DE112008001614T5

DE112008001614T5 - Halbleiterlichtemissionsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE112008001614T5
Application number: DE112008001614T
Authority: DE
Inventors: Kazuaki Tsutsumi; Yohei Ito; Yasuo Nakanishi; Shunji Nakata
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2007-06-15
Filing date: 2008-06-03
Publication date: 2010-04-29
Also published as: WO2008152945A1; US20100102341A1; TW200903869A; CN101689585A; KR20100020521A; JPWO2008152945A1

Abstract

Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, mit:
einem transparenten Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche, wobei Seitenoberflächen zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche raue Oberflächen sind; und
einem Halbleiterlichtemissionselement, das auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats angeordnet ist, und das durch Stapeln von Nitridhalbleitern aufeinander zusammengesetzt ist.

Description

Gebiet der Technik
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung und insbesondere eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung mit einem Halbleiterlichtemissionselement, das auf einem Wafer aus einem Nitridhalbleiter ausgebildet ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung.
Stand der Technik
Eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung aus Gruppe III-Nitrid-Halbleitern wird für Lichtemissionsdioden (LED) und dergleichen verwendet. Als Beispiele für die Gruppe III-Nitrid-Halbleiter gibt es Aluminiumnitrid (AlN), Galliumnitrid (GaN), Indiumnitrid (InN) und dergleichen. Typische Gruppe III-Nitrid-Halbleiter werden mit der Formel Al_xIn_yGa_1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1) dargestellt. Die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung unter Verwendung der Gruppe III-Nitrid-Halbleiter beinhaltet beispielsweise ein Halbleiterlichtemissionselement mit einer Struktur, bei der eine Gruppe III-Nitrid-Halbleiterschicht (n-Halbleiterschicht), die mit einem N-Dotierstoff dotiert ist, eine Lichtemissionsschicht (aktive Schicht) sowie eine Gruppe III-Nitrid-Halbleiterschicht (p-Halbleiterschicht), die mit einem P-Dotierstoff dotiert ist, in dieser Reihenfolge übereinander gestapelt sind, und dergleichen.
Die Nitridhalbleiterschichten sind auf einem Wafer als einem transparenten Substrat gestapelt, das aus Saphir und dergleichen ausgebildet ist, wodurch eine Vielzahl der Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen auf dem Wafer ausgebildet wird. Nachdem sich der Wafer im Herstellungsablauf in einem Endzustand befindet, wird der Wafer in eine Vielzahl von Chips unterteilt, und die Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen werden hergestellt, wobei in jedem die Nitridhalbleiter auf dem transparenten Substrat gestapelt sind.
Derzeit wird bei einer Unterteilung des Wafers in eine Vielzahl von Chips eine Rückoberfläche poliert, um dadurch die Dicke des betroffenen Wafers von 350 μm auf ungefähr 100 μm zu verdünnen, und danach werden Ritzlinien auf der Vorderoberfläche des Wafers ausgebildet, auf denen die Nitridhalbleiter ausgebildet sind, indem eine Diamantschneideeinrichtung und dergleichen verwendet wird. Dann werden den Ritzlinien von der Rückoberfläche her ein Stoß versetzt, und der Wafer wird durch einen „Brechvorgang” in die Chips unterteilt (vergleiche beispielsweise Patentreferenz 1). Dabei bezieht sich der „Brechvorgang” auf die Unterteilung des Wafers in eine Vielzahl von Chips durch die Durchführung eines Vorgangs zum Zerbrechen (Fraktur), Schneiden und dergleichen für den Wafer.

Patentreferenz 1: Dokument JP-3449201

Erfindungsoffenbarung
Technische Aufgabe
Beim Zerbrechen des Wafers in die Chips, welche die auf dem transparenten Substrat ausgebildeten Nitridhalbleiter enthalten, nachdem die Ritzlinien auf der vorderen Oberfläche des Wafers aus Saphir und dergleichen ausgebildet wurden, werden jedoch die Seitenoberflächen (Schnittoberflächen) des transparenten Substrates Spiegelflächen. Daher entstand das Problem, dass in der aktiven Schicht des auf dem transparenten Substrat ausgebildeten Lichtemissionselementes erzeugtes Licht auf das transparente Substrat einfällt und durch die Seitenoberflächen des transparenten Substrates reflektiert wird, und schwer nach außen abzustrahlen war.
Wenn die Ritzlinien nur auf einer Oberfläche des harten Wafers aus Saphir und dergleichen ausgebildet waren, und der Wafer in die jeweiligen Chips zerbrochen wurde, dann ergab es sich darüber hinaus, dass manchmal die Brechrichtungen des Wafers in Abhängigkeit von dem Ausmaß der Stoßaufbringung inkonstant wurden, und Risse in der Umgebung der Schnittabschnitte auf der Oberfläche auftraten, auf der die Ritzlinien nicht ausgebildet waren. Folglich trat das Problem auf, dass Bruchschäden und Absplitterungen auf den Oberflächen der Chips auftraten, was zu Variationen bei den Chipformen führte, und was zu einer Verringerung der Ausbeute bei der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung führte.
Technische Lösung
In Anbetracht der vorstehenden Probleme wird erfindungsgemäß eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitgestellt, die in der Lage ist, das von dem Halbleiterlichtemissionselement auf dem transparenten Substrat auf das transparente Substrat einfallende Licht nach außen (außerhalb des transparenten Substrates) effizient auszugeben, und das Auftreten von Rissen an den Schnittabschnitten im Falle der Unterteilung des Wafers in die Chips zu unterdrücken, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitzustellen.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitgestellt, mit: einem transparenten Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche, wobei Seitenoberflächen zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche raue Oberfläche sind; und einem Halbleiterlichtemissionselement, das auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrates angeordnet ist, und das durch Stapeln von Nitridhalbleitern aufeinander zusammengesetzt ist.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitgestellt, bei dem ein Wafer, der aus Saphir ausgebildet ist und eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche beinhaltet, wobei die erste Hauptoberfläche eine darauf ausgebildete Nitridhalbleiterschicht aufweist, in eine Vielzahl von Chips unterteilt wird, das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Schneidegerätes; Aufkleben des Wafers auf ein Haftband; und Schneiden des Wafers von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche oder umgekehrt mittels des Schneidegerätes bis der Wafer in eine Vielzahl von Chips unterteilt ist.
Vorteilhafte Wirkungen
Erfindungsgemäß kann eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitgestellt werden, die in der Lage ist, das von dem Halbleiterlichtemissionselement auf dem transparenten Substrat auf das transparente Substrat einfallende Licht effizient nach außen (außerhalb des transparenten Substrates) auszugeben, und das Auftreten von Rissen auf den Schneideabschnitten beim Unterteilen des Wafers in die Chips zu unterdrücken, und es kann ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung bereitgestellt werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 zeigt eine Schnittansicht von einem Konfigurationsbeispiel für eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
2 zeigt eine Perspektivansicht der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
3 zeigt eine schematische Ansicht von einem Konfigurationsbeispiel für eine aktive Schicht der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
4 zeigt ein Gasflussmusterdiagramm beim Kristallwachstum der aktiven Schicht von der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Die 5(a) bis 5(c) zeigen Verfahrensschnittansichten zur Beschreibung eines Beispiels für ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Die 6(a) bis 6(d) zeigen Verfahrensschnittansichten zur Beschreibung eines weiteren Beispiels für das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Die 7(a) bis 7(d) zeigen Verfahrensschnittansichten zur Beschreibung noch eines weiteren Beispiels für das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
8 zeigt eine schematische Ansicht von einem Konfigurationsbeispiel für die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
9 zeigt eine schematische Ansicht von einem Konfigurationsbeispiel für die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
10 zeigt eine schematische Ansicht von einem Konfigurationsbeispiel für die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
11 zeigt eine schematische Ansicht von einem Konfigurationsbeispiel für die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
12 zeigt eine Tabelle über Eigenschaften von Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen, die durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel sowie nach dem Stand der Technik hergestellt worden sind.
13 zeigt eine graphische Darstellung der Eigenschaften der Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen, die durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung sowie durch ein bekanntes Herstellungsverfahren hergestellt worden sind.
Die 14(a) und 14(b) zeigen Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellten Substrates.
Die 15a und 15b zeigen Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch ein bekanntes Herstellungsverfahren hergestellten Substrats.
16 zeigt Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellten Substrates.
17 zeigt Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellten Substrates.
Die 18(a) bis 18(c) zeigen Verfahrensschnittansichten zur Beschreibung eines Beispiels für ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
19 zeigt eine schematische Ansicht zur Beschreibung einer Strahlbreite von einem Laser zur Verwendung bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
20 zeigt eine Tabelle über Zusammenhänge zwischen Defokussierwerten und Kerbbreiten.
21 zeigt Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellten Chips.
22 zeigt Bilddaten von einem Schnittabschnitt eines durch ein bekanntes Herstellungsverfahren hergestellten Chips.
Die 23(a) bis 23(c) zeigen Verfahrensschnittansichten zur Beschreibung eines weiteren Beispiels für das Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele
Nachstehend erfolgt eine Beschreibung von einem ersten und einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung. Bei der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung sind dieselben oder ähnliche Bezugszeichen denselben oder ähnlichen Abschnitten zugewiesen. Die Zeichnung ist jedoch schematisch, und es versteht sich, dass Zusammenhänge zwischen Dicken- und Ebenendimensionen, Dickenverhältnisses der jeweiligen Schichten und dergleichen sich von realen Größen unterscheiden. Daher sollten spezifische Dicken und Dimensionen in Anbetracht der nachstehenden Beschreibung bestimmt werden. Darüber hinaus beinhaltet die Zeichnung selbstverständlich auch Abschnitte, die sich voneinander im Dimensionsverhältnis unterscheiden.
Ferner stellen das nachstehend beschriebene erste und zweite Ausführungsbeispiel eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Umsetzung der erfindungsgemäßen technischen Idee dar, und die erfindungsgemäße technische Idee beschränkt nicht die Materialien, Formen, Strukturen, Anordnungen und dergleichen der Bestandteile auf die nachstehend aufgeführten. Die erfindungsgemäße technische Idee kann innerhalb des Bereichs der Patentansprüche auf verschiedenerlei Weise abgewandelt werden.
(Erstes Ausführungsbeispiel)
Gemäß 1 ist eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung versehen mit: einem transparenten Substrat 1 mit einer ersten Hauptoberfläche 111 und einer zweiten Hauptoberfläche 112 gegenüber der ersten Hauptoberfläche 111, wobei Seitenoberflächen zwischen der ersten Hauptoberfläche 111 und der zweiten Hauptoberfläche 112 raue Oberflächen sind; und einem Halbleiterlichtemissionselement, das auf der ersten Hauptoberfläche 111 des transparenten Substrates 1 angeordnet ist, und das eine durch Aufeinanderstapeln von Nitridhalbleitern zusammengesetzte Nitridhalbleiterschicht 30 beinhaltet. Gemäß den 2(a) und 2(b) ist eine Seitenoberfläche 101 unter den Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 eine raue Oberfläche aufgrund von Unebenheiten, die durch einen Rohchipschneidevorgang zum Schneiden und Unterteilen eines Wafers in Chips verursacht werden, wie es nachstehend beschrieben ist. 2(a) zeigt eine Perspektivansicht der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtung und 2(b) zeigt eine SEM-Fotographie, bei der die Seitenoberfläche 101 des transparenten Substrates 1 vergrößert ist (Vergrößerung: ungefähr 6000-fach).
Die in 1 gezeigte Nitridhalbleiterschicht 30 ist ein Halbleiterlichtemissionselement mit: einer mit einem n-Dotierstoff dotierte n-Halbleiterschicht 2; eine auf der n-Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht 3; und eine auf der aktiven Schicht 3 angeordnete p-Halbleiterschicht 4.
Als das transparente Substrat 1 ist beispielsweise ein Substrat aus einem Nitridhalbleiter und dergleichen verwendbar. Im Einzelnen ist ein Saphirsubstrat als das transparente Substrat 1 verwendbar. Die Dicke des transparenten Substrates 1 reicht ungefähr von 40 μm bis 700 μm und beträgt vorzugsweise ungefähr 350 μm.
Gruppe III-Nitrid-Halbleiter sind für die n-Halbleiterschicht 2, die aktive Schicht 3 und die p-Halbleiterschicht 4 verwendbar. Die n-Halbleiterschicht 2 führt der aktiven Schicht 3 Elektronen zu, und die p-Halbleiterschicht 4 führt der aktiven Schicht 3 Löcher zu. Die zugeführten Elektronen und Löcher rekombinieren miteinander in der aktiven Schicht 3, wodurch Licht erzeugt wird.
Als die n-Halbleiterschicht 2 ist beispielsweise eine GaN-Schicht oder dergleichen verwendbar, die aus einem mit Silizium (Si) oder dergleichen als dem n-Dotierstoff dotierten Gruppe III-Nitrid-Halbleiter ausgebildet ist, und eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,2 bis 5 μm aufweist. Für die p-Halbleiterschicht 4 ist beispielsweise eine GaN-Schicht oder dergleichen verwendbar, die aus einem mit einem p-Dotierstoff dotierten Gruppe III-Nitrid-Halbleiter ausgebildet ist, und eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,05 bis 1 μm aufweist. Für den p-Dotierstoff sind Magnesium (Mg), Zink (Zn), Kadmium (Cd), Calcium (Ca), Beryllium (Be), Kohlenstoff (C) und dergleichen verwendbar.
Die aktive Schicht 3 weist eine Quantentopfstruktur auf, in der eine Topfschicht 32 von Barrierenschichten 31 sandwichartig umgeben ist, deren Bandlücke größer als die der Topfschicht 32 ist. Darüber hinaus kann die aktive Schicht 3 eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) verwenden, bei der die Quantentopfstruktur mit der durch die Barrierenschichten sandwichartig umgebene Topfschicht als eine Einheitsstruktur genommen wird, und diese Einheitsstruktur n-mal gestapelt wird (n: eine ganze Zahl größer gleich zwei). Bei der Verwendung einer MQW-Struktur beispielsweise gemäß 3 beinhaltet die aktive Schicht 3 eine erste Topfschicht 321 bis zu einer n-ten Topfschicht 32n, die individuell durch eine erste Barrierenschicht 311 bis zu einer n-ten Barrierenschicht 31n und einer Endbarrierenschicht 310 sandwichartig umgeben sind. Im Einzelnen ist die erste Topfschicht 321 zwischen der ersten Barrierenschicht 311 und der zweiten Barrierenschicht 312 angeordnet, und die (nicht gezeigte) zweite Topfschicht ist zwischen der zweiten Barrierenschicht 312 und der (nicht gezeigten) dritten Barrierenschicht angeordnet. Darüber hinaus ist die n-te Topfschicht 32n zwischen der n-ten Barrierenschicht 31n und der Endbarrierenschicht 310 angeordnet. Die ersten Barrierenschicht 311 der aktiven Schicht 3 ist auf der n-Halbleiterschicht 2 angeordnet, und die p-Halbleiterschicht 4 ist auf der Endbarrierenschicht 310 der aktiven Schicht 3 angeordnet.
Nachstehend sind die erste Barrierenschicht 311 bis zu der n-ten Barrierenschicht 31n und die Endbarrierenschicht 310, die im Falle einer MQW-Struktur in der aktiven Schicht 3 enthalten sind, kollektiv als „Barrierenschichten 31” in Bezug genommen. Darüber hinaus sind alle in der aktiven Schicht 3 enthaltenen Topfschichten nachstehend als „Topfschichten 32” in Bezug genommen. Die Barrierenschichten 31 sind beispielsweise aus GaN-Schichten ausgebildet, und die Topfschichten 32 sind beispielsweise aus Indiumgalliumnitrid(InGaN)-Schichten ausgebildet. Es versteht sich, dass das Zusammensetzungsverhältnis von Indium (In) in den Topfschichten 32 in etwa entsprechend der gewünschten zu erzeugenden Lichtwellenlänge eingestellt wird. Darüber hinaus können InGaN-Schichten, bei denen das Zusammensetzungsverhältnis von In kleiner als das in den Topfschichten 32 ist, als die Barrierenschichten 31 verwendet werden.
Die in 1 gezeigte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung beinhaltet ferner: eine n-seitige Elektrode 50, die eine Spannung an die n-Halbleiterschicht 2 anlegt; und eine p-seitige Elektrode 40, die eine Spannung an die p-Halbleiterschicht 4 anlegt. Gemäß 1 ist die n-seitige Elektrode 50 auf einer Oberfläche der n-Halbleiterschicht 2 angeordnet, die durch Mesa-Ätzen von Teilbereichen der p-Halbleiterschicht 4, der aktiven Schicht 3 und der n-Halbleiterschicht 2 freigelegt ist. Die p-seitige Elektrode 40 ist auf der p-Halbleiterschicht 4 angeordnet. Die n-seitige Elektrode 50 ist beispielsweise aus einer Aluminiumschicht (Al) ausgebildet, und die p-seitige Elektrode 40 ist beispielsweise aus einer Titanschicht (Ti), einer Nickelschicht (Ni), einer transparenten Elektrode wie etwa einer Indiumzinnoxidschicht (ITO) und einer Zinkoxidschicht (ZnO), oder einer Palladiumgoldlegierungsschicht (Pd/Au) ausgebildet. Darüber hinaus stehen die n-seitige Elektrode 50 und die p-seitige Elektrode 40 in ohmschen Kontakt zu der n-Halbleiterschicht 2 bzw. der p-Halbleiterschicht 4.
Nachstehend erfolgt eine Beschreibung von einem Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtung. Es versteht sich, dass das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, das nachstehend beschrieben ist, lediglich ein Beispiel darstellt, und die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung selbstverständlich durch viele andere Herstellungsverfahren einschließlich Abwandlungsbeispielen für das nachstehend beschriebene Verfahrensbeispiel verwirklicht werden kann.
Bei dem Herstellungsverfahren wird GaN auf das transparente Substrat 1 durch das gut bekannte metallorganische chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (MOCVD) und dergleichen aufgewachsen. Nachdem beispielsweise das transparente Substrat 1 wie etwa ein Saphirsubstrat thermisch gereinigt wurde, wird eine mit Si in einer Konzentration von ungefähr 3 × 10¹⁸ Atome/cm³ dotierte GaN-Schicht als die n-Halbleiterschicht 2 mit einem Dickenbereich von etwa 5 μm auf dem transparenten Substrat 1 mit einer dazwischen ausgebildeten Pufferschicht beispielsweise aus einer GaN-Schicht oder einer AlN-Schicht aufgewachsen, während die Substrattemperatur auf ungefähr 1000°C eingestellt wird. Dabei werden Trimethylgallium (TMG), Ammoniak (NH₃) und Silan (SH₄) als Rohmaterialgase zugeführt, wodurch die n-Halbleiterschicht 2 ausgebildet wird.
Danach werden die beispielsweise aus den GaN-Schichten ausgebildeten Barrierenschichten 31 und die beispielsweise aus den InGaN-Schichten ausgebildeten Topfschichten 32 abwechselnd aufeinander gestapelt, und die aktive Schicht 3 wird auf der n-Halbleiterschicht 2 ausgebildet. Im Einzelnen werden die Barrierenschichten 31 und die Topfschichten 32 abwechselnd und kontinuierlich aufgewachsen, während die Substrattemperatur und die Flussrate jedes Rohmaterialgases bei der Ausbildung der aktiven Schicht eingestellt werden, und die durch Aufeinanderstapeln der Barrierenschichten 31 und der Topfschichten 32 zusammengesetzte aktive Schicht 3 wird ausgebildet. Wenn die aktive Schicht 3 eine MQW-Struktur aufweist, wird ein Schritt zum Aufeinanderstapeln der Topfschicht 32 und der Barrierenschicht 31, deren Bandlücke größer als die der Topfschicht 32 ist, durch Einstellen der Substrattemperatur und der Flussrate der Rohmaterialgase als ein Einheitsschritt genommen, und dieser Einheitsschritt wird n-mal wiederholt, beispielsweise achtmal, wodurch eine Stapelstruktur erhalten wird, bei der die Barrierenschichten 31 und die Topfschichten 32 abwechselnd gestapelt sind.
4 zeigt ein Beispiel für die Stapelung der Barrierenschichten 31 und der Topfschichten 32. Die Barrierenschichten 31 werden bei einer Substrattemperatur Ta gestapelt, und die Topfschichten 32 werden bei einer Substrattemperatur Tb gestapelt. Im Einzelnen wird die erste Barrierenschicht 311 von einem Zeitpunkt t10 bis zu einem Zeitpunkt t11 ausgebildet, währenddessen die Substrattemperatur auf Ta eingestellt ist. Nachfolgend wird die Substrattemperatur auf Tb von dem Zeitpunkt t11 bis zu dem Zeitpunkt t12 abgesenkt. Dann wird von dem Zeitpunkt t12 bis zum Zeitpunkt t13 die erste Topfschicht 321 bei der Substrattemperatur Tb ausgebildet. Nachfolgend wird die Substrattemperatur auf Ta von dem Zeitpunkt t13 bis zu dem Zeitpunkt t20 angehoben, und die zweite Barrierenschicht 312 wird dann ausgebildet. Danach werden in ähnlicher Weise die Barrierenschichten 31 und die Topfschichten 32 bei der Substrattemperatur Ta bzw. der Substrattemperatur Tb abwechselnd ausgebildet. Sodann wird die n-te Barrierenschicht 31n von einem Zeitpunkt tn0 bis zu einem Zeitpunkt tn1 ausgebildet, die Substrattemperatur wird von dem Zeitpunkt tn1 bis zu einem Zeitpunkt tn2 auf die Tb abgesenkt, und die n-te Topfschicht 32n wird von dem Zeitpunkt tn2 bis zu einem Zeitpunkt tn3 ausgebildet. Dann wird die Substrattemperatur von dem Zeitpunkt tn3 bis zu dem Zeitpunkt te0 auf Ta angehoben, und die Endbarrierenschicht 310 wird von dem Zeitpunkt te0 bis zum Zeitpunkt te1 ausgebildet. Auf diese Weise wird die aktive Schicht 3 vervollständigt. Es versteht sich, dass jedes Mal, wenn die Substrattemperatur angehoben wird, und jedes Mal, wenn die Substrattemperatur abgesenkt wird, die Barrierenschicht 31 oder die Topfschicht 32 aufgewachsen werden kann, oder nicht aufgewachsen werden kann.
Beispielsweise bei der Ausbildung der Barrierenschichten 31 werden das TMG-Gas und das NH₃-Gas als Rohmaterialgase einem Verarbeitungsgerät zur Abscheidung zugeführt. Derweil werden bei der Ausbildung der Topfschichten 32 beispielsweise das TMG-Gas, das Trimethylindiumgas (TMI) und das NH₃-Gas als die Rohmaterialgase dem Verarbeitungsgerät zugeführt. Es versteht sich, dass das TMG-Gas als Rohmaterialgas für Ga-Atome, das TMI-Gas als Rohmaterialgas für In-Atome und das NH₃-Gas als Rohmaterialgas für Stickstoffatome zugeführt werden.
Nachfolgend wird die Substrattemperatur im ungefähren Bereich von 800°C bis 1000°C eingestellt, und die mit dem p-Dotierstoff dotierte p-Halbleiterschicht 4 wird in einem Dickenbereich von ungefähr 0,05 bis 1 μm auf der aktiven Schicht 3 ausgebildet. Für die p-Halbleiterschicht 4 ist beispielsweise eine mit Mg als p-Dotierstoff in einer Konzentration von ungefähr 3 × 10¹⁹ Atome/cm³ dotierte GaN-Schicht oder dergleichen verwendbar. Wenn die GaN-Schicht mit Mg dotiert ist, dann werden das TMG-Gas, das NH₃-Gas sowie Bis(cyclopentadienyl)magnesiumgas (Cp₂MG) als die Rohmaterialgase zugeführt, wodurch die p-Halbleiterschicht 4 ausgebildet wird.
Sodann werden Abschnitte von der p-Halbleiterschicht 4 bis etwa zur Mitte der n-Halbleiterschicht 2 durch einen Mesa-Ätzvorgang mittels eines reaktiven Ionenätzvorgangs und dergleichen entfernt, und eine Vorderoberfläche der n-Halbleiterschicht 2 wird freigelegt. Hiernach wird die n-seitige Elektrode 50 auf der Vorderoberfläche der freigelegten n-Halbleiterschicht 2 durch Verdampfung ausgebildet, und die p-seitige Elektrode 40 wird auf der p-Halbleiterschicht 4 durch den Verdampfungsvorgang ausgebildet, wodurch das Halbleiterlichtemissionselement der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtung vervollständigt wird.
Nachstehend ist unter Bezugnahme auf die 5(a) bis 5(c) ein Verfahren zur derartigen Herstellung der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtung beschrieben, dass ein Wafer 20, auf dem eine Vielzahl der vorstehend beschriebenen Halbleiterlichtemissionselemente ausgebildet sind, unter Verwendung eines Trenngerätes in Chips unterteilt wird. Das Verfahren zur Herstellung der Lichtemissionshalbleitervorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, das nachstehend beschrieben ist, ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung derart, dass der aus Saphir ausgebildete Wafer 20, der eine erste Hauptoberfläche aufweist, auf der die Nitridhalbleiterschicht 30 ausgebildet ist, und der eine zweite Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche aufweist, in eine Vielzahl von Chips unterteilt wird. Das Herstellungsverfahren umfasst: Bereitstellen des Trenngerätes; Aufkleben des Wafers 20 auf ein Haftband 10; und Trennen des Wafers 20 von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche oder umgekehrt mittels des Trenngerätes, bis der Wafer 20 in einen Chip 201 und einen Chip 202 unterteilt ist. Das in den 5(a) bis 5(c) gezeigte Herstellungsverfahren ist ein Rohchiptrennvorgang zum Trennen des Wafers 20 von der Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche oder umgekehrt unter Verwendung von einer Rohchiptrenneinrichtung mit einer Klinge als dem Trenngerät, bis der Wafer 20 in die Vielzahl von Chips unterteilt ist.
Die in 1 gezeigte Nitridhalbleiterschicht 30 wird auf der ersten Hauptoberfläche des Wafers 20 gestapelt, wodurch das Halbleiterlichtemissionselement ausgebildet wird. Dabei erfolgt die Beschreibung illustrativ für den Fall einer Trennung des Wafers von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche mittels der Rohchiptrennvorrichtung. Der Rohchiptrennvorgang wird im Einzelnen implementiert, bis der Wafer 20 in den Chip 201 und den Chip 202 unterteilt ist, während die erste Hauptoberfläche als Trennvorgangstartoberfläche und die zweite Hauptoberfläche als Trennvorgangendoberfläche genommen werden, wodurch der Wafer 20 in eine Vielzahl der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen zertrennt wird. Sowohl der Chip 201 als auch der Chip 202 sind die in 1 gezeigte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung.
Zunächst wird gemäß 5(a) die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 auf eine haftende Seite 12 des Haftbandes 10 geklebt, das durch Aufbringung eines Bandgrundmaterials 11 und eines Haftmittels 12 aufeinander zusammengesetzt ist.
Danach wird gemäß 5(b) mittels einer ersten Klinge 100 der Rohchiptrennvorrichtung der Wafer 20 von der ersten Hauptoberfläche zur zweiten Hauptoberfläche zertrennt, bis er in den Chip 201 und den Chip 202 unterteilt ist. Im Einzelnen wird der Wafer 20 vollständig zertrennt, und ein spitzes Ende der ersten Klinge 100 erreicht das Haftband 10.
Danach wird gemäß 5(c) das Haftband 10 ausgedehnt, und der Chip 201 und der Chip 202 können jeweils als die in 1 gezeigte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung erhalten werden.
Die Klingendicke der ersten Klinge 100 liegt beispielsweise ungefähr in dem Bereich von 50 bis 200 μm. Für die erste Klinge 100 können Harz- und Metallklingen, in denen eine Vielzahl von Diamanten im Harz und Metall angeordnet sind, und dergleichen verwendet werden. Obwohl die Harz- und Metallklinge eine geringere Härte als das für das transparente Substrat 1 verwendbare Saphirsubstrat aufweisen, können die Harz- und Metallklingen das Saphirsubstrat schneiden, indem der Teilchendurchmesser und das Konzentrationsverhältnis (die Anordnung) der Diamanten eingestellt werden. Das Verbindungsmaterial für die Metallklinge ist Metall, und das Verbindungsmetall für die Harzklinge ist ein wärmehärtender Harz (Phenolharz) und dergleichen.
Für das Bandgrundmaterial 11 des Haftbandes 10 können beispielsweise hartes Polyvinylchlorid (PVC), Polyolefin (PO), Polyäthylenterephthalat (PET) und dergleichen verwendet werden. Darüber hinaus wird bevorzugt, dass die Dicke des Haftmittels 12 ungefähr in dem Bereich von 5 bis 10 μm liegt. Der Grund hierfür ist, dass der auf das Haftmittel 12 aufgeklebte Wafer 20 dazu neigt, sich zu bewegen, falls das Haftmittel 12 zu dick ist.
Vorstehend erfolgte eine Beschreibung für das Beispiel, dass der Wafer 20 vollständig von der ersten Hauptoberfläche zur zweiten Hauptoberfläche mittels der ersten Klinge 100 geschnitten wird; es ist jedoch selbstverständlich, dass der Wafer 20 von der zweiten Hauptoberfläche zur ersten Hauptoberfläche mittels der ersten Klinge 100 vollständig durchgeschnitten werden kann.
Obwohl es bei dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips notwendig ist, die Dicke des Wafers auf ungefähr 100 μm und beispielsweise 80 μm einzustellen, kann der Wafer 20 selbst dann vollständig zerschnitten werden, falls seine Dicke ungefähr 350 μm beträgt, wenn das Verfahren zum Zerteilen des Wafers verwendet wird, das vorstehend unter Bezugnahme auf 5(a) bis 5(c) beschrieben ist. Daher kann der Schritt zum Verdünnen des Wafers 20 weggelassen werden. Da es unnötig ist, einen Stoß zum Brechen des Wafers in die Chips aufzubringen, kann darüber hinaus der Herstellungsvorgang verkürzt werden. Nachstehend ist ein Rohchiptrennvorgang zum Unterteilen des Wafers 20 in die Chips unter Verwendung einer Rohchiptrennvorrichtung mit einer ersten Klinge und einer zweiten Klinge, die eine dünnere Klingendicke als die erste Klinge aufweist, als das Trenngerät beschrieben. Während die erste Hauptoberfläche oder die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 als die Trennvorgangstartoberfläche und die jeweils andere als die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden, wird im Einzelnen eine Nut von der Trennvorgangstartoberfläche bis zu einem Mittelpunkt innerhalb des Wafers 20 mittels der ersten Klinge ausgebildet. Darüber hinaus wird eine Nut von dem Mittelpunkt bis zu der Trennvorgangendoberfläche mittels der zweiten Klinge ausgebildet, bis der Wafer 20 in die Vielzahl von Chips (Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen) unterteilt ist, wodurch der Wafer 20 geschnitten wird.
Unter Bezugnahme auf die 6(a) bis 6(d) sind nachstehend Einzelheiten eines Wafertrennverfahrens unter Verwendung der Rohchiptrennvorrichtung mit der ersten Klinge und der zweiten Klinge beschrieben. Dabei erfolgt die Beschreibung für das Beispiel der Zertrennung des Wafers 20 von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche. Im Einzelnen wird der Wafer 20 in die Vielzahl von Chips zertrennt, während die erste Hauptoberfläche als die Trennvorgangstartoberfläche verwendet wird, und die zweite Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet wird.
Zunächst wird gemäß 6(a) die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 als zu zertrennendes Subjekt, in dem die Nitridhalbleiterschicht 30 auf der ersten Hauptoberfläche ausgebildet ist, auf die Haftmittelseite 12 des Haftbandes 10 aufgeklebt, das durch Aufbringen des Bandgrundmaterials 11 und des Haftmittels 12 aufeinander zusammengesetzt ist.
Danach wird gemäß 6(b) eine Nut von der ersten Hauptoberfläche zu einem ungefähren Mittelpunkt des Wafers 20 in Dickenrichtung mittels der ersten Klinge 100 ausgebildet.
Nachfolgend wird gemäß 6(c) mittels der zweiten Klinge 110 mit der dünneren Klingendicke als die der ersten Klinge 100 eine Nut bis zur zweiten Hauptoberfläche von einem Bodenabschnitt der Nut des Wafers 20, die mittels der ersten Klinge 100 ausgebildet wurde, ausgebildet, bis der Wafer 20 in den Chip 201 und den Chip 202 unterteilt ist. Genauer wird der Wafer 20 vollständig zertrennt, und ein spitzes Ende der zweiten Klinge 110 erreicht das Haftband 10.
Danach wird gemäß 6(d) das Haftband 10 gedehnt, und der Chip 201 und der Chip 202 können jeweils als die in 1 gezeigte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung erhalten werden.
Die Klingendicke der ersten Klinge 100 beträgt beispielsweise ungefähr von 50 bis 200 μm. Die Klingendicke der zweiten Klinge 110 beträgt beispielsweise ungefähr von 20 bis 100 μm, und diese Klingendicke wird dünner als die der ersten Klinge 100 gewählt. Sowohl für die erste Klinge 100 als auch für die zweite Klinge 110 können Harz- und Metallklingen, bei denen eine Vielzahl von Diamanten im Harz und Metall angeordnet sind, und dergleichen verwendet werden.
Zur Durchführung der Endstufe des vollständigen Zertrennens des Wafers 20 mittels der zweiten Klinge 110 stehen die in dem Wafer 20 ausgebildeten Seitenoberflächen der Nut nicht in Kontakt mit der zweiten Klinge 110, wenn die zweite Klinge 110 die zweite Hauptoberfläche erreicht. Daher ist es möglich, Chips zu erhalten, die ein geringeres Ausmaß an Absplitterung und eine befriedigende Form aufweisen. Wenn die Dicke des Wafers 20 ungefähr 350 μm beträgt, wird beispielsweise bevorzugt eine Nut mit einer Tiefe von ungefähr 300 μm mittels der ersten Klinge ausgebildet, und der Wafer 20 wird entlang der Nut um ungefähr 50 μm als der Rest der Gesamtdicke mittels der zweiten Klinge 110 weiter geschnitten, wodurch der Wafer 20 auseinander geschnitten wird.
Gemäß 6(d) weisen die Schnittabschnitte des Chips 201 des Chips 202 in einer Richtung senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 eine abgeschrägte Form auf, und die abgeschrägte Form hängt von der Form des Abschnitts mit dem spitzen Ende der ersten Klinge 100 ab. Wenn beispielsweise eine Neigung der abgeschrägten Form steiler ausgebildet werden soll, darf der Querschnitt des Abschnitts mit dem spitzen Ende der ersten Klinge 100 einen kleinen Radius oder eine V-Form aufweisen, und wenn die Neigung der abgeschrägten Form mäßiger sein soll, darf der Querschnitt des Abschnitts mit dem spitzen Ende der ersten Klinge 100 einen großen Radius aufweisen.
Vorstehend erfolgte die Beschreibung für das Beispiel einer vollständigen Zertrennung des Wafers 20 von der ersten Hauptoberfläche bis zur zweiten Hauptoberfläche mittels der ersten Klinge 100 und der zweiten Klinge 110; es ist jedoch selbstverständlich, dass der Wafer 20 auch von der zweiten Hauptoberfläche zu der ersten Hauptoberfläche vollständig zertrennt werden kann. Die 7(a) bis 7(d) zeigen ein Beispiel für die Zertrennung des Wafers 20 von der zweiten Hauptoberfläche zu der ersten Hauptoberfläche, während die zweite Hauptoberfläche für die Trennvorgangstartoberfläche und die erste Hauptoberfläche für die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden.
Zunächst wird gemäß 7(a) die erste Hauptoberfläche, auf der die Nitridhalbleiterschicht 30 ausgebildet ist, auf die Haftmittelseite 12 des Haftbandes 10 aufgeklebt, das durch Aufbringen des Bandgrundmaterials 11 und des Haftmittels 12 aufeinander zusammengesetzt ist.
Danach wird gemäß 7(b) eine Nut von der zweiten Hauptoberfläche bis zu einem Punkt ungefähr in der Mitte des Wafers 20 in der Dickenrichtung mittels der ersten Klinge 100 ausgebildet.
Nachfolgend wird gemäß 7(c) mittels der zweiten Klinge 110 mit einer dünneren Klingendicke als die erste Klinge 100 eine Nut von einem Bodenabschnitt der Nut des Wafers 20, die mittels der ersten Klinge 100 ausgebildet wurde, eine Nut zu der ersten Hauptoberfläche ausgebildet, bis der Wafer 20 in den Chip 201 und den Chip 202 unterteilt ist.
Anschließend wird gemäß 7(d) das Haftband 10 gedehnt, und der Chip 201 und der Chip 202 können jeweils als die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung erhalten werden.
Gemäß dem vorstehend beschriebenen Waferzertrennungsverfahren kann der Wafer 20 unterteilt werden, indem er vollständig zertrennt wird. Anders als bei dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips nach Ausbildung von Ritzlinien ist daher das Auftreten von Rissen in der Umgebung der Schnittabschnitte unterdrückt, und die Formen der Chipoberflächen variieren nicht. Folglich kann die Ausbeute der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung verbessert werden. Darüber hinaus werden zwei Klingen mit voneinander verschiedener Klingendicke verwendet, wodurch Chips mit einer befriedigenden Form erhalten werden können, bei denen das Absplittern unterdrückt ist.
Außerdem werden durch jedes der unter Bezugnahme auf die 6(a) bis 6(d) und 7(a) bis 7(d) beschriebenen Verfahren die Wafer mittels der Rohchiptrennvorrichtung vollständig zerschnitten, und folglich werden die Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 zu den in 2(b) gezeigten rauen Oberflächen aufgrund der durch das Zertrennen der Wafer 20 in dem Rohchiptrennvorgang verursachten Unebenheiten. Daher wird das von der aktiven Schicht 3 des Halbleiterlichtemissionselementes auf das transparente Substrat 1 einfallende Licht nicht durch die Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 reflektiert, sondern wird sehr wahrscheinlich von dem transparenten Substrat nach außen ausgegeben, wodurch die Ausgabeeffizienz der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung verbessert werden kann.
Wie bereits vorstehend angegeben ist, weisen die Seitenoberflächen der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung in Abhängigkeit von der Form des Abschnitts mit dem spitzen Ende der ersten Klinge 100 eine abgeschrägte Form und dergleichen auf. 8 zeigt ein Beispiel für die durch das Verfahren unter Bezugnahme auf die 6(a) bis 6(d) beschriebene Verfahren hergestellte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, das heißt wobei die erste Hauptoberfläche des Wafers 20 als die Trennvorgangstartoberfläche und die zweite Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden. Gemäß 8 ist die Fläche der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung kleiner als die der zweiten Hauptoberfläche, und die Seitenoberflächen (Trennabschnitte) der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung in der Richtung senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche weisen die abgeschrägte Form auf.
Darüber hinaus zeigt die 9 ein Beispiel für die durch das vorstehend unter Bezugnahme auf die 7(a) bis 7(d) beschriebene Verfahren hergestellte Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, das heißt wobei die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 als die Trennvorgangstartoberfläche und die erste Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden. Gemäß 9 ist die Fläche der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung größer als die der zweiten Hauptoberfläche, und die Seitenoberflächen (Trennabschnitte) der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung in der Richtung senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche weisen die abgeschrägte Form auf.
Es versteht sich, dass obwohl die abgeschrägte Form der Seitenoberflächen bei den in den 8 und 9 gezeigten Beispielen gekrümmt ist, die abgeschrägte Form auch gerade sein kann. 10 zeigt ein Beispiel für eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, die so hergestellt ist, dass die abgeschrägte Form der Seitenoberflächen gerade ist, wobei die erste Hauptoberfläche des Wafers 20 als die Trennvorgangstartoberfläche und die zweite Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden. Darüber hinaus zeigt 11 ein Beispiel für eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, die so hergestellt ist, dass die abgeschrägte Form der Seitenoberflächen gerade ist, während die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 als die Trennvorgangstartoberfläche und die erste Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet werden.
(Beispiele)
Vergleiche in den Eigenschaften und Formen unter den Halbleiterlichtemissionsvorrichtungen, welche durch die jeweils vorstehend beschriebenen Verfahren hergestellt wurden, sind nachstehend aufgeführt. Die jeweiligen Verfahren sind: das unter Bezugnahme auf die 5(a) bis 5(c) beschriebene Wafertrennverfahren, das heißt das Verfahren zum Trennen des Wafers mittels der Rohchiptrennvorrichtung mit einer Klinge (nachstehend als „Vollschnitttrennvorgang” in Bezug genommen); das unter Bezugnahme auf die 6(a) bis 6(d) beschriebene Wafertrennverfahren, das heißt das Verfahren zum Zertrennen des Wafers von der ersten Hauptoberfläche zur zweiten Hauptoberfläche mittels der Rohchiptrennvorrichtung unter Verwendung von zwei Klingen mit voneinander verschiedener Klingendicke (das nachstehend als „erster Schrägschnitttrennvorgang” in Bezug genommen ist); das unter Bezugnahme auf die 7(a) bis 7(d) beschriebene Wafertrennverfahren, das heißt das Verfahren zum Zertrennen des Wafers von der zweiten Hauptoberfläche zur ersten Hauptoberfläche mittels der Rohchiptrennvorrichtung unter Verwendung von zwei Klingen mit voneinander verschiedener Klingendicke (das nachstehend als „zweiter Schrägschnitttrennvorgang” in Bezug genommen ist); und das Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips (das nachstehend als „Ritzlinientrennvorgang” in Bezug genommen ist).
12 zeigt eine Tabelle, bei der die Chipdicken der Halbleiterlichtemissionselemente und die daraus emittierten Lichtausgaben miteinander verglichen sind, wobei die Halbleiterlichtemissionselemente durch die jeweiligen Verfahren hergestellt wurden, welche sind: der „Vollschnitttrennvorgang”; der „erste Schrägschnitttrennvorgang”; der „zweite Schrägschnitttrennvorgang”; und der „Ritzlinientrennvorgang”. Die mit „Saphirdicke” in 12 bezeichnete Spalte gibt die Dicken der aus Saphir ausgebildeten transparenten Substrate an, und die mit „Ausgabeverhältnis” bezeichneten Spalten geben die Ausgabe der Halbleiterlichtemissionselemente für den Fall an, dass die Ausgabe der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung zu 1 angenommen wird, wenn ein Wafer mit einer Saphirdicke von 40 μm mittels einer Ritzlinienvorrichtung zertrennt wird.
13 zeigt die Ergebnisse als graphische Darstellung der in 12 gezeigten Eigenschaften. In 13 geben schwarze Kreise die Daten für den „Vollschnitttrennvorgang” an, schwarze Dreiecke geben die Daten für den ersten Schrägschnitttrennvorgang” an, schwarze Quadrate geben die Daten für „den zweiten Schrägschnitttrennvorgang” an, und Rauten geben die Daten für den „Ritzlinientrennvorgang” an.
Gemäß den 12 und 13 erhöht sich die Ausgabe mit zunehmender Saphirdicke ungeachtet des Trennverfahrens. Die Saphirdicke beträgt vorzugsweise 60 μm oder mehr und liegt bei ungefähr 350 μm, um eine große Ausgabe zu erhalten. Eine obere Grenze der Saphirdicke, bei der der „Ritzlinientrennvorgang” anwendbar ist, beträgt ungefähr 80 μm. Folglich ist jedes Verfahren zum vollständigen Zertrennen des Wafers mittels einer Klinge, das vorstehend unter Bezugnahme auf die 5 bis 7 beschrieben ist, im Vergleich zu dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips vorteilhaft.
Darüber hinaus ist aus den 12 und 13 ersichtlich, dass wenn die Saphirdicken äquivalent zueinander sind, eine größere Ausgabe durch jedes Verfahren zum vollständigen Zertrennen des Wafers mittels einer Klinge im Vergleich zu dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips erhalten wird. Der Grund hierfür ist, dass die Seitenoberflächen jeder durch vollständiges Zertrennen des Wafers unter Verwendung einer Klinge erhaltenen Lichtemissionsvorrichtung raue Oberflächen sind, und dass die Seitenoberflächen von jeder durch Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips erhaltenen Halbleiterlichtemissionsvorrichtung Spiegeloberflächen sind. Mit anderen Worten wird der Wafer mittels der Rohchiptrennvorrichtung vollständig zerschnitten, wodurch die durch Zertrennen des Wafers bei dem Rohchiptrennvorgang verursachten Unebenheiten auf den Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 erzeugt werden, und die Seitenoberflächen zu den in 2(b) gezeigten rauen Oberflächen werden. Daher wird das in der aktiven Schicht 3 des Halbleiterlichtemissionselementes erzeugte und auf das transparente Substrat 1 einfallende Licht nicht durch die Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 reflektiert, sondern wird sehr wahrscheinlich von den Seitenoberflächen nach außen ausgegeben, wodurch die Ausgabe verbessert wird.
14(a) zeigt einen Schnittabschnitt des Chips, wenn der Wafer mit einer Saphirdicke von 350 μm durch den „Vollschnitttrennvorgang” geschnitten wird. 14(b) zeigt eine SEM-Fotographie, bei der ein Teil von 14(a) vergrößert ist (um ungefähr das 6000-fache).
15(a) zeigt einen Schnittabschnitt des Chips, wenn der Wafer mit einer Saphirdicke von 80 μm durch den „Ritzlinientrennvorgang” zertrennt wird. Obwohl gemäß 15(a) Unebenheiten auf den Schnittabschnitten einer als Ritzlinie auf einer Oberfläche ausgebildeten Nut existieren, sind die Unebenheiten auf den Schnittabschnitten der tiefer als die Nut liegenden Abschnitten gering, und die betroffenen Schnittabschnitte werden zu Spiegeloberflächen. 15(b) zeigt eine SEM-Fotographie, bei der ein Teil einer der Spiegeloberflächen aus 15(a) vergrößert ist (um das ungefähr 6000-fache).
Während gemäß den 14(b) und 15(b) der Schnittabschnitt des Chips, der durch den „Ritzlinientrennvorgang” erhalten wird, überwiegend eine glatte Spiegeloberfläche ist, ist der Schnittabschnitt des Chips, der durch den „Vollschnitttrennvorgang” erhalten wird, insgesamt eine raue Oberfläche. Daher wird im Falle des „Ritzlinientrennvorgangs” das Licht, das in der aktiven Schicht des Halbleiterlichtemissionselementes erzeugt wird und auf das Saphirsubstrat einfällt, durch die Schnittabschnitte des Chips reflektiert, und wird weniger wahrscheinlich aus dem Saphirsubstrat ausgegeben; da in dem Fall des „Vollschnitttrennvorgangs” jedoch die Schnittabschnitte des Chips raue Oberflächen sind, wird das auf das Saphirsubstrat einfallende Licht von den Seitenoberflächen (Schnittabschnitten) des Chips nach außen ausgegeben, wodurch die Ausgabe erhöht wird. Die Rauigkeit der Schnittabschnitte des Chips kann durch Einstellen des Teilchendurchmessers der auf der Klingenoberfläche angeordneten Diamanten eingestellt werden.
16 zeigt einen Schnittabschnitt des Chips für den Fall, dass der Wafer mit einer Saphirdicke von 350 μm durch den „ersten Schrägschnitttrennvorgang” geschnitten wird. Wie es in 16 gezeigt ist, weitet sich gemäß dem „ersten Schrägschnitttrennvorgang” die Chipbreite zu der Seite der zweiten Hauptoberfläche gegenüber der Seite der ersten Hauptoberfläche auf.
17 zeigt einen Schnittabschnitt des Chips für den Fall, dass der Wafer mit einer Saphirdicke von 350 μm durch den „zweiten Schrägschnitttrennvorgang” zertrennt wird. Wie es in 17 gezeigt ist weitet sich gemäß dem „zweiten Schrägschnitttrennvorgang” die Chipbreite auf der Seite der ersten Hauptoberfläche gegenüber der zweiten Hauptoberfläche auf.
Nach vorstehender Beschreibung wird bei der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung der Wafer mittels der Rohchiptrennvorrichtung vollständig zertrennt, wodurch die Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 die in 2(b) gezeigten rauen Oberflächen werden, weil die Unebenheiten durch das Zertrennen des Wafers bei dem Rohchiptrennvorgang verursacht werden. Daher wird bei der in 1 gezeigten Halbleiterlichtemissionsvorrichtung das in der aktiven Schicht 3 der auf dem transparenten Substrat 1 ausgebildeten Nitridhalbleiterschicht 30 erzeugte und auf das transparente Substrat 1 einfallende Licht nicht durch die Seitenoberflächen des transparenten Substrates 1 reflektiert, sondern wird sehr wahrscheinlich davon nach außen ausgegeben, wodurch das Licht effizient ausgegeben werden kann. Darüber hinaus kann gemäß dem Herstellungsverfahren nach dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung bei der Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung durch Unterteilen des Wafers 20 in die Chips das Auftreten der Risse in den Schnittabschnitten unterdrückt werden.
(Zweites Ausführungsbeispiel)
Unter Bezugnahme auf die 18(a) bis 18(c) ist nachstehend ein Verfahren zur derartigen Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben, dass der Wafer 20 von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche unter Verwendung eines Lasers als dem Trenngerät zertrennt wird. Das Herstellungsverfahren nach dem zweiten Ausführungsbeispiel unterscheidet sich mit anderen Worten in der Verwendung des Lasers als dem Trenngerät von dem Herstellungsverfahren nach dem ersten Ausführungsbeispiel, welches als das Trenngerät die Rohchiptrennvorrichtung mit einer Klinge verwendet. Dabei erfolgt die Beschreibung anhand eines Beispiels, bei dem der Wafer 20 in eine Vielzahl von Chips zertrennt wird, während die erste Hauptoberfläche als die Trennvorgangstartoberfläche verwendet wird, und die zweite Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet wird. Es versteht sich, dass der Wafer 20 ebenso getrennt werden kann, während die zweite Hauptoberfläche als die Trennvorgangstartoberfläche verwendet wird, und die erste Hauptoberfläche als die Trennvorgangendoberfläche verwendet wird, wie es nachstehend noch beschrieben ist.
Zunächst wird gemäß 18(a) die zweite Hauptoberfläche des Wafers 20 als das zu zertrennende Subjekt, bei dem die Nitridhalbleiterschicht 30 auf der ersten Hauptoberfläche ausgebildet ist, auf die Haftmittelseite 12 des Haftbandes 10 aufgeklebt, das durch Aufbringen des Bandgrundmaterials 11 und des Haftmittels 12 aufeinander zusammengesetzt ist.
Danach wird gemäß 18(b) ein Fokus des Lasers auf einen Mittelpunkt P zwischen dem Laser und derjenigen Oberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Oberfläche eingestellt, die näher zum Laser ist, das heißt der ersten Hauptoberfläche, von wo aus der Trennvorgang gestartet wird. Nachstehend wird der Abstandswert zwischen dem Mittelpunkt P und der ersten Hauptoberfläche als „Defokuswert” in Bezug genommen. Es gibt eine Korrelation zwischen dem Defokuswert und der Breite (Kerbbreite) einer durch Ätzen des Wafers 20 mittels eines Laserstrahls ausgebildeten Nut, und der Defokuswert wird so eingestellt, dass die Kerbbreite einen gewünschten Wert annehmen kann. Der Einstellwert für den Defokuswert ist nachstehend beschrieben.
Nachfolgend wird gemäß 18(c) der Wafer 20 von der ersten Hauptoberflächenseite zu der zweiten Hauptoberflächenseite mittels des von dem Laser ausgegebenen Strahls vollständig zertrennt, wobei der Fokus eingestellt wird, wie es unter Bezugnahme auf 18(b) beschrieben ist, und der Chip 201 und der Chip 202, in denen jeweils die Nitridhalbleiterschicht 30 ausgebildet ist, werden erhalten.
Wenn gemäß 19 die Strahlbreite im Fokus des Lasers D0 ist, der auftreffende Strahldurchmesser Din ist, und die Brennweite F ist, dann ist die Strahlbreite D0 durch die nachstehende Gleichung (1) gegeben: D0 = 4 × F × λ/(π × Din) (1)
In Gleichung (1) bezeichnet λ die Laserwellenlänge. Für den Laser kann ein Yttriumaluminiumgranatlaser (YAG) mit einer Laserwellenlänge λ von 532 nm und dergleichen verwendet werden; die Laserwellenlänge λ kann jedoch 266 nm oder 355 nm betragen.
Wenn beispielsweise die Spezifikationen des Lasers F gleich 1,5 cm, λ gleich 532 nm und Din gleich 5,98 μm sind, dann ist die Strahlbreite D0 gleich 5,98 μm. Im Einzelnen beträgt die Strahlbreite im Fokus theoretisch ungefähr 6 μm, und wenn der Fokus des Lasers auf die erste Hauptoberfläche eingestellt wird, dann beträgt in ähnlicher Weise auch die Kerbbreite ungefähr 6 μm.
20 zeigt die Zusammenhänge zwischen den Defokuswerten und den Kerbbreiten bei dem Laser mit den vorstehend beschriebenen Spezifikationen. Gemäß 20 beträgt beispielsweise die Kerbbreite 9 μm, wenn der Defokuswert auf 1 μm eingestellt wird.
Üblicherweise haften sich im Falle eines Trennens des Wafers mittels des Lasers erzeugte Objekte (Bruchstücke) auf den Seitenoberflächen der Nut an, die gerade geschnitten wird. Wenn die Kerbbreite schmal ist, dann füllen die Bruchstücke die Nut, was es manchmal schwer macht, den Wafer zu schneiden. Damit die Kerbbreite ausreicht, um ein Füllen der Nut mit den Bruchstücken zu vermeiden, ist es daher vorzuziehen, den Defokuswert so einzustellen, dass die Kerbbreite beispielsweise ungefähr 10 μm beträgt.
21 zeigt einen Schnittabschnitt eines Chips mit einer Dicke von 80 μm, der durch das vorstehend beschriebene Verfahren getrennt wird. Gemäß 21 werden durch Schneiden des Wafers mittels des Lasers verursachte Unebenheiten auf dem gesamten Schnittabschnitt des Chips erzeugt.
Zum Vergleich zeigt 22 einen Schnittabschnitt eines Chips, wenn der Wafer nach Ausbildung von Ritzlinien in die Chips gebrochen wird. 22 zeigt ein Beispiel, bei dem ein Chip mit einer Dicke von 80 μm herausgeschnitten wird, nachdem eine Nut bis zu einer Tiefe von 20 μm mittels eines Lasers geschnitten wurde. Gemäß 22 gibt es Unebenheiten auf dem Schnittabschnitt der mittels des Lasers ausgebildeten Nut; die Unebenheiten auf einem Schnittabschnitt in dem tieferen Abschnitt als der betroffenen Nut sind jedoch gering, und der Schnittabschnitt ist eine Spiegeloberfläche. Vorstehend erfolgt die Beschreibung anhand des Beispiels der vollständigen Zertrennung des Wafers 20 von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche mittels des Lasers. Es ist jedoch selbstverständlich, dass der Wafer 20 von der zweiten Hauptoberfläche zu der ersten Hauptoberfläche mittels des Lasers vollständig zerschnitten werden kann. In diesem Fall wird ein zweckmäßiger Defokuswert so eingestellt, dass eine gewünschte Kerbbreite erhalten wird, und der Fokus des Lasers wird zwischen dem Laser und der zweiten Hauptoberfläche als der Trennvorgangstartoberfläche eingestellt. Ein spezifisches Verfahren dafür ist nachstehend unter Bezugnahme auf die 23(a) bis 23(c) beschrieben.
Zunächst wird gemäß 23(a) die erste Hauptoberfläche des Wafers 20 auf die Haftmittelseite 12 des Haftbandes 10 aufgeklebt.
Danach wird gemäß 23(b) der Fokus des Lasers auf den Mittelpunkt P zwischen dem Laser und der zweiten Hauptoberfläche eingestellt, von wo aus der Trennvorgang gestartet wird. Der Defokuswert als der Abstand zwischen dem Mittelpunkt P und der zweiten Hauptoberfläche wird so eingestellt, dass die Kerbbreite einen gewünschten Wert annehmen kann.
Nachfolgend wird gemäß 23(c) der Wafer 20 von der zweiten Hauptoberfläche zu der ersten Hauptoberfläche mittels des von dem Laser ausgegebenen Strahls vollständig zertrennt, wobei der Fokus gemäß der Beschreibung unter Bezugnahme auf 23(b) eingestellt wird, und der Chip 201 und der Chip 202, in denen jeweils die Nitridhalbleiterschicht 30 ausgebildet ist, werden erhalten.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung, das vorstehend beschrieben ist, kann der Wafer 20 durch eine vollständige Zertrennung unterteilt werden. Daher kann anders als bei dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips nach Ausbildung der Ritzlinien das Auftreten der Risse in der Umgebung der Schnittabschnitte unterdrückt werden, und die Formen der Chipoberflächen variieren nicht. Folglich kann die Ausbeute für die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung verbessert werden.
Obwohl es bei dem Verfahren zum Brechen des Wafers in die jeweiligen Chips nötig ist, die Dicke des Wafers auf ungefähr 100 μm und beispielsweise 80 μm einzustellen, kann darüber hinaus der Wafer 20 vollständig zerschnitten werden, selbst falls seine Dicke ungefähr 350 μm beträgt, wenn das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet wird. Daher kann der Schritt zum Verdünnen des Wafers 20 weggelassen werden. Da es darüber hinaus nicht nötig ist, den Stoß zum Brechen des Wafers in die Chips aufzubringen, kann der Herstellungsvorgang verkürzt werden.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird gemäß vorstehender Beschreibung der Wafer mittels des Lasers vollständig zertrennt, wodurch die Halbleiterlichtemissionsvorrichtung ausgebildet werden kann, die zur effizienten Ausgabe des in der aktiven Schicht 3 des Halbleiterlichtemissionselementes erzeugten und auf das transparente Substrat 1 einfallenden Lichts befähigt ist, indem der Wafer 20 unterteilt wird, während das Auftreten der Risse in den Schnittabschnitten unterdrückt wird.
(Andere Ausführungsbeispiele)
Die Erfindung ist vorstehend auf der Grundlage des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels beschrieben; es versteht sich jedoch, dass die Beschreibung und die Zeichnung als Teil der Offenbarung die Erfindung nicht beschränken. Aus dieser Offenbarung ergeben sich für den Fachmann eine Vielzahl von alternativen Ausführungsbeispielen, Beispielen und Betriebstechnologien.
In der vorstehenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele wurde das Beispiel dargestellt, bei dem das Halbleiterlichtemissionselement eine Quantentopfstruktur aufweist, bei der die aktive Schicht 3 sandwichartig von der n-Halbleiterschicht 2 und der p-Halbleiterschicht 4 umgeben ist; das Lichtemissionselement kann jedoch andere Strukturen wie etwa einen pn-Übergang aufweisen, bei dem die n-Halbleiterschicht und die p-Halbleiterschicht unmittelbar miteinander verbunden sind. Obwohl vorstehend das Beispiel dargestellt ist, bei dem der Nitridhalbleiter auf dem Saphirsubstrat gestapelt ist, kann das vorstehend beschriebene Ritzlinienverfahren auch auf einen Fall angewendet werden, bei dem der Wafer weniger wahrscheinlich bricht, selbst falls das Halbleiterlichtemissionselement andere Halbleiterschichten und Strukturen aufweist.
Nach vorstehender Beschreibung ist es selbstverständlich, dass die Erfindung eine Vielzahl von Ausführungsbeispielen und dergleichen einbezieht, die vorliegend nicht beschrieben sind. Daher sollte der Erfindungsbereich nur durch die erfindungsspezifischen Merkmale des durch die Patentansprüche definierten Bereichs auf der Grundlage der vorliegenden Beschreibung vernünftig bestimmt werden.
(Gewerbliche Anwendbarkeit)
Die erfindungsgemäße Halbleiterlichtemissionsvorrichtung und das Verfahren zu ihrer Herstellung sind für die Halbleiterindustrie und die Elektronikindustrie nützlich, was die Herstellungsindustrie zur Herstellung einer Lichtemissionsvorrichtung mit einer auf einem Halbleitersubstrat angeordneten Halbleiterschicht einbezieht.
Zusammenfassung
Eine Halbleiterlichtemissionsvorrichtung umfasst: ein transparentes Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche, wobei Seitenoberflächen zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche raue Oberflächen sind; und ein Halbleiterlichtemissionselement, das auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrates angeordnet ist, und das durch Stapeln von Nitridhalbleitern aufeinander zusammengesetzt ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 3449201 [0004]

Claims

Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, mit: einem transparenten Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche, wobei Seitenoberflächen zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche raue Oberflächen sind; und einem Halbleiterlichtemissionselement, das auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats angeordnet ist, und das durch Stapeln von Nitridhalbleitern aufeinander zusammengesetzt ist.
Halbleiterlichtemissionselement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterlichtemissionselement eine Struktur aufweist, bei der eine n-Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine p-Halbleiterschicht in dieser Reihenfolge aufeinander gestapelt sind.
Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dicke des transparenten Substrates 40 μm oder mehr bis 700 μm oder weniger beträgt.
Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Hauptoberfläche und die zweite Hauptoberfläche eine voneinander verschiedene Fläche aufweisen, und die Schnittabschnitte des transparenten Substrates in einer Richtung senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche eine abgeschrägte Form aufweisen.
Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Seitenoberflächen durch Unebenheiten bedingte raue Oberflächen sind, die durch Trennen des transparenten Substrates durch einen Rohchiptrennvorgang verursacht worden sind.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlichtemissionsvorrichtung, bei der ein aus Saphir ausgebildeter Wafer, der eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche aufweist, wobei die erste Hauptoberfläche eine darauf ausgebildete Nitridhalbleiterschicht aufweist, in eine Vielzahl von Chips unterteilt wird, das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Trenngerätes; Aufkleben des Wafers auf ein Haftband; und Trennen des Wafers von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche oder umgekehrt mittels des Trenngerätes, bis der Wafer in eine Vielzahl von Chips unterteilt ist.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Trenngerät ein Laser ist, und beim Trennen des Wafers ein Fokus des Lasers auf einen Mittelpunkt zwischen dem Laser und der ersten Hauptoberfläche oder der zweiten Hauptoberfläche eingestellt wird, je nachdem welche Oberfläche näher zu dem Laser ist, und der Wafer von der Oberfläche näher zu dem Laser zu der Oberfläche gegenüber der zu dem Laser näheren Oberfläche mittels eines von dem Laser ausgegebenen Strahls, dessen Fokus eingestellt ist, zertrennt wird.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Wellenlänge des Lasers 532 nm, 266 nm oder 355 nm beträgt.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Trenngerät eine Klinge aufweist, und beim Trennen des Wafers der Wafer von der ersten Hauptoberfläche zu der zweiten Hauptoberfläche oder umgekehrt mittels der Klinge zertrennt wird.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Klinge eine Harzklinge oder eine Metallklinge aufweist, in der eine Vielzahl von Diamanten im Harz oder dem Metall angeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Trenngerät eine erste Klinge und eine zweite Klinge mit einer dünneren Klingendicke als die erste Klinge aufweist, und beim Trennen des Wafers eine Nut von der ersten Hauptoberfläche bis zu einem Punkt innerhalb des Wafers mittels der ersten Klinge ausgebildet wird, und eine Nut von dem Punkt innerhalb des Wafers zu der zweiten Hauptoberfläche mittels der zweiten Klinge ausgebildet wird, oder bezüglich der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche umgekehrt, wodurch der Wafer zertrennt wird.
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterlichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei die erste und die zweite Klinge Harz- oder Metallklingen sind, in denen eine Vielzahl von Diamanten im Harz oder im Metall angeordnet sind.