DE112007002960T5

DE112007002960T5 - Mehrschichtverbindungsplatine

Info

Publication number: DE112007002960T5
Application number: DE112007002960T
Authority: DE
Inventors: Issey Nagaokakyo-shi Yamamoto; Akihiko Nagaokakyo-shi Kamada
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-12-19
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2009-12-31
Also published as: WO2008075521A1; US20090218123A1; US8207452B2; JPWO2008075521A1; JP4883095B2

Abstract

Eine Mehrschichtverbindungsplatine, die folgende Merkmale aufweist:
eine Mehrzahl von laminierten Keramikschichten;
Verdrahtungselektroden, die an Hauptoberflächen der Keramikschichten angeordnet sind; und
Punktmuster, die aus einer Mehrzahl von Punkten gebildet sind, die in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektroden an den Hauptoberflächen der Keramikschichten verstreut sind.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschichtverbindungsplatine. Insbesondere bezieht sich dieselbe auf eine Mehrschichtverbindungsplatine, die zum Integrieren beispielsweise elektronischer Komponenten und dergleichen und Bilden einer elektronischen Schaltung verwendet wird.
Hintergrund
Mehrschichtverbindungsplatinen wurden vorhergehend zum Integrieren elektronischer Komponenten und dergleichen und Bilden elektronischer Schaltungen verwendet. Die Mehrschichtverbindungsplatine umfasst eine Mehrzahl von laminierten Keramikschichten und Verdrahtungselektroden, die an Hauptoberflächen der Keramikschichten angeordnet sind. Ferner sind Durchkontaktierungslöcher in den Keramikschichten angeordnet, um die Verdrahtungselektroden, die an den Hauptoberflächen der Keramikschichten angeordnet sind, zu verbinden. Eine derartige Mehrschichtverbindungsplatine ist durch ein Laminieren von Keramikgrünschichten, die mit Verdrahtungselektrodenstrukturen versehen sind, und ein Durchführen eines Brennens gebildet. Hinsichtlich einer derartigen Mehrschichtverbindungsplatine kann eine Belastung aufgrund einer Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen der Keramikschicht und der Verdrahtungselektrode, oder das Durchgangsloch kann während des Brennens erzeugt werden, und dadurch eine Rissbildung der Keramikschichten auftreten. Insbesondere sind Frequenzen von elektronischen Komponenten höher geworden und war eine Erhöhung einer Filmdicke der Verdrahtungselektrode beabsichtigt, um einen Einfügungsverlust in einem Hochfrequenzbereich zu verringern. Falls jedoch die Filmdicke der Verdrahtungselektrode sich erhöht, wird eine Differenz bei einer Schrumpfung zwischen der Verdrahtungselektrode, bei der es sich um ein Metallmaterial handelt, und der Keramik während des Brennens erheblich. Ferner kann nach dem Brennen ein Verziehen oder eine Verformung der Mehrschichtverbindungsplatine auftreten.
Dann wurde eine Mehrschichtverbindungsplatine entworfen, wie dieselbe in 17 gezeigt ist. Diese Mehrschichtverbindungsplatine 1 umfasst eine Mehrzahl von Keramikschichten 2, die laminiert sind. Ein Durchkontaktierungsloch 3 ist in den Keramikschichten 2 angeordnet. Entlastungsanschlussflächen 4, die beinahe dieselbe Größe wie diese des Durchkontaktierungslochs 3 aufweisen, sind in der Nähe des Durchkontaktierungslochs 3 angeordnet. Die Entlastungsanschlussflächen 4 sind durch ein Bilden konkaver Abschnitte in der Keramikgrünschicht und Füllen einer elektrisch leitfähigen Paste in die konkaven Abschnitte gebildet. In dem Fall, in dem derartige Entlastungsanschlussflächen 4 gebildet sind, wird eine Belastung aufgrund einer Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen dem Durchkontaktierungsloch 3 und der Keramikschicht 2 umverteilt und kann eine Rissbildung und ein Verziehen der Keramikschicht 2 verhindert werden. Da ferner die Entlastungsanschlussfläche 4 die Keramikschicht 2 nicht durchdringt, kann eine Verdrahtungselektrode 5 als eine Schicht unter den Abschnitten gebildet sein, in denen die Entlastungsanschlussflächen 4 angeordnet sind (siehe Patentdokument 1).

Patentdokument 1: ungeprüfte japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 10-65286

Offenbarung der Erfindung
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
In dem Fall jedoch, in dem die oben beschriebenen Entlastungsanschlussflächen in der Mehrschichtverbindungsplatine enthalten sind, werden die Entlastungsanschlussflächen 4 verwendet, die beinahe dieselbe Größe wie das Durchkontaktierungsloch aufweisen. Daher sind die Anordnungspositionen der Entlastungsanschlussflächen begrenzt. Da ferner die Größe der Entlastungsanschlussfläche groß ist, falls eine Bildung von Entlastungsanschlussflächen beabsichtigt ist, sind die Anordnungspositionen der Verdrahtungselektrode und des Durchkontaktierungslochs begrenzt und ist die Flexibilität des Entwurfs verringert.
Um die Entlastungsanschlussflächen zu bilden, ist es zudem nötig, dass konkave Abschnitte gebildet werden, während die Keramikgrünschicht nicht durchdrungen wird, und die sich ergebenden konkaven Abschnitte mit der elektrisch leitfähigen Paste gefüllt werden. Folglich wird der Herstellungsprozess derselben sehr kompliziert. Ferner ist es bei der Herstellung des Durchkontaktierungslochs und der Entlastungsanschlussflächen nötig, dass das Durchkontaktierungsloch und die Entlastungsanschlussflächen in einem gewissen Abstand voneinander angeordnet sind. Folglich ist eine Flexibilität des Entwurfs verringert. Da zusätzlich die Entlastungsanschlussflächen groß sind, erhöhen sich für ein Produkt unnötige Abschnitte, um eine Erhöhung der Kosten zu bewirken.
Folglich ist es eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Mehrschichtverbindungsplatine zu schaffen, bei der die Entwurfsflexibilität hoch ist, eine Rissbildung und ein Verziehen nicht ohne weiteres während einer Herstellung auftritt und die Herstellung kostengünstig durchgeführt werden kann.
Mittel zum Lösen der Probleme
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschichtverbindungsplatine, die eine Mehrzahl von laminierten Keramikschichten, Verdrahtungselektroden, die an Hauptoberflächen der Keramikschichten angeordnet sind, und Punktmuster (Punktstrukturen) aufweist, die aus einer Mehrzahl von Punkten gebildet sind, die in der Nähe der Verdrahtungselektroden an den Hauptoberflächen der Keramikschichten verstreut sind.
Hinsichtlich der oben beschriebenen Mehrschichtverbindungsplatine ist es bevorzugt, dass die Dichteverteilung der Punktmuster verändert ist.
Eine Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen der Verdrahtungselektrode und der Keramikschicht wird durch die Mehrzahl von Punktmustern, die in der Nähe der Verdrahtungselektrode verstreut sind, dezentralisiert und gemildert. Bei einem Brennen der laminierten Keramikgrünschichten kann folglich eine Belastung, die an die Keramikgrünschichten angelegt ist, gemildert werden.
Durch Variieren der Dichteverteilung der Punktmuster kann in dieser Hinsicht die Wärmeschrumpfung nahe an diese der Punktmusterseite herangebracht werden oder nahe an diese der Keramikschichtseite auf der Basis eines Abschnitts, in dem die Dichte der Punktmuster hoch ist, und eines Abschnitts, in dem die Dichte der Punktmuster niedrig ist, herangebracht werden. Um die Punktmuster zu bilden, kann ein Material für die Punktmuster durch Drucken oder dergleichen an der Keramikgrünschicht platziert werden, und es gibt keinen Bedarf danach, konkave Abschnitte in der Keramikgrünschicht zu bilden.
Bei der oben beschriebenen Mehrschichtverbindungsplatine kann die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derarti ge Weise variiert sein, dass das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode groß ist und das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode verringert ist.
Hier kann die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise variiert sein, dass die Punktmuster spezifiziert sind, um mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode kleiner zu sein.
Ferner kann die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise variiert sein, dass die Anzahl von Punktmustern mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode reduziert ist.
Hinsichtlich der Dichteverteilung der Punktmuster ist es bevorzugt, dass die Dichte in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode hoch ist und die Dichte mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode verringert ist. Folglich kann die Wärmeschrumpfung graduell mit sich verringernder Nähe zu der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode variiert werden. Um die Dichteverteilung der Punktmuster zu variieren, wird das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster variiert. Zu diesem Zweck können die Größen von Punktmustern verändert werden oder es kann die Anzahl von Punktmustern gemäß dem Abstand von der Verdrahtungselektrode verändert werden.
Ferner sind die Punktmuster an der gleichen Schicht wie die Verdrahtungselektrode angeordnet.
Hier können die Punktmuster aus dem gleichen Material wie die Verdrahtungselektrode gebildet sein.
Zudem können die Punktmuster aus einem Material gebildet sein, das sich von dem Material für die Verdrahtungselektrode unterscheidet.
Eine Belastung aufgrund einer Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen der Verdrahtungselektrode und der Keramikschicht kann durch ein Bilden der Punktmuster an der gleichen Schicht wie die Verdrahtungselektrode gemildert werden. Zusätzlich können bei einer Herstellung der Mehrschichtverbindungsplatine die Punktmuster auch an der Keramikgrünschicht zu der gleichen Zeit mit der Verdrahtungselektrode gebildet werden, oder die Punktmuster können unabhängig von der Verdrahtungselektrode gebildet werden. Folglich können verschiedene Verfahren als das Verfahren zum Herstellen von Punktmustern übernommen werden. Ferner können Änderungen bei den Charakteristika der Mehrschichtverbindungsplatine selbst aufgrund von Punktmustern durch ein Aufbringen keines Punktmusters im Inneren der Keramikschicht minimiert werden.
Hier können die Punktmuster aus dem gleichen Material wie die Verdrahtungselektrode gebildet sein oder die Punktmuster können aus einem Material gebildet sein, das sich von dem Material für die Verdrahtungselektrode unterscheidet, abhängig von dem Änderungszustand bei der Wärmeschrumpfung und anderen erforderlichen Charakteristika.
Zudem ist es in dem Fall, in dem ein Durchkontaktierungsloch in den Keramikschichten angeordnet ist, bevorzugt, dass die Flächen von einzelnen Punktmustern kleiner als die Fläche des Durchkontaktierungslochs ist.
In dem Fall, in dem die Punktmuster klein sind, können die Punktmuster in Zwischenräumen zwischen der Verdrahtungselektrode und dem Durchkontaktierungsloch gebildet sein. Daher besteht kein Bedarf nach einem spezifischen Entwurf, um Punktmuster zu bilden.
Ferner können in dem Fall, in dem das Durchkontaktierungsloch in den Keramikschichten angeordnet ist, die Punktmuster mit dem Durchkontaktierungsloch verbunden sein.
Zusätzlich kann eine Seitenoberflächenelektrode an einer Seitenoberfläche der laminierten Keramikschichten angeordnet sein und können die Punktmuster mit der Seitenoberflächenelektrode verbunden sein.
In dem Fall, in dem die Punktmuster für eine Wärmeleitung verwendet werden, kann die Wärme im Inneren der Platine durch das Durchkontaktierungsloch und die Seitenoberflächenelektrode durch ein Verbinden der Punktmuster mit dem Durchkontaktierungsloch und der Seitenoberflächenelektrode dissipiert werden.
Zudem kann eine Masseelektrode, die für eine Erdung verwendet wird, angeordnet sein und können die Punktmuster mit der Masseelektrode verbunden sein.
Die Punktmuster können durch ein Verbinden der Punktmuster mit der Masseelektrode für eine elektromagnetische Abschirmung verwendet werden. Folglich kann eine elektromagnetische Kopplung zwischen benachbarten Elementen und Verdrahtungselektroden verhindert werden.
Zusätzlich ist es bevorzugt, dass die zweidimensionale Form des Punktmusters spezifiziert ist, um im Wesentlichen kreisförmig zu sein.
Die Belastung aufgrund der Differenz bei einer Wärmeschrumpfung konzentriert sich auf einen Eckabschnitt von Materialien mit einer unterschiedlichen Wärmeschrumpfung. Daher kann die Belastung, die an die Platine angelegt ist, durch ein Spezifizieren der zweidimensionalen Form des Punktmusters, um eine runde Form zu sein, z. B. ein Kreis oder eine Ellipse, kleiner gemacht werden.
Zudem ist es bevorzugt, dass der Wert einer Wärmeschrumpfung des Punktmusters zwischen der Wärmeschrumpfung der Keramikschicht und der Wärmeschrumpfung der Verdrahtungselektrode liegt.
In dem Fall, in dem der Wert der Wärmeschrumpfung des Punktmusters spezifiziert ist, um zwischen der Wärmeschrumpfung der Keramikschicht und der Wärmeschrumpfung der Verdrahtungselektrode zu liegen, kann die Belastung aufgrund der Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen der Verdrahtungselektrode und der Keramikschicht reduziert werden und kann ein Auftreten einer Rissbildung oder dergleichen während eines Brennens unterdrückt werden.
Ferner können die Punktmuster durch ein Siebdruckverfahren gebildet sein.
Alternativ können die Punktmuster durch ein Tintenstrahldruckverfahren gebildet sein.
Alternativ können die Punktmuster durch ein elektrophotographisches Druckverfahren gebildet sein.
Die Punktmuster können durch verschiedene Verfahren gebildet sein. Die Punktmuster können durch das gleiche Verfahren wie dieses für die Verdrahtungselektrode gebildet sein oder können durch ein Verfahren gebildet sein, das sich von diesem für die Verdrahtungselektrode unterscheidet.
Vorteile
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann bei einer Herstellung der Mehrschichtverbindungsplatine durch ein Brennen eines Keramikgrünschichtlaminats die Belastung aufgrund der Differenz bei einer Wärmeschrumpfung zwischen der Verdrahtungselektrode und der Keramikschicht durch die Punktmuster gemildert werden und kann ein Auftreten einer Rissbildung an der Keramikschicht oder ein Auftreten eines Verziehens der Platine verhindert werden. Ferner können die Punktmus ter auch für eine Wärmedissipation und elektromagnetische Abschirmung verwendet werden. Da zusätzlich die Punktmuster klein hergestellt werden können, können die Punktmuster in Zwischenräumen zwischen der Verdrahtungselektrode und dem Durchkontaktierungsloch gebildet sein. Deshalb sind Bildungspositionen der Verdrahtungselektrode und des Durchkontaktierungslochs nicht eingeschränkt und kann die Flexibilität eines Entwurfs der Mehrschichtverbindungsplatine sichergestellt werden. Zusätzlich gibt es keinen Bedarf danach, konkave Abschnitte in der Keramikgrünschicht zu bilden, um die Punktmuster zu bilden, und daher lässt sich die Mehrschichtverbindungsplatine ohne weiteres herstellen.
Die oben beschriebenen Aufgaben, andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung bester Modi zum Ausführen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen verdeutlicht.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel einer Keramikschicht der Mehrschichtverbindungsplatine zeigt, die in 1 gezeigt ist.
3 ist eine Draufsicht, die ein anderes Beispiel einer Keramikschicht der Mehrschichtverbindungsplatine zeigt, die in 1 gezeigt ist.
4 ist ein Darstellungsdiagramm, das ein Primärpartikel zeigt, das in einer Tinte enthalten ist, die zum Tintenstrahldrucken verwendet wird, oder in einem Toner enthalten ist, der für ein elektrophotographisches Drucken verwendet wird.
5 ist ein Darstellungsdiagramm, das ein Sekundärpartikel zeigt, das in einer Tinte enthalten ist, die für ein Tintenstrahldrucken verwendet wird, oder in einem Toner enthalten ist, der für ein elektrophotographisches Drucken verwendet wird.
6 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
7 ist eine Draufsicht, die eine Keramikschicht der Mehrschichtverbindungsplatine zeigt, die in 6 gezeigt ist.
8 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
9 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
10 ist ein Darstellungsdiagramm, das ein Beispiel einer Anordnung von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
11 ist ein Darstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Anordnung von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
12 ist ein Draufsichtdarstellungsdiagramm, das ein Beispiel einer Form von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
13 ist ein Draufsichtdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Form von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
14 ist ein Draufsichtdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Form von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
15 ist ein Draufsichtdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Form von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
16 ist ein Draufsichtdarstellungsdiagramm, das ein anderes Beispiel einer Form von Punktmustern zeigt, die an einer Keramikschicht angeordnet sind.
17 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine im Stand der Technik zeigt.

10: Mehrschichtverbindungsplatine
12: Keramikschicht
14: Verdrahtungselektrode
16: Punktmuster
18: Durchkontaktierungsloch
20: Seitenoberflächenelektrode
22: elektronische Komponente
24: gedruckte Schaltungsplatine
26: Lötmittel
28: Wärmedurchkontaktierung

Beste Modi zum Ausführen der Erfindung
1 ist ein Schnittdarstellungsdiagramm, das ein Beispiel einer Mehrschichtverbindungsplatine gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 und 3 sind Draufsichten, die eine Keramikschicht der Mehrschichtverbindungsplatine zeigen, die in 1 gezeigt ist. Eine Mehrschichtverbindungsplatine 10 umfasst eine Mehrzahl von Keramikschichten 12. Verdrahtungselektroden 14 sind an Hauptoberflächen der Keramikschichten 12 angeordnet. Wie es in 2 gezeigt ist, sind eine Mehrzahl von Punktmustern 16 (Punktstrukturen) um die Verdrahtungselektrode 14 herum angeordnet. Die Punktmuster 16 sind in der Form feiner Punkte aus beispielsweise dem gleichen Material wie diesem für die Verdrahtungselektrode 14 gebildet.
Es ist bevorzugt, dass die Punktmuster 16 auf eine derartige Weise gebildet sind, dass die Dichte derselben in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 hoch ist und die Dichte derselben mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 reduziert ist, wie es in 3 gezeigt ist. Um die Dichteverteilung der Punktmuster 16 zu variieren, wie es beispielsweise in 1 gezeigt ist, kann die Anzahl der Punktmuster 16 in eine Dickenrichtung der Keramikschicht 12 variiert werden. Das heißt, eine Mehrzahl von Punktmustern 16 sind in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 gestapelt, die Stapelanzahl von Punktmustern 16 ist mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 reduziert und dadurch kann die Dichteverteilung der Punktmuster 16 variiert werden.
Alternativ, wie es in 3 gezeigt ist, kann die Dichteverteilung der Punktmuster 16 durch ein Variieren der Anzahl von Punktmustern 16 in der Ebene der Keramikschicht 12 variiert werden. Das heißt, in der Ebene der Keramikschicht 12 ist das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 spezifiziert, um groß zu sein, und ist das Verhält nis eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 verringert. Folglich kann die Dichteverteilung der Punktmuster 16 variiert werden.
Ferner kann die Dichteverteilung der Punktmuster 16 durch ein Variieren der Größen der Punktmuster 16 variiert werden, während das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 konstantgehalten wird. Das heißt, die Dichteverteilung der Punktmuster 16 kann durch ein Spezifizieren der Größen der Punktmuster 16 in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14, um groß zu sein, und ein Spezifizieren der Größen der Punktmuster 16, um mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 kleiner zu sein, variiert werden.
In dieser Hinsicht kann die Variation bei dem Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 und die Variation bei den Größen der Punktmuster 16 kombiniert werden. Jedoch kann die Dichteverteilung der Punktmuster 16 durch zumindest eines derselben variiert werden. Das heißt, die Dichteverteilung kann durch ein Variieren des Verhältnisses eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 auf positionsmäßige Weise variiert werden, während die Größen aller Punktmuster 16 spezifiziert sind, um gleich zu sein. Alternativ kann die Dichteverteilung durch ein bloßes Variieren der Größen von Punktmustern 16 variiert werden, während das Verhältnis eines Vorhandenseins der Punktmuster 16 nicht positionsmäßig variiert wird.
Die Mehrschichtverbindungsplatine 10 ist durch ein Bilden der Verdrahtungselektroden 14 und der Punktmuster 16 aus einem elektrisch leitfähigen Material oder dergleichen an Keramikgrünschichten, ein Laminieren der sich ergebenden Keramikgrünschichten und ein Durchführen eines Brennens gebildet. Die Bildung der Strukturen an den Keramikgrünschichten wird durch eine Aufbringung eines elektrisch leitfähigen Materials beispielsweise durch ein Siebdruck verfahren, ein Tintenstrahldruckverfahren oder ein elektrophotographisches Druckverfahren durchgeführt. Zu dieser Zeit können die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 durch das gleiche Verfahren gebildet werden oder durch unterschiedliche Verfahren gebildet werden. In dem Fall, in dem unterschiedliche Verfahren bei der Bildung eingesetzt werden, wird beispielsweise ein Verfahren erdacht, bei dem die Verdrahtungselektrode 14 durch das Siebdruckverfahren gebildet wird und die Punktmuster 16 durch das Tintenstrahldruckverfahren an der Keramikgrünschicht gebildet werden. In dieser Hinsicht können in dem Fall, in dem der Grad an Dispersion von Tinte, die bei dem Tintenstrahldrucken verwendet wird, hoch ist, und in dem Fall, in dem die Fluidität von Toner, der bei dem elektrophotographischen Drucken verwendet wird, hoch ist, die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 durch die Verwendung von Primärpartikeln gebildet werden, die Einzelpartikel sind, wie es in 4 gezeigt ist. Wenn der Partikeldurchmesser eines Primärpartikels kleiner wird, können folglich eine feinere Verdrahtungselektrode 14 und feinere Punktmuster 16 gebildet werden. Ferner werden in dem Fall, in dem der Grad einer Dispersion von Tinte gering ist, und in dem Fall, in dem die Fluidität von Toner gering ist, Sekundärpartikel, wie es in 5 gezeigt ist, die Aggregate der Primärpartikel sind, gebildet und wird ein Drucken durch die Verwendung von Primärpartikeln und Sekundärpartikeln durchgeführt.
Die Mehrschichtverbindungsplatine 10 wird durch ein Laminieren von Keramikgrünschichten, die mit diesen Mustern versehen sind, und ein Durchführen eines Brennens hergestellt. Zu dieser Zeit sind die Wärmeschrumpfung der Verdrahtungselektrode 14 und der Punktmuster 16 und die Wärmeschrumpfung der Keramikschicht 12 unterschiedlich und tritt eine Belastung daraus auf. Da jedoch feine Punktmuster 16 an der Keramikschicht 12 verstreut sind, ist die Belastung, die zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und der Keramikschicht 12 angelegt ist, dezentralisiert. Das heißt, in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 ist die Dichte der Punktmuster 16 hoch und gelangt daher der Wert der Wärmeschrumpfung nahe an diesen der Verdrahtungselektrode 14. Da ferner die Dichte der Punktmuster 16 mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 geringer wird, gelangt der Wert einer Wärmeschrumpfung näher an diesen der Keramikschicht 12. Wenn folglich das Keramikgrünschichtlaminat gebrannt wird, ist die Belastung, die zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und der Keramikschicht 12 angelegt ist, durch die Punktmuster 16 dezentralisiert und kann ein Auftreten einer Rissbildung in der Keramikschicht 12 oder ein Auftreten eines Verziehens und einer Verformung der Platine verhindert werden. Zudem kann eine Belastung an jeder Stelle dezentralisiert werden, die als ein Startpunkt eines Auftretens einer Rissbildung dient, und zwar durch ein Bilden der Punktmuster 16 um die Verdrahtungselektrode 14 herum.
Wie es in 6 und 7 gezeigt ist, können zusätzlich in dem Fall, in dem ebenfalls Durchkontaktierungslöcher 18 in den Keramikschichten 12 angeordnet sind, die Punktmuster 16 gebildet sein. Hier beziehen sich die Durchkontaktierungslöcher 18 auf Durchgangslöcher, die in den Keramikschichten 12 gebildet sind und zum Zweck eines Verbindens zwischen Verdrahtungselektroden 14, die an unterschiedlichen Keramikschichten 12 angeordnet sind, oder Herstellens einer Verbindung zwischen einer elektronischen Komponente, die an der Mehrschichtverbindungsplatine 10 befestigt ist, und einer Verdrahtungselektrode 14 mit einem elektrisch leitfähigen Material im Inneren gefüllt sind. Um das Durchkontaktierungsloch 18 zu bilden, wird beispielsweise ein Durchgangsloch in einer Keramikgrünschicht gebildet und wird eine elektrisch leitfähige Paste oder dergleichen in das Durchgangsloch gefüllt. Dann werden die Keramikgrünschichten laminiert und gebrannt, so dass die Durchkontaktierungslöcher 18 in den Keramikschichten 12 gebildet sind. In dieser Hinsicht sind bei der Mehrschichtverbindungsplatine 10, die in 6 und 7 gezeigt ist, die Verdrah tungselektroden 14, die in den internen Keramikschichten 12 gebildet sind, zu Seitenoberflächen der Platine geführt und sind mit Seitenoberflächenelektroden 12 verbunden, die an den Seitenoberflächen der Platine gebildet sind. Unter einer Mehrzahl von Seitenoberflächenelektroden 20 wird eine oder werden einige Seitenoberflächenelektroden 20 beispielsweise als Masseelektroden verwendet. Ferner ist eine weitere elektronische Komponente 22 an einer oberen Oberfläche der Mehrschichtverbindungsplatine 10 befestigt und ist mit den Verdrahtungselektroden 14, die an den internen Keramikschichten 12 gebildet sind, durch die Durchkontaktierungslöcher 18 verbunden.
Bei der Mehrschichtverbindungsplatine 10, die mit den Durchkontaktierungslöchern 18 versehen ist, sind die Punktmuster 16 mit einer Größe gebildet, die kleiner als die zweidimensionale Form des Durchkontaktierungslochs 18 ist. Folglich können die Punktmuster 16 in Zwischenräumen zwischen den Verdrahtungselektroden 14 und den Durchkontaktierungslöchern 18 gebildet sein. Deshalb können Positionen der Verdrahtungselektroden 14 und der Durchkontaktierungslöcher 18 frei entworfen werden, ohne die Bildungspositionen der Punktmuster 16 zu berücksichtigen.
Ferner sind die Punktmuster 16 an der Hauptoberfläche der Keramikschicht 12 gebildet und kann dadurch die Wärme entlang der Hauptoberfläche der Keramikschicht 12 durch die Punktmuster 16 übertragen werden. Daher kann die Wärme im Inneren der Mehrschichtverbindungsplatine 10 entlang der Hauptoberfläche jeder Keramikschicht 12 nach außen übertragen werden. Da die Wärme im Inneren der Mehrschichtverbindungsplatine 10 durch eine selektive Route nach außen übertragen und dissipiert werden kann, wie es oben beschrieben ist, wird selbst in dem Fall, in dem Elemente in dem Inneren der Mehrschichtverbindungsplatine 10 angeordnet sind, eine Übertragung von Wärme auf diese Elemente verhindert. Selbst wenn Wärme von einem Element erzeugt wird, das im Inneren der Mehrschichtverbindungsplatine 10 angeordnet ist, wird zudem verhindert, dass ein Einfluss der Wärme auf die Elemente ausgeübt wird, die an den anderen Keramikschichten 12 angeordnet sind, da die Wärme entlang der Hauptoberfläche der Keramikschicht 12 übertragen und dissipiert werden kann.
Zusätzlich können sich die Punktmuster 16 in einer Weise ähnlich dieser der Punktmuster 16 zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht der Mehrschichtverbindungsplatine 10, die in 6 gezeigt ist, in Kontakt mit dem Durchkontaktierungsloch 18 befinden. Hinsichtlich einer derartigen Mehrschichtverbindungsplatine 10 kann beispielsweise, wenn die Wärme, die von der elektronischen Komponente 22 erzeugt wird, sich durch das Durchkontaktierungsloch 18 überträgt, die Wärme durch die Punktmuster 16 entlang der Hauptoberfläche der Keramikschicht 12 nach außen dissipiert werden.
Wie es in 6 gezeigt ist, können sich ferner die Punktmuster 16 in Kontakt mit der Verdrahtungselektrode 14 befinden, die mit der Seitenoberflächenelektrode 20 verbunden ist, die als eine Masseelektrode verwendet wird. In dem Fall, in dem die Punktmuster 16 sich in Kontakt mit der Masseelektrode befinden, kann eine elektromagnetische Abschirmungswirkung an beiden Seiten der Punktmuster 16 erhalten werden. Daher kann eine elektromagnetische Kopplung zwischen Elementen, die an unterschiedlichen Keramikschichten 12 angeordnet sind, zwischen Elementen, die an beiden Seiten der Punktmuster 16 an der gleichen Keramikschicht 12 angeordnet sind, oder zwischen Verdrahtungselektroden, die an beiden Seiten der Punktmuster 16 angeordnet sind, verhindert werden.
Wie es in 8 gezeigt ist, können zudem in dem Fall, in dem die Mehrschichtverbindungsplatine 10 mit einer gedruckten Schaltungsplatine 24 mit einem Lötmittel 26 verbunden ist und verwendet wird, Wärmedurchkontaktierungen 28 als Durchkontaktierungslöcher gebildet sein, die zum Dissipie ren der erzeugten Wärme von der elektronischen Komponente 22 zu der gedruckten Schaltungsplatine 24 verwendet werden. In diesem Fall kann die Wärme in der Mehrschichtverbindungsplatine 10 durch die Wärmedurchkontaktierungen 28 durch Inkontaktbringen der Punktmuster 16 mit den Wärmedurchkontaktierungen 28 zu der gedruckten Schaltungsplatine 24 dissipiert werden. Daher kann eine Wärmedissipationswirkung durch Inkontaktbringen der Punktmuster 16 mit den Wärmedurchkontaktierungen 28 verbessert werden.
Wie es in 8 gezeigt ist, können zusätzlich die Punktmuster 16 an der Seitenoberfläche der Mehrschichtverbindungsplatine 10 freiliegend sein. Wenn beispielsweise bei der Herstellung der Mehrschichtverbindungsplatine 10 eine große Hauptplatine (Motherboard), die Verdrahtungselektroden 14 und die Durchkontaktierungslöcher 18 umfasst, hergestellt wird und die sich ergebende Hauptplatine in einzelne Mehrschichtverbindungsplatinen 10 geschnitten wird, sind die Punktmuster 16 an der Seitenoberfläche der Mehrschichtverbindungsplatine 10 freiliegend. In dem Fall, in dem die Punktmuster 16 an der Seitenoberfläche der Mehrschichtverbindungsplatine 10 freiliegend sind, wie es oben beschrieben ist, wird die Wärme im Inneren der Platine durch die Punktmuster 16 übertragen und wird von den freiliegenden Punktmustern 16 dissipiert. Deshalb kann eine Wärmedissipationswirkung durch ein Freilegen der Punktmuster 16 an den Seitenoberflächen der Mehrschichtverbindungsplatine 10 verbessert werden.
Wie es in 9 gezeigt ist, können sich ferner hinsichtlich der Konfiguration, bei der die Seitenoberflächenelektroden 20 an den Seitenoberflächen der Mehrschichtverbindungsplatine 10 freiliegend sind und die Seitenoberflächenelektroden 20 mit der gedruckten Schaltungsplatine 24 mit einem Lötmittel 26 verbunden sind, die Punktmuster 16 in Kontakt mit den Seitenoberflächenelektroden 20 befinden. In dem Fall, in dem die Punktmuster 16 sich in Kontakt mit den Seitenoberflächenelektroden 20 befinden, kann die Wärme im Inneren der Platine an die Seitenoberflächenelektroden 20 durch die Punktmuster 16 übertragen werden und kann die Wärme von den Seitenoberflächenelektroden 20 nach außen dissipiert werden. Deshalb kann eine Wärmedissipationswirkung durch Inkontaktbringen der Punktmuster 16 mit den Seitenoberflächenelektroden verbessert werden.
Bei diesen Mehrschichtverbindungsplatinen 10 sind die Punktmuster 16 um die Verdrahtungselektroden 14 herum an jeder Keramikschicht 12 angeordnet. Wie es in 10 gezeigt ist, wird ein Entwurf auf eine derartige Weise durchgeführt, dass die Dichten von Punktmustern 16 in den Außenabschnitten und Innenabschnitten von Eckabschnitten der gebogenen Verdrahtungselektrode 14 hoch werden. Die Belastung aufgrund der Schrumpfung während des Brennens konzentriert sich einfach auf die Nachbarschaft der Eckabschnitte der gebogenen Verdrahtungselektrode 14. Deshalb kann ein Auftreten einer Rissbildung an Stellen, an denen die Belastung konzentriert ist, ohne weiteres durch ein Erhöhen der Dichte der Punktmuster 16 in diesen Abschnitten unterdrückt werden.
Zusätzlich, wie es in 11 gezeigt ist, wird in dem Fall, in dem zwei Verdrahtungselektroden 14 benachbart angeordnet sind, ein Entwurf auf eine derartige Weise durchgeführt, dass die Dichte von Punktmustern 16 zwischen diesen Verdrahtungselektroden 14 hoch wird. In dem Fall, in dem zwei Verdrahtungselektroden 14 angrenzen, ist die Belastung einfach zwischen diesen Verdrahtungselektroden 14 konzentriert. Folglich kann ein Auftreten einer Rissbildung an Stellen, an denen die Belastung ohne weiteres konzentriert ist, durch Erhöhen der Dichte der Punktmuster 16 zwischen den benachbarten Verdrahtungselektroden 14 unterdrückt werden.
Nebenbei bemerkt ist es bevorzugt, dass die Form des Punktmusters 16 spezifiziert ist, um ein Kreis, wie es in 12 gezeigt ist, oder eine Ellipse zu sein, wie es in 13 gezeigt ist. In dem Fall, in dem das Punktmuster 16 auch einen Eckabschnitt aufweist, ist die Belastung in der Nachbarschaft desselben konzentriert. Daher kann die Konzentration von Belastung durch ein Spezifizieren der zweidimensionalen Form, um im Wesentlichen ein Kreis zu sein, z. B. ein Kreis oder eine Ellipse, verhindert werden. Diese Mehrschichtverbindungsplatine 10 soll jedoch die Belastung, die an die Keramikschicht 12 angelegt ist, durch ein Verstreuen feiner Punktmuster 16 um die große Verdrahtungselektrode 14 oder das Durchkontaktierungsloch 18 herum mildern. Daher können sogar viereckige Punktmuster 16, wie es in 14 gezeigt ist, oder dreieckige Punktmuster 16, wie es in 15 gezeigt ist, ein Auftreten einer Rissbildung in der Keramikschicht 12 durch ein Bilden feiner Punktmuster 16 unterdrücken.
Ferner ist es bevorzugt, dass kein Punktmuster 16 unmittelbar neben einem Abschnitt der Verdrahtungselektrode 14 angeordnet ist und ein gewisser Zwischenraum zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und den Punktmustern 16 gebildet ist, wie es in 16 gezeigt ist. In dem Fall, in dem ein derartiger Zwischenraum angeordnet ist, selbst wenn es Abweichungen bei einer Leitungsbreite bei einer Bildung der Verdrahtungselektrode 14 gibt, kann ein Kontakt zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und den Punktmustern 16 verhindert werden. Das Material für die Punktmuster 16 ist nicht zwangsläufig das gleiche Material wie dieses für die Verdrahtungselektrode 14 und kann aus einem unterschiedlichen Material gebildet sein. Falls beispielsweise magnetische Materialien, z. B. Ferrit und Magnetit, als das Material für die Punktmuster 16 verwendet werden, kann ein elektronischer Abschirmungseffekt erhalten werden. Um die Belastung zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und der Keramikschicht 12 durch die Punktmuster 16 zu mildern, ist es hier bevorzugt, dass der Wert einer Wärmeschrumpfung des Punktmusters 16 zwischen der Wärmeschrumpfung der Verdrahtungselektrode 14 und der Wärmeschrumpfung der Keramikschicht 12 liegt.
Um eine derartige Mehrschichtverbindungsplatine 10 herzustellen, wird beispielsweise ein Siebdruckverfahren verwendet. Zu diesem Zweck wird ein Keramikschlamm, der als ein Material für die Keramikschicht 12 dient, vorbereitet. Dieser Keramikschlamm wird verwendet und es wird eine Keramikgrünschicht an einem Trägerfilm durch ein Rakelverfahren gebildet. Nachfolgend wird die Keramikgrünschicht zusammen mit dem Trägerfilm auf eine vorbestimmte Größe zugeschnitten.
Als Nächstes wird Laserlicht (CO₂-Laser) mit kontrollierter Ausgabe von der Trägerfilmseite aus angelegt und werden der Trägerfilm und die Keramikgrünschicht durchdrungen, so dass ein Durchgangsloch in dem Trägerfilm und der Keramikgrünschicht gebildet ist. Dann wird von der Trägerfilmseite aus eine Leiterpaste in das Durchgangsloch eingefüllt und überzählige Leiterpaste wird abgeschabt.
Eine Verdrahtungselektrode 14 ist an einer Schichtoberfläche der Keramikgrünschicht, die mit der Leiterpaste gefüllt ist, durch das Siebdruckverfahren gebildet. In dieser Hinsicht ist es bevorzugt, dass ein elektrisch leitfähiges Material, das in der Leiterpaste enthalten ist, spezifiziert ist, um zumindest eine Art von Metall zu sein, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Cu, Ni, Ag, Pd, Rh, Ru, Au, Pt und Ir besteht. Diese Metalle können ferner allein verwendet werden oder als Legierungen verwendet werden. Zudem können Oxide dieser Metalle verwendet werden.
Die Punktmuster 16 sind an der Oberfläche, die mit der Verdrahtungselektrode 14 versehen ist, der Keramikgrünschicht durch Siebdrucken gebildet. Die Dichte der Punktmuster 16 kann nach Wunsch durch ein CAD-Muster variiert werden. Hier ist die Dichte der Punktmuster 16 auf einen Anteil einer gesamten projizierten Fläche der Punktmuster 16 relativ zu einer optionalen Fläche eines Abschnitts der Keramikgrünschicht bezogen, in dem keine Verdrahtungselekt rode 14 enthalten ist. Die Form des Punktmusters 16 kann irgendeine Form sein, z. B. ein Kreis, eine Ellipse, ein Viereck oder ein Dreieck, wie es oben beschrieben ist. Hinsichtlich des Materials für die Punktmuster 16 kann zusätzlich das gleiche Material wie dieses für die Verdrahtungselektrode 14 verwendet werden oder kann ein unterschiedliches Material verwendet werden, wie es oben beschrieben ist. In dem Fall, in dem die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 aus dem gleichen Material gebildet sind, können die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 in dem gleichen Schritt gebildet werden und kann daher eine Arbeitskostenverringerungswirkung erhalten werden.
Hinsichtlich nötiger Schichten wird die Bildung von Durchgangslöchern, das Füllen der Leiterpaste, die Bildung der Verdrahtungselektroden 14 und die Bildung der Punktmuster 16 durchgeführt und werden alle Schichten laminiert und kontaktgebondet. Schließlich werden Bruchrillen zum Teilen des sich ergebenden Laminats in Teilplatinen gebildet, die als Mehrschichtverbindungsplatinen 10 dienen. Ferner wird das Laminat gebrannt und wird eine Plattierung auf Abschnitte angewandt, die als externe Elektroden dienen. Danach werden ICs, Oberflächenbefestigungskomponenten und dergleichen an der sich ergebenden Hauptplatine befestigt und wird das Teilen in Teilplatinen an den Bruchrillenabschnitten durchgeführt, so dass eine Mehrzahl von Mehrschichtverbindungsplatinen 10 hergestellt ist.
Hinsichtlich der sich ergebenden Mehrschichtverbindungsplatinen 10 kann ein Auftreten einer Rissbildung in der Keramikschicht, ein Auftreten eines Verziehens der Platine und dergleichen während des Brennens verhindert werden. Zudem kann auch die Wärmedissipationswirkung und eine elektromagnetische Abschirmungswirkung durch Bilden der Punktmuster 16 erhalten werden. Da hier die Punktmuster 16 an der gleichen Schicht wie dieser der Verdrahtungselektrode 14 gebildet sind, d. h. zwischen den laminierten Keramik schichten 12, ist kein Metallpartikel im Inneren der Keramikschicht 12 enthalten und können Veränderungen bei Charakteristika, z. B. einer Dielektrizitätskonstante, einer Wärmeleitfähigkeit, einer elektrischen Leitfähigkeit und einer Platinenfestigkeit der Platine selbst minimiert werden.
Ferner genügt es, dass die Punktmuster 16 in Randräumen zwischen den Verdrahtungselektroden 14 und den Durchkontaktierungslöchern 18 gebildet sind, und es ist nicht notwendig, eine große Fläche einzunehmen. Folglich besteht kein Hindernis für eine Erhöhung der Dichte der Verdrahtungselektrode 14 oder dergleichen und die Flexibilität eines Entwurfs kann sichergestellt werden. Zusätzlich ist die Dichteverteilung der Punktmuster 16 frei entworfen. Ferner sind die Punktmuster 16 nicht zwangsläufig dicker als die Verdrahtungselektrode 14 und daher erhöht sich die Dicke der Mehrschichtverbindungsplatine 10 nicht. In dem Fall, in dem das Siebdruckverfahren verwendet wird, können zudem die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 durch Verwenden des gleichen Materials in dem gleichen Schritt hergestellt werden. Daher können Materialkosten- und Arbeitskostenerhöhungen unterdrückt werden.
Nebenbei erwähnt ist es eine allgemein anerkannte Tatsache, dass ein Metall, das eine Verdrahtungselektrode bildet, während eines Brennens in eine Keramik diffundieren kann. In diesem Fall wird, selbst wenn das Punktmuster nicht angeordnet ist, eine Differenz bei einem Schrumpfungsverhalten zwischen der Verdrahtungselektrode und der Keramik um die Verdrahtungselektrode herum gering, und es wird angenommen, dass es eine Möglichkeit eines Unterdrückens einer Rissbildung gibt. Es gibt jedoch einen Fall, bei dem abhängig von der Kombination des Verdrahtungselektrodenmaterials und der Keramik ein Verdrahtungselektrodenmaterial nicht in die Keramik diffundiert. Zusätzlich ist ein Brennprofil zu einem gewissen Ausmaß eingeschränkt, um das Verdrahtungselektrodenmaterial in die Keramik zu diffundie ren. In dem Fall jedoch, in dem die Punktmuster 16 angeordnet sind, kann eine Wirkung eines Unterdrückens einer Rissbildung erhalten werden, ohne durch die Kombination der Materialien und das Brennprofil eingeschränkt zu sein. Daher kann die Kombination der Materialien und dergleichen frei entworfen werden.
Alternativ können die Punktmuster 16 durch das Tintenstrahldruckverfahren gebildet sein. Zu diesem Zweck werden auf eine Weise, die der oben beschriebenen ähnlich ist, Keramikgrünschichten vorbereitet, die durch Siebdrucken mit den Verdrahtungselektroden 14 versehen sind. Daneben wird Tinte vorbereitet, die für das Tintenstrahldrucken verwendet wird. Was eine derartige Tinte anbelangt, werden beispielsweise nach Gewicht 3 Teile von Cu-Partikeln mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 100 nm zu nach Gewicht 100 Teilen von IPA (Isopropylalkohol) hinzugefügt und es wird ein Dispersionsmittel zu denselben hinzugefügt, so dass eine Tinte zum Erzeugen von Punktmustern hergestellt ist.
Die Substanz für die Punktmuster, die in der Tinte enthalten ist, kann das gleiche Material wie dieses für die Verdrahtungselektrode 14 sein oder kann eine unterschiedliche Materialart sein. In dem Fall, in dem das Material für die Verdrahtungselektrode 14 und das Material für die Punktmuster das gleiche Material sind, wird eine Übergangsmetallgruppe, z. B. Cu, Ni, Co, Ag, Pd, Rh, Ru, Au, Pt oder Ir, als die Substanz für die Punktmuster verwendet. Bei dem vorliegenden Beispiel wird Cu verwendet. In dem Fall jedoch, in dem Ag verwendet wird, können noch feinere Nanopartikel verwendet werden.
In dieser Hinsicht beträgt der durchschnittliche Partikeldurchmesser der Substanz für die Punktmuster 10 nm bis 1 μm. Falls der durchschnittliche Partikeldurchmesser 1 μm übersteigt, tritt ein Problem dahin gehend auf, dass eine Tintenstrahldüse verstopft wird. Ferner ist es bevorzugt, dass die Konzentration der Substanz für die Punktmuster in der Tinte 70 Gewichtsprozent oder weniger, insbesondere 50 Gewichtsprozent oder weniger, beträgt. Falls die Konzentration der Substanz für die Punktmuster 70 Gewichtsprozent übersteigt, sind Tintencharakteristika, z. B. die Viskosität und die Oberflächenspannung, nicht erfüllt und kann dadurch die Tinte nicht als die Tintenstrahltinte verwendet werden. Zudem ist es bevorzugt, dass die Viskosität der Punktmustertinte innerhalb des Bereichs von 1 bis 100 mPa·s liegt und die Oberflächenspannung innerhalb des Bereichs von 25 bis 80 mN/m liegt. Außerhalb dieser Bereiche sind die Tintencharakteristika für die Tintenstrahltinte nicht erfüllt.
Was das Lösungsmittel anbelangt, können zusätzlich, neben IPA, langkettige Alkane, z. B. Hexan, Heptan, Oktan, Decan, Undecan, Dodecan, Tridecan und Trimethylpentan; Cycloalkane, z. B. Cyclohexan, Cycloheptan und Cyclooktan; aromatische Kohlenwasserstoffe, z. B. Benzen, Toluen, Xylen, Trimethylbenzen und Dodecylbenzen; und Alkohole, z. B. Hexanol, Heptanol, Oktanol, Decanol, Cyclohexanol und Terpineol, verwendet werden. Diese Lösungsmittel können allein verwendet werden oder in der Form eines gemischten Lösungsmittels verwendet werden.
Die sich ergebende Punktmustertinte wird verwendet und es werden feine Punktmuster 16 durch Tintenstrahldrucken an der Keramikgrünschichtoberfläche, an der die Verdrahtungselektrode 14 durch Siebdrucken gebildet ist, auf eine derartige Weise gebildet, um die ganze Verdrahtungselektrode 14 zu umgeben. Danach werden eine Laminierung der Keramikgrünschichten, ein Brennen, ein Befestigen von elektronischen Komponenten, ein Teilen der Hauptplatine und dergleichen durchgeführt. Dieselben werden auf eine Weise durchgeführt, die diesen bei dem Verfahren durch Siebdrucken ähnlich ist.
Hier gibt es ein Verfahren, bei dem der Gehalt der Substanz für die Punktmuster in der Punktmustertinte eingestellt ist, um die Dichteverteilung von Punktmustern 16 zu variieren. Die Dichte der Punktmuster 16 kann durch ein Erhöhen des Gehalts der Substanz für die Punktmuster erhöht werden. Alternativ kann die Einstellung auch durch die Größe (Ausstoßmenge) von Tintenpartikeln durchgeführt werden, die aus einer Tintenstrahldüse ausgestoßen werden. Die Dichte der Punktmuster 16 kann durch ein Erhöhen der Ausstoßmenge von Tinte erhöht werden. Alternativ kann ein Überdrucken der Punktmuster 16 durchgeführt werden. Die Dichte der Punktmuster 16 kann durch ein Erhöhen der Anzahl eines Überdruckens erhöht werden.
Selbst in dem Fall, in dem die Punktmuster 16 durch das Tintenstrahldruckverfahren gebildet sind, wie es oben beschrieben ist, können Wirkungen, z. B. eine Verhinderung einer Rissbildung, eine Wärmedissipation und eine elektromagnetische Abschirmung, erhalten werden, wie bei der Bildung durch das Siebdruckverfahren. In dieser Hinsicht wird die Verdrahtungselektrode 14 nicht zwangsläufig durch Siebdrucken gebildet und können sowohl die Verdrahtungselektrode 14 als auch die Punktmuster 16 durch Tintenstrahldrucken gebildet werden.
Alternativ können die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 durch ein Verwenden des elektrophotographischen Druckverfahrens gebildet werden. Zu diesem Zweck wird ein aufladbares Pulver zum Bilden der Verdrahtungselektrode 14 und der Punktmuster 16 hergestellt. Um das aufladbare Pulver zu bilden, werden ein Kupferpulver und ein Harz gemischt und wird die Kupferpulveroberfläche durch Verwenden einer Oberflächenbehandlungsmaschine mit dem Harz beschichtet. Die sich ergebende Probe wird klassifiziert und ein feines Pulver und ein grobes Pulver werden entfernt. Das so erhaltene Kapselkupferpulver und ein externer Zusatzstoff werden gemischt und der externe Zusatzstoff wird an die Oberfläche des Kapselkupferpulvers einheitlich durch Verwenden einer Oberflächenbehandlungsmaschine angehaftet. Nachfolgend wird ein Entwickler durch ein Mischen des Kapselkupferpulvers, an dem das Haftmittel angehaftet wurde, und des Trägers erhalten.
Es ist bevorzugt, dass das elektrisch leitfähige Material, das den Toner bildet, zumindest eine Art von Metall ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die eine Übergangsmetallgruppe von Cu, Ni, Ag, Pd, Rh, Ru, Au, Pt, Ir und dergleichen umfasst. In dieser Hinsicht können diese Metalle allein verwendet werden oder als eine Legierung verwendet werden. Ferner können Oxide dieser Metalle verwendet werden.
Es ist bevorzugt, dass der durchschnittliche Partikeldurchmesser des elektrisch leitfähigen Materials, das den Toner bildet, in dem Bereich von 0,05 μm bis 10 μm liegt, und ein bevorzugterer Bereich lautet 0,1 μm bis 5 μm. Falls der durchschnittliche Partikeldurchmesser des elektrisch leitfähigen Materials 10 μm übersteigt, wird der Durchmesser eines Tonerpartikels zu groß und es wird schwierig, eine feine Verdrahtungselektrode 14 zu bilden. Falls der Partikeldurchmesser des elektrisch leitfähigen Materials kleiner als 0,05 μm wird, tritt während des Beschichtens mit dem Harz ohne weiteres eine Aggregation auf und kann deshalb kein Toner gebildet werden, der eine gute Aufladbarkeit zeigt.
Zudem ist es bevorzugt, dass der durchschnittliche Partikeldurchmesser des Toners in dem Bereich von 1 bis 30 μm und bevorzugter in dem Bereich von 5 bis 10 μm liegt. Falls der durchschnittliche Partikeldurchmesser des Toners 30 μm übersteigt, wird es schwierig, eine feine Verdrahtungselektrode 14 zu bilden. Falls der durchschnittliche Partikeldurchmesser kleiner als 1 μm wird, verringert sich die Menge an Ladung pro Tonerpartikel und verschlechtert sich eine Kantenwiedergabefähigkeit der Verdrahtungselektrode 14.
Es ist bevorzugt, dass der Gehalt des elektrisch leitfähigen Materials in dem Bereich von 10 bis 95 Gewichtsprozent und bevorzugter in dem Bereich von 80 bis 95 Gewichtsprozent liegt. Falls der Gehalt des elektrisch leitfähigen Materials 95 Gewichtsprozent übersteigt, ist das Harz in dem Toner verringert und liegt das elektrisch leitfähige Material an der Oberfläche frei und verschlechtert sich die Aufladbarkeit. Falls der Gehalt des elektrisch leitfähigen Materials kleiner als 10 Gewichtsprozent wird, wird der Widerstandswert der Verdrahtungselektrode 14 nach dem Brennen hoch.
Der sich ergebende Toner wird verwendet und die Verdrahtungselektrode 14 wird an der Keramikgrünschicht durch das elektrophotographische Druckverfahren gebildet. Zu diesem Zweck wird ein photoempfindliches Bauglied des elektrophotographischen Druckers einheitlich geladen. Dann wird Licht von einer LED an das geladene photoempfindliche Bauglied angelegt, so dass ein latentes Bild in der Form einer Verdrahtungselektrode erzeugt wird. Ferner wird der Entwickler, der an einer Entwicklungshülse gehalten ist, in Kontakt mit dem photoempfindlichen Bauglied gebracht und wird eine Entwicklungsvorspannung angelegt, so dass der Toner in der Form der Verdrahtungselektrode an dem photoempfindlichen Bauglied zu dem latenten Bild gegeben wird.
Das photoempfindliche Bauglied, das mit dem Toner versehen ist, wird auf eine Keramikgrünschicht gestapelt und der Toner wird auf die Keramikgrünschicht übertragen. Nachfolgend wird die Keramikgrünschicht, auf die der Toner in der Form der Verdrahtungselektrode übertragen wurde, in einen Ofen gegeben, um den Toner zu fixieren, und dadurch wird die Keramikgrünschicht erhalten, die mit der Verdrahtungselektrode 14 versehen ist.
Als Nächstes werden die Punktmuster 16 an der Keramikgrünschicht gebildet. Zu diesem Zweck wird ein photoempfindli ches Bauglied des elektrophotographischen Druckers einheitlich geladen. Dann wird Licht von einer LED an das geladene photoempfindliche Bauglied angelegt, so dass ein latentes Bild in der Form von Punktmustern erzeugt wird. Zu dieser Zeit ist die Dichte der Punktmuster 16 auf eine derartige Weise entworfen, um in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 am höchsten zu werden und sich mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode 14 graduell zu verringern. Ferner wird der Entwickler, der an einer Entwicklungshülse gehalten ist, in Kontakt mit dem photoempfindlichen Bauglied gebracht und es wird eine Entwicklungsvorspannung angelegt, so dass der Toner zu dem latenten Bild der Punktmuster an dem photoempfindlichen Bauglied gegeben wird.
Das photoempfindliche Bauglied, das mit den entwickelten Punktmustern versehen ist, wird auf der Keramikgrünschicht gestapelt, die mit der Verdrahtungselektrode 14 versehen ist, und der Toner wird auf die Keramikgrünschicht mit der Verdrahtungselektrode übertragen. Nachfolgend wird die Keramikgrünschicht, auf die der Toner in der Form der Punktmuster übertragen wurde, mit der Verdrahtungselektrode in einen Ofen gegeben, um den Toner zu fixieren, und dadurch kann die Keramikgrünschicht erhalten werden, die mit der Verdrahtungselektrode 14 und den Punktmustern 16 versehen ist. Zu dieser Zeit sind die Punktmuster 16 voneinander getrennt und isoliert und sind zusätzlich von der Verdrahtungselektrode 14 getrennt und isoliert.
Nebenbei bemerkt werden die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 durch ein Zweikomponentenentwicklungssystem hergestellt. Daneben kann jedoch die Bildung auch durch ein Einkomponententrockenentwicklungssystem, ein Nassentwicklungssystem oder dergleichen durchgeführt werden. Bei dem oben beschriebenen Beispiel ist ferner die Dichte der Punktmuster 16 in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 spezifiziert, um hoch zu sein. In dem Fall jedoch, in dem die Dichte der Punktmuster 16 unmittel bar neben der Verdrahtungselektrode 14 spezifiziert ist, um Null zu betragen, selbst wenn es Variationen bei einer Verdrahtungselektrodenbreite gibt, kann ein Kontakt zwischen der Verdrahtungselektrode 14 und den Punktmustern 16 verhindert werden.
Danach werden eine Laminierung der Keramikgrünschichten, ein Brennen, ein Befestigen elektronischer Komponenten, ein Teilen der Hauptplatine und dergleichen durchgeführt. Dieselben werden auf eine Weise durchgeführt, die ähnlich dieser bei dem Verfahren durch Siebdrucken ist. Selbst in dem Fall, in dem die Punktmuster 16 durch das elektrophotographische Druckverfahren gebildet werden, wie es oben beschrieben ist, können Wirkungen erhalten werden, wie beispielsweise eine Verhinderung einer Rissbildung, eine Wärmedissipation und eine elektromagnetische Abschirmung, wie bei der Bildung durch das Siebdruckverfahren auch. In dieser Hinsicht kann die Verdrahtungselektrode 14 durch Siebdrucken gebildet werden und können die Punktmuster 16 durch elektrophotographisches Drucken gebildet werden.
Bei der Bildung der Punktmuster durch das elektrophotographische Druckverfahren kann beispielsweise die Dichteverteilung der Punktmuster 16 bei dem Entwurf mit CAD eingestellt werden. Ferner kann die Dichte der Punktmuster 16 durch ein Erhöhen der Entwicklungsvorspannung erhöht werden, wenn der Toner zu dem latenten Bild an dem photoempfindlichen Bauglied gegeben wird. Dies ist so, weil die Kraft eines elektrischen Feldes, das den Toner zu dem photoempfindlichen Bauglied bewegt, größer wird. Zudem kann die Dichte der Punktmuster 16 durch ein Erhöhen der Tonerkonzentration erhöht werden. Dies ist so, weil die Menge an Toner, die dem photoempfindlichen Bauglied zugeführt wird, sich erhöht. Zusätzlich kann die Dichte der Punktmuster 16 durch ein Erhöhen des Umfangsgeschwindigkeitsverhältnisses der Entwicklungshülse zu dem photoempfindlichen Bauglied erhöht werden. Dies ist so, weil die Umfangsgeschwindigkeit der Entwicklungshülse verglichen mit der Umfangsgeschwin digkeit des photoempfindlichen Bauglieds größer gemacht wird und sich dadurch die Menge an Toner erhöht, die dem photoempfindlichen Bauglied zugeführt wird. Ferner kann die Dichte der Punktmuster 16 durch Erhöhen des Gehalts des Punktmustermaterials in dem Toner erhöht werden. Bei den oben beschriebenen Beispielen kann die Dichte der Punktmuster 16 durch ein Erhöhen des Anteils des elektrisch leitfähigen Materials erhöht werden, das den Toner bildet.
Die obige Beschreibung zeigt Verfahren zum Bilden der Verdrahtungselektrode 14 und der Punktmuster 16 durch Siebdrucken, Tintenstrahldrucken und elektrophotographisches Drucken. Die Verdrahtungselektrode 14 und die Punktmuster 16 können jedoch durch Verwenden der anderen Verfahren, beispielsweise Musterbildungsverfahren durch Wärmeübertragungsdrucken, Gravurdrucken, Direktzeichnungsdrucken und dergleichen in der verwandten Technik gebildet werden.
BEISPIEL 1
Eine Mehrschichtverbindungsplatine mit einer Konfiguration, die zum Zeigen einer Differenz bei einem Schrumpfungsverhalten zwischen der Keramik und dem Verdrahtungselektrodenmaterial auf einfache und deutlich sichtbare Weise und Erfassen eines Defekts auf einfache Weise geeignet ist, wurde als eine Probe zum Überprüfen einer Rissbildung hergestellt. Genau gesagt wurde eine Probe hergestellt, bei der 30 Schichten dünner Keramikgrünschichten mit einer Dicke von 10 μm kontinuierlich laminiert wurden. Eine Verdrahtungselektrode mit einer Dicke größer der üblichen Dicke wurde an jeder Keramikgrünschicht gebildet. Das so erzeugte Laminat wurde gebrannt und eine Rissbildung wurde durch eine Beobachtung eines Querschnitts geprüft. Ferner wurde eine Überprüfung der Wärmedissipationsleistung durch ein Verwenden der Probe zum Überprüfen einer Rissbildung durchgeführt. Genau gesagt wurde 0,3 A Strom durch die Verdrahtungselektrode geleitet und wurde ein Temperaturanstieg einer oberen Probenoberfläche gemessen.
Zudem wurde ein Koppler, der einander gegenüberliegende Verdrahtungselektroden an der Keramikschicht aufwies und der einer Seitenkantenkopplung unterzogen wurde, als eine Probe zum Überprüfen einer elektromagnetischen Kopplung hergestellt. Die Breite der gegenüberliegenden Verdrahtungselektroden war auf 100 μm spezifiziert und der Zwischenraum zwischen den Verdrahtungselektroden war auf 30 μm spezifiziert, damit der Grad elektromagnetischer Kopplung verstärkt war. Zusätzlich wurde eine Masseelektrode an der Probe gebildet und wurden die Punktmuster mit der Masseelektrode verbunden. Die Überprüfung einer elektromagnetischen Abschirmungswirkung wurde auf der Grundlage des Grades an elektromagnetischer Kopplung des Kupplers durchgeführt. Ferner wurde ein Isolationswiderstandswert (IR; IR = insulation resistance) durch Verwenden der Probe zum Überprüfen einer elektromagnetischen Kopplung gemessen.
Gemäß der Überprüfung dieser Proben wurden, wenn die Dichteverteilung der Punktmuster variiert wurde, die Wirkung eines Verhinderns einer Rissbildung, die Wirkung eines Dissipierens von Wärme und die Wirkung einer elektromagnetischen Abschirmung zwischen Leitungen verbessert. Diese Wirkungen werden ausgeübt, wenn die Dichte der Punktmuster 3% oder mehr wird. Ferner verringert sich der Isolationswiderstandswert (IR) zwischen den Verdrahtungselektroden, wenn sich die Dichte der Punktmuster erhöht. Falls die Dichte der Punktmuster 60% übersteigt, tritt ein Kurzschluss zwischen den Verdrahtungselektroden auf und geht dadurch eine Funktionalität als elektronische Komponente verloren. Folglich liegt die Dichte der Punktmuster, bei der die Mehrschichtverbindungsplatine als eine elektronische Komponente in günstiger Weise verwendet werden kann, in dem Bereich von 3% bis 60%.
Zudem wurde bemerkt, dass die Rissbildungsverhinderungswirkung in dem Fall, in dem die Form des Punktmusters kreisförmig oder elliptisch war, größer als die Wirkung in dem Fall war, in dem die Form polygonal war, z. B. dreieckig oder viereckig. Der Grund dafür wird darin gesehen, dass in dem Fall, in dem das Punktmuster einen Eckabschnitt aufweist, eine Belastung aufgrund einer Differenz bei einer Schrumpfung zwischen der Keramik und dem Punktmuster sich an dem Eckabschnitt konzentriert. Deshalb ist es bevorzugt, dass die Form des Punktmusters kreisförmig oder elliptisch ist.
Zusätzlich wurde bemerkt, dass, falls sich die Größe des Punktmusters auf 20 μm oder mehr beliefe, die Rissbildungsverhinderungswirkung reduziert wäre. Der Grund dafür wird darin gesehen, dass, falls die Größe des Punktmusters groß wird, der absolute Wert einer Differenz bei einer Schrumpfung zwischen der Keramik und dem Punktmuster groß wird, und dadurch eine Belastung groß wird, die an den Umfang des Punktmusters angelegt ist. Falls sich ferner die Größe des Punktmusters auf 0,05 μm oder weniger beliefe, wäre die Rissbildungsverhinderungswirkung ebenfalls verringert. Der Grund dafür wird darin gesehen, dass das Schrumpfungsverhalten der Keramik übermäßig vorherrschend wird und dadurch die Differenz bei einer Schrumpfung nicht gemildert werden kann. Hinsichtlich der Größe des Punktmusters ist es daher bevorzugt, dass der durchschnittliche Partikeldurchmesser in dem Bereich vom 0,05 bis 20 μm liegt.
In dem Fall, in dem die Punktmuster ganz um die Verdrahtungselektrode herum gebildet wurden, waren zudem die Wirkung eines Verhinderns einer Rissbildung, die Wirkung eines Dissipierens von Wärme und die Wirkung eines elektromagnetischen Abschirmens zwischen Verdrahtungselektroden verbessert. In dem Fall, in dem ein Gradient in der Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise vorgesehen war, dass die Dichte der Punktmuster in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode hoch war und die Dichte der Punktmuster mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode verringert war, war zusätzlich die Rissbildungsverhinderungswirkung verbessert. Der Grund dafür wird darin gesehen, dass eine Differenz bei einem Schrumpfungsverhalten zwischen der Keramik und dem Verdrahtungselektrodenmaterial nicht deutlich sichtbar wird.
Zusammenfassung
Es ist eine Mehrschichtverbindungsplatine vorgesehen, bei der die Entwurfsflexibilität hoch ist, eine Rissbildung und Verziehen während einer Herstellung nicht ohne weiteres auftreten und zusätzlich die Herstellung kostengünstig durchgeführt werden kann.
Eine Mehrschichtverbindungsplatine 10 umfasst eine Mehrzahl von laminierten Keramikschichten 12. Verdrahtungselektroden 14 sind an Hauptoberflächen der Keramikschichten 12 angeordnet und Punktmuster 16 sind um die Verdrahtungselektroden 14 herum angeordnet. Die Punktmuster 16 sind gebildet, während die Dichteverteilung derselben auf eine derartige Weise variiert ist, dass das Vorhandenseinsverhältnis der Punktmuster in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode 14 groß ist und das Vorhandenseinsverhältnis mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode verringert ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 10-65286 [0003]

Claims

Eine Mehrschichtverbindungsplatine, die folgende Merkmale aufweist: eine Mehrzahl von laminierten Keramikschichten; Verdrahtungselektroden, die an Hauptoberflächen der Keramikschichten angeordnet sind; und Punktmuster, die aus einer Mehrzahl von Punkten gebildet sind, die in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektroden an den Hauptoberflächen der Keramikschichten verstreut sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß Anspruch 1, bei der die Dichteverteilung der Punktmuster variiert ist.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß Anspruch 2, bei der die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise variiert ist, dass das Vorhandenseinsverhältnis der Punktmuster in der Nachbarschaft der Verdrahtungselektrode groß ist und das Vorhandenseinsverhältnis der Punktmuster mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode reduziert ist.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß Anspruch 3, bei der die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise variiert ist, dass die Punktmuster spezifiziert sind, um mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode kleiner zu sein.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß Anspruch 3, bei der die Dichteverteilung der Punktmuster auf eine derartige Weise variiert ist, dass die Anzahl von Punktmustern mit sich verringernder Nähe zu der Verdrahtungselektrode reduziert ist.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Punktmuster an der gleichen Schicht wie dieser der Verdrahtungselektrode angeordnet sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Punktmuster aus dem gleichen Material wie diesem für die Verdrahtungselektrode gebildet sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Punktmuster aus einem Material gebildet sind, das sich von dem Material für die Verdrahtungselektrode unterscheidet.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der ein Durchkontaktierungsloch, das in den Keramikschichten angeordnet ist, enthalten ist und die Flächen einzelner Punktmuster kleiner als die Fläche des Durchkontaktierungslochs sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der ein Durchkontaktierungsloch, das in den Keramikschichten angeordnet ist, enthalten ist und die Punktmuster mit dem Durchkontaktierungsloch verbunden sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der eine Seitenoberflächenelektrode, die an einer Seitenoberfläche der laminierten Keramikschichten angeordnet ist, enthalten ist und die Punktmuster mit der Seitenoberflächenelektrode verbunden sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der eine Masseelektrode, die für eine Erdung verwendet wird, enthalten ist und die Punktmuster mit der Masseelektrode verbunden sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei der die zweidimensionale Form des Punktmusters im Wesentlichen kreisförmig ist.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der der Wert einer Wärmeschrumpfung des Punktmusters zwischen der Wärmeschrumpfung der Keramikschicht und der Wärmeschrumpfung der Verdrahtungselektrode liegt.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der die Punktmuster durch ein Siebdruckverfahren gebildet sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der die Punktmuster durch ein Tintenstrahldruckverfahren gebildet sind.
Die Mehrschichtverbindungsplatine gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der die Punktmuster durch ein elektrophotographisches Druckverfahren gebildet sind.