DE1107832B - Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt - Google Patents

Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt

Info

Publication number
DE1107832B
DE1107832B DES31028A DES0031028A DE1107832B DE 1107832 B DE1107832 B DE 1107832B DE S31028 A DES31028 A DE S31028A DE S0031028 A DES0031028 A DE S0031028A DE 1107832 B DE1107832 B DE 1107832B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor arrangement
mobility
carrier
diffusion length
usability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES31028A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Habil Heinrich Welker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL114012D priority Critical patent/NL114012C/xx
Priority to NLAANVRAGE7413389,A priority patent/NL181915B/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES31028A priority patent/DE1107832B/de
Priority to FR1090150D priority patent/FR1090150A/fr
Priority to CH320112D priority patent/CH320112A/de
Priority to GB31171/53A priority patent/GB763348A/en
Publication of DE1107832B publication Critical patent/DE1107832B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • EFIXED CONSTRUCTIONS
    • E21EARTH OR ROCK DRILLING; MINING
    • E21DSHAFTS; TUNNELS; GALLERIES; LARGE UNDERGROUND CHAMBERS
    • E21D17/00Caps for supporting mine roofs
    • E21D17/02Cantilever extension or similar protecting devices
    • E21D17/08Cap joints for obtaining a coal-face free of pit-props
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00Thyristors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
DES31028A 1952-11-10 1952-11-10 Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt Pending DE1107832B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL114012D NL114012C (enExample) 1952-11-10
NLAANVRAGE7413389,A NL181915B (nl) 1952-11-10 Schrijfmachine voor het registreren van gegevens in arabisch schrift.
DES31028A DE1107832B (de) 1952-11-10 1952-11-10 Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt
FR1090150D FR1090150A (fr) 1952-11-10 1953-09-30 Appareil électrique semi-conducteur
CH320112D CH320112A (de) 1952-11-10 1953-10-29 Elektrisches Halbleitergerät
GB31171/53A GB763348A (en) 1952-11-10 1953-11-10 Improvements in or relating to electric semi-conductor instruments

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES31028A DE1107832B (de) 1952-11-10 1952-11-10 Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1107832B true DE1107832B (de) 1961-05-31

Family

ID=7480362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES31028A Pending DE1107832B (de) 1952-11-10 1952-11-10 Elektrische Halbleiteranordnung, insbesondere gleichrichtende oder steuerbare Halbleiteranordnung, bei der es auf die Verwendbarkeit bis zu hohen Frequenzen und/oder aufeine grosse Diffusionslaenge ankommt

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH320112A (enExample)
DE (1) DE1107832B (enExample)
FR (1) FR1090150A (enExample)
GB (1) GB763348A (enExample)
NL (2) NL181915B (enExample)

Also Published As

Publication number Publication date
FR1090150A (fr) 1955-03-28
NL181915B (nl)
CH320112A (de) 1957-03-15
NL114012C (enExample)
GB763348A (en) 1956-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2312414C2 (de) Verfahren zur Herstellung von integrierten MOSFET-Schaltkreisen
DE1255134C2 (de) Verfahren zum Erzeugen von Schwingungen oder Leistungsverstaerken von elektrischen Impulsen und Mchrschichtendiode zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1807857A1 (de) Metall-Halbleitertransistor
DE2456084A1 (de) Lawinen-photodiode
DE2412699C2 (de) Ladungsgekoppeltes Halbleiterbauelement
DE1437435C3 (de) Hochfrequenzverstärker mit Feldeffekttransistor
DE2527621B2 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE2234973A1 (de) Mis-halbleitervorrichtung
DE2740203A1 (de) Ladungsuebertragungsanordnung
DE3850632T2 (de) Supraleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE2507038C3 (de) Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2430687C3 (de) Kaltemissionshalbleitervorrichtung
DE1639041A1 (de) Halbleiter-Verstaerker unter Verwendung einer Feldeffekt-Modulierung der Tunnelwirkung
DE2017172C3 (de) Halbleiteranordnung, die eine Passivierungsschicht an der Halbleiteroberfläche aufweist
DE2101279C2 (de) Integrierter, lateraler Transistor
DE1439674C3 (de) Steuerbares und schaltbares pn-Halbleiterbauelement für große elektrische Leistungen
DE69009820T2 (de) Halbleiteranordnung mit eindimensionalen Dotierungsleitern und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.
DE2231777A1 (de) Symmetrisch schaltendes mehrschichtenbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE1934956A1 (de) Monolithische Speicherzelle
DE1614146A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE2320412C3 (de) Verfahren zur Herstellung und Sortierung abschaltbarer Thyristoren
DE2326672A1 (de) Integrierte halbleiteranordnung
DE1919406B2 (de) Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator
DE2149761C3 (de) Thyristor mit isolierter Feldsteuerungselektrode
AT263870B (de) Elektroakustischer Wandler auf Halbleiterbasis