DE1080973B - Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial

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DE1080973B
DE1080973B DES63538A DES0063538A DE1080973B DE 1080973 B DE1080973 B DE 1080973B DE S63538 A DES63538 A DE S63538A DE S0063538 A DES0063538 A DE S0063538A DE 1080973 B DE1080973 B DE 1080973B
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DE
Germany
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zone
melting
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melting point
seed crystal
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DES63538A
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German (de)
English (en)
Inventor
Ludwig Sporrer
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Publication date
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Priority to NL108941D priority patent/NL108941C/xx
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Priority to GB1054660A priority patent/GB915881A/en
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Priority to CH647760A priority patent/CH385498A/de
Priority to CH948360A priority patent/CH396424A/de
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/34—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
DES63538A 1959-06-20 1959-06-20 Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial Pending DE1080973B (de)

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FR815565A FR1245238A (fr) 1959-06-20 1960-01-13 Procédé d'obtention d'une matière monocristalline pour semi-conducteurs
GB1054660A GB915881A (en) 1959-06-20 1960-03-24 A process for producing a monocrystalline rod of semi-conductor material
CH647760A CH385498A (de) 1959-06-20 1960-06-07 Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes
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FR (1) FR1245238A (en, 2012)
GB (1) GB915881A (en, 2012)
NL (2) NL246700A (en, 2012)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1182207B (de) * 1962-07-20 1964-11-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE3322629A1 (de) * 1983-06-23 1985-01-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen

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DE1182207B (de) * 1962-07-20 1964-11-26 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE3322629A1 (de) * 1983-06-23 1985-01-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen

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