drain-Anschlüsse des Transistors. Das Aufnehmen einer derartigen Vorrichtung mit gekrümmtem Kanal in die Bildpunktschaltung einer OLED-Anzeige mit aktiver Matrix ermöglicht es, dass verbesserte Bildpunktschaltungen konstruiert werden. Im Fall eines Auswahl-TFT, der mit einer Programmier-Datenleitung in einer Rückwandplatine einer TFT-Anzeige verbunden ist, kann die Programmierzeit für einen OLED-Bildpunkt verringert werden. In den Ausführungsformen verringert der gekrümmte Kanal die Gate-Kontakt-Kapazität am inneren Radius, während er erlaubt, dass die Gate-Kontakt-Kapazität am äußeren Radius zunimmt, ohne die Gleichstromleistung der Vorrichtung wesentlich zu ändern.
  • Bildpunktschaltungen mit aktiver Matrix
  • 1c zeigt ein Beispiel einer spannungsprogrammierten OLED-Bildpunktschaltung 150 mit aktiver Matrix. Für jeden Bildpunkt der Anzeige ist eine Schaltung 150 vorgesehen, wobei die Stromschienen für die Vdd 152, die Masse 154, die Zeilenauswahl 124 und die Spaltendaten 126 vorgesehen sind, die die Bildpunkte miteinander verbinden. Folglich besitzt jeder Bildpunkt eine Leistungs- und Masseverbindung, wobei jede Zeile der Bildpunkte eine gemeinsame Zeilenauswahlleitung 124 besitzt, während jede Spalte der Bildpunkte eine gemeinsame Datenleitung 126 besitzt.
  • Jeder Bildpunkt besitzt eine OLED 152, die zwischen Masse und den Leistungsleitungen 152 und 154 mit einem Treibertransistor 158 in Reihe geschaltet ist. Eine Gate-Verbindung 159 des Treibertransistors 158 ist an einen Speicherkondensator 120 gekoppelt, wobei ein Steuertransistor 122 das Gate 159 unter der Steuerung der Zeilenauswahlleitung 124 an die Spaltendatenleitung 126 koppelt. Der Transistor 122 ist ein Dünnschicht-Feldeffekttransistor-Schalter (TFT-Schalter), der die Spaltendatenleitung 126 mit dem Gate 159 und dem Kondensator 120 verbindet, wenn die Zeilenauswahlleitung 124 aktiviert ist. Wenn folglich der Schalter 122 eingeschaltet ist, kann eine Spannung an der Spaltendatenleitung 126 in einem Kondensator 120 gespeichert werden. Diese Spannung wird infolge der relativ hohen Impedanz der Gate-Verbindung mit dem Treibertransistor 158 und des Schalttransistors 122 in seinem ”Aus”-Zustand wenigstens während der Rahmenauffrischperiode in dem Kondensator gehalten.
  • Der Treibertransistor 158 ist typischerweise ein TFT und leitet einen (Drain-Source-)Strom, der von der Gate-Spannung des Transistors abhängig ist, die kleiner als eine Schwellenspannung ist. Folglich steuert die Spannung am Gate-Knoten 159 den Strom durch die OLED 152 und folglich die Helligkeit der OLED.
  • Die spannungsprogrammierte Schaltung nach 1c leidet an einer Anzahl von Nachteilen, insbesondere weil die OLED-Emission nichtlinear von der angelegten Spannung abhängt, wobei die Stromsteuerung bevorzugt ist, weil die Lichtausgabe aus einer OLED zu dem Strom proportional ist, der durch sie fließt. 1d (in der die Elemente, die zu denen nach 1c gleich sind, durch die gleichen Bezugszeichen angegeben sind) veranschaulicht eine Variante der Schaltung nach 1c, die die Stromsteuerung verwendet. Insbesondere ”programmiert” ein Strom in der (Spalten-)Datenleitung, der durch den Stromgenerator 166 eingestellt wird, den Strom durch den Dünnschichttransistor (TFT) 160, der wiederum den Strom durch die OLED 152 einstellt, weil, wenn der Transistor 122a eingeschaltet ist, die (angepassten) Transistoren 160 und 158 einen Stromspiegel bilden. 1e veranschaulicht eine weitere Variante, in der der TFT 160 durch eine Photodiode 162 ersetzt ist, so dass der Strom in der Datenleitung (wenn die Bildpunkt-Treiberschaltung ausgewählt ist) durch das Einstellen eines Stroms durch die Photodiode eine Lichtausgabe aus der OLED programmiert.
  • 1f, die aus der Anmeldung WO03/038790 entnommen ist, zeigt ein weiteres Beispiel einer stromprogrammierten Bildpunkt-Treiberschaltung. In dieser Schaltung wird der Strom durch eine OLED 152 durch das Einstellen eines Drain-Source-Stroms für den OLED-Treibertransistor 158 unter Verwendung eines Stromgenerators 166, z. B. einer Referenz-Stromsenke, und das Memorieren der Treibertransistor-Gate-Spannung, die für diesen Drain-Source-Strom erforderlich ist, eingestellt. Folglich wird die Helligkeit der OLED 152 durch den Strom Icol, der in die Referenz-Stromsenke 166 fließt, bestimmt, der vorzugsweise einstellbar ist und so eingestellt wird, wie für den adressierten Bildpunkt gewünscht ist. Außerdem ist ein weiterer Schalttransistor 164 zwischen den Ansteuertransistor 158 und die OLED 152 geschaltet, um die OLED-Beleuchtung während der Programmierungsphase zu verhindern. Im Allgemeinen ist eine Stromsenke 166 für jede Spaltendatenleitung vorgesehen. 1g zeigt eine Variante der Schaltung nach 1f.
  • Vorrichtungen mit gekrümmtem Kanal.
  • Ein Problem bei jeder TFT-Vorrichtung ist die Kapazität, die durch die Überlappung zwischen den Kontakten und dem Gate verursacht wird. Diese kann einen signifikanten Einfluss hinsichtlich der Schaltungsreaktionszeit und des Kriechverlusts besitzen, insbesondere wo eine große Anzahl von Vorrichtungen parallelgeschaltet ist. Wo jedoch das Gate und die Source-/Drain-Kontakte getrennt gemustert werden, sollte es irgendeinen Grad der Überlappung geben, um eine Lücke zu vermeiden, die einen sehr vergrößerten Kontaktwiderstand einführen würde, der eine viel schlechtere Wirkung auf die Leitung besitzen würde.
  • Ein besonderer Fall, wo dies ein Problem ist, ist bei der Daten- oder Programmierleitung auf einer Rückwandplatine einer Anzeige. Die Datenleitung ist die Verbindung, durch die die Bildpunktschaltungen programmiert werden. Eine Gate-Leitung für eine spezielle Bildpunktzeile schließt einen Schalttransistor, der die Datenleitung mit der Bildpunktschaltung verbindet. Es gibt einen von diesen Schaltern pro Bildpunktzeile. Jeder der Schalter besitzt irgendeine Eingangskapazität, die, während sie für eine einzelne Vorrichtung klein ist, ein Problem wird, wie die Zeilenanzahl zunimmt, insbesondere mit dem zunehmenden Bedarf an Anzeigen mit immer höherer Auflösung.
  • In Abhängigkeit vom Herstellungsprozess kann irgendeine Überlappung zwischen dem Gate-Metall und dem Drain-/Source-Metall unvermeidbar sein, z. B. infolge der Ausrichtungsregeln und der Notwendigkeit, irgendeinen Grad der Toleranz für die Fehlausrichtung vorzusehen. Die Ausführungsformen der Erfindung verwenden deshalb eine asymmetrische Vorrichtungskonstruktion mit einem gekrümmten Gate-Bereich, der vorzugsweise die Kapazität auf der Datenleitungsseite jedes (Auswahl-)Transistors beträchtlich verringert.
  • 2a und 2b zeigen schematische graphische Darstellungen einer herkömmlichen Vorrichtung (2a) und eines Dünnschichttransistors 200 mit gekrümmtem Kanal (2b), jede mit der gleichen nominellen Gate-Breite. In der Vorrichtung nach 2b enthält der Transistor einen ersten Drain-/Source-Metallbereich 202, einen zweiten Drain-/Source-Metallbereich 204 und einen darüberliegenden Gate-Bereich 206, der, wie entnommen werden kann, die ersten und zweiten Drain-/Source-Bereiche teilweise überlappt. (In dieser Beschreibung bedeuten Hinweise auf einen ”darüberliegenden” Gate-Bereich nicht notwendigerweise, dass sich der Gate-Bereich über den Source-/Drain-Bereichen befindet; bevorzugte Ausführungsformen des Transistors enthalten Vorrichtungen mit unterem Gate.) In 2a sind die Elemente, die die gleichen wie die nach 2b sind, durch die gleichen Bezugszeichen angegeben. Die Überlappung des Gates 206 mit dem Drain-/Source-Bereich 202 verursacht eine erste interne Kapazität Ca; die Überlappung des Gates mit dem Drain-/Source-Bereich 204 verursacht eine zweite, größere interne Kapazität Cb. Durch Untersuchung kann gesehen werden, dass in dem Fall der Vorrichtung nach 2b im Vergleich zu der nach 2a die überlappte Fläche für die Vorrichtung mit gekrümmtem Kanal sehr verringert ist, obwohl die Überlappungsentfernung die gleiche ist; d. h., Ca ist viel kleiner als Cb.
  • In einer typischen Vorrichtung kann die Ausrichtungstoleranz in der Größenordnung von ±4 μm liegen, kann die Entfernung x in der Größenordnung von 5–10 μm liegen, kann die Entfernung y in der Größenordnung von 4 μm liegen und kann die Entfernung z in der Größenordnung von 4 μm liegen. Dies ergibt ein Verhältnis von Cb:Ca von etwa 1,5:1 (dem Verhältnis der Flächen).
  • 2c zeigt einen schematischen Stromlaufplan einer OLED-Anzeige 220 mit aktiver Matrix, die mehrere Bildpunkt-Treiberschaltungen 222 enthält, von denen jede einen Auswahltransistor 200 des in 2b gezeigten Typs enthält. Die Gate-Verbindung des Auswahltransistors ist an eine Auswahlleitung 224 gekoppelt, während die Source-/Drain-Verbindung 202 mit der kleineren internen Kapazität mit der Datenleitung 226 verbunden ist. In dem veranschaulichten Beispiel gibt es mehrere Spaltendatenleitungen (wobei nur eine gezeigt ist) und mehrere Zeilenauswahlleitungen; jede Bildpunktschaltung 222 ist an wenigstens eine Datenleitung 226 und an wenigstens eine Auswahlleitung 224 gekoppelt. Der Fachmann erkennt, dass die Bildpunktschaltung 222 irgendeine der vorher beschriebenen Bildpunkt-Treiberschaltungen enthalten kann, um eine zugeordnete OLED 228 anzusteuern, oder dass irgendeine aus einem Bereich anderer Bildpunkt-Ansteuerschaltungen verwendet werden kann, wobei weitere Beispiele davon den Fachleuten auf dem Gebiet wohlbekannt sind. Außerdem oder alternativ kann der Auswahltransistor 200 einen Teil einer Bildpunkt-Sensorschaltung enthalten, wobei ein veranschaulichendes Beispiel davon später angegeben wird.
  • Unter Bezugnahme auf 2c kann gesehen werden, dass durch die Verringerung der Kapazität Ca die Gesamtdatenleitungskapazität verringert werden kann, wobei folglich die Programmierzeit (oder Auslesezeit) eines Bildpunkts außerdem verringert werden kann.
  • In einem physikalischen Aufbau der Bildpunktschaltung kann es erwünscht sein, unbesetzte ”Flügel” auf jeder Seite des Source-/Drain-Metallbereichs 204 für den Bildpunktdaten-Speicherkondensator (den Kondensator Cs in 1a) zu verwenden. Folglich können allgemeiner in einem physikalischen Aufbau der Bildpunktschaltung 222 ein oder mehrere Bereiche eines Rechtecks, das nur den Transistor 200 (in der Seitenebene) umgibt, durch wenigstens einen Teil eines Bildpunktdaten-Speicherkondensators der Bildpunktschaltung eingenommen werden.
  • 2d zeigt einige Beispiele von alternativen, wenn auch weniger bevorzugtengekrümmten Kanalformen. Wie aus der unteren Figur entnommen werden kann, ist es nicht wesentlich, dass der Bereich 204 Arme oder Vorsprünge besitzt, die den Bereich 202 umgeben.
  • 3a zeigt eine vertikale Querschnittsansicht durch den Transistor 200 nach 2b (in der das Substrat und die Vorrichtungsverbindungen für die Klarheit weggelassen worden sind). Die Vorrichtung umfasst eine Gate-Verbindung 206, die aus irgendeinem geeigneten Gate-Metall hergestellt ist, über der eine Oxidschicht 208 liegt, der in den Ausführungsformen eine Schicht 210 aus amorphem Silizium folgt, gefolgt von einer Source-/Drain-Metallschicht 202, 204. 3b zeigt die Schritte bei der Herstellung der Vorrichtung, die zuerst die Abscheidung und das Mustern der Gate-Metallschicht, dann die Abscheidung einer Oxidschicht und dann die Abscheidung und das Mustern von amorphem Silizium und des Source-/Drain-Metalls, um die Source- und Drain-Kontakte für die Vorrichtung zu schaffen, umfassen.
  • 4 zeigt die stromgesteuerte Bildpunkt-Treiberschaltung nach 1a, wobei die Knoten 1–6 gekennzeichnet sind, und zeigt die internen parasitären Kapazitäten der Vorrichtungen T1–T3 und der OLED. Das durch diese Kapazitäten gebildete Netzwerk ist auf der rechten Seite der 4 getrennt gezeigt. Die anderen Bildpunktschaltungen besitzen ähnliche Netzwerke der internen Vorrichtungskapazitäten. In dem Beispiel nach 4 und unter Bezugnahme auf 1b steigt die VDD-Leitung (der Knoten 4) im Wesentlichen gleichzeitig wie die Auswahlleitung (der Knoten 2) fällt. Dies kann die (unerwünschte) Wirkung des Änderns der Spannung über der Speicherkapazität Cs besitzen, die die Gate-Source-Spannung des Ansteuertransistors T3 bestimmt. Eine Technik, um dieses Problem anzugehen, ist die Vergrößerung des Wertes des Speicherkondensators, was die Schaltung effektiv ”steifer” macht, aber die Programmierzeit vergrößert. Stattdessen kann es bevorzugt sein, das Verhältnis der Kapazitäten in einem oder mehreren der Transistoren T1, T2 und T3 einzustellen, um die Spannungsänderungen am Speicherkondensator Cs zu verringern und folglich, eine genauere Leuchtdichtesteuerung zu erhalten, ohne die Programmierzeit wesentlich zu beeinträchtigen. Die genauen Werte/Verhältnisse der in dem Netzwerk nach 4 gezeigten Kondensatoren hängen von den Einzelheiten der Schaltungsimplementierung ab und können routinemäßig ausgewählt werden, z. B. unter Verwendung eines Systems für das rechnerunterstützte Entwerfen (CAD-System).
  • In einer spannungsprogrammierten Schaltung kann das Erreichen einer schnellen Programmierzeit ein kleineres Problem als die möglichen Änderungen im Wert der im Bildpunktdaten-Speicherkondensator gespeicherten Spannung sein. Abermals kann dies angegangen werden, indem die Verhältnisse der Gate-Source/Drain:Gate-Drain/Source-Kapazität in einem oder mehreren der Transistoren T1, T2 und T3, z. B. unter Verwendung eines CAD-Systems, eingestellt werden. Wird angenommen auf die spannungsprogrammierte Bildpunktschaltung nach 1c Bezug genommen, ist die VDD-Leitung (der Knoten 4) fest, wobei sich aber die Spannung an der Auswahlleitung (dem Knoten 2) ändert, wobei abermals durch das Netzwerk der internen/parasitären Kapazitäten in den Vorrichtungen der Bildpunktschaltung die Spannung am Speicherkondensator 120 nach 1c letzten Endes auf einen anderen Wert als den auf der Datenleitung programmierten gesetzt sein kann.
  • In den Ausführungsformen einer Bildpunktschaltung ist es bevorzugt, die oben beschriebenen Techniken für einen oder mehrere Transistoren zu verwenden, die in einer im Wesentlichen linearen Betriebsart arbeiten, die zu einem Widerstand ähnlich ist, wobei in diesem Fall die Gate-Drain/Source-Überlappung effektiv als ein Kondensator arbeitet; in der Sättigungsbetriebsart kann ein komplexeres Verhalten beobachtet werden. Weil der Ansteuertransistor, der die OLED ansteuert, im Allgemeinen eine Vorrichtung mit einer relativ höheren Leistung als die anderen Transistoren der Bildpunktschaltung ist, kann dieser in den Ausführungsformen mit einem breiten kurzen Kanal, z. B. in einer Serpentinenform, hergestellt werden, der einen begrenzten praktischen Umfang zum Einführen einer internen Gate-Source/Drain-Kapazitätsasymmetrie in der Vorrichtung schaffen kann (weil ein derartiger Serpentinenkanal im Allgemeinen eine im Wesentlichen symmetrische Überlappung schafft).
  • 5 zeigt ein einfaches Beispiel einer Bildpunkt-Sensorschaltung 500, in der die Elemente, die zu den vorher beschriebenen gleich sind, durch die gleichen Bezugszeichen angegeben sind. In dem veranschaulichten Beispiel enthält die Bildpunktschaltung 500 eine organische Photodiode 502.
  • Wie der Fachmann versteht, können die oben beschriebenen Schaltungen in entweder den n- oder den p-Kanal-Varianten implementiert werden. Der Fachmann versteht ferner, dass viele weitere Variationen möglich sind und dass z. B. ein oder mehrere der in den 1c bis 1g veranschaulichten Schaltungen außer dem unter Verwendung eines Ansteuertransistors mit schwebendem Gate implementiert werden können (siehe z. B. GB 0721567.6 und GB 0723859.5 , die hiermit durch Literaturhinweis eingefügt sind). Allgemeiner kann praktisch jede in der Technik beschriebene Bildpunktschaltung konfiguriert werden, um einen (Schalt-)TFT mit gekrümmtem Gate nach dem oben beschriebenen Vorbild aufzunehmen.
  • Zweifellos fallen dem Fachmann viele weitere effektive Alternativen ein. Es ist selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen eingeschränkt ist und die für die Fachleute auf dem Gebiet offensichtlichen Modifikationen einschließt, die im Umfang der beigefügten Ansprüche liegen.
  • Zusammenfassung
  • OLED-ANZEIGE MIT AKTIVER MATRIX UND TREIBER
  • Eine Anzeige besitzt mehrere Bildpunkte einer organischen Leuchtdiode (OLED), jeder mit einer zugeordneten Bildpunkt-Treiberschaltung, mehrere Auswahlleitungen und mehrere Datenleitungen. Jede Bildpunkt-Treiberschaltung ist an eine Auswahlleitung und eine Datenleitung gekoppelt. Die Bildpunkt-Treiberschaltung enthält einen Ansteuertransistor, der konfiguriert ist, um eine OLED anzusteuern, und einen Auswahltransistor, der einen ersten Anschluss, der an eine Auswahlleitung gekoppelt ist, und einen zweiten Anschluss, der an eine Datenleitung gekoppelt ist, besitzt, wobei einer der Anschlüsse des Auswahltransistors eine Gate-Verbindung des Auswahltransistors enthält und der andere Anschluss eine Drain- oder eine Source-Verbindung des Auswahltransistors enthält, und wobei der Auswahltransistor Source-, Drain- und Gate-Bereiche enthält, wobei der Gate-Bereich die Source- und Drain-Bereiche wenigstens teilweise überlappt, wobei eine Fläche der Überlappung des Gate-Bereichs mit dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich größer als eine Fläche der Überlappung mit dem jeweils anderen Bereich ist, so dass eine Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und einer der Drain- und Source-Verbindungen kleiner als eine Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und der jeweils anderen Verbindung ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 90/13148 [0003]
    • WO 95/06400 [0003]
    • WO 99/48160 [0003]
    • WO 99/21935 [0003]
    • WO 02/067343 [0003]
    • US 4539507 [0003]
    • WO 99/42983 [0004]
    • EP 0717446 A [0004]
    • US 2006/0244696 [0006]
    • US 2005/0116295 [0006]
    • US 6599781 [0006]
    • WO 03/038790 [0037]
    • GB 0721567 [0052]
    • GB 0723859 [0052]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • ”Solution for Large-Area Full-Color OLED Television – Light Emitting Polymer and a-Si TFT Technologies”, T. Shirasaki, T. Ozaki, T. Toyama, M. Takei, M. Kumagai, K. Sato, S. Shimoda, T. Tano, K. Yamamoto, K. Morimoto, J. Ogura und R. Hattori von Casio Computer Co. Ltd. und Kyushu University, eingeladener Vortrag, AMD3/OLED5 – 1, 11th International Display Workshops, 8.–10. Dezember 2004, IDW '04 Conference Proceedings, S. 275–278 [0007]

Claims (21)

  1. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix, wobei die Anzeige mehrere OLED-Bildpunkte, jeder mit einer zugeordneten Bildpunkt-Treiberschaltung, besitzt und die Anzeige mehrere Auswahlleitungen und mehrere Datenleitungen besitzt, um einen OLED-Bildpunkt auszuwählen und um die Daten für die Anzeige in einen ausgewählten OLED-Bildpunkt zu schreiben, wobei jede Bildpunkt-Treiberschaltung an eine Auswahlleitung und an eine Datenleitung gekoppelt ist, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung einen Ansteuertransistor enthält, der konfiguriert ist, um eine OLED anzusteuern, und ferner einen Auswahltransistor mit einem ersten Anschluss, der an die Auswahlleitung gekoppelt ist, und einem zweiten Anschluss, der an die Datenleitung gekoppelt ist, enthält, wobei einer des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Gate-Verbindung des Auswahltransistors enthält, während der andere des ersten und des zweiten Anschlusses des Auswahltransistors eine Drain- oder eine Source-Verbindung des Auswahltransistors enthält, und wobei der Auswahltransistor einen Transistor mit Source-, Drain- und Gate-Bereichen enthält, wobei der Gate-Bereich die Source- und Drain-Bereiche wenigstens teilweise überlappt, und wobei eine Fläche der Überlappung des Gate-Bereichs mit dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich größer als eine Fläche der Überlappung mit dem jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs ist, so dass eine Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und einer der Drain- und Source-Verbindungen kleiner als eine Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und der jeweils anderen der Drain- und Source-Verbindungen ist.
  2. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, wobei der zweite Anschluss den jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs enthält.
  3. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Source-Bereich oder der Drain-Bereich ein Paar von Armen oder Vorsprüngen besitzt, das den jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs wenigstens teilweise umgibt.
  4. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Gate-Bereich eine im Allgemeinen genau bogenförmige Form besitzt.
  5. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach Anspruch 4, wobei sich in einer Seitenebene der gekrümmte Gate-Bereich in einer einzigen Richtung krümmt.
  6. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei eine Kapazität zwischen dem Gate-Bereich und dem Source-Bereich oder dem Drain-Bereich wenigstens 1,5 mal größer als eine Kapazität zwischen dem Gate-Bereich und dem jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs ist.
  7. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der Auswahltransistor einen dritten Anschluss besitzt, wobei der dritte Anschluss die Source- bzw. die Drain-Verbindung des Auswahltransistors enthält, und wobei eine interne Kapazität des Auswahltransistors zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss kleiner als eine interne Kapazität des Auswahltransistors zwischen dem ersten und dem dritten Anschluss ist.
  8. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der Auswahltransistor eine Kanalbreite von wenigstens 1 μm besitzt und wobei eine maximale seitliche Abmessung des Source-Bereichs oder des Drain-Bereichs wenigstens 2 μm größer als eine maximale seitliche Abmessung jeweils anderen des Source-Bereichs bzw. des Drain-Bereichs ist.
  9. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Anschluss des Auswahltransistors die Gate-Verbindung des Auswahltransistors enthält und wobei der zweite Anschluss des Auswahltransistors eine Drain- oder Source-Verbindung des Auswahltransistors enthält.
  10. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Anzeige eine oben emittierende Anzeige ist und wobei der Auswahltransistor ein Transistor mit unterem Gate ist.
  11. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Bildpunkt-Ansteuerschaltung ferner den Ansteuertransistor, der konfiguriert ist, um eine OLED des zugeordneten Bildpunktes anzusteuern, und wenigstens einen weiteren Transistor enthält, wobei der wenigstens eine weitere Transistor einen gekrümmten Gate-Bereich besitzt.
  12. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach Anspruch 11, wobei ein Verhältnis einer internen Gate-Source-Kapazität des weiteren Transistors und einer internen Gate-Drain-Kapazität des weiteren Transistors von im Wesentlichen 1:1 verschieden ist, wobei sich das Verhältnis von 1:1 so unterscheidet, dass im Vergleich zu einem Spannungshub für ein 1:1-Verhältnis im Betrieb ein Spannungshub an der Auswahlleitung einen verringerten Einfluss auf einen Bildpunkt-Lumineszenzwert von der Datenleitung besitzt, der während der Programmierung in der Bildpunktschaltung gespeichert wird.
  13. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung eine spannungsgesteuerte Bildpunkt-Treiberschaltung enthält und wobei ein Spannungspegel an der Datenleitung eine Leuchtdichte einer durch die Bild-Punkt-Treiberschaltung angesteuerten OLED einstellt.
  14. Anzeige mit organischer Leuchtdiode (OLED-Anzeige) mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung eine stromgesteuerte Bildpunkt-Treiberschaltung enthält und wobei ein Strompegel auf der Datenleitung eine Leuchtdichte einer durch die Bildpunkt-Treiberschaltung angesteuerten OLED einstellt.
  15. Bildpunktschaltung für eine Anzeige mit aktiver Matrix, wobei die Bildpunktschaltung eine Auswahlleitung, um den Bildpunkt auszuwählen, und eine Datenleitung zum Lesen oder Schreiben der Bildpunktdaten aus dem oder in den Bildpunkt besitzt, wobei die Bildpunkt-Treiberschaltung ferner einen Ansteuertransistor, der konfiguriert ist, um ein optoelektronisches lichtemittierendendes Element anzusteuern, enthält und ferner einen Bildpunkt-Auswahltransistor mit zwei Kanalverbindungen und einer Gate-Verbindung enthält, und wobei die Gate-Verbindung an die Datenleitung oder die Auswahlleitung gekoppelt ist, wobei eine erste der Kanalverbindungen an die jeweils andere der Datenleitung bzw. der Auswahlleitung gekoppelt ist und wobei eine interne Kapazität des Bildpunkt-Auswahltransistors zwischen der Gate-Verbindung und der ersten der Kanalverbindungen kleiner als die interne Kapazität des Bildpunkt-Auswahltransistors zwischen der Gate-Verbindung und einer zweiten der Kanalverbindungen ist.
  16. Bildpunktschaltung nach Anspruch 15, wobei die interne Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und der ersten der Kanalverbindungen kleiner als zwei Drittel, vorzugsweise kleiner als die Hälfte der internen Kapazität zwischen der Gate-Verbindung und der zweiten der Kanalverbindungen ist.
  17. Bildpunktschaltung nach Anspruch 15 oder 16, wobei die erste Kanalverbindung einen gemusterten ersten Kanalbereich enthält, wobei die zweite Kanal verbindung einen gemusterten zweiten Kanalbereich enthält und wobei der zweite Kanalbereich wenigstens teilweise um den ersten Kanalbereich gewickelt ist.
  18. Bildpunktschaltung nach Anspruch 15 bis 17, wobei die Bildpunktschaltung eine Bildpunkt-Treiberschaltung zum Ansteuern einer organischen Leuchtdiode (OLED) ist und wobei die Bildpunktdaten die Bildpunkt-Leuchtdichtedaten enthalten, die eine Leuchtdichte der OLED definieren.
  19. Bildpunktschaltung nach Anspruch 18, wobei die Bildpunkt-Ansteuerschaltung eine stromgesteuerte Bildpunkt-Treiberschaltung, die einen Bildpunktdaten-Speicherkondensator enthält, der an die zweite Kanalverbindung gekoppelt ist, wobei der Ansteuertransistor an den Bildpunktdaten-Speicherkondensator gekoppelt ist, und einen Programmiertransistor, um eine Ladung während der Programmierung der Bildpunkt-Treiberschaltung durch einen Strom in der Datenleitung in dem Bildpunktdaten-Speicherkondensator zu speichern, während der Bildpunkt-Auswahltransistor durch die Auswahlleitung gesteuert wird, um die Datenleitung an den Speicherkondensator zu koppeln, enthält.
  20. OLED-Anzeige mit aktiver Matrix, die mehrere Bildpunkte, jeder mit einer zugeordneten Bildpunkt-Treiberschaltung nach einem der Ansprüche 15 bis 19, besitzt.
  21. Bildpunktschaltung für eine Anzeige mit aktiver Matrix, wobei die Bildpunktschaltung wenigstens einen Feldeffekttransistor (FET) mit einem gekrümmten Gate-Bereich enthält, so dass eine Gate-Source-Kapazität des FET von einer Gate-Drain-Kapazität des FET verschieden ist.
DE112009001882T 2008-08-01 2009-07-30 OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür Withdrawn DE112009001882T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0814021A GB2462296A (en) 2008-08-01 2008-08-01 Pixel driver circuits
GB0814021.2 2008-08-01
PCT/GB2009/001879 WO2010013008A1 (en) 2008-08-01 2009-07-30 Active matrix oled display and driver therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112009001882T5 true DE112009001882T5 (de) 2011-06-01

Family

ID=39767299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112009001882T Withdrawn DE112009001882T5 (de) 2008-08-01 2009-07-30 OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110181561A1 (de)
JP (1) JP2012507038A (de)
KR (1) KR20110033953A (de)
CN (1) CN102165577A (de)
DE (1) DE112009001882T5 (de)
GB (1) GB2462296A (de)
WO (1) WO2010013008A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012100712U1 (de) 2012-03-01 2012-03-27 Eduard Wille Gmbh & Co. Kg Drehmomentwerkzeug mit Anzeige

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5351975B2 (ja) * 2009-11-06 2013-11-27 シャープ株式会社 画素回路及び表示装置
KR101603246B1 (ko) * 2009-12-31 2016-03-15 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터
GB201114651D0 (en) * 2011-08-24 2011-10-12 Cambridge Display Tech Ltd Pixel driver circuits
KR20130062107A (ko) 2011-12-02 2013-06-12 삼성전자주식회사 직물형 유기 발광소자 및 그 제조방법
JP6031652B2 (ja) * 2012-08-31 2016-11-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置及び電子機器
CN102945863A (zh) * 2012-10-26 2013-02-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
US9230473B2 (en) 2013-06-24 2016-01-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Dual duty cycle OLED to enable dynamic control for reduced motion blur control with constant brightness in augmented reality experiences
KR20150054210A (ko) * 2013-11-11 2015-05-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102295477B1 (ko) * 2014-02-17 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP6445799B2 (ja) * 2014-07-08 2018-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置
KR20160017321A (ko) * 2014-08-04 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160119935A (ko) * 2015-04-06 2016-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제작 방법
CN113066844B (zh) * 2021-03-24 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN114397975B (zh) * 2022-01-24 2024-04-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法和显示装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB721567A (en) 1951-10-06 1955-01-05 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to cooling jackets for electric discharge tubes
GB723859A (en) 1953-03-03 1955-02-09 Maynards Ltd Apparatus for sanding sweets
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
WO1990013148A1 (en) 1989-04-20 1990-11-01 Cambridge Research And Innovation Limited Electroluminescent devices
WO1995006400A1 (en) 1993-08-26 1995-03-02 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent devices
EP0717446A2 (de) 1994-12-14 1996-06-19 Eastman Kodak Company Elektrolumineszente Anzeigetafel mit Dünnfilmtransistoren und organische elektrolumineszente Schichten
WO1999021935A1 (en) 1997-10-23 1999-05-06 Isis Innovation Limited Light-emitting dendrimers and devices
WO1999042983A1 (en) 1998-02-18 1999-08-26 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO2002067343A1 (en) 2001-02-20 2002-08-29 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers
WO2003038790A2 (en) 2001-10-31 2003-05-08 Cambridge Display Technology Limited Display drivers for electro-optic displays
US6599781B1 (en) 2000-09-27 2003-07-29 Chou H. Li Solid state device
US20050116295A1 (en) 2003-12-01 2005-06-02 Mayer Donald C. Annular segmented MOSFET
US20060244696A1 (en) 2005-05-02 2006-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5327001A (en) * 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US6157048A (en) * 1998-08-05 2000-12-05 U.S. Philips Corporation Thin film transistors with elongated coiled electrodes, and large area devices containing such transistors
KR100491821B1 (ko) * 2002-05-23 2005-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
GB2389951A (en) * 2002-06-18 2003-12-24 Cambridge Display Tech Ltd Display driver circuits for active matrix OLED displays
US6933529B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof
JP2005084416A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
JP5152448B2 (ja) * 2004-09-21 2013-02-27 カシオ計算機株式会社 画素駆動回路及び画像表示装置
JP4543315B2 (ja) * 2004-09-27 2010-09-15 カシオ計算機株式会社 画素駆動回路及び画像表示装置
US20080062088A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Tpo Displays Corp. Pixel driving circuit and OLED display apparatus and electrionic device using the same

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB721567A (en) 1951-10-06 1955-01-05 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to cooling jackets for electric discharge tubes
GB723859A (en) 1953-03-03 1955-02-09 Maynards Ltd Apparatus for sanding sweets
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
WO1990013148A1 (en) 1989-04-20 1990-11-01 Cambridge Research And Innovation Limited Electroluminescent devices
WO1995006400A1 (en) 1993-08-26 1995-03-02 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent devices
EP0717446A2 (de) 1994-12-14 1996-06-19 Eastman Kodak Company Elektrolumineszente Anzeigetafel mit Dünnfilmtransistoren und organische elektrolumineszente Schichten
WO1999021935A1 (en) 1997-10-23 1999-05-06 Isis Innovation Limited Light-emitting dendrimers and devices
WO1999042983A1 (en) 1998-02-18 1999-08-26 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
US6599781B1 (en) 2000-09-27 2003-07-29 Chou H. Li Solid state device
WO2002067343A1 (en) 2001-02-20 2002-08-29 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers
WO2003038790A2 (en) 2001-10-31 2003-05-08 Cambridge Display Technology Limited Display drivers for electro-optic displays
US20050116295A1 (en) 2003-12-01 2005-06-02 Mayer Donald C. Annular segmented MOSFET
US20060244696A1 (en) 2005-05-02 2006-11-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Solution for Large-Area Full-Color OLED Television - Light Emitting Polymer and a-Si TFT Technologies", T. Shirasaki, T. Ozaki, T. Toyama, M. Takei, M. Kumagai, K. Sato, S. Shimoda, T. Tano, K. Yamamoto, K. Morimoto, J. Ogura und R. Hattori von Casio Computer Co. Ltd. und Kyushu University, eingeladener Vortrag, AMD3/OLED5 - 1, 11th International Display Workshops, 8.-10. Dezember 2004, IDW '04 Conference Proceedings, S. 275-278

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012100712U1 (de) 2012-03-01 2012-03-27 Eduard Wille Gmbh & Co. Kg Drehmomentwerkzeug mit Anzeige
EP2633955A2 (de) 2012-03-01 2013-09-04 Eduard Wille GmbH & Co KG Drehmomentwerkzeug mit Anzeige

Also Published As

Publication number Publication date
GB2462296A (en) 2010-02-03
KR20110033953A (ko) 2011-04-01
WO2010013008A1 (en) 2010-02-04
CN102165577A (zh) 2011-08-24
GB0814021D0 (en) 2008-09-10
US20110181561A1 (en) 2011-07-28
JP2012507038A (ja) 2012-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112009001882T5 (de) OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür
DE112008002931T5 (de) Bildpunkt-Treiberschaltkreise
DE10254511B4 (de) Aktiv-Matrix-Ansteuerschaltung
DE10359248B4 (de) Verfahren, bei dem eine Aktivmatrixvorrichtung mit organischen Lichtemissionsdioden hergestellt wird
DE69829353T2 (de) Anzeigegerät
DE69914302T2 (de) Elektrolumineszierende anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix
DE69829356T2 (de) Anzeige
DE60217916T2 (de) Anzeigetafel und anzeigetafelansteuerverfahren
DE102017128459A1 (de) Anzeigefeld und Anzeigeeinrichtung
DE102017116252A1 (de) Stromerfassungsverfahren für eine Pixelschaltung, Anzeigetafel und Anzeigevorrichtung
DE10360884B4 (de) Oganische Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren für diesselbe
DE112009001143T5 (de) Aktivmatrixanzeigen
DE102015107326A1 (de) Organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung und Ansteuerverfahren dafür
DE102016104026A1 (de) Berührungsanzeigefeld und Verfahren zur Ansteuerung des Berührungsanzeigefelds
DE602004006263T2 (de) Pixelsteuerschaltung in einer aktiven matrix für oled anzeige
DE112017002103B4 (de) Displayvorrichtung und elektronikbauelement
DE102013114719A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102019134179B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE10357472A1 (de) Organisches Doppeltafel-Elektrolumineszenzdisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60111138T2 (de) Stromsteuerung für eine Anzeigevorrichtung
DE102021122139A1 (de) Anzeigepanel und dasselbe aufweisende anzeigevorrichtung
DE112017003811B4 (de) Displayeinrichtung
DE102004040966B4 (de) Anzeigevorrichtung, die mit einer Dekodierschaltung zur Graustufendarstellung versehen ist
DE112021003014T5 (de) Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE112020005612T5 (de) Anzeigesubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Anzeigesubstrats und Anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Representative=s name: GRUENECKER, KINKELDEY, STOCKMAIR & SCHWANHAEUS, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140201