DE1107831B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleiteranordnungenInfo
- Publication number
- DE1107831B DE1107831B DEN16203A DEN0016203A DE1107831B DE 1107831 B DE1107831 B DE 1107831B DE N16203 A DEN16203 A DE N16203A DE N0016203 A DEN0016203 A DE N0016203A DE 1107831 B DE1107831 B DE 1107831B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- magnetic
- semiconducting
- template
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- CIWXFRVOSDNDJZ-UHFFFAOYSA-L ferroin Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 CIWXFRVOSDNDJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
- H01L21/248—Apparatus specially adapted for the alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Es ist auch möglich, Elektrodenkörper mit einem ferromagnetischen Material, z.B. durch Aufdampfen,
Kathodenzerstäubung, Kataphorese oder auf galva-Auch die Vorrichtungen zum Andrücken müssen 30 nischem Wege, zu bedecken. Auch kann das ferroin
die Schablonen eingesetzt werden und erhöhen die magnetische Material in Form eines getrennten Kör-Gefahr
einer Verunreinigung der Elektroden.
In einigen Fällen muß eine Schablone, nachdem an einer Seite ein Elektrodenkörper in einen solchen
"35
pers dem Elektrodenkörper zugesetzt werden.
Die Schablone kann vorteilhaft teilweise aus magnetischem Material hergestellt werden, und zwar ist
dieses Material zweckmäßig permanent magnetisiert. Es kann aber auch weichmagnetische Eigenschaften
haben und mittels eines äußeren Feldes zeitweise magnetisch gemacht werden.
Nach einem vorzugsweise angewendeten Verfahren
Kanal eingebracht wurde, umgekehrt werden, um das Anschmelzen an der anderen Seite zu wiederholen.
Dann müssen Vorkehrungen getroffen werden, damit der erste Elektrodenkörper nicht wieder aus der
Schablone herausfällt. Dies wurde gewöhnlich mit
Hilfe eines von einer Feder festgehaltenen Druck- 40 werden zwei Elektrodenkörper mittels nur eines Ma-
stücks verhindert. gnetteiles der Schablone nach dem Rand des halb-
Durch das Verfahren nach der Erfindung werden leitenden Körper getrieben und dort auf diesen Kör-
diese Nachteile beseitigt. per aufgeschmolzen.
Bei diesem wird wenigstens einem Elektroden- Eine Schablone zur Verwendung bei diesen Ver-
körper ein ferromagnetisches Material zugesetzt und 45 fahren wird an Hand einiger durch schematische
dieser Körper durch eine magnetische Kraft auf den Zeichnungen verdeutlichter Ausführungsbeispiele
halbleitenden Körper gedrückt. näher erläutert.
Das ferromagnetische Material kann z. B. durch Fig. 1 ist eine schaubildliche Darstellung einer
Mischen oder Legieren dem Elektrodenmaterial zu- Schablone zum Aufschmelzen von magnetisches Ma-
gesetzt werden; es kann z. B. als feines Pulver mit 50 terial enthaltenden Elektrodenkörpern;
Elektrodenmaterialien, wie Indium, Zinn und Blei, Fig. 2 ist eine schaubildliche Darstellung eines in
gemischt werden. dieser Schablone hergestellten Transistors;
109 609Ϊ421
Fig. 3 bis 6 zeigen verschiedene Schablonen im Schnitt.
Die Schablone nach Fig. 1 besteht aus einer Platte 1 aus feuerfestem Material, wie Graphit, die
an der Oberseite mit vier Nocken 2 versehen ist. Zwischen diese Nocken ist ein halbleitender Körper 3,
der aus einem Streifen η-leitendem Germanium besteht, angebracht. Die Dicke dieses Streifens kann
etwa 100 μ betragen. In der Graphitplatte 1 sind an der unteren Seite mehrere Bohrungen 4 vorgesehen,
in denen zylindrische Dauermagnete eingesetzt sind.
Die Elektrodenkörper können z. B. aus kleinen Indiumkugeln 6 bestehen, die im Vakuum durch Aufdampfen
mit einer dünnen Eisenschicht versehen sind. Die Dicke dieser Schicht kann wenige Mikron
betragen, während der Durchmesser der Kügelchen z. B. 150 μ beträgt. Beiderseits des Körpers 3 und in
der Nähe der Magnete 5 werden nun solche Kugeln 6 gelegt, die dann unter der Einwirkung des Magnetfeldes
gegen den Körper 3 gedrückt werden. Das Ganze wird darauf in einen Ofen gebracht und in
Wasserstoff auf 520° C erhitzt, so daß die Elektrodenkörper auf dem Germanium festschmelzen. Der Germaniumstreifen
3 wird darauf in Stücke geschnitten und auf diese Stücke werden mit Hilfe von Zinn
(s. Fig. 2) Ohmsche Kontakte 7 gelötet.
Als Ergänzung des oben beschriebenen Verfahrens können weitere Maßnahmen zur Erhöhung des
Druckes der Elektrodenkörper gegen den halbleitenden Körper getroffen werden. So ist es möglich, die
Elektrodenkörper, nachdem sie auf magnetischem Wege in ihre richtige Lage geführt worden sind, durch
Druckstücke anzudrücken.
Um die Elektrodenkörper 6 möglichst genau in ihre richtige Lage zu führen, ist es vorteilhaft, die
Magnete 5 an der Oberseite spitzenförmig auszubilden und die Spitze sehr nahe unter dem unteren
Rand des halbleitenden Körpers 3 zu setzen.
Wenn auf einem halbleitenden Körper zwei oder mehr Elektrodenkörper aufgeschmolzen werden
müssen, kann man einem oder mehreren dieser Körper ein magnetisches Material zusetzen und einem
oder mehreren anderen nicht.
In Fig. 3 ist eine Schablone dargestellt, deren Grundplatte 10 eine Ausnehmung 11 für einen halbleitenden
Körper 12 besitzt. Diese Ausnehmung ist mittels eines Deckels 13 abgeschlossen. Die Grundplatte
und der Deckel haben in Flucht miteinander liegende Kanäle 14 und 15; durch einen dauermagnetischen
Einsatz 16 der Grundplatte geht der Kanal 14.
In den Kanal 15 der Schablone wird zunächst ein Elektrodenkörper 17 eingebracht, der durch Aufdampfen
mit einer dünnen Eisenschicht versehen ist und dadurch in Richtung des dauermagnetischen Einsatzes
16 gezogen wird. Es ist möglich, diesen Druck dadurch zu verstärken, daß auf den Elektrodenkörper
16 ein aus magnetischem Material hergestelltes Druckstück 18 aufgesetzt wird. In diesem Fall kann
sogar die aufgedampfte Eisenschicht auf dem Körper 17 weggelassen werden.
Darauf wird die Schablone umgekehrt (s. Fig. 4).
Der Körper 17 und das Druckstück 18 werden dann heraufgezogen. Nachdem in den Kanal 14 ein
zweiter nichtmagnetischer Elektrodenkörper 19 eingeführt wurde, können die beiden Elektrodenkörper
in üblicher Weise aufgeschmolzen werden.
Aus dem Vorhergehenden ergibt sich, daß der Ausdruck, daß einem Elektrodenkörper ein ferromagnetisches
Material zugesetzt ist, in dem Sinne betrachtet werden muß, daß der Zusatz einen selbständigen,
zum Elektrodenkörper gehörigen Einzelteil darstellen kann, der den Elektrodenkörper auf den
halbleitenden Körper drückt.
Eine Abart dieses Verfahrens kann durch Anwendung der Vorrichtung nach Fig. 5 durchgeführt werden.
Diese besteht aus einer Schablone in Form einer Grundplatte 20 und eines Deckels 21. In der Grundplatte
ist eine Ausnehmung 22 für einen halbleitenden Körper 23 ausgespart. Weiterhin sind wieder
zwei Kanäle 24 und 25 vorgesehen. In diesem Fall sind zwei Dauermagnete 26 und 27 verwendet, deren
ungleichnamige Pole einander zugekehrt sind. Sie ziehen sich gegenseitig an und drücken die Elektrodenkörper
28 und 29 gegen den Halbleiterkörper 23.
Die Vorrichtung nach Fig. 6 weicht darin von der nach Fig. 5 ab, daß zwei Druckstücke 31 und 32 verwendet
sind, die aus einem weichmagnetischen Material bestehen. Mittels eines in den Spulen 33 und 34
erzeugten äußeren Magnetfeldes werden die Druckstücke magnetisiert, so daß sie sich gegenseitig anziehen.
Die Abstände zwischen den aus magnetischem Material bestehenden Einzelteilen können sehr klein
sein. Wenn die Stärke des halbleitenden Körpers und die Durchmesser der Elektrodenkörper zwischen 100
und 150 μ liegen, was sehr oft der Fall ist, so beträgt der Abstand zwischen den in den Fig. 5 und 6 dargestellten
Druckstücken nur 300 bis 400 μ. Bei den in den Fig. 1, 3 und 4 dargestellten Schablonen ist
der Abstand zwischen den magnetischen Einzelteilen noch kleiner. Ein verhältnismäßig schwaches Magnetfeld
ist dann ausreichend, um einen angemessenen Druck auf die Elektrodenkörper zu erzeugen.
Die magnetischen bzw. dauermagnetischen Materialien dürfen naturgemäß keine Verunreinigungen
wie Akzeptoren und Donatoren enthalten, was bei Eisen und vielen Ferriten tatsächlich nicht der Fall
ist. Weiterhin muß darauf geachtet werden, daß magnetische Materialien bei einer bestimmten Temperatur,
dem sogenannten Curie-Punkt, ihre magnetischen Eigenschaften verlieren, während bei Dauermagneten
diese Eigenschaften sich bereits bei niedrigeren Temperaturen ändern. Es ist also notwendig,
die Zusammensetzung des halbleitenden Körpers und des Elektrodenkörpers derart zu wählen, daß die Legierungstemperatur
niedriger ist als die, bei der die magnetischen Eigenschaften des dem Elektrodenkörper
zugesetzten magnetischen Materials verschwinden.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem ein halbleitender Körper
und wenigstens ein Elektrodenkörper, in Berührung miteinander, in eine Schablone oder Matrize
eingesetzt und gemeinsam erhitzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einem
Elektrodenkörper ein ferromagnetisches Material zugesetzt und dieser Körper durch eine magnetische
Kraft auf den halbleitenden Körper gedrückt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial mit
dem ferromagnetischen Material gemischt oder mit einer ferromagnetischen Materialschicht umhüllt
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht
in feinverteilter Form des Materials angebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als ferromagnetisches Material
Eisen oder Nickel verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß außerhalb der Schablone ein
Magnetfeld erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine wenigstens teilweise aus
magnetischem Material bestehende Schablone verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine wenigstens teilweise aus
dauermagnetischem Material bestehende Schablone verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Körper aus Elektrodenmaterial
unterhalb der Curie-Temperatur des magnetischen Materials mit dem halbleitenden Körper
verschmolzen und die Temperatur bis über diese Curie-Temperatur gesteigert wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Körper aus Elektrodenmaterial mit der unteren Seite eines halbleitenden Körpers verschmolzen
wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei
Körper aus Elektrodenmaterial beiderseits des Randes eines halbleitenden Körpers festgeschmolzen
werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentanmeldung S 19092 VI/48 b (bekanntgemacht am 11.10.1951);
USA.-Patentschrift Nr. 2030443.
Deutsche Patentanmeldung S 19092 VI/48 b (bekanntgemacht am 11.10.1951);
USA.-Patentschrift Nr. 2030443.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL224747 | 1958-02-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1107831B true DE1107831B (de) | 1961-05-31 |
Family
ID=19751118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN16203A Pending DE1107831B (de) | 1958-02-07 | 1959-02-03 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH372758A (de) |
DE (1) | DE1107831B (de) |
FR (1) | FR1215500A (de) |
GB (1) | GB905352A (de) |
NL (2) | NL111325C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1214327B (de) * | 1962-01-15 | 1966-04-14 | Philips Nv | Verfahren zum Festloeten von Anschlussdraehten an einem Halbleiterkoerper, insbesondere an auf einen Halbleiterkoerper auflegierten Elektroden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1229193B (de) * | 1961-02-02 | 1966-11-24 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2030443A (en) * | 1934-03-15 | 1936-02-11 | Western Electric Co | Solid rectifying element |
-
0
- NL NL224747D patent/NL224747A/xx unknown
- NL NL111325D patent/NL111325C/xx active
-
1959
- 1959-02-03 DE DEN16203A patent/DE1107831B/de active Pending
- 1959-02-04 CH CH6911859A patent/CH372758A/de unknown
- 1959-02-04 GB GB394859A patent/GB905352A/en not_active Expired
- 1959-02-05 FR FR785884A patent/FR1215500A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2030443A (en) * | 1934-03-15 | 1936-02-11 | Western Electric Co | Solid rectifying element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1214327B (de) * | 1962-01-15 | 1966-04-14 | Philips Nv | Verfahren zum Festloeten von Anschlussdraehten an einem Halbleiterkoerper, insbesondere an auf einen Halbleiterkoerper auflegierten Elektroden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL111325C (de) | |
FR1215500A (fr) | 1960-04-19 |
CH372758A (de) | 1963-10-31 |
GB905352A (en) | 1962-09-05 |
NL224747A (de) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3135208A1 (de) | Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage | |
DE2451888A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum automatischen ausrichten und verbinden eines halbleiterplaettchens mit einem leitungsrahmenaufbau | |
DE4143005A1 (de) | Magnetischer haftverschluss | |
DE1564176C3 (de) | Einrichtung zum Herstellen von Magnetbändern | |
DE1107831B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE3541395A1 (de) | Kreuzspulmessinstrument | |
DE2307788C3 (de) | Magnetron | |
DE1920941B2 (de) | Vorrichtung zur Korrektur des Strahlenganges eines durch ein magnetisches Streufeld einer oder mehrerer magnetischer Linsen abgelenkten Elektronenstrahles | |
DE1236007B (de) | Verfahren zur Herstellung stabfoermiger Magnetkoepfe und danach hergestellter Magnetkopf | |
DE2052909A1 (de) | Selbsteinstellendes Tragelement mit Magnetkopf | |
DE901325C (de) | Magnetostatische Polschuhlinse | |
DE19960876A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückrohlings und eines Kontaktstückes sowie ein Kontaktstückrohling, ein Kontaktstück und eine Kontaktstückanordnung für Axialmagnetfeldanwendungen in einer Vakuumkammer | |
DE20101734U1 (de) | Probenträger | |
AT115161B (de) | Vorrichtung zur isolierenden Zu- oder Ableitung des Mittels zum Kühlen von Körpern, die ein hohes elektrisches Potential in bezug auf Erde aufweisen. | |
AT136792B (de) | Trockengleichrichter. | |
AT234769B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-Übergang | |
DE2166347C3 (de) | Mustervorrichtung für Strickmaschinen | |
DE1139923B (de) | Legierungsform fuer Halbleiteranordnungen | |
DE2217051C3 (de) | Elektrodynamisches Mikrophon mit mindestens einem Schallwiderstand | |
DE1142970B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufschmelzen von Elektroden auf einen Halbleiterkoerper | |
DE1614399C (de) | Korpuskularstrahlgerat, insbesonde re Elektronenmikroskop, mit einer Streu strahlung des Korpuskularstrahls ausge setzten Teilen aus einem isolierenden Werkstoff | |
DE2433678C3 (de) | Abtastelement zum Abtasten von Zielkennzeichenmagneten | |
DE2233656C3 (de) | Magnetsystem für einen akustischen Wandler | |
DE974050C (de) | Nichtlinearer Widerstand | |
AT248728B (de) | Vorrichtung zur Justierung des Außenmaßes über die Polenden senkrecht zum Arbeitsluftspalt eines aus einer Bandschleife gebildeten Magnetkopfes und zum Fixieren der Bandschleife während des Umgießens mit Kunstharz |