DE112008002922T5

DE112008002922T5 - Chip-Typ Filterkomponente

Info

Publication number: DE112008002922T5
Application number: DE112008002922T
Authority: DE
Inventors: Naoki Nagaokakyo-shi Mizoguchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-11-05
Filing date: 2008-10-14
Publication date: 2010-09-16
Anticipated expiration: 2028-10-15
Also published as: JPWO2009060696A1; DE112008002922B4; WO2009060696A1; JP5152192B2

Abstract

Eine Chip-Typ-Filterkomponente, die folgende Merkmale umfasst:
einen Chipkörper mit einer oberen Oberfläche, einer unteren Oberfläche, einem Paar von Seitenoberflächen und einer ersten und einer zweiten Endoberfläche, die einander gegenüber liegen, wobei der Chipkörper gebildet wird durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten;
eine Resonatorelektrode, die in dem Chipkörper gebildet ist;
eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die jeweils einen ersten Elektrodenabschnitt aufweisen, der sich in einer Laminierungsrichtung des Chipkörpers erstreckt, und einen zweiten Elektrodenabschnitt, der zu dem ersten Elektrodenabschnitt fortgesetzt wird und auf einer dielektrischen Schicht der Mehrzahl von dielektrischen Schichten in dem Chipkörper gebildet ist, wobei der zweite Elektrodenabschnitt einen ersten Endabschnitt aufweist, der ein Kopplungsabschnitt ist, der mit der Resonatorelektrode gekoppelt ist; und
eine Masseelektrode, die an dem Chipkörper vorgesehen ist, um einen röhrenförmigen Körper zu bilden, der die Resonatorelektrode umgibt,
wobei eine Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eingestellt ist, um sich von einer...

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich beispielsweise auf eine Chip-Typ-Filterkomponente, wie z. B. ein Bandpassfilter, das elektrische Signale im Millimeterwellenband überträgt, und insbesondere auf eine Chip-Typ-Filterkomponente, die eine Masseelektrode umfasst, die angeordnet ist, um eine Resonatorelektrode zu umgeben, und Eingangs- und Ausgangselektroden, die mit der Resonatorelektrode gekoppelt sind.
Stand der Technik
Im Stand der Technik wurden verschiedene Filterkomponenten vorgeschlagen, um als Bandpassfilter in Millimeterwellen-Kommunikationsausrüstung verwendet zu werden. Beispielsweise offenbart das nachfolgende Patentdokument 1 ein in 17 gezeigtes Zweimoden-Bandpassfilter 1001. In dem Zweimoden-Bandpassfilter 1001 ist eine Resonatorelektrode 1003, die aus einem Metallfilm hergestellt ist, an einer bestimmten Höhenposition eines dielektrischen Substrats 1002 gebildet. Ein Durchgangsloch 1003a ist in der Resonatorelektrode 1003 gebildet. Die Bildung des Durchgangslochs 1003a in der Resonatorelektrode 1003 unterbricht die Degeneration zwischen der Resonanz aufgrund eines elektrischen Feldes, das in der Längsrichtung der Resonatorelektrode 1003 gebildet wird, und der Resonanz aufgrund eines elektrischen Feldes, das in der Breiterichtung erzeugt wird, wodurch Charakteristika als ein Bandpassfilter erhalten werden.
Wenn das Zweimoden-Bandpassfilter 1003 als tatsächliche Filterkomponente implementiert wird, sind eine Eingangselektrode 1005 und eine Ausgangselektrode 1006 mit der Resonatorelektrode 1003 gekoppelt. Obwohl dieselbe in 17 so dargestellt ist, dass sie auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats 1002 gebildet ist, ist die Resonatorelektrode 1003 normalerweise an einer gegebenen Höhenposition in dem dielektrischen Substrat 1002 eingebettet. Außerdem ist eine Masseelektrode auf der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und Seitenoberflächen des dielektrischen Substrats 1002 gebildet, um die Resonatorelektrode 1003 zu umgeben.
Wenn die Masseelektrode wie oben erwähnt gebildet ist, wirken die oben erwähnte röhrenförmige Masseelektrode und das dielektrische Substrat 1002 wie ein Wellenleiter. Folglich erscheint im Inneren des dielektrischen Substrats 1002 eine Resonanz in einer Wellenleitermode, bestimmt durch die Form des dielektrischen Substrats 1002. Obwohl das Durchlassband des Zweimoden-Bandpassfilters, das in Patentdokument 1 beschrieben ist, 20 bis 30 GHz ist, erscheint die Resonanz aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode in einem Frequenzband nahe dem Durchlassband. Folglich sind die Eingangselektrode 1005 und die Ausgangselektrode 1006 und die Wellenleitermodenresonanz gekoppelt, mit dem Ergebnis, dass die Wellenleitermodenresonanz dazu neigt, als Nebenwelle in dem Durchlassband oder in dem Dämpfungsband aufzutreten, das auf der niedriger- oder höherfrequenten Seite des Durchlassbands angeordnet ist. Folglich verschlechtern sich die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters.
Andererseits schlägt das Patentdokument 2 nachfolgend ein Verfahren zum Dämpfen von Nebenwellen vor, basierend auf der Wellenleitermodenresonanz in dieser Art von Filterkomponente. Gemäß diesem Verfahren ist eine Masseelektrode auf der oberen Oberfläche, unteren Oberfläche und einem Paar von Seitenoberflächen eines dielektrischen Substrats gebildet. Eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode sind auf den gegenüberliegenden Endoberflächen des dielektrischen Substrats gebildet, um sich vertikal zu erstrecken. Dann wird eine sich vertikal erstreckende Durchkontaktierungslochelektrode gebildet, um die Eingangselektrode und die Ausgangselektrode zwischen sich zu haben, und die Durchkontaktierungslochelektrode ist mit der Masseelektrode verbunden, um Nebenwellenreduktion zu erreichen.

Patentdokument 1: japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2001-237610
Patentdokument 2: japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2004-304761

Offenbarung der Erfindung
Mit der Nebenwellenreduktionsstruktur, die in Patentdokument 2 beschrieben ist, ist es, je höher die Größenordnung einer Resonanz ist, die störend ist, umso schwieriger, die Resonanz zu dämpfen. Obwohl es möglich ist, Nebenwellen zu reduzieren, gibt es daher eine Grenze für das Ausmaß der Nebenwellenreduktion. Folglich gibt es eine starke Nachfrage nach einer weiteren Reduktion bei dem Einfluss der Nebenwellen aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode.
Bei dem in dem oben erwähnten Patentdokument 1 beschriebenen Zweimoden-Bandpassfilter sind zwei Resonanzen gekoppelt, die in der Resonatorelektrode auftreten, die in einer einzelnen Ebene angeordnet ist. Da dieses Filter eine Zwei-Stufen-Struktur aufweist, gibt es einen Dämpfungspol. Um folglich den Dämpfungsbetrag zu erhöhen, ist es notwendig, die Anzahl von Stufen zu erhöhen. Um einen solchen Anstieg bei der Anzahl von Stufen zu erreichen, ist es notwendig, zwei Zweimoden-Bandpassfilter Seite an Seite in der Ebenenrichtung auf koppelnde Weise anzuordnen, was unvermeidlich zu einer Vergrößerung der Filterkomponente führt.
In Bezug auf die aktuellen Umstände des oben erwähnten Stands der Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Chip-Typ-Filterkomponente zu schaffen, die eine Masseelektrode aufweist, die gebildet ist, um eine Resonatorelektrode zu umgeben, die Nebenwellen aufgrund einer Wellenleitermode, die sich von der Masseelektrode und einem Dielektrikum ergibt, effektiv reduzieren kann, und verbesserte Dämpfungscharakteristika ermöglicht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Chip-Typ-Filterkomponente geschaffen, die folgende Merkmale umfasst: einen Chipkörper mit einer oberen Oberfläche, einer unteren Oberfläche, einem Paar von Seitenoberflächen und einer ersten und einer zweiten Endoberfläche, die einander gegenüber liegen, wobei der Chipkörper gebildet wird durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten; eine Resonatorelektrode, die in dem Chipkörper gebildet ist; eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die jeweils einen ersten Elektrodenabschnitt aufweisen, der sich in einer Laminierungsrichtung des Chipkörpers erstreckt, und einen zweiten Elektrodenabschnitt, der zu dem ersten Elektrodenabschnitt fortgesetzt wird und auf einer dielektrischen Schicht der Mehrzahl von dielektrischen Schichten in dem Chipkörper gebildet ist, wobei der zweite Elektrodenabschnitt einen ersten Endabschnitt aufweist, der ein Kopplungsabschnitt ist, der mit der Resonatorelektrode gekoppelt ist; und eine Masseelektrode, die an dem Chipkörper vorgesehen ist, um einen röhrenförmigen Körper zu bilden, der die Resonatorelektrode umgibt, wobei eine Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eingestellt ist, um sich von einer Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge zu unterscheiden, die einer Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode entspricht, und der Kopplungsabschnitt der Eingangselektrode und der Kopplungsabschnitt der Ausgangselektrode einander gegenüber angeordnet sind, wobei die Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eine Länge des zweiten Elektrodenabschnitts zu dem ersten Endabschnitt von einem Punkt ist, an dem der zweite Elektrodenabschnitt zu dem ersten Elektrodenabschnitt fortgesetzt wird.
Die Laminierungsrichtung des Chipkörpers bezieht sich auf die Laminierungsrichtung der Mehrzahl von dielektrischen Schichten, d. h. die Richtung, die zwischen der oberen Oberfläche und der unteren Oberfläche des Chipkörpers verbindet.
In einem spezifischen Aspekt der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts auf eine Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge eingestellt, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode. In diesem Fall erscheint eine Resonanz f0, die der Elektrodenlänge von Resonatoren entspricht, die durch die zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und Ausgangselektrode gebildet werden, auf der niedrigerfrequenten Seite des Durchlassbands des Filterabschnitts, der durch die Resonatorelektrode und den Chipkörper gebildet wird, und eine Resonanz 2f0 ihrer zweiten Harmonischen erscheint auf der höherfrequenten Seite des oben erwähnten Durchlassbands. Da das Band zwischen der Resonanz f0 und der Resonanz 2f0 der zweiten Harmonischen das Dämpfungsband des Durchlassbandfilters wird, der durch jeden der zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode gebildet ist, ist das Durchlassband des Hauptfilterabschnitts, der durch die oben erwähnte Resonatorelektrode gebildet ist, in dem Dämpfungsband des Bandpassfilters, das durch die oben erwähnte Eingangselektrode und die Ausgangselektrode gebildet wird. Somit können unnötige Nebenwellen aufgrund einer Wellenleitermode, die nahe dem Durchlassband des Hauptfilters auftritt, mit höherer Zuverlässigkeit reduziert werden.
Bei einem weiteren spezifischen Aspekt der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung wird zwischen dem ersten Endabschnitt der Eingangselektrode und dem ersten Endabschnitt der Ausgangselektrode eine erste Kapazität gebildet, und ein Bandpassfilter wird durch den zweiten Elektrodenabschnitt der Eingangselektrode, den zweiten Elektrodenabschnitt der Ausgangselektrode und die erste Kapazität gebildet.
Bei einem weiteren spezifischen Aspekt der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung erstrecken sich die ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselekt rode und der Ausgangselektrode in der Laminierungsrichtung in dem Chipkörper. Es sollte jedoch angemerkt werden, dass gemäß der vorliegenden Erfindung die ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode auf der ersten und zweiten Endoberfläche des Chipkörpers gebildet sein können, um sich jeweils in der Laminierungsrichtung zu erstrecken.
In der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Resonatorelektrode vorzugsweise auf einer dielektrischen Schicht gebildet, die sich von der dielektrischen Schicht unterscheidet, auf der die zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode auf diesem Gehäuse gebildet sind, der Kopplungsabstand zwischen der Resonatorelektrode und jedem der zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode kann eingestellt werden, indem auch der Abschnitt berücksichtigt wird, der sich in der Laminierungsrichtung des Chipkörpers erstreckt. Außerdem ist es auch möglich, Miniaturisierung zu erreichen durch Anordnen der Resonatorelektrode und der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode, so dass dieselben in der Laminierungsrichtung des Chipkörpers teilweise überlappen.
Bei noch einem weiteren spezifischen Aspekt der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung hat der Chipkörper eine rechteckige plattenartige Form, wobei zumindest ein Endabschnitt von jedem der ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode gebildet ist, um auf zumindest entweder der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Chipkörpers mit der rechteckigen plattenartigen Form freigelegt zu sein, und die Masseelektrode einen röhrenförmigen Körper bildet mit Oberflächen parallel zu der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen. Das heißt, obwohl die Resonanz der oben beschriebenen Wellenleitermode aufgrund einer solchen Masseelektrode in der Form eines röhrenförmigen Körpers und des Chipkörpers auftritt, können gemäß der vorliegenden Erfindung Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode effektiv reduziert werden.
Bezüglich der Form des röhrenförmigen Körpers, der durch die Masseelektrode gebildet wird, kann zumindest eine der Oberflächen des röhrenförmigen Körpers parallel zu der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und des Paars von Seitenoberflächen des Chipkörpers eingebettet sein in dem Chipkörper, oder die Masseelektrode kann auf der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen des Chipkörpers gebildet sein.
Bei noch einem weiteren spezifischen Aspekt der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Resonatorelektrode gebildet, um eine Mehrzahl von Resonanzwellentypen zu erzeugen, die nicht degeneriert sind, und ein Durchgangsloch ist in der Resonatorelektrode gebildet, um Koppeln der Mehrzahl von Resonanzwellentypen zu ermöglichen, so dass ein Zweimoden-Bandpassfilterabschnitt gebildet wird durch das Koppeln der Mehrzahl von Resonanzwellentypen. Das heißt, die Resonatorelektrode kann gebildet werden, um das in Patentdokument 1 beschriebene Zweimoden-Bandpassfilter zu bilden. In diesem Fall ist ferner vorzugsweise ein Durchgangsleiter vorgesehen, der sich durch das Durchgangsloch erstreckt, um nicht in Kontakt zu kommen mit der Resonatorelektrode, und elektrisch mit der Masseelektrode verbunden ist. Somit können Nebenwellen weiter reduziert werden.
Es sollte jedoch angemerkt werden, dass die Resonatorelektrode in der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung nicht auf eine begrenzt ist, die den in Patentdokument 1 beschriebenen Zweimoden-Bandpassfilterabschnitt bildet.
Vorteile
In der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist die oben erwähnte Elektrodenlänge der zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode so, dass sich dieselbe von einer Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge unterscheidet, die der Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode entspricht, und die ersten Endabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode sind einander gegenüber angeordnet wodurch eine Kopplungskapazität zwischen beiden Elektroden gebildet wird. Somit ist es möglich, den Einfluss der Nebenwellen aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode nahe dem Durchlassband des Hauptfilterabschnitts, der durch die Resonatorelektrode gebildet wird, zu reduzieren, wodurch die Dämpfungscharakteristika verbessert werden. Dies liegt daran, dass, da λ/2-Resonatoren durch die oben erwähnte Eingangselektrode und Ausgangselektrode gebildet sind, durch die λ/2-Resonatoren und die oben erwähnte Kopplungskapazität ein Zwei-Stufen-Bandpassfilter gebildet wird, und sich das Durchlassband des Bandpassfilters von dem Durchlassband des Hauptfilterabschnitts unterscheidet, die Nebenwelle aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode in dem Dämpfungsband des oben erwähnten Bandpassfilters angeordnet ist, wodurch Reduktion der Nebenwelle aufgrund der Wellenleitermode erreicht wird.
Daher ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode effektiv zu reduzieren durch Verbessern der Struktur der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode.
Im Fall eines Zweimoden-Bandpassfilters, wie z. B. einem, das in dem Patentdokument 1 beschrieben ist, ist es zum Erhöhen des Dämpfungsbetrags notwendig, die Anzahl von Stufen zu erhöhen. Im Gegensatz dazu wird in der Chip-Typ-Filterkomponente, die durch die vorliegende Erfindung geschaffen wird, ein Dämpfungspol aufgrund des oben erwähnten Zwei-Stufen-Bandpassfilters hinzugefügt, wodurch es auch ermöglicht wird, den Dämpfungsbetrag zu erhöhen, ohne eine Größenzunahme zu verursachen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1(a) ist eine Draufsicht einer Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, 1(b) ist eine Vorderansicht derselben und 1(c) ist eine Unteransicht derselben.
2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
3 ist eine schematische Querschnittsdraufsicht der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung an einer Höhenposition, wo zweite Elektrodenabschnitte einer Eingangselektrode und Ausgangselektrode gebildet werden.
4 ist ein Diagramm, das eine Ersatzschaltung der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
5 ist ein Diagramm, das die Frequenzcharakteristika der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt.
6 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer Chip-Typ-Filterkomponente, die zu Vergleichszwecken vorbereitet ist.
7 ist ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt, die durch Simulation bezüglich der in 6 gezeigten Chip-Typ-Filterkomponente erhalten werden.
8 ist eine schematische auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die eine Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem zweiten Vergleichsbeispiel darstellt, das zu Vergleichszwecken vorbereitet ist.
9 ist ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt, die erhalten werden durch Simulation bezüglich der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß dem zweiten Vergleichsbeispiel.
10 ist eine schematische auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die eine Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem dritten Vergleichsbeispiel darstellt, das zu Vergleichszwecken vorbereitet ist.
11 ist ein Diagramm, das Frequenzcharakteristika zeigt, die erhalten werden durch Simulation bezüglich der in 10 gezeigten Chip-Typ-Filterkomponente.
12 ist ein Diagramm, das die tatsächlich gemessenen Frequenzcharakteristika der Chip-Typ-Resonanzkomponente gemäß dem in 6 gezeigten Vergleichsbeispiel zeigt.
13 ist ein Diagramm, das die tatsächlich gemessenen Frequenzcharakteristika der Chip-Typ-Resonanzkomponente gemäß dem dritten in 10 gezeigten Vergleichsbeispiel zeigt.
14(a) und 14(b) sind eine perspektivische Ansicht und eine Draufsicht einer Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einer Modifikation des ersten Ausführungsbeispiels.
15 ist eine schematische Vorderquerschnittsansicht der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß der in 14 gezeigten Modifikation.
16(a) bis 16(j) sind Draufsichten einer Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel an unterschiedlichen Höhenpositionen.
17 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Zweimoden-Bandpassfilter gemäß dem Stand der Technik zeigt.

1: Chip-Typ-Filterkomponente
2: Chipkörper
2a: obere Oberfläche
2b: untere Oberfläche
2c, 2e: Seitenoberfläche
2e, 2f: erste/zweite Endoberfläche
3: Richtungsidentifizierungsmarkierung
4: Eingangsanschlusselektrode
5: Ausgangsanschlusselektrode
6, 7: leitfähiger Film
8: Resonatorelektrode
8a: Durchgangsloch
11: Eingangselektrode
11a: erster Elektrodenabschnitt
11b: zweiter Elektrodenabschnitt
11b1: Mittelabschnitt
11b2: erster schmaler Abschnitt
11b3: erster Endabschnitt
11b4: zweiter schmaler Abschnitt
11b5: zweiter Endabschnitt
12: Ausgangselektrode
12a: erster Elektrodenabschnitt
12b: zweiter Elektrodenabschnitt
12b1: Mittelabschnitt
12b2: erster schmaler Abschnitt
12b3: erster Endabschnitt
12b4: zweiter schmaler Abschnitt
12b5: zweiter Endabschnitt
13, 14: Masseelektrode
13a–13d: Kerbe
15–18: Durchkontaktierungsloch
19: Durchgangsleiter
51: Chip-Typ-Filterkomponente
52, 53: λ/2-Resonatorelektrode
54: Durchkontaktierungslochelektrode
61: Eingangselektrode
61a: erster Elektrodenabschnitt
61b: zweiter Elektrodenabschnitt
61b1: Kopplungsabschnitt
61b2: erster Endabschnitt
62: Ausgangselektrode
62a: erster Elektrodenabschnitt
62b: zweiter Elektrodenabschnitt
62b1: Kopplungsabschnitt
62b2: erster Endabschnitt
A, B: Zwischenraum

Beste Modi zum Ausführen der Erfindung
Hierin nachfolgend wird mit Bezugnahme auf die Zeichnungen die vorliegende Erfindung verdeutlicht durch Beschreiben spezifischer Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.
1(a) bis 1(c) sind eine Draufsicht, Vorderansicht und Unteransicht einer Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Chip-Typ-Filterkomponente 1 hat einen Chipkörper 2 mit einer rechteckigen plattenartigen Form. Der Chipkörper 2 kann eine andere Form haben als die rechteckige plattenartige Form.
Bei diesem Ausführungsbeispiel hat der Chipkörper 2 eine Struktur, bei der eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten laminiert sind. 2 ist eine schematische auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die die innere Struktur der oben erwähnten Chip-Typ-Filterkomponente 1 darstellt, d. h. Elektroden, die auf den dielektrischen Schichten gebildet sind, Durchkontaktierungslochelektroden, die im Inneren gebildet sind, und dergleichen.
Das dielektrische Material, das den oben erwähnten Chipkörper 2 bildet, ist nicht besonders begrenzt. Synthetisches Harz, dielektrische Keramik oder dergleichen können verwendet werden. Der Chipkörper 2 hat eine obere Oberfläche 2a, eine untere Oberfläche 2b, Seitenoberflächen 2c, 2d und eine erste und zweite Endoberfläche 2e, 2f.
Eine Eingangsanschlusselektrode 4 und eine Ausgangsanschlusselektrode 5 sind auf der unteren Oberfläche 2b gebildet. In der oberen Oberfläche 2a ist eine Richtungsidentifizierungsmarkierung 3 für den Chipkörper 2 gebildet, um von der Mitte aus näher zu der Seite der ersten Endoberfläche 2e positioniert zu sein.
Außerdem sind ein leitfähiger Film 6, der die Seitenoberfläche 2c des Chipkörpers 2 bedeckt und die obere Oberfläche und die untere Oberfläche erreicht, und ein leitfähiger Film 7, der die Seitenoberfläche 2d bedeckt und die obere Oberfläche und die untere Oberfläche erreicht, gebildet. Die leitfähigen Filme 6, 7 bilden jeweils einen Teil einer Masseelektrode.
Andererseits, wie es in 2 gezeigt ist, ist in dem Chipkörper 2 eine Resonatorelektrode 8, die aus einem Metallfilm hergestellt ist, in der Nähe der Zwischenhöhenposition gebildet. Die Resonatorelektrode 8 hat ein Durchgangsloch 8a. Die ebene Form der Resonatorelektrode 8 ist rechteckig und das Durchgangsloch 8a hat auch eine rechteckige Form. Es sollte jedoch angemerkt werden, dass die Form der Resonatorelektrode 8 und die Form des Durchgangslochs 8a nicht besonders begrenzt sind, solange zwei Resonanzen, die zu koppeln sind, erzeugt werden können, um den Betrieb des Zweimoden-Bandpassfilters sicherzustellen. Das heißt, wie die in Patentdokument 1 beschriebene Resonatorelektrode des Zweimoden-Bandpassfilters können die Form und die Abmessungen der Resonatorelektrode 8 einfach bestimmt werden, so dass in Durchlassband gebildet werden kann durch eine Resonanz, die sich in der Richtung ausbreitet, die zwischen Eingangs- und Ausgangskopplungspunkten verbindet, und eine Resonanz, die sich in einer Richtung orthogonal zu der Resonanz ausbreitet.
Jeweilige zweite Elektrodenabschnitte 11b, 12b der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12, die in der Draufsicht von 3 gezeigt sind, sind auf einer dielektrischen Schicht an einer Höhenposition angeordnet, die sich von der dielektrischen Schicht unterscheidet, auf der die oben erwähnte Resonatorelektrode 8 gebildet ist, die bei diesem Ausführungsbeispiel eine dielektrische Schicht ist, die niedriger ist als die oben erwähnte dielektrische Schicht.
Die Eingangselektrode 11 hat einen ersten Elektrodenabschnitt 11a, der aus einer Durchkontaktierungslochelektrode hergestellt ist, die sich in der Dickerichtung erstreckt, d. h. der Laminierungsrichtung des Chipkörpers 2, und der zweite Elektrodenabschnitt 11b ist gebildet, um sich in der horizontalen Richtung auf der dielektrischen Schicht zu erstrecken, die an einer bestimmten oben erwähnten Höhenposition angeordnet ist.
Gleichartig dazu hat die Ausgangselektrode 12 auch einen ersten Elektrodenabschnitt 12a, der aus einer Durchkontaktierungslochelektrode hergestellt ist, die sich in der Laminierungsrichtung erstreckt, und den zweiten Elektrodenabschnitt 12b, der auf der oben erwähnten dielektrischen Schicht gebildet ist. Die oberen Enden der ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a sind verbunden mit und fortgesetzt zu den zweiten Elektrodenabschnitten 11b, 12b. Andererseits werden die unteren Enden der ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a herausgeführt zu der unteren Oberfläche 2b des Chipkörpers 2. Die unteren Enden der ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a sind elektrisch verbunden mit der Eingangsanschlusselektrode 4 und der Ausgangsanschlusselektrode 5, die jeweils auf der unteren Oberfläche des Chipkörpers 2 gebildet sind.
Andererseits hat der zweite Elektrodenabschnitt 11b an seiner Mitte einen Mittelabschnitt 11b1, der im Vergleich zu anderen Abschnitten eine relativ große Breite aufweist. Das obere Ende des ersten Elektrodenabschnitts 11a ist mit der unteren Oberfläche des Mittelabschnitts 11b1 verbunden.
Andererseits hat der zweite Elektrodenabschnitt 11b einen ersten schmalen Abschnitt 11b2 einer relativ schmalen Breite, der sich zu den Seitenoberflächen 2c und 2d von dem oben erwähnten Mittelabschnitt 11b1 fortsetzt. Das distale Ende des ersten schmalen Abschnitts 11b2 ist ein erster Endabschnitt 11b3 gemäß der vorliegenden Erfindung, der auch ein Kopplungsabschnitt ist, der mit der Resonatorelektrode 8 gekoppelt ist. Außerdem wird auf der Seite gegenüber dem ersten schmalen Abschnitt 11b2 ein zweiter schmaler Abschnitt 11b4 fortgesetzt zu dem Mittelabschnitt 11b1. Das distale Ende des zweiten schmalen Abschnitts 11b4 liegt einer Elektrode gegenüber, die mit einem später beschriebenen Massepotential verbunden ist.
Andererseits hat gleichartig dazu der zweite Elektrodenabschnitt 12b der Ausgangselektrode 12 auch einen Mittelabschnitt 12b1 und einen ersten und einen zweiten schmalen Abschnitt 12b2, 12b4. Das distale Ende des ersten schmalen Abschnitts 12b2 ist ein erster Endabschnitt 12b3 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der erste Endabschnitt 11b3 der Eingangselektrode 11 und der erste Endabschnitt 12b3 der Ausgangselektrode 12 liegen einander gegenüber mit einem Zwischenraum, wodurch eine Kopplungskapazität Cp gebildet wird.
Die Elektrodenlänge der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b, d. h. die Länge von einem Punkt, an dem die zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b zu den ersten Endabschnitten 11b3, 12b3 fortgesetzt werden, d. h. von einem Punkt, an dem die Mittelabschnitte 11b1, 12b1 zu den ersten Elektrodenabschnitten 11a, 12a fortgesetzt werden, zu den ersten Endabschnitten 11b3, 12b3 ist so, dass sich dieselbe von einer Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge unterscheidet, die der Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8 entspricht. Genauer gesagt, die Elektrodenlänge ist auf eine Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge eingestellt, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8.
Die Eingangselektrode 11 und die Ausgangselektrode 12 sind jeweils an dem oben erwähnten ersten Endabschnitt über eine dielektrische Schicht mit der Resonatorelektrode 8 gekoppelt.
Andererseits ist eine Masseelektrode 13 auf einer dielektrischen Schicht an einer Höhenposition über der Resonatorelektrode 8 gebildet, und eine Masseelektrode 14 ist auf eine dielektrische Schicht unter der Resonatorelektrode 8 platziert. Die Masseelektrode 14 ist auf einer dielektrischen Schicht unter den zweiten Elektrodenabschnitten 11b, 12b der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 gebildet. Die Masseelektroden 13, 14 sind jeweils mit einer Fläche gebildet, die größer ist als die Resonatorelektrode 8, um die Resonatorelektrode 8 von der Draufsicht aus gesehen zu umfassen.
Die Masseelektroden 13, 14 sind jeweils gebildet, um die Seitenoberfläche 2c und die Seitenoberfläche 2d des Chipkörpers 2 zu erreichen. Es sollte jedoch angemerkt werden, dass die Masseelektroden 13, 14 ausgenommen sind bezüglich der ersten Endoberfläche 2e und der zweiten Endoberfläche 2f mit Zwischenräumen A, B.
Eine Mehrzahl von Kerben 13a bis 13d, die sich zu der Seitenoberfläche 2c oder der Seitenoberfläche 2d öffnen, sind in der Masseelektrode 13 gebildet. Das heißt, eine Mehrzahl von Kerben 13a, 13b, die sich zu der Seitenoberfläche 2c öffnen, und eine Mehrzahl von Kerben 13c, 13d, die sich zu der Seitenoberfläche 2d öffnen, sind gebildet.
Die Kerben 13a bis 13d sind vorgesehen, um die Haftung zwischen den Keramiklageschichten zu verbessern. Ähnliche Kerben sind auch in der Masseelektrode 14 gebildet.
Die Masseelektroden 13, 14 sind mit den oben beschriebenen leitfähigen Filmen 6, 7 in der Seitenoberfläche 2c bzw. der Seitenoberfläche 2d verbunden.
Andererseits sind die Masseelektroden 13, 14 elektrisch miteinander verbunden durch Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18, die sich durch den Chipkörper 2 erstrecken.
Die Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18 erstrecken sich durch einen Abschnitt um den Abschnitt, wo die Resonatorelektrode 8 vorgesehen ist, in der Laminierungsrichtung, um nicht elektrisch verbunden zu sein mit der Resonatorelektrode 8.
Das obere und untere Ende der Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18 sind mit der Masseelektrode 13 bzw. der Masseelektrode 14 verbunden.
Daher ist die Resonatorelektrode 8, die ein Zweimoden-Bandpassfilter bildet, durch eine Masseelektrode in der Form eines röhrenförmigen Körpers umgeben, der durch die Masseelektroden 13, 14 und die leitfähigen Filme 6, 7 gebildet ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein Durchgangsleiter 19 gebildet, um sich durch das Durchgangsloch 8a der Resonatorelektrode 8 zu erstrecken. Das obere Ende und das untere Ende des Durchgangsleiters 19 sind mit der Masseelektrode 13 bzw. der Masseelektrode 14 verbunden. Daher ist der Durchgangsleiter 19 wie die Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18 mit dem Massepotential verbunden. Da das Durchgangsloch 8a bei diesem Ausführungsbeispiel vorgesehen ist, ist es möglich, den Kopplungsgrad zwischen zwei Resonanzen, die in der Resonatorelektrode 8 auftreten, durch das Durchgangsloch 8a einzustellen. Das heißt, durch Einstellen der Form, Größe und dergleichen des Durchgangslochs 8a kann der Kopplungsgrad zwischen zwei Resonanzen, die zum Bilden eines Zweimoden-Bandpassfilters zu koppeln sind, eingestellt werden. Der Durchgangsleiter 19 kann an jeder Position in dem Durchgangsloch 8a angeordnet sein, solange der Durchgangsleiter 19 nicht elektrisch verbunden ist mit der Resonatorelektrode 8. Da die leitfähigen Filme 6, 7 auf den Seitenoberflächen 2c, 2d des Chipkörpers 2 und der Masseelektroden 13, 14 gebildet sind, hat der Durchgangsleiter 19 eine Funktion des Verschiebens der Resonanzspitze in einer Wellenleitermode, die auftritt, wenn der Chipkörper 2 als ein Wellenleiter wirkt, zu der höherfrequenten Seite. Dies ermöglicht verbesserte Nebenwellencharakteristika des Filters.
Die Eingangsanschlusselektrode 4, die Ausgangsanschlusselektrode 5, die leitfähigen Filme 6, 7 und die Richtungsidentifizierungsmarkierung 3, die auf der Außenoberfläche des oben erwähnten Chipkörpers 2 gebildet sind, können durch ein geeignetes leitfähiges Material gebildet sein. Beispiele eines solchen leitfähigen Materials umfassen Metall, wie z. B. Ag, Cu, Al oder Pt oder eine Legierung davon. Außerdem können diese leitfähigen Filme und Elektroden, die auf der Außenoberfläche gebildet sind, erhalten werden durch Beschichten eines solchen leitfähigen Materials, gefolgt von Backen, oder ein Dünnfilmbildungsverfahren wie z. B. Sputtern oder Plattieren.
Die Resonatorelektrode 8, die Eingangselektrode 11, die Ausgangselektrode 12, die Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18, der Durchgangsleiter 19 und dergleichen, die im Inneren des oben erwähnten Chipkörpers 2 gebildet sind, können auch durch das oben beschriebene geeignete leitfähige Material gebildet werden. Falls bezüglich dieser Elektroden, die im Inneren gebildet sind, der Chipkörper, der durch Laminieren dielektrischer Schichten gebildet wird, durch eine Integral-Keramik-Brenntechnik erhalten werden soll, werden die Elektroden gebildet durch Drucken oder Füllen einer leitfähigen Paste im Voraus, um diese Elektroden zu bilden, gefolgt vom integralen Backen mit Keramik zum Zeitpunkt des Brennens der Keramik.
Die Abschnitte der leitfähigen Filme 6, 7, die zu der oberen Oberfläche und unteren Oberfläche des Chipkörpers 2 ausgedehnt sind, müssen nicht speziell vorgesehen sein.
Eine Ersatzschaltung der Chip-Typ-Filterkomponente gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist in 4 gezeigt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein Zweimoden-Bandpassfilter basierend auf zwei Resonanzen, die in der oben erwähnten Resonatorelektrode 8 zu koppeln sind, als ein Hauptfilterabschnitt 21 gebildet. λ/2-Resonatoren 22, 23 sind mit dem Filterabschnitt 21 gekoppelt durch eine Kopplungskapazität Ce. Die λ/2-Resonatoren 22, 23 sind durch Filter gebildet, die durch eine Kopplungskapazität Cp gekoppelt sind. In diesem Fall sind die λ/2-Resonatoren gebildet durch die oben erwähnten zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b, und die Kopplungskapazität Cp ist eine elektrostatische Kapazität, die zwischen den vorher erwähnten ersten Endabschnitten 11b3, 12b3 der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 erhalten wurde.
Außerdem sind eine Kapazität Ca und eine Kapazität Cb in 4 elektrostatische Kapazitäten, die zwischen der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 und dem Massepotential erzeugt werden. Genauer gesagt, die elektrostatische Kapazität Ca ist eine Kapazität, die mit dem zweiten schmalen Abschnitt 11b4 des zweiten Elektrodenabschnitts 11b und der Durchkontaktierungslochelektrode 15 verbunden ist, und erzeugt wird zwischen dem zweiten Elektrodenabschnitt 11b und einer Elektrodenanschlussfläche 15a, die auf der gleichen Ebene ist, und die elektrostatische Kapazität Cb ist eine Kapazität, die mit einem Endabschnitt des zweiten schmalen Abschnitts 12b4 des zweiten Elektrodenabschnitts 12b und der Durchkontaktierungslochelektrode 17 verbunden ist, und erzeugt wird zwischen dem zweiten Elektrodenabschnitt 12b und einer Elektrodenanschlussfläche 17a, die auf der gleichen Ebene ist.
Das charakteristische Merkmal dieses Ausführungsbeispiels ist, dass ein Bandpassfilter, das durch jeden der oben erwähnten λ/2-Resonatoren und die Kapazität Cp gebildet ist, parallel geschaltet ist mit dem Hauptfilterabschnitt, der durch ein Zweimoden-Bandpassfilter gebildet ist, wodurch unerwünschte Nebenwellen reduziert werden. Dies wird nachfolgend näher beschrieben.
Wie es oben beschrieben wurde, erscheint in dem Fall, in dem die Masseelektrode gebildet ist, um wie ein röhrenförmiger Körper geformt zu sein, der die Resonatorelektrode 8 umgibt, eine Resonanz in einer Wellenleitermode als störend. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird diese Nebenwelle unterdrückt durch Hinzufügen des Bandpassfilters, das durch jeden der λ/2-Resonatoren 22, 23 und die Kapazität Cp gebildet ist, die in der oben erwähnten 4 gezeigt ist.
Das heißt, bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Elektrodenlänge l der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b eingestellt auf eine Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8. Daher erscheint eine Resonanz f0, die der Elektrodenlänge l der oben erwähnten λ/2-Resonatoren entspricht, auf der niedrigerfrequenten Seite des Durchlassbands des Hauptfilterabschnitts, und eine Resonanz seiner zweiten Harmonischen 2f0 erscheint auf der höherfrequenten Seite des Durchlassbands des Hauptfilterabschnitts. Das Frequenzband zwischen der Resonanz f0 und der Resonanz 2f0 der zweiten Harmonischen wird das Dämpfungsband des Bandpassfilters, das durch jeden der oben erwähnten λ/2-Resonatoren und die Kopplungskapazität Cp gebildet ist.
Daher bedeutet dies, dass die Resonatorlänge des Bandpassfilters, d. h. die Wellenlänge λ der λ/2-Resonatoren wie oben erwähnt ausgewählt wird, so dass das Durchlassband des Hauptfilterabschnitts in dem Dämpfungsband ist, und unnötige Nebenwellen in der oben erwähnten Wellenleitermode in dem Durchlassband des Hauptfilterabschnitts oder in seiner Umgebung können effektiv reduziert werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel, ist die Elektrodenlänge der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b wie oben erwähnt eingestellt auf eine Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8. Daher kann die Elektrodenlänge auf eine Länge eingestellt sein gleich einer Hälfte einer Wellenlänge, die einer Frequenz entspricht, die höher ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8. In diesem Fall ist das Durchlassband des Hauptfilters auch in dem Dämpfungsband des Durchlassbandfilters, das wie oben erwähnt hinzugefügt wurde, wodurch es ermöglicht wird, gleichartig dazu unnötige Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode zu reduzieren.
Es sollte jedoch angemerkt werden, dass es vorzugsweise wünschenswert ist, die Länge der oben erwähnten Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 gleich einer Hälfte einer Wellenlänge einzustellen, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8 wie bei diesem Ausführungsbeispiel. Somit kann, wie oben erwähnt, das Dämpfungsband des Bandpassfilters zwischen der Resonanz f0 und der Resonanz 2f0 der zweiten Harmonischen gebildet werden, wodurch es ermöglicht wird, Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode effektiv zu reduzieren.
Da die oben erwähnten Kapazitäten Ca, Cb außerdem zwischen den zweiten Endabschnitten der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 und dem Massepotential gebildet sind, kann außerdem die Elektrodenlänge der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b als λ/2-Resonatoren kurz gemacht werden, wodurch es ermöglicht wird, die Entwurfsfreiheit der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b zu verbessern. Außerdem kann auch die Miniaturisierung der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gefördert werden.
Die Reduktion von Nebenwellen aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode, die in der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gemäß diesem Ausführungsbeispiel erreicht werden kann, wird nachfolgend auf der Basis spezifischer experimenteller Beispiele beschrieben.
5 ist ein Diagramm, das die Reflexionscharakteristika und Durchlasscharakteristika der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gemäß diesem Ausführungsbeispiel zeigt. Die durchgezogene Linie zeigt die Reflexionscharakteristika an, und die gestrichelte Linie zeigt die Durchlasscharakteristika an. Wie es von den Durchlasscharakteristika offensichtlich ist, ist ein Dämpfungspol, angezeigt durch Pfeil C, auf der niedrigerfrequenten Seite bezüglich 26 GHz als Mittenfrequenz gebildet. Dieser Dämpfungspol wird hinzugefügt durch das Bandpassfilter, das durch jeden der oben erwähnten λ/2-Resonatoren und Cp gebildet wird. Bezüglich der Durchlasscharakteristika werden Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode bis zu 32 GHz unterdrückt. Dies wird nachfolgend mit Bezugnahme auf 6 bis 13 näher beschrieben.
6 ist eine schematische auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die eine Chip-Typ-Resonanzkomponente zeigt, die zu Vergleichszwecken vorbereitet wird. In dieser Chip-Typ-Resonanzkomponente 1101 sind die Resonatorelektrode 8, die Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18 und der Durchgangsleiter 19 von der oben erwähnten Chip-Typ-Filterkomponente 1 entfernt. Außerdem sind die zweiten schmalen Abschnitte 11b4 und 12b4 von der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 der Filterkomponente 1 entfernt. Das heißt, in einer Eingangselektrode 1111 und einer Ausgangselektrode 1112 haben die zweiten Elektrodenabschnitte 1111b, 1112b nur Mittelabschnitte 1111b1, 1112b1, die fortgesetzt sind zu den ersten Elektrodenabschnitten 1111a, 1112a, und erste schmale Abschnitte 1111b2, 1112b2. Ansonsten hat die Chip-Typ-Resonanzkomponente 1101 die gleiche Konfiguration wie die Chip-Typ-Filterkomponente 1 gemäß dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel.
Die Durchlasscharakteristika und Reflexionscharakteristika des Chip-Typ-Resonanzteils 1101 sind in 7 gezeigt. Die durchgezogene Linie zeigt die Durchlasscharakteristika an und die gestrichelte Linie zeigt die Reflexionscharakteristika an.
Da die Resonatorelektrode 8 und die λ/2-Resonatoren nicht gebildet sind, erscheinen in diesem Fall störende Charakteristika aufgrund der Formen eines röhrenförmigen Körpers, der aus der Masseelektrode und Eingangs- und Ausgangselektroden in der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gebildet ist.
Wie es von 7 offensichtlich ist, um den Dämpfungsbetrag der Nebenwellen aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode 20 dB oder mehr zu machen, ist das Frequenzband, das verwendet werden kann, 20 GHz oder weniger.
Als Nächstes wurde eine Chip-Typ-Resonanzkomponente 1141, die in der auseinandergezogenen perspektivische Ansicht von 8 gezeigt ist, zu Vergleichszwecken vorbereitet. In der Resonanzkomponente 1141 wurden zusätzlich zu der in 6 gezeigten Chip-Typ-Resonanzkomponente 1101 die Mehrzahl von Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18, die zwischen oberen und unteren Masseelektroden verbinden, und der Durchgangsleiter 19 vorgesehen. Ansonsten ist die Resonanzkomponente 1141 gleich wie die in 6 gezeigte Chip-Typ-Resonanzkomponente 1101.
Um eine Resonanz aufgrund der Chipform zu reduzieren, d. h. eine Resonanz aufgrund der Wellenleitermode, sind in diesem Fall die oben erwähnten Durchkontaktierungslochelektroden 15 bis 18 und der Durchgangsleiter 19 in Abschnitten starker Feldintensität gebildet. Die Durchlasscharakteristika und Reflexionscharakteristika der Chip-Typ-Resonanzkomponente 1141, die so erhalten wurden, sind in 9 gezeigt. Wie es von 9 offensichtlich ist, ist klar, dass sich das Frequenzband mit einem Ansprechverhalten von 20 dB oder mehr zu 27 GHz verschiebt. Das heißt, es ist klar, dass das störende bzw. unerwünschte Ansprechverhalten verschoben werden kann in die Nähe von 27 GHz. Wenn der Nebenwellenunterdrückungseffekt, der im Patentdokument 2 beschrieben ist, verwendet wird, wie in dem Fall von 9, können Nebenwellen aufgrund der Form reduziert werden. Es gibt jedoch eine Grenze solcher Nebenwellenreduktionsverfahren.
Andererseits ist 10 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer Chip-Typ-Resonanzkomponente als Vergleichsbeispiel mit einer Struktur, in der, wie in der Chip-Typ-Resonanzkomponente gemäß dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel, die λ/2-Resonatoren gebildet sind durch die Eingangselektrode und die Ausgangselektrode. In dieser Chip-Typ-Resonanzkomponente 1161 sind zusätzlich zu der in 8 gezeigten Struktur λ/2-Resonatoren ferner durch die zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b gebildet, auf die gleiche Weise wie in dem Fall der zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b der Chip-Typ-Filterkomponente 1. Anders ausgedrückt ist daher die Chip-Typ-Resonanzkomponente 1161 von der gleichen Konfiguration wie die Chip-Typ-Filterkomponente 1, außer dass die Resonatorelektrode 8 nicht vorgesehen ist.
Das heißt, die Kopplungskapazität Cp ist zwischen den ersten Endabschnitten der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 gebildet, und die zweiten Elektrodenabschnitte 1lb, 12b bilden die oben beschriebenen λ/2-Resonatoren und bilden dadurch ein Bandpassfilter.
Die Durchlasscharakteristika und Reflexionscharakteristika der oben erwähnten Chip-Typ-Resonanzkomponente 1161 sind in 11 gezeigt. Die durchgezogene Linie zeigt die Reflexionscharakteristika an und die gestrichelte Linie zeigt die Durchlasscharakteristika an.
Wie es von 11 ersichtlich ist, erscheint die Resonanz f0 des Bandpassfilters, das wie oben erwähnt gebildet ist, an der Position, die durch Pfeil D angezeigt ist, und die Resonanz 2f0 der zweiten Harmonischen desselben erscheint an der Position, die durch Pfeil E angezeigt ist. Daher ist klar, dass das störende Ansprechverhalten in dem Band unterdrückt werden kann, das in 11 durch F angezeigt ist. Das heißt, ein Durchlassband des Bandpassfilters mit allen λ/2-Resonatoren erscheint in der Nähe von 21 GHz, und die Resonanz der Mode höherer Ordnung desselben erscheint in der Nähe von 33 GHz. Somit sind die Bereiche, in denen der störende Pegel 20 dB oder mehr ist, das Frequenzband von 19 GHz oder weniger und das Frequenzband F von 22 bis 31 GHz.
Da das Durchlassband des Hauptfilterabschnitts in der oben erwähnten Chip-Typ-Filterkomponente 1 in dem Bereich von 22 bis 31 GHz angeordnet ist, ist es folglich klar, dass es durch Hinzufügen des Bandpassfilters, das durch die λ/2-Resonatoren und die oben erwähnte Kopplungskapazität Cp gebildet ist, möglich ist, Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode effektiv zu unterdrücken, und vorteilhafte Dämpfungscharakteristika in der oben erwähnten Chip-Typ-Filterkomponente 1 zu erhalten. Daher ist es möglich, eine Chip-Typ-Filterkomponente mit einer Mittenfrequenz von 27 GHz oder mehr zu schaffen, was bisher schwierig zu realisieren war.
Obwohl die Frequenzcharakteristika der in 5 gezeigten Chip-Typ-Filterkomponente 1, die oben erwähnt ist, tatsächlich gemessene Werte sind, sind die Frequenzcharakteristika der jeweiligen Chip-Typ-Resonanzkomponenten, die in 7, 9 und 11 gezeigt sind, simulierte Ergebnisse. 12 und 13 zeigen im Gegensatz die tatsächlich gemessenen Werte der Frequenzcharakteristika der oben erwähnten Chip-Typ-Filterkomponenten 1141, 1161. Das heißt, die in 12 und 13 gezeigten Charakteristika sind tatsächlich gemessene Werte, die den simulierten Charakteristika entsprechen, die in 9 bzw. 11 gezeigt sind.
Obwohl das Frequenzband, in dem die Nebenwelle erscheint, in 12 ein Band von 26 GHz oder weniger ist, ist klar, dass in 13 die Frequenzbereiche, in denen Nebenwellen bei einem Pegel von 20 dB oder mehr erscheinen, das Frequenzband von 16 GHz oder weniger und das Frequenzband von 18 bis 36 GHz sind, was somit die Konfiguration geeignet macht für einen Hauptfilterabschnitt oder Resonator mit einem Durchlassband in der Nähe von 24 bis 30 GHz.
Da das Bandpassfilter, das durch jeden der λ/2-Resonatoren und die oben erwähnte Kopplungskapazität Cp gebildet ist, außerdem, wie oben beschrieben, auch als ein Bandsperrfilter wirkt, kann ein Dämpfungspol außerhalb des Durchlassbands des Hauptfilterabschnitts hinzugefügt werden, was auch verbesserte Dämpfungscharakteristika ermöglicht.
Obwohl ein Ansprechverhalten von 20 dB oder mehr bei den oben erwähnten experimentellen Beispielen als Nebenwelle festgelegt ist, die zu unterdrücken ist, ist der zu unterdrückende Betrag nicht darauf begrenzt, sondern kann so gewählt werden, wie es gemäß der beabsichtigten Verwendung angemessen ist. Das heißt, abhängig von der beabsichtigten Verwendung können Nebenwellen von 10 dB oder mehr als Nebenwelle festgelegt werden, die zu unterdrücken ist, oder ein Ansprechverhalten von 30 dB oder mehr kann als die Nebenwelle festgelegt werden, die zu unterdrücken ist. Obwohl der Pegel der Nebenwelle, die zu unterdrücken ist, und somit das Frequenzband, das verwendet werden kann, gemäß der beabsichtigten Verwendung variieren, können durch Bilden der λ/2-Resonatoren durch die Eingangs- und Ausgangselektroden und Hinzufügen der Kopplungskapazität Cp, um das Bandpassfilter wie bei dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel zu bilden, gleichartig dazu Nebenwellen in dem Durchlassband des Hauptfilterabschnitts effektiv reduziert werden, und somit können Dämpfungscharakteristika verbessert werden.
Bei der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist der Hauptfilterabschnitt aus einem Zweimoden-Bandpassfilter hergestellt, und in diesem Fall sind zwei zueinander orthogonale Resonanzen in der Resonatorelektrode gekoppelt. Um den Dämpfungsbetrag zu erhöhen, ist es daher notwendig, eine Mehrstufenstruktur von Zweimoden-Bandpassfiltern zu schaffen. Selbst wenn keine solche Mehrstufenstruktur angenommen wurde, können gemäß diesem Ausführungsbeispiel, jedoch Dämpfungscharakteristika verbessert werden durch das Bandpassfilter, das auf der Eingangsseite und der Ausgangsseite hinzugefügt wird, wie es oben erwähnt ist, und es dadurch möglich macht, den Außerbanddämpfungsbetrag zu erhöhen, ohne eine Größenzunahme zu bewirken.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden λ/2-Resonatoren in modifizierter Form als zweite Elektrodenabschnitte 11b, 12b verwendet. Da jedoch hier das Ziel ist, die Nebenwellen zu unterdrücken aufgrund der Form in dem Durchlassband des oben beschriebenen Hauptfilterabschnitts, können die Eingangs- und Ausgangselektroden gebildet sein, um keine λ/2-Resonatoren, sondern andere LC-Resonatoren zu bilden. In diesem Fall muss das Bandpassfilter, das durch die Eingangselektrode und die Ausgangselektrode gebildet ist, gebildet werden, um parallel geschaltet zu sein mit dem Hauptresonator oder -filter.
Bei der Chip-Typ-Filterkomponente 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel sind die ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 durch Durchkontaktierungslochelektroden gebildet, die sich durch das Innere des Chipkörpers 2 erstrecken. Wie bei der Modifikation, die in 14(a), 14(b) gezeigt ist, können jedoch die ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a, die sich in der Laminierungsrichtung des Chipkörpers 2 erstrecken, auf der ersten Endoberfläche 2e und der zweiten Endoberfläche 2f gebildet sein. In diesem Fall sind die ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a in der Laminierungsrichtung an der Mitte der Endoberflächen 2e, 2f erweitert, und, wie es in 15 gezeigt ist, werden die zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b herausgeführt zu den Endoberflächen 2e, 2f und elektrisch verbunden mit den ersten Elektrodenabschnitten 11a, 12a. Auf diese Weise können die ersten Elektrodenabschnitte 11a, 12a der Eingangselektrode 11 und der Ausgangselektrode 12 gemäß der vorliegenden Erfindung auf den Endoberflächen 2e, 2f gebildet werden.
Bei dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel werden die Masseelektroden 13, 14, die in dem Chipkörper 2 eingebettet sind, als die Masseelektrode verwendet, die einen röhrenförmigen Körper bildet. Wie in der in 14 und 15 gezeigten Modifikation kann jedoch eine Masseelektrode 41 gebildet sein, um die obere Oberfläche 2a, die untere Oberfläche 2b und das Paar von Seitenoberflächen 2c, 2d des Chipkörpers 2 zu ummanteln bzw. zu bedecken. Das heißt, es reicht aus, dass der Masseelektrodenabschnitt, der einen röhrenförmigen Körper bildet, ein röhrenförmiger Körper ist, der Oberflächen parallel zu der oberen Oberfläche, unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen des Chipkörpers 2 hat, und zumindest eine der Oberflächen des röhrenförmigen Körpers kann in dem Chipkörper eingebettet sein, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel. Außerdem kann, wie bei dieser Modifikation, eine Masseelektrode auf der oberen Oberfläche 2a, der unteren Oberfläche 2b und dem Paar von Seitenoberflächen 2c, 2d des Chipkörpers 2 gebildet sein.
Obwohl bei dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel der Hauptfilterabschnitt ein Zweimoden-Bandpassfilter ist, der die Resonatorelektrode 8 mit dem Durchgangsloch 8 verwendet, muss der Hauptfilterabschnitt gemäß der vorliegenden Erfindung nicht notwendigerweise ein Zweimoden-Bandpassfilter sein, sondern kann auch ein anderer Resonator oder Filter sein.
16 sind Draufsichten, die eine Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen, wovon 16(a) bis 16(j) Draufsichten der Chip-Typ-Filterkomponente und schematische Draufquerschnittsansichten der Chip-Typ-Filterkomponente an unterschiedlichen Höhenpositionen in dem Chipkörper sind.
In diesem Fall sind die leitfähigen Filme 6, 7 auf gleiche Weise gebildet wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, um die obere Oberfläche und die untere Oberfläche von den Seitenoberflächen 2c, 2d des Chipkörpers 2 zu erreichen. Dann ist an der nächsten Höhenposition von der oberen Oberfläche 2a die Masseelektrode 13 gebildet, und an einer Höhenposition unter der Masseelektrode 13 liegen λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 einander mit einem Zwischenraum gegenüber. Die λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 bilden ein Mehrstufenfilter, das Charakteristika wie ein Bandpassfilter liefert mit einer Mittenfrequenz, die in der Nähe von 10 bis 30 GHz angeordnet ist. Die oben erwähnten λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 haben Elektrodenkörperabschnitte 52a, 53a, die sich in einer Richtung entlang der kurzen Seite einer rechteckigen dielektrischen Schicht erstrecken, und Vorsprünge 52b, 53b, die jeweils als ein Teil einer Kapazitätseinheit dienen, die gebogen und erweitert sind an Enden der Elektrodenkörperabschnitte 52a, 53a zu der Seite der anderen λ/2-Resonatorelektrode 53 oder 52 hin.
Ein Durchkontaktierungslochleiter 54 ist zwischen den λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 angeordnet. Der Durchkontaktierungslochleiter 54 ist in der Laminierungsrichtung erweitert. Das obere Ende des Durchkontaktierungslochleiters 54 ist elektrisch verbunden mit der Masseelektrode 13, und das untere Ende ist elektrisch verbunden mit der Masseelektrode 14.
Die Masseelektroden 13, 14 erreichen jeweils beide Enden in der Breiterichtung des Chipkörpers 2. Daher ist ein röhrenförmiger Körper, der durch die leitfähigen Filme 6, 7 und die Masseelektroden 13, 14 gebildet ist, angeordnet, um den Mehrstufenfilterabschnitt zu umgeben, der durch die λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 und den Durchkontaktierungslochleiter 54 gebildet ist. Daher besteht auch bei diesem Ausführungsbeispiel die Befürchtung, dass die Masseelektrode in der Form eines röhrenförmigen Körpers als ein Wellenleiter wirkt zusammen mit dem Chipkörper 2, und Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode auftreten.
Bei diesem Ausführungsbeispiel bilden jedoch auch Eingangs- und Ausgangselektroden 61, 62, die mit dem Hauptfilterabschnitt gekoppelt sind, der die λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 aufweist, jeweils ein Bandpassfilter, das die Nebenwellen aufgrund der oben erwähnten Wellenleitermode reduziert. Das heißt, die Eingangselektrode 61 und die Ausgangselektrode 62 haben erste Elektrodenabschnitte 61a, 62a, die aus Durchkontaktierungslochelektroden hergestellt sind und sich in der Laminierungsrichtung des Chipkörpers 2 erstrecken.
Die unteren Enden der ersten Elektrodenabschnitte 61a, 62a sind fortgesetzt zu der Eingangsanschlusselektrode 4 und der Ausgangsanschlusselektrode 5. Die oberen Enden der ersten Elektrodenabschnitte 61a, 62a sind verbunden mit 61b1, 62b1 der zweiten Elektrodenabschnitte 61b, 62b, die auf die gleiche Weise konfiguriert sind wie die zweiten Elektrodenabschnitte 11b, 12b gemäß dem oben erwähnten Ausführungsbeispiel. Das heißt, die zweiten Elektrodenabschnitte 61b, 62b haben erste Endabschnitte 61b2, 62b2, die Kopplungsabschnitte sind, die mit dem Filterabschnitt gekoppelt sind, der durch die oben erwähnten λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 gebildet ist.
Der erste Endabschnitt 61b2 und der erste Endabschnitt 62b2 liegen einander mit einem Zwischenraum gegenüber, und die Kopplungskapazität Cp ist an diesem Abschnitt gebildet. Außerdem bilden die Eingangselektrode 61 und die Ausgangselektrode 62 λ/2-Resonatoren, wobei die Wellenlänge λ die Elektrodenlänge der oben erwähnten zweiten Elektrodenabschnitte 61b, 62b ist. Ein Bandpassfilter wird durch jeden der λ/2-Resonatoren und die Kopplungskapazität Cp gebildet, und durch das Bandpassfilter ist es möglich, den Einfluss von Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode in dem Durchlassband des Hauptfilterabschnitts zu reduzieren, der aus den λ/2-Resonatorelektroden 52, 53 besteht. Das heißt, dadurch, dass λ verschieden gemacht wird zu einer Wellenlänge, die der Resonanzfrequenz des oben erwähnten Hauptfilterabschnitts entspricht, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, können Nebenwellen aufgrund der Wellenleitermode, die sich durch die Form ergeben, effektiv reduziert werden.
Zusammenfassung
Eine Chip-Typ-Filterkomponente wird erhalten, die es möglich macht, Nebenwellen aufgrund einer Wellenleitermode zu reduzieren, und vorteilhafte Dämpfungscharakteristika zu erhalten.
In einer Chip-Typ-Filterkomponente 1 ist eine Masseelektrode in der Form eines röhrenförmigen Körpers, der aus leitfähigen Filmen 6, 7 und Masseelektroden 13, 14 besteht, in einem Chipkörper 2 gebildet, eine Resonatorelektrode 8, die in dem Chipkörper 2 gebildet ist, ist von dem röhrenförmigen Körper umgeben, die Elektrodenlänge einer Eingangselektrode 11 und einer Ausgangselektrode 12, die mit der Resonatorelektrode 8 gekoppelt sind, ist eingestellt, um sich von einer Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge zu unterscheiden, die der Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode 8 entspricht, ein erster Endabschnitt 11b3 der Eingangselektrode 11 und ein erster Endabschnitt 12b3 der Ausgangselektrode 12 sind einander gegenüber angeordnet, um eine Kopplungskapazität Cp zu bilden, und ein Bandpassfilter, das durch die oben erwähnte Eingangselektrode 11, die Kopplungskapazität und die oben erwähnte Ausgangselektrode 12 gebildet ist, wird einem Hauptfilterabschnitt hinzugefügt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2001-237610 [0005]
- JP 2004-304761 [0005]

Claims

Eine Chip-Typ-Filterkomponente, die folgende Merkmale umfasst: einen Chipkörper mit einer oberen Oberfläche, einer unteren Oberfläche, einem Paar von Seitenoberflächen und einer ersten und einer zweiten Endoberfläche, die einander gegenüber liegen, wobei der Chipkörper gebildet wird durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten; eine Resonatorelektrode, die in dem Chipkörper gebildet ist; eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die jeweils einen ersten Elektrodenabschnitt aufweisen, der sich in einer Laminierungsrichtung des Chipkörpers erstreckt, und einen zweiten Elektrodenabschnitt, der zu dem ersten Elektrodenabschnitt fortgesetzt wird und auf einer dielektrischen Schicht der Mehrzahl von dielektrischen Schichten in dem Chipkörper gebildet ist, wobei der zweite Elektrodenabschnitt einen ersten Endabschnitt aufweist, der ein Kopplungsabschnitt ist, der mit der Resonatorelektrode gekoppelt ist; und eine Masseelektrode, die an dem Chipkörper vorgesehen ist, um einen röhrenförmigen Körper zu bilden, der die Resonatorelektrode umgibt, wobei eine Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eingestellt ist, um sich von einer Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge zu unterscheiden, die einer Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode entspricht, und der Kopplungsabschnitt der Eingangselektrode und der Kopplungsabschnitt der Ausgangselektrode einander gegenüber angeordnet sind, wobei die Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eine Länge des zweiten Elektrodenabschnitts zu dem ersten Endabschnitt von einem Punkt ist, an dem der zweite Elektrodenabschnitt zu dem ersten Elektrodenabschnitt fortgesetzt wird.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß Anspruch 1, bei der die Elektrodenlänge des zweiten Elektrodenabschnitts eingestellt ist auf eine Länge gleich einer Hälfte einer Wellenlänge, die einer Frequenz entspricht, die niedriger ist als die Resonanzfrequenz der Resonatorelektrode.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der eine erste Kapazität gebildet ist zwischen dem ersten Endabschnitt der Eingangselektrode und dem ersten Endabschnitt der Ausgangselektrode, und ein Bandpassfilter gebildet ist durch den zweiten Elektrodenabschnitt der Eingangselektrode, den zweiten Elektrodenabschnitt der Ausgangselektrode und die erste Kapazität.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Eingangselektrode und die Ausgangselektrode jeweils ferner einen zweiten Endabschnitt aufweisen, der sich von dem ersten Endabschnitt unterscheidet, und eine zweite Kapazität gebildet ist zwischen dem zweiten Endabschnitt der Eingangselektrode und der Masseelektrode und zwischen dem zweiten Endabschnitt der Ausgangselektrode und der Masseelektrode.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der sich die ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode in der Laminierungsrichtung innerhalb des Chipkörpers erstrecken.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode auf der ersten und zweiten Endoberfläche des Chipkörpers gebildet sind, um sich jeweils in der Laminierungsrichtung zu erstrecken.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Resonatorelektrode auf einer dielektrischen Schicht gebildet ist, die sich von der dielektrischen Schicht unterscheidet, auf der die zweiten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode gebildet sind.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der: der Chipkörper eine rechteckige plattenartige Form aufweist; und zumindest ein Endabschnitt von jedem der ersten Elektrodenabschnitte der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode gebildet ist, um auf zumindest entweder der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Chipkörpers mit der rechteckigen plattenartigen Form freigelegt zu sein, und die Masseelektrode einen röhrenförmigen Körper bildet mit Oberflächen parallel zu der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß Anspruch 8, bei der in dem röhrenförmigen Körper, der durch die Masseelektrode gebildet ist, zumindest eine der Oberflächen des röhrenförmigen Körpers parallel zu der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen des Chipkörpers in den Chipkörper eingebettet ist.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß Anspruch 8, bei der die Masseelektrode auf der oberen Oberfläche, der unteren Oberfläche und dem Paar von Seitenoberflächen des Chipkörpers gebildet ist.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der die Resonatorelektrode gebildet ist, um eine Mehrzahl von Resonanzwellentypen zu erzeugen, die nicht degeneriert sind, und ein Durchgangsloch in der Resonatorelektrode gebildet ist, um das Koppeln der Mehrzahl von Resonanzwellentypen zu ermöglichen, so dass durch das Koppeln der Mehrzahl von Resonanzwellentypen ein Zweimoden-Bandpassfilterabschnitt gebildet wird.
Die Chip-Typ-Filterkomponente gemäß Anspruch 11, die ferner einen Durchgangsleiter umfasst, der sich durch das Durchgangsloch erstreckt, um nicht mit der Resonatorelektrode in Kontakt zu kommen, und mit der Masseelektrode elektrisch verbunden ist.