DE1087425B - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen dotierter Halbleitereinkristalle durch Aufdampfen und Diffusionsgluehen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen dotierter Halbleitereinkristalle durch Aufdampfen und Diffusionsgluehen

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DE1087425B
DE1087425B DER20656A DER0020656A DE1087425B DE 1087425 B DE1087425 B DE 1087425B DE R20656 A DER20656 A DE R20656A DE R0020656 A DER0020656 A DE R0020656A DE 1087425 B DE1087425 B DE 1087425B
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DER20656A
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Jean Jules Achille Robillard
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Motorola Inc
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • H10P95/00—

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